JP6944874B2 - TiAl金属間化合物の単結晶材料及びその製造方法 - Google Patents

TiAl金属間化合物の単結晶材料及びその製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、軽質で高強度の構造材料の技術分野に属し、具体的には、TiAl金属間化合物の単結晶材料及びその製造方法に関する。
TiAl金属間化合物は、新たな軽質で高温構造材料であり、比重がニッケル基高温合金の50%以下であり、高比強度、高比剛性、耐食、耐摩耗、耐高温であり、高弾性率及び優れた酸化防止性、クリープ防止性を有し、また、良好な高温強度を有する等の利点があり、使用温度が750〜900℃までに達し、Ni基高温合金に近いが、密度が高温合金の半分しかないので、Ni基高温合金の理想的な代替材料であり、自動車又は航空エンジンの高温部材、例えば、羽根、タービン盤及び排気弁等に広く適用できる。例えば、TiAl合金は、グラムを重量減少単位とする航空宇宙の高温用材料であり、特にエンジン用の最適な候補材料である。米国GE社は、Ti−48Al−2Cr−2Nb(4822)合金によりボーイング飛行機の後二段の低圧タービン羽根を開発し、飛行機の重量を200Kg程度削減することに成功した。高Nb−TiAl合金は、その高温力学性能、クリープ防止性能及び酸化防止性能が一般的なTiAl合金よりも顕著に高く、使用温度が約60〜100℃高められ、最もエンジニアリング応用の見通しがあるTiAl合金である。
しかし、金属間化合物の固有の脆性のため、TiAl合金の室温での脆性が劣ることは、工業化適用を阻害する主な原因となる。同時に、現在適用される4822合金の使用温度が650℃までであり、高温性能をさらに高める余地がある。したがって、大量の研究は、TiAl合金の組織構造を調整することにより室温脆性を改善し使用温度を高めることに集中している。TiAl合金のPST結晶では、強度と塑性が明らかな異方性を示しているので、TiAl合金を配向凝固方法により完全ラメラ組織のPST結晶を作製し、ラメラ組織の配向を配向凝固における結晶の成長方向に平行にすることにより、TiAl合金の力学性能を向上させることができる。
完全ラメラ組織のTiAl合金の力学性能は、ラメラの配向と密接な関係がある。単一配向を有する完全ラメラ多重双晶PST(Polysynthetic twinned crystal)を検討したところ、その強度と塑性が明らかな異方性を示すことを見出した。完全ラメラ組織は、このような異方性を有するために、ラメラの配向が適切な場合、航空エンジン羽根のような耐高温が求められ、一次元方向のみの荷重を受ける使用条件に対してより好適になる。TiAl合金で、配向凝固方法により完全ラメラ組織のエンジン羽根を作製し、ラメラ組織の配向を羽根の軸方向(配向凝固における結晶の成長方向)に平行にすることができれば、極めて有利であることに違いない。Yamaguchi等は、TiAl合金のラメラの配向による力学性能に対する影響を系統的に検討したところ、荷重方向とラメラの配向とが平行である場合、降伏強度と伸びが最適な組合せになることを見出した。したがって、TiAl合金の使用性能をさらに向上させるには、最終的な組織のラメラの配向を制御することで、配向と荷重方向が一致するTiAl金属間化合物の単結晶の完全ラメラ組織を得る必要がある。
現在、国内外では、TiAl合金のラメラの配向の制御方法は、主に種結晶法と、凝固経路を変える非種結晶法を含む。Yamaguchi、Johnson等は、α相凝固種結晶法により、Ti−Al−Si系合金を種結晶として選用し、ネックイン結晶選択法によりラメラの配向が成長方向に完全に平行する単結晶PSTを得た。種結晶の成分は、通常、母合金の成分と差異があるため、配向凝固した合金の成分と性能がばらつき、しかも、種結晶の製造プロセスが複雑である。そのため、種結晶法には、明らかな不足がある。
非種結晶法において、現在、国内外では、研究により、成長方向に平行する完全ラメラTiAl単結晶組織を得ることがない。林均品等は、低いG/V条件で、Ti−46Al−5Nb合金に対して、「自己種結晶法」(double directional solidification)という方法により成長方向に平行する完全ラメラ単結晶組織を得た。彼らは、低いG/Vプロセスにより、β相樹枝状結晶のピッチが好適である条件で、固相相転移β→αが発生して異なる位相のα変体を生成することなく、全包晶反応により成長方向に平行する単一配向のα相を得ることができ、これにより、ラメラの配向に対する制御を完成できると考えている。このような方法では、同じプロセスの配向凝固を二回行う必要があり、一般的な非種結晶法より凝固過程が一回多く、ルツボ材料による合金に対する汚染が重くなり、配向凝固するTiAl合金の工業化に不利である。
