JP5602298B2 - 多結晶シリコンウエハ - Google Patents
多結晶シリコンウエハ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5602298B2 JP5602298B2 JP2013504689A JP2013504689A JP5602298B2 JP 5602298 B2 JP5602298 B2 JP 5602298B2 JP 2013504689 A JP2013504689 A JP 2013504689A JP 2013504689 A JP2013504689 A JP 2013504689A JP 5602298 B2 JP5602298 B2 JP 5602298B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- polycrystalline silicon
- plane
- silicon wafer
- total area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 77
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 28
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 28
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 238000011978 dissolution method Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 143
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 18
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000011165 process development Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/037—Purification
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B28/04—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids
- C30B28/06—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids by normal freezing or freezing under temperature gradient
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/02433—Crystal orientation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
本発明では、チョクラルスキー法(Cz法)やフローティングゾーン法(FZ法)により作製される単結晶インゴットは使用せず、加熱溶解後、一方向凝固で作製したシリコンインゴットを使用する。
溶解法で作製した多結晶のシリコンインゴットは、これまで太陽電池用ウエハで使用されてきたが、半導体用の450mm以上のシリコンウエハとして使用されることは全くなかった。その理由として、以下考えられる。
1枚のセルサイズが156mmと小さい理由は、大型サイズのまま加工して太陽電池セルとすることの技術的困難さに加えて、サイズの大型化に伴ってウエハ厚みを増やさないと割れ易くなる一方で、コストダウンの観点からウエハをより薄くするニーズが存在すること、セルサイズが大き過ぎると太陽電池パネルサイズの設計が制約を受けることとなり、使い勝手が良くないことによる。
ウエハの結晶粒径から見ると、過去のLSI用焼結シリコン製ウエハでは、特許文献1に記載されているように、結晶粒径100μm以下の焼結体であり、また特許文献2に示すように、平均粒径1〜10μmの焼結体となり、本発明による多結晶シリコンの結晶粒径と比べ、桁違いに小さい。
本発明は、上記知見に基づき、
1.一方向凝固溶解法により作製した多結晶シリコンウエハであって、主面方位が(311)面であり、直径が450mm以上、厚みが900μm以上、平均結晶粒径が5〜50mmであり、1ピースで構成されていることを特徴とする多結晶シリコンウエハ
2.ウエハの平均表面粗さRaが1nm以下であることを特徴とする上記1記載の多結晶シリコンウエハ
3.ウエハ表面のNa,Al,Cr,Fe,Ni,Cuの不純物濃度がそれぞれ1×1010atoms/cm2未満であることを特徴とする上記1又は2記載の多結晶シリコンウエハ、を提供する。
4.多結晶シリコンウエハの主面方位が(311)面であり、(311)面と、(110)面、(551)面、(221)面、(553)面、(335)面、(112)面、(115)面、および(117)面の何れか1つ以上との合計の総面積が基板面の総面積の50%以上、(111)面の総面積が基板面の総面積の30%未満、(100)面の総面積が基板面の総面積の10%未満であることを特徴とする上記1〜3のいずれか一項に記載の多結晶シリコンウエハ
5.一方向凝固法で作製した多結晶シリコンインゴットの側面から30mm以上を取り除いて作製することを特徴とする上記1〜4のいずれか一項に記載の多結晶シリコンウエハ
6.多結晶シリコンのCおよびO含有量がそれぞれ100ppm以下であることを特徴とする上記1〜5のいずれか一項に記載の多結晶シリコンウエハ
7.ダミーウエハとして使用することを特徴とする上記1〜6のいずれか一項に記載の多結晶シリコンウエハ
8.凝固方向に垂直な面に対し、ウエハの面が±10°以内となるように切出して多結晶シリコンウエハの面方位を測定することを特徴とする上記4〜6のいずれか一項に記載の多結晶シリコンウエハ、を提供する。
このウエハの直径は450mm以上、厚みが900μm以上であり、平均結晶粒径が5〜50mmである。そしてこの多結晶シリコンウエハは、複数部材を接合して構成することなく、1ピースで構成されていることが大きな特徴である。1枚のウエハが450mm以上であるが、大型インゴットをマルチワイヤーソーで加工する技術を確立することにより製造可能となった。