この前、国内外では、非種結晶法によるラメラの配向の制御に対する研究については、いずれも凝固経路を変えるものであり、単結晶のラメラの配向を制御できず、成長方向に完全に平行する単結晶のラメラ組織を得ることがない。この技術難題を解決するために、TiAl合金の固相配向相転移過程は、ラメラの配向を制御する鍵となる。状態図から分かるように、完全ラメラ組織のTiAl合金は、凝固した後、さらに、β→α及びα→α+γの固相相転移を経る必要がある。初期相がβ相である場合、好ましい成長方向が<001>であり、位相関係が{110}β//{0001}α//{111}γ [25]であり、かつ、{110}βの12個の変数のうち、4個が成長方向に平行し、8個が成長方向に対して45°[16,26]で傾斜し、固相相転移を経て形成されたラメラ組織のうち、成長方向に平行する晶癖面の配向が1/3しかない。TiAl合金の最終的なラメラ組織の配向は、初期β相の成長方向に依存するだけでなく、その後の固相相転移過程にも依存することが明らかである。したがって、β→α固相相転移過程も、ラメラの配向を制御する鍵となる。しかしながら、これまでのTiAlラメラの配向の制御についての研究は、いずれも凝固過程に集中しており、凝固後の固相相転移過程を無視した。
したがって、連続配向液固相相転移−固相相転移条件でのTiAl合金のラメラの配向に対する制御を完成するには、凝固過程を制御することにより、配向凝固初期相をβ相とするだけでなく、TiAl合金の配向固相相転移過程における新たな相の核形成、成長、相界の配向移動過程を制御することにより、配向固相相転移において成長方向と0°をなすラメラの配向のみを残すことも必要である。
本発明の目的は、ラメラの配向が完全に制御可能な、優れた室温及び高温性能を有するTiAl金属間化合物の単結晶材料を提供することである。当該材料は、理想的なラメラの配向を有し、組織が均一で汚染がなく、高い強度(729MPa)を維持するとともに室温での引張塑性が6.9%に達し、900℃の高温での降伏強度が637MPaであり、かつ、延性−脆性遷移温度が900℃以上に達する。
本発明の別の目的は、前記TiAl金属間化合物の単結晶材料の製造方法を提供することである。
本発明の目的は、以下の手段により達成できる。
原子パーセントで、合金成分の表現式がTiAlNb(C,Si)(ただし、43≦b≦49、2≦c≦10、a+b+c=100、0≦d≦1である)であるTiAl金属間化合物の単結晶材料。
一方案において、当該材料の合金成分の表現式がTiAlNb(C,Si)(ただし、42≦a≦55、43≦b≦49、2≦c≦9、d=0である)である。
別の方案において、当該材料の合金成分の表現式がTiAlNb(C,Si)(ただし、44≦a≦51、43≦b≦47、6≦c≦9、d=0である)である。
別の方案において、当該材料の合金成分の表現式がTiAlNb(C,Si)(ただし、43≦b≦47、6≦c≦10、a+b+c=100、0.1≦d≦1である)である。
本発明のTiAl金属間化合物の単結晶材料は、非種結晶法により光学浮遊帯で配向凝固する方法により製造することができ、当該方法は、
(1)それぞれ純度が99.9%以上の各純物質の素材を選択し、合金成分の表現式に応じて配合し、真空度が10−3Paよりも小さいコールドクルーシブル電磁誘導浮揚型の製錬炉で母合金インゴットを製錬し、重力鋳造法又は吸引鋳造法により母合金棒材を得る工程と、
(2)母合金棒材を上下棒材の2つの部分に切断し、それぞれ光学浮遊帯の配向凝固炉の原料棒と種結晶棒とし、上端原料棒と下端種結晶棒との間の距離を1〜5mmに制御し、上下棒材間の距離を1〜5mmとし、まず、原料棒と種結晶棒を水平面に同軸で垂直になるように設け、配向凝固する時に保護するための不活性ガスを流入させ、上下棒材を、逆方向で相対回転数10〜40rpmで回転するように調節し、加熱を開始し、上下棒材の対向する一端をまず溶解させ、対向する一端が次第に近接してから接合するように、上下棒材の位置を調整し、設備の出力を調節して5〜10min保温した後に、浮遊帯の表面が平滑になり、均一に溶解すると、成長速度を2.5〜30mm/hに調節し、配向凝固を開始し、凝固が完了した後に出力を徐々に低下させるとともに、凝固した試料と残りの送り棒試料とを徐々に分離する工程と、
(3)1250℃〜1350℃×12h〜24h+900℃×30min/炉冷又は空冷による熱処理方式により、製造されたTiAl合金の単結晶棒材を真空熱処理する工程と、を備える。
好ましい方案において、工程(1)において、電磁誘導浮揚製錬に水冷銅ルツボを採用し、母合金の製錬回数が3回以上であり、4回以上がさらに好ましい。
好ましい方案において、工程(1)において、前記母合金棒材の寸法がΦ(4〜8)mm×120mmであり、前記吸引鋳造法に差圧吸引鋳造を採用し、圧力の強さの差を3MPaに維持し、重力鋳造法を採用する場合、保護ガスの圧力の強さが標準大気圧の3分の2である。製造された母合金丸棒材の寸法がΦ(4〜8)mmであってもよい。
好ましい方案において、工程(1)において、Al、Ti、C又はSi素材の純度が99.999%以上であり、Nb純金属素材の純度が99.9%以上である。
好ましい方案において、工程(1)において、下端種結晶棒の長さが20〜30mmであり、上端原料棒の長さが190mmよりも小さい。
好ましい方案において、工程(2)において、前記不活性ガスがアルゴンガス又は窒素ガスであり、配向凝固する時に流入させた不活性ガスの流量が3〜5L/minである。
好ましい方案において、工程(2)において、対向する一端が次第に近接してから接合するように、上下棒材の位置を調整し、その後、設備の出力を調節して保温溶解を行う。設備の総出力が4.0KWである場合、出力を総出力の55〜70%に調節する。
好ましい方案において、工程(3)において、単結晶棒に対して、プロセスが「1250℃×24h+900℃×30min+空冷」の脱偏析真空熱処理を行う。
本発明は、
純度が99.999%以上のTi、Al、Nb純金属素材を選択し、合金成分の表現式に応じて配合し、真空度が10−3Paよりも小さいコールドクルーシブル浮揚型の製錬炉で母合金を製錬し、3〜4回製錬して合金成分を均一化し、配向凝固した棒材になるように吸引鋳造する第一工程と、
TiAl合金試料棒を、高純度のイットリアがコーティングされた鋼玉ルツボに入れて配向凝固し、5×10−3Paまで真空引きし、システム内に高純度アルゴン保護ガスを充填する第二工程と、
誘導電源の出力を調節して試料を加熱し、保温温度を1450〜1650Kとし、保温時間を15〜30minとし、配向凝固を開始し、配向凝固の引上げ速度を5〜20μm/sに制御し、試料の長さが50mmになるまで持続的に成長させ、高速焼入れを開始して配向凝固した試料に高速焼入れ処理を行い、固液界面を残す第三工程と、
を備える前記TiAl金属間化合物の単結晶材料の別の製造方法をさらに提供する。
好ましい方案において、第一工程において、配向凝固した棒材の寸法がΦ(4〜6mm)×100mmである。
好ましい方案において、第二工程において、高純度のイットリアがコーティングされた鋼玉ルツボの寸法がΦ(7〜9mm)×100mmであり、高純度のアルゴン保護ガスの充填量が0.04〜0.06MPaである。
当該方法の原理は、Bridgman配向凝固方法によりTiAl合金のラメラの配向を制御し、凝固のパラメータである温度勾配及び成長速度を変えることにより、まず、初期相が全β相であることを確保し、次に、凝固過程において結晶粒の競争淘汰により単結晶を得るとともに、凝固過程において、所定の臨界温度に対応する引上げ速度が存在し、この引上げ速度において、最終的なラメラの配向と成長方向が45°をなすα相は、相界移動により解消され、β→α相転移で得られた12個のα変数のうち最終的なラメラの配向が成長方向に平行するα相のみを残し、ラメラの配向に対する制御を完成することである。
本発明は、従来技術に比べて、以下の利点を有する。
(1)本発明が提案したTiAl合金材料の製造プロセス方法により、当該合金の室温力学性能を大幅に向上させ、特に室温脆性を改善することができる。本発明は、Nb元素の含有量を調節し、C及びSi強化元素を少量添加することにより、合金の高温力学性能を効果的に改善することができる。
(2)非種結晶の光学浮遊帯法による配向凝固技術を採用することにより、合金の汚染を防止するとともに、種結晶法において加工が複雑で、成分の組織が不均一である欠点を回避し、従来のBridgman配向凝固による合金の汚染の間題を回避しながら、高速で効率よくTiAl−Nb単結晶を得ることができる。真空熱処理を適用することにより、TiAl合金を配向凝固した後に組織に残った大量の脆性B2相及びNbリッチ脆性偏析相を完全に解消し、組織が均一で、室温性能に優れた合金材料を得るとともに、ラメラの粗化を回避する。
(3)本方法では、一般的なBridgman配向凝固方法を採用し、凝固パラメータを調節し、連続配向液固相相転移−配向固相相転移を制御することにより、全β相の成長を確保するとともに、固相相転移において最終的なラメラの配向を制御することにより、ラメラの配向が成長方向に完全に平行するTiAl合金の単結晶組織を得ることもできる。本発明は、種結晶法による成分性能のがたつきの欠点を効果的に回避するとともに、一回の配向凝固過程だけで、理想的なラメラの配向の単結晶組織を得、プロセスを簡略化させる。
(4)本発明では、TiAl合金の単結晶を製造する過程において、一定範囲の凝固パラメータで単結晶のラメラの配向を完全に制御することができる。本発明は、TiAl合金を配向凝固する工業化適用のために理論基礎を提供する。
(5)本方法の製造プロセスが簡単であり、コストが低く、室温脆性の改善効果が顕著であり、普遍的な適用性及び普及価値がある。
従来技術の一部のTi−Al二元合金の二元状態図である。 本発明の配向凝固試料の最大縦断面(a)及びラメラの配向(b)のミクロ組織図である。 本発明の配向凝固試料の競争領域の縦断面のミクロ組織図である。 本発明の配向凝固試料の最大縦断面(a)及びラメラの配向(b)のミクロ組織図である。 本発明の配向凝固試料の競争領域の縦断面のミクロ組織図である。 本発明の配向凝固試料の最大縦断面(a)及びラメラの配向(b)のミクロ組織図である。 本発明の配向凝固試料の焼入れの固液界面である。注:添付図面2〜7におけるミクロ組織の成長方向は右から左へである。 高強度高塑性のTiAl合金材料の製造フロー図である。 TiAl合金の配向凝固単結晶(a)及びラメラの配向(b)のミクロ組織である。 TiAl合金の単結晶の異なる熱処理プロセス前後の偏析のミクロ構造である(aが熱処理前であり、bが熱処理後である)。 異なる熱処理プロセス前後のTiAl合金の単結晶のXRD回折図である。 TiAl合金の室温引張力学性能曲線である。 TiAl−Nb単結晶が凝固したときの固液界面形態(a)及びネックイン結晶選択の原理の模式図(b)である。 TiAl−Nb合金を配向凝固した後に得られた光学形態である。 TiAl−Nb単結晶の熱処理前(a)と後(b)の偏析の走査型電子顕微鏡写真である。 TiAl−Nb単結晶の熱処理前(a)と後(b)のラメラのピッチの写真である。 TiAl−Nbを900℃で引っ張った変位強度曲線である。