単結晶のダミーウエハとして使用する場合には、平均結晶粒径が5〜50mmとするのが好適である。また、多結晶シリコンウエハの厚みを900μm以上とすることにより、強度を向上させることが可能となった。
このように、平均表面粗さRaを1nm以下とすることにより、多結晶シリコン特有の多数の結晶粒に起因する結晶粒相互の段差を少なくする方策を採用した。これは研削方法、研磨方法を適切に選択することにより実現できるものである。さらに、隣り合う結晶の高低差を、20nm以下にすることが望ましく、本願発明は、これらを包含するものである。
以上により、大型の多結晶シリコンウエハにおいても、ウエハサイズが450mm以上であり、結晶サイズが大きく、表面粗さが小さく、ウエハ面の清浄度が高く、一定の結晶方位を有して研磨面の凹凸を少なくし、かつ単結晶シリコンウエハに近いたわみ量となる。
内壁の表面粗さが300〜700μmの範囲内であるシリカ製坩堝の底面部(底面は平面形状)に対して、高純度(99.99999%)シリコン膜を15μm厚でスパッタ成膜したものを用いて、凝固速度が0.55mm/分の条件で、一方向凝固法により純度6Nのシリコンインゴットを作製した。
この時、インゴットの外径はφ510mmとした。このインゴットの凝固方向に垂直な面の主面方位は(311)面であり、(311)面と、(110)面、(551)面、(221)面、(553)面、(335)面、(112)面、(115)面、及び(117)面の何れか1つ以上との合計の総面積が基板面の総面積の50%以上、(111)面の総面積が基板面の総面積の30%未満、(100)面の総面積が基板面の総面積の10%未満であった。
インゴットを作成する際、インゴットの外径を実施例4がφ550mm、比較例4がφ470mm、比較例5がφ490mmとした以外は、実施例1と同じ方法でシリコンインゴットを作成した。
表面粗さが凡そ200μmの石英ガラス製坩堝を用い、凝固速度を1mm/分の条件で一方向凝固法により、シリコンインゴットを作成した。この時、インゴットの外径はφ510mmとした。このインゴットの凝固方向に垂直な面の主面方位は(111)面であった。
太陽電池用で一般に使用される鏡面仕上げを行なわないRaが300nm(0.3μm)のウエハ(市販品)を用意した。このウエハ面の主面方位は、(100)面であった。これらのウエハを実施例1と同一の洗浄条件で表面洗浄を行なった。
この実施例1、2、3、4に示す高純度多結晶シリコンウエハは、半導体のプロセス装置に導入が可能であり、特に問題を生ずることはなかった。
最大重力たわみについては、562μmとなり、450mm単結晶ウエハのたわみである642μmから外れていた。この比較例1に示す多結晶シリコンウエハは、半導体のプロセス装置への導入には不適合なものであった。
この比較例2に示す多結晶シリコンウエハは、半導体のプロセス装置への導入には不可能と判断されるものであった。
図2に、シリコンインゴットの凝固方向に垂直な面に対し±10°以内をウエハ面とする概念説明図をしめす。図3は、多結晶シリコンウエハの結晶粒を示す。(311)面が主方位である結晶が多く見られる。結晶粒が方々向いていると、角結晶方位ごとにエッチング速度が異なるために至る所に段差が生じ凹凸の多いウエハになる。
Claims (6)
- 一方向凝固溶解法により作製した多結晶シリコンウエハであって、主面方位が(311)面であり、直径が450mm以上、厚みが900μm以上、平均結晶粒径が5〜50mm、ウエハの平均表面粗さRaが1nm以下であり、1ピースで構成され、一方向凝固法で作製した多結晶シリコンインゴットの側面から30mm以上を取り除いて作製された多結晶シリコンウエハ。
- ウエハ表面のNa,Al,Cr,Fe,Ni,Cuの不純物濃度がそれぞれ1×1010atoms/cm2未満であることを特徴とする請求項1記載の多結晶シリコンウエハ。
- 多結晶シリコンウエハの主面方位が(311)面であり、(311)面と、(110)面、(551)面、(221)面、(553)面、(335)面、(112)面、(115)面、および(117)面の何れか1つ以上との合計の総面積が基板面の総面積の50%以上、(111)面の総面積が基板面の総面積の30%未満、(100)面の総面積が基板面の総面積の10%未満であることを特徴とする請求項1又は2のいずれか一項に記載の多結晶シリコンウエハ。
- 多結晶シリコンのCおよびO含有量がそれぞれ100ppm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の多結晶シリコンウエハ。
- ダミーウエハとして使用することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の多結晶シリコンウエハ。
- 凝固方向に垂直な面に対し、ウエハの面が±10°以内となるように切出して多結晶シリコンウエハの面方位を測定することを特徴とする請求項3〜5のいずれか一項に記載の多結晶シリコンウエハ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013504689A JP5602298B2 (ja) | 2011-03-15 | 2012-03-08 | 多結晶シリコンウエハ |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011056503 | 2011-03-15 | ||
JP2011056503 | 2011-03-15 | ||
JP2013504689A JP5602298B2 (ja) | 2011-03-15 | 2012-03-08 | 多結晶シリコンウエハ |
PCT/JP2012/055952 WO2012124596A1 (ja) | 2011-03-15 | 2012-03-08 | 多結晶シリコンウエハ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012124596A1 JPWO2012124596A1 (ja) | 2014-07-24 |
JP5602298B2 true JP5602298B2 (ja) | 2014-10-08 |
Family