以下に添付図面及び実施例を参照して、本発明の内容をさらに説明するが、本発明の保護範囲は、下記各例に限られるものではない。
以下に添付図面及びBridgman配向凝固方法を参照して、ラメラの配向が完全に制御可能なTiAl金属間化合物の単結晶を製造する。具体的な実施形態は以下のとおりである。
(1)初期相が全β相であるTi−Al−Nb三元合金を選択する。多元合金の状態図及び相選択原理により、図1に示すように、原子成分間の配合関係を調整することにより、まず析出した相を全てβ相とする。具体的には、Nbの含有量を高め、Alの相対的割合を低下させて、広いβ相領域を形成する。
(2)1)で得られた合金成分に基づいて、高純度の金属成分により配置し、高純度のArガスの保護下で、コールドクルーシブル電磁浮揚型の製錬設備で母合金を溶製する。母合金を複数回製錬して均一な母合金インゴットを得、母合金棒材になるように吸引鋳造する。
(3)TiAl合金棒材を、内壁に高純度イットリア焼結体がコーティングされた鋼玉ルツボに置き入れ、鋼玉ルツボの寸法をΦ(5〜8mm)×100mmとし、Bridgman配向凝固炉に入れ、5×10−3Paまで真空引きすると、0.04〜0.06MPaの高純度アルゴン保護ガスを充填する。
(4)誘導電源の出力を調節して試料を加熱し、保温温度を1450〜1650Kとし、保温時間を15〜30minとし、配向凝固を開始し、配向凝固成長速度を5〜20μm/sに制御する。
(5)一定の速度で試料の長さが50mmになるまで持続的に成長させ、高速焼入れを開始して配向凝固試料に高速焼入れ処理を行い、固液界面を残す。
以下に具体的な実施例1〜7及び図1〜7を参照して本発明をさらに説明する。
実施例1
実験で用いられる合金成分は、Ti47Al45Nb(原子パーセントat%)であり、金属成分の純度がいずれも99.999%であり、高純度のArガスの保護下で、真空度5×10−3Paで、コールドクルーシブル電磁浮揚型の製錬設備により母合金を溶製した。4回製錬して均一な母合金インゴットを得、Φ4×100mmの母合金棒材になるように吸引鋳造した。TiAl合金試料棒を、内壁に高純度イットリアが塗布された鋼玉ルツボに入れて配向凝固実験を行い、5×10−3Paまで真空引きし、そして、システム内に0.05MPaの高純度アルゴン保護ガスを充填した。誘導電源の出力を調節して試料を加熱し、保温温度を1550Kとし、保温時間を25minとし、配向凝固を開始し、配向凝固の成長速度を5μm/sに制御した。試料の長さが50mmになるまで長さを引き上げると、高速焼入れを開始して試料に高速焼入れ処理を行い、固液界面を残す。当該円柱試料の最大縦断面に対して、ミクロ組織を評価し、当該引上げ速度での凝固先析出相、結晶粒の大きさ及びラメラの配向を観察し分析したところ、図2(a)及び図2(b)に示されるように、ラメラの配向が成長方向に平行するTiAl合金の単結晶を得たことが分かった。成長速度が5μm/sと小さい場合、溶質の富化を十分に拡散させることができ、成長が安定して進行することができ、結晶粒が成長するための時間が十分であるので、得られた結晶粒は、単結晶成長するまで粗大である。
図3は、5μm/s時の配向凝固競争領域のミクロ組織である。β→α固相相転移において、0°及び45°のラメラを形成する2種類の界面のミスマッチ度が異なることにより、異なる相界の移動率が異なるので、臨界引上げ速度5μm/sが存在し、この引上げ速度以下で、0°及び45°のラメラの配向を形成するα結晶粒が核形成すると、0°結晶粒の成長駆動力が大きくなり、最終的に45°結晶粒が淘汰され、ラメラの配向が成長方向に平行する単結晶を得た。
実施例2
実施例1と同じ合金成分及び方法を採用し、保温温度を1550Kとし、保温時間を25minとし、配向凝固を開始し、配向凝固の成長速度を15μm/sに制御した。図4(a)及び図4(b)に示されるように、この引上げ速度でβ→α固相相転移において、45°のラメラの配向のα相が残されたので、最終的な組織は、ラメラの配向が45°の単結晶であった。
図5は、15μm/sである時の配向凝固競争領域のミクロ組織である。この引上げ速度で、45°結晶粒の固相相転移における核形成の駆動力が0°結晶粒よりも大きく、0°結晶粒が成長できなくなり、ラメラの配向と成長方向が45°をなすTiAl合金の単結晶を得た。
実施例3
実施例1と同じ合金成分及び方法を採用し、保温温度を1550Kとし、保温時間を25minとし、配向凝固を開始し、配向凝固の成長速度を20μm/sに制御した。図6(a)及び図6(b)に示されるように、ラメラの配向と成長方向が45°をなす単結晶を得た。
図7は、高速焼入れ処理後に残った固液界面であり、樹枝状結晶の成長形態が4重対称となり、明らかな二次樹枝状結晶を有し、かつ、一次樹枝状結晶の幹と90°の垂直関係をなすので、配向凝固過程において、立方晶系のβ相が初期相であることを推断できる。
実施例4
実施例1と同じ方法を採用し、用いられる合金成分をTi55Al43Nbとし、保温温度を1650Kとし、保温時間を30minとし、配向凝固の成長速度を5μm/sとし、ラメラの配向が成長方向に平行するTiAl合金の単結晶を得た。
実施例5
実施例1と同じ方法を採用し、用いられる合金成分をTi48Al43Nbとし、保温温度を1450Kとし、保温時間を30minとし、配向凝固の成長速度を10μm/sとし、ラメラの配向と成長方向が45°をなすTiAl合金の単結晶を得た。
実施例6
実施例1と同じ方法を採用し、用いられる合金成分をTi51Al45Nbとし、保温温度を1650Kとし、保温時間を15minとし、配向凝固の成長速度を5μm/sとし、ラメラの配向が成長方向に平行するTiAl合金の単結晶を得た。
実施例7
実施例1と同じ方法を採用し、用いられる合金成分をTi42Al49Nbとし、保温温度を1550Kとし、保温時間を25minとし、配向凝固の成長速度を5μm/sとし、ラメラの配向が成長方向に平行するTiAl合金の単結晶を得た。
以下に、添付図面8及び高強度高塑性のTiAl合金材料の別の製造方法を参照して、本発明をさらに詳しく説明し、具体的な実施形態は以下のとおりである。
(1)図8を参照して、当該高強度高塑性のTiAl合金材料の合金成分の原子パーセントは、(44〜51)Ti−(43〜47)Al−(6〜9)Nbであった。原子成分間の配合関係を調整することにより、先析出相を全てβ相とした。
(2)水冷銅ルツボを選択し、TiAl合金の母合金ボタンインゴットを電磁誘導浮揚方式で製錬し、吸引鋳造法により母合金棒材を得た。
(3)母合金棒材を原料棒及び種結晶棒の2つの部分に切断し、光学浮遊帯法により配向凝固し、保護雰囲気として高純度アルゴンガスを流入させ、上下段の相対回転数、加熱出力及び成長速度を調節することにより、TiAl合金のラメラの配向を制御して単結晶成長した。
(4)製造されたTiAl合金の単結晶棒材を真空熱処理し、α単一相領域で一定の時間加熱してから保温し、その後、焼き入れを行った。脆性B2相及び残存応力を完全に解消し、高強度高塑性のTiAl合金材料を得た。
(5)OM、XRDにより、製造されたTiAl合金に対して微視的構造を評価し、さらに力学性能について評価することにより、最適な総合的力学性能を有するTiAl合金材料の微視的組織及び対応する製造プロセスパラメータを確定した。
以下に、具体的な実施例8〜13及び図8〜12を参照して、本発明をさらに説明する。
実施例8
(1)素材の選用:
本発明では、母合金インゴットの製造で選用される合金成分はTi47Al45Nb(原子パーセント)であり、各金属成分の純度について、Ti、Alが99.999%であり、Nbが99.95%であった。
(2)母合金インゴットの製造:
高純度アルゴンガスの保護条件下で、水冷銅ルツボを用いた電磁誘導浮揚型の製錬炉により母合金インゴットを溶製した。金属原料の表面を機械的研磨して表面の酸化皮膜を除去した後、設計された成分配合材料に応じて材料を準備した。インゴットごとに70g程度の重量で、配合された材料を製錬炉内の水冷銅ルツボ内に入れ、5×10−3Paまで真空引きした。炉内に所定の圧力の高純度のアルゴンガス(99.999%)を充填し、アルゴンガスの圧力範囲を0.8〜1MPaとした。3〜4回マルチパス製錬して、均一に混合した母合金インゴットを得た。その後、母合金インゴットをΦ6×120mmの棒材になるように吸引鋳造した。
(3)光学浮遊帯での配向凝固:
母合金棒材を上下棒材の2つの部分に切断し、それぞれ光学浮遊帯の配向凝固炉の原料棒と種結晶棒とした。下端は、長さが30mmの種結晶棒であり、上端は、長さが100mmよりも小さい送り棒であった。配向凝固する時に、まず、原料棒と種結晶棒を水平面に同軸で垂直になるように設け、上下棒材間の距離を5mmとし、かつ、当該間隔を4つのフィラメント集束中心に位置させた。5L/minの高純度のアルゴンガスを保護雰囲気として流入させ、上下棒材の軸方向の相対回転数を30rpmに調節し、加熱を開始し、上下棒材の対向する一端をまず溶解させ、対向する一端が次第に近接してから接合するように、上下棒材の位置を調整し、出力を総出力の68%に調節し、5min保温して浮遊帯の表面を平滑にし、均一に溶解させると(すなわち、浮遊帯に明らかな振動がなくなると)、成長速度を5mm/hに調節して、配向凝固を開始した。80mmまで成長させると、配向凝固を停止し、出力を徐々に低下させるとともに、凝固した試料と残りの送り棒試料とを徐々に分離した。
(4)真空熱処理
配向凝固棒材の単結晶部分を鋼玉管内に入れ、10−3Paまで真空引きした後に封管し、熱処理炉に入れ、1300℃×24h+900℃×30min/炉冷による熱処理プロセスを採用した。
(5)構造及び性能の評価
図9aは、光学浮遊帯の配向凝固後の試料棒の巨視的写真であり、試料が配向凝固において短い競争淘汰を経た後迅速に単結晶成長したことが認められた。図9bは、単結晶ラメラの配向が成長方向に平行することを示す。図10(a)及び図10(b)は、熱処理前後のミクロ組織図であり、図11のXRDスペクトルを参照し、熱処理前の組織内部にB2相が大量分布しており、24h熱処理した後に、B2が完全に解消されたことが分かった。図12は、製造された高強度高塑性のTiAl合金の室温での引張応力−ひずみ曲線であり、降伏強度が729MPaであるとともに、塑性ひずみが6.9%であり、非常に優れた室温力学性能を有する。