ID=46830669
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013504689A Active JP5602298B2 (ja) | 2011-03-15 | 2012-03-08 | 多結晶シリコンウエハ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8987737B2 (ja) |
JP (1) | JP5602298B2 (ja) |
KR (1) | KR101356303B1 (ja) |
TW (1) | TWI532891B (ja) |
WO (1) | WO2012124596A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI441962B (zh) * | 2011-10-14 | 2014-06-21 | Sino American Silicon Prod Inc | 矽晶鑄錠及其製造方法(一) |
JP5943944B2 (ja) | 2012-02-01 | 2016-07-05 | Jx金属株式会社 | 多結晶シリコンスパッタリングターゲット |
JP5826915B2 (ja) | 2012-03-12 | 2015-12-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 多結晶シリコンウエハ |
US10770285B2 (en) * | 2013-03-28 | 2020-09-08 | Mitsubishi Materials Corporation | Silicon member and method of producing the same |
CN107331609A (zh) * | 2016-04-28 | 2017-11-07 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 晶圆控片及其制造方法 |
JP6502399B2 (ja) | 2017-02-06 | 2019-04-17 | Jx金属株式会社 | 単結晶シリコンスパッタリングターゲット |
JP6546953B2 (ja) | 2017-03-31 | 2019-07-17 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法 |
KR20210006748A (ko) | 2019-07-09 | 2021-01-19 | 빅펄 주식회사 | 광고 매칭 서버 및 그 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10273374A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-13 | Kawasaki Steel Corp | シリコンの精製方法 |
JP2007099536A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | 機能性構造物素子、機能性構造物素子の製造方法及び機能性構造物製造用基板 |
JP2008101277A (ja) * | 2008-01-15 | 2008-05-01 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 |
WO2009011234A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 焼結シリコンウエハ |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07176745A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体素子 |
US6555449B1 (en) * | 1996-05-28 | 2003-04-29 | Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Methods for producing uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors using sequential lateral solidfication |
JP3520957B2 (ja) * | 1997-06-23 | 2004-04-19 | シャープ株式会社 | 多結晶半導体インゴットの製造方法および装置 |
JP3819863B2 (ja) | 2003-03-25 | 2006-09-13 | 日鉱金属株式会社 | シリコン焼結体及びその製造方法 |
JP2004296598A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Canon Inc | 太陽電池 |
JP4054873B2 (ja) | 2003-07-17 | 2008-03-05 | 国立大学法人東北大学 | Si系結晶の製造方法 |
KR101211983B1 (ko) | 2007-07-13 | 2012-12-13 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 소결 실리콘 웨이퍼 |
CN101611469A (zh) | 2007-07-13 | 2009-12-23 | 日矿金属株式会社 | 烧结硅晶圆 |
JP2009038220A (ja) | 2007-08-02 | 2009-02-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ダミーウェハ |
KR101313486B1 (ko) | 2008-07-10 | 2013-10-01 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 하이브리드 실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법 |
EP2497848A4 (en) | 2009-11-06 | 2014-08-06 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | HYBRID SILICON WAFER |