実施例9
実施例8と同じ製造方法を採用し、合金成分をTi44Al47Nb(原子パーセント)とし、光学浮遊帯の配向凝固プロセスは、相対回転数20rpm、加熱出力55%、成長速度2.5mm/hとし、真空熱処理プロセスは、1250℃×12h+900℃×30min/炉冷とし、B2相が完全に解消され、TiAl合金材料の室温での引張降伏強度が550MPaであり、塑性ひずみが6.0%であった。
実施例10
実施例8と同じ製造方法を採用し、合金成分をTi51Al40Nb(原子パーセント)とし、光学浮遊帯の配向凝固プロセスは、相対回転数25rpm、加熱出力70%、成長速度10mm/hとし、真空熱処理プロセスは、1300℃×20h+900℃×30min/炉冷とし、B2相が完全に解消され、TiAl合金材料の室温での引張降伏強度が628MPaであり、塑性ひずみが6.5%であった。
実施例11
実施例8と同じ製造方法を採用し、合金成分をTi48Al43Nb(原子パーセント)とし、光学浮遊帯の配向凝固プロセスは、相対回転数20rpm、加熱出力68%、成長速度15mm/hとし、真空熱処理プロセスは、1350℃×24h+900℃×30min/炉冷とし、B2相が完全に解消され、TiAl合金材料の室温での引張降伏強度が660MPaであり、塑性ひずみが6.2%であった。
実施例12
実施例8と同じ製造方法を採用し、合金成分をTi48Al43Nb(原子パーセント)とし、光学浮遊帯の配向凝固プロセスは、相対回転数20rpm、加熱出力70%、成長速度15mm/hとし、真空熱処理プロセスは、1350℃×12h+900℃×30min/炉冷とし、B2相が完全に解消され、TiAl合金材料の室温での引張降伏強度が593MPaであり、塑性ひずみが6.8%であった。
実施例13
実施例8と同じ製造方法を採用し、合金成分をTi48Al46Nb(原子パーセント)とし、光学浮遊帯の配向凝固プロセスは、相対回転数30rpm、加熱出力60%、成長速度20mm/hとし、真空熱処理プロセスは、1250℃×12h+900℃×30min/炉冷とし、B2相が完全に解消されず、図10bのXRDスペクトルにおいて、12h熱処理の後に、B2相が少量残ったことが分かり、TiAl合金材料の室温での引張降伏強度が656MPaであり、塑性ひずみが3.0%であった。
実施例14
実施例8と同じ製造方法を採用し、合金成分をTi44Al45Nb(原子パーセント)とし、光学浮遊帯の配向凝固プロセスは、相対回転数25rpm、加熱出力55%、成長速度30mm/hとし、ラメラの配向と成長方向が45°をなすTiAl合金の単結晶を得た。真空熱処理プロセスは、1250℃×12h+900℃×30min/炉冷とし、B2相が完全に解消され、TiAl合金材料の室温での引張降伏強度が430MPaであり、塑性ひずみが7.8%であった。
実施例15
(1)選用された合金成分の原子パーセントがTi−45Al−8Nb−0.3C−0.2Siであり、残量がTiであり、初期原料が99.999%の高純度Al、Ti、CとSi及び99.95%の高純度Nbであり、真空度5×10−3MPaで、コールドクルーシブル電磁誘導浮揚型の製錬炉により4回繰り返して製錬し、TiAl−Nb母合金インゴットを得た。
(2)圧力の強さの差が3MPaである差異吸引鋳造法によりΦ6mmの丸棒状合金を得た。
(3)光学浮遊帯法により配向凝固し、吸引鋳造により得られた合金棒材を、下端が20mmの種結晶棒、上端が150mmの送り棒になるように切断し、送り棒に対してネックイン結晶選択処理を行った。配向凝固する時に、まず、送り棒及び種結晶棒を取り付け、送り棒と種結晶棒を同軸に保持し水平面に垂直に設ける必要があり、送り棒と種結晶棒との距離が1〜3mmであり、対向する一端が、4つのフィラメント集束中心に位置した。流速が4L/minの保護ガスを流入させ、種結晶棒及び送り棒をそれぞれ30r/minで逆方向で回転させるように調節し、加熱出力を10min以内で68%に上昇して合金を溶解させ、5min保温した後に、15mm/hの成長速度で配向凝固した。光学浮遊帯の加熱特徴により、固液界面は、図13(a)に示される凸形界面となり、原理図は、図13(b)に示されるように、中間結晶粒が成長方向に沿って成長し、両側の結晶粒が両側の斜め方向に成長した。したがって、送り棒に対してネックイン結晶選択処理を行った後に、中間に成長した結晶粒が両側の結晶粒を淘汰し、単結晶に快速に成長するようになり、競争成長から最終的な安定成長までの過程は、図14に示されるとおりである。配向凝固が完了した後に、出力を徐々に低下させるとともに、凝固した試料と残りの送り棒試料とを徐々に分離した。
(4)製造されたTiAl−Nb単結晶を真空脱偏析熱処理し、熱処理前の偏析形態は、図15(a)に示されるように、1250℃のα単一相領域で24h加熱した後、偏析相を解消でき、さらに、900℃で30min均一化処理し、空冷方式により最終的な単結晶を得た。図15(b)に示されるように、熱処理により既に完全に解消されたことを示す。図16は、熱処理前後のラメラのピッチの変化であり、空冷の冷却速度が速く、ラメラは、粗化する時間がなかった。
(5)熱処理された単結晶を、標点距離がΦ3mm×20mmの引張試料に加工し、引張速度1×10−3−1及び引張温度900℃で引っ張った曲線を図17に示し、当該TiAl−Nb単結晶は、900℃で降伏強度が637MPaであり、伸びが8.1%であり、延性−脆性遷移温度が900℃よりも大きく、一般的なTiAl合金よりもはるかに高いことを示す。
実施例16
実施例15と同じ方法を採用し、Ti−45Al−8Nb−0.4C−0.5Siで、残量がTiである合金を製造したが、重力鋳造方法に変更し、Φ8mmの丸棒状試料を得た。ネックイン結晶選択処理を採用したため、当該直径の合金によりも単結晶試料を快速に得ることができ、同様に脱偏析熱処理した後の引張強度が618MPaであり、伸びが9.2%であった。
実施例17
実施例15と同じ製造方法を採用し、合金成分をTi−45Al−8Nb−0.4Si−0.6Cに変更し、残量をTi(原子パーセント)とした。同様に同じ熱処理プロセスを採用し、少量のC及びSiにより相転移温度点が大幅に変化することがないが、高温強化作用をもたらし、材料の900℃での引張降伏強度が650MPaであり、塑性ひずみが7.6%であった。
実施例18
実施例15と同じ製造方法を採用し、合金成分をTi−45Al−8Nb−0.5Siとし、残量をTiとし、引上げ速度を40mm/hに変更し、温度勾配が小さくても、ネックイン結晶選択処理を採用したため、速い成長速度で依然として単結晶を得た。熱処理後の900℃での引張降伏強度が595MPaであり、伸びが8.7%であった。
実施例19
実施例15と同じ製造方法を採用し、合金成分をTi−43Al−10Nb−0.3C−0.3Siに変更し、残量をTiとした。Nb元素により強化作用をもたらしたが、偏析も相対的に多くなり、しかし、当該熱処理プロセスにより依然として脆性偏析相を解消することができた。900℃での引張結果は、降伏強度が668MPaであり、伸びが6%であったことを示す。
実施例20
実施例15と同じ製造方法を採用し、合金成分をTi−45Al−8Nb−0.4Cとし、残量をTiとし、光学浮遊帯の配向凝固プロセスの成長速度を5mm/hに変更し、低い成長速度は、単結晶の形成により有利であり、これは、淘汰領域の距離が短くなることとして現れた。真空熱処理と脱偏析熱処理を行った後、単結晶合金材料の900℃での引張降伏強度が602MPaであり、塑性ひずみが7.6%であった。
実施例21
実施例15と同じ製造方法を採用し、合金成分をTi−45Al−8Nbとし、残量をTiとし、光学浮遊帯の配向凝固プロセスは相対回転数20rpmとし、回転数が遅くなることにより温度がより不均一になるので、中間結晶粒の成長がより速くなり、単結晶を得た。900℃での引張降伏強度が620MPaであり、塑性ひずみが7%であった。
実施例22
実施例15と同じ製造方法を採用し、合金成分をTi−45Al−8Nb−0.4Si−0.6Cとし、残量をTiとし、光学浮遊帯の加熱出力を65%とした。低い加熱温度により温度勾配が小さくなり、単結晶の形成に不利であるが、ネックイン結晶選択の方法により、当該加熱出力で依然として単結晶を形成できた。900℃での引張後の降伏強度が639MPaであり、伸びが7.2%であった。
実施例23、適用及び性能比較
ルーチンの室温と高温での引張テストにより、光学浮遊帯法により製造されたTiAl単結晶合金に対して性能検出を行ったところ、当該合金が、他の類似する合金よりも顕著に優れた室温と高温性能を有することが分かった(具体的な性能について、表を参照する)。
TiAl金属間化合物の室温脆性は、ずっとその適用を制限する1つの難題である。通常、TiAl合金の室温での伸びが2〜3%であるが、本願で得られたTiAl合金の室温での伸びが6.9%と高いとともに、高い強度(729MPa)を維持し、室温での高塑性により、TiAl合金に固有の室温加工の難題を解決し、合金を所望の部品の形状に容易に加工し、室温脆性を改善した。一部のTiAl合金の単結晶の性能との比較について、表1を参照する。
高温での優れた降伏強度(900℃/637MPa): 本願の合金の900℃での降伏強度が637MPaであり、他のTiAl合金の900℃での強度よりも30〜50%向上し、当該合金の使用温度を現在の650℃〜700℃から900℃まで高めることが期待できる(現在、米国GE社は、Ti−48Al−2Cr−2Nb合金をボーイング787旅客機の低圧タービンの六、七級羽根への適用に既に成功し、作業温度が650℃である)。他のTiAl合金の900℃での性能との比較について、表2のとおりである。
当該TiAl単結晶の優れた室温と高温性能により、650〜900℃の使用温度でのエンジン羽根に代わり、ボーイング飛行機及びエアバス飛行機におけるエンジン羽根への使用範囲を拡大することが期待され、省エネ・排出削減等の面に巨大な収益をもたらす。また、自動車の増圧タービンと排気弁、空間運動量インターセプタのエンジンテールスカート、衛星のエンジンノズル、スペースシャトル用の可逆タービンの回転子等の部材に重要な適用見通しがある。
Figure 0006944874
Figure 0006944874
1. D.R.Johnson,H.Inui,M.Yamaguchi,Acta Mater.44,2523−2535(1996).
2. D.R.Johnson,Y.Masuda,H.Inui and M.Yamaguchi,Acta Mater.45,2523−2533(1997).
3. I.S.Jung,H.S.Jang,M.H.Oh,J.H.Lee,D.M.Wee,Mater.Sci.Eng.A 329−331,13−18(2002).
4. T.Yamanaka,D.R.Johnson,H.Inui,M.Yamaguchi,Intermetallics 7,779−784(1997).
5. D.R.Johnson,K.Chihara,H.Inui,M.Yamaguchi,Acta Mater.46,6529−6540(1998).
6. H.N.Lee,D.R.Johnson,H.Inui,M.H.Oh,D.M.Wee,M.Yamaguchi,Acta Mater.48,3221−3233(2000).
7. G.L.Chen,W.J.Zhang,Z.C.Liu,S.J.Li,Y.W.Kim,Gamma titaniμm alμminides,31−40(1999).
8. H.Clemens,I.Rμmberg,P.Schretter.Intermetallics,2(3),179−184(1994).
9. T.Tetsui.Structural Intermetallics,489−493(1997).
10. Y.W.Kim.Mater.Sci.Eng.A.192−193,519−533(1995).
11. Z.C.Liu,J.P.Lin,S.J.Li.Intermetallics 10(7),653−659(2002).

Claims (5)

  1. TiAl金属間化合物の単結晶材料の製造方法であって、
    前記TiAl金属間化合物の単結晶材料が合金成分を含み、前記合金成分の表現式が、原子パーセントで、Ti Al Nb (Cおよび/またはSi) (ただし、43≦b≦47、6≦c<10、0.1≦d≦1であり、dはCおよびSiの合計の原子パーセントであり、a+b+c+d=100)であり、
    (1)それぞれ純度が99.999%以上のAl、Ti、Cおよび/またはSiの素材と、純度が99.95%以上のNbの素材とを選択し、合金成分の表現式に応じて配合し、コールドクルーシブル電磁誘導浮揚型の製錬炉で母合金インゴットを製錬し、重力鋳造法又は吸引鋳造法により母合金棒材を得る工程と、
    (2)母合金棒材を上下棒材の2つの部分に切断し、それぞれ光学浮遊帯の配向凝固炉の原料棒と種結晶棒とし、上端原料棒と下端種結晶棒との間の距離が1〜3mmに制御し、まず、原料棒と種結晶棒を水平面に同軸で垂直になるように設け、配向凝固する時に保護するための不活性ガスを流入させ、上下棒材を、逆方向で相対回転数20〜40rpmで回転させるように調節し、加熱を開始し、上下棒材の対向する一端をまず溶解させ、対向する一端が次第に近接してから接合するように、上下棒材の位置を調整し、設備の出力を調節して5〜10min保温した後、浮遊帯の表面が平滑になり、均一に溶解すると、成長速度を5〜30mm/hに調節し、配向凝固を開始し、凝固が完了した後に、出力を徐々に低下させるとともに、凝固した試料と残りの送り棒試料とを徐々に分離する工程と、
    (3)熱処理方式を炉冷又は空冷とし、1250℃×24h+900℃×30minの条件で、製造されたTiAl合金の単結晶棒材を真空熱処理する工程と、
    を備えることを特徴とするTiAl金属間化合物の単結晶材料の製造方法。
  2. 工程(1)において、電磁誘導浮揚製錬に水冷銅ルツボを採用し、合金の製錬回数が4回以上であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 工程(1)において、前記母合金棒材の寸法がΦ4〜8mmであり、
    前記吸引鋳造法に差圧吸引鋳造を採用する場合、圧力の強さの差を3MPaに維持し、
    重力鋳造法を採用する場合、保護ガスの圧力の強さが標準大気圧の3分の2とする
    ことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  4. 工程(2)において、下端種結晶棒の長さが20〜30mmであり、上端原料棒の長さが190mmよりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  5. 工程(2)において、前記不活性ガスがアルゴンガス又は窒素ガスであり、配向凝固する時に流入させた不活性ガスの流量が3〜5L/minであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3326746A1 (en) * 2016-11-25 2018-05-30 Helmholtz-Zentrum Geesthacht Zentrum für Material- und Küstenforschung GmbH Method for joining and/or repairing substrates of titanium aluminide alloys
RU2725229C1 (ru) * 2019-12-03 2020-06-30 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) Способ получения Ti2MnAl
CN112746187B (zh) * 2020-12-21 2021-10-01 安徽工程大学 一种大尺寸的TiAl基合金籽晶的制备方法
CN112746329A (zh) * 2020-12-21 2021-05-04 安徽工程大学 一种用于TiAl基合金定向凝固的籽晶制备方法
CN114908422A (zh) * 2022-06-29 2022-08-16 合肥工业大学 锶掺杂六硼化镧单晶及其制备方法
CN115198356B (zh) * 2022-07-15 2023-07-21 郑州大学 一种特定取向的大规格金属单晶及其制备方法
CN115558811B (zh) * 2022-09-10 2023-06-16 哈尔滨工业大学 利用超声与电磁场制备TiAl半固态材料的装备与方法
CN116516213A (zh) * 2023-03-23 2023-08-01 北京科技大学 一种含Si高Nb-TiAl合金的制备方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4461659A (en) * 1980-01-17 1984-07-24 Cannon-Muskegon Corporation High ductility nickel alloy directional casting of parts for high temperature and stress operation
EP0530968A1 (en) * 1991-08-29 1993-03-10 General Electric Company Method for directional solidification casting of a titanium aluminide
US6059015A (en) * 1997-06-26 2000-05-09 General Electric Company Method for directional solidification of a molten material and apparatus therefor
JP3054697B2 (ja) * 1998-06-30 2000-06-19 京都大学長 Ti−Al系合金の製造方法
US7343960B1 (en) * 1998-11-20 2008-03-18 Rolls-Royce Corporation Method and apparatus for production of a cast component
US6436208B1 (en) * 2001-04-19 2002-08-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Process for preparing aligned in-situ two phase single crystal composites of titanium-niobium alloys
US6755239B2 (en) * 2001-06-11 2004-06-29 Santoku America, Inc. Centrifugal casting of titanium alloys with improved surface quality, structural integrity and mechanical properties in isotropic graphite molds under vacuum
TWI265198B (en) * 2002-12-02 2006-11-01 Univ Nat Taiwan The method and equipments for controlling the solidification of alloys in induction melting using cold crucible
KR100644880B1 (ko) * 2004-11-30 2006-11-15 한국과학기술원 층상조직의 열적안정성 및 기계적 성질이 매우 우수한 일방향응고 TiAlNbSiC계 합금
CN100465309C (zh) * 2006-09-22 2009-03-04 北京科技大学 一种利用放电等离子烧结制备高铌钛铝合金材料的方法
CN102011195B (zh) * 2010-11-23 2012-06-06 北京科技大学 一种定向凝固高铌钛铝合金单晶的制备方法
US20120152483A1 (en) * 2010-12-16 2012-06-21 General Electric Company Unidirectional solidification process and apparatus and single-crystal seed therefor
CN102400074A (zh) * 2011-12-02 2012-04-04 南京理工大学 一种减少定向凝固高铌钛铝合金显微偏析的热处理工艺
CN102672150A (zh) * 2012-05-14 2012-09-19 北京科技大学 一种钛铝铌合金片层组织方向控制方法
CN102921929B (zh) * 2012-11-01 2015-05-13 哈尔滨工业大学 一种高铌钛铝金属间化合物的无污染定向凝固方法
CN103789598B (zh) * 2014-02-28 2015-12-02 南京理工大学 一种定向TiAl基合金及其制备方法
CN104878452A (zh) * 2015-05-13 2015-09-02 南京理工大学 一种高温高强TiAl-Nb单晶及其制备方法
CN104278173B (zh) * 2014-10-09 2016-07-06 南京理工大学 一种高强高塑TiAl合金材料及其制备方法
CN104328501B (zh) * 2014-10-09 2017-06-27 南京理工大学 一种片层取向完全可控的TiAl单晶合金及其制备方法

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