US8659022B2 (en) | 2009-11-06 | 2014-02-25 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Hybrid silicon wafer |
US8252422B2 (en) | 2010-07-08 | 2012-08-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Hybrid silicon wafer and method of producing the same |
US8647747B2 (en) | 2010-07-08 | 2014-02-11 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Hybrid silicon wafer and method of producing the same |
-
2012
- 2012-03-08 JP JP2013504689A patent/JP5602298B2/ja active Active
- 2012-03-08 KR KR1020137022002A patent/KR101356303B1/ko active IP Right Grant
- 2012-03-08 US US14/003,388 patent/US8987737B2/en active Active
- 2012-03-08 WO PCT/JP2012/055952 patent/WO2012124596A1/ja active Application Filing
- 2012-03-12 TW TW101108255A patent/TWI532891B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10273374A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-13 | Kawasaki Steel Corp | シリコンの精製方法 |
JP2007099536A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | 機能性構造物素子、機能性構造物素子の製造方法及び機能性構造物製造用基板 |
WO2009011234A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 焼結シリコンウエハ |
JP2008101277A (ja) * | 2008-01-15 | 2008-05-01 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI532891B (zh) | 2016-05-11 |
US8987737B2 (en) | 2015-03-24 |
JPWO2012124596A1 (ja) | 2014-07-24 |
US20130341622A1 (en) | 2013-12-26 |
KR20130102652A (ko) | 2013-09-17 |
WO2012124596A1 (ja) | 2012-09-20 |
TW201239145A (en) | 2012-10-01 |
KR101356303B1 (ko) | 2014-01-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5602298B2 (ja) | 多結晶シリコンウエハ | |
JP4948504B2 (ja) | シリコン単結晶引上げ方法 | |
JP5682471B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
TWI623634B (zh) | 具有特殊表面處理和良好顆粒性能之矽濺鍍靶及其製造方法 | |
TWI428481B (zh) | 矽晶圓及其製造方法 | |
TWI404840B (zh) | 矽晶圓及其製造方法 | |
WO2006117939A1 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP2010132534A (ja) | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法並びにシリコン単結晶の製造方法 | |
JP4233651B2 (ja) | シリコン単結晶ウエーハ | |
JP6233114B2 (ja) | 半導体装置用シリコン部材及び半導体装置用シリコン部材の製造方法 | |
JP2009038220A (ja) | ダミーウェハ | |
JP5826915B2 (ja) | 多結晶シリコンウエハ | |
JP5938092B2 (ja) | 高純度シリコンの製造方法、及びこの方法で得られた高純度シリコン、並びに高純度シリコン製造用シリコン原料 | |
JP2007073594A (ja) | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | |
TWI606512B (zh) | 電漿蝕刻裝置用矽構件及電漿蝕刻裝置用矽構件之製造方法 | |
JP2694305B2 (ja) | 単結晶シリコンの製造方法 | |
Ho et al. | High quality multi-crystalline silicon wafer by grain size control on directional growth method | |
JP2009035481A (ja) | シリコン単結晶ウエーハ | |
JP2012171841A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140805 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140819 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5602298 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |