JP2010132534A - シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法並びにシリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】石英ガラスルツボ10は、外層が第1の天然石英ガラス層11、内層が合成石英ガラス層12からなる二層構造を有し、さらにルツボの底部10Bの内表面には第2の天然石英ガラス層13が形成されている。そのため、ルツボの直胴部10A及び湾曲部10Cは二層構造であるが、ルツボの底部10Bは三層構造となっている。第2の天然石英ガラス層13は、石英ガラスルツボ10の底部の内表面のみに形成された層であり、そのCa濃度は0.5ppm以下である。第2の天然石英ガラス層13の内表面に形成された傷は、第2の天然石英ガラス層13の融解と共に早期に消滅するので、SiOガスの発生を抑制できる。
【選択図】図1
Description
図1に示した石英ガラスルツボ10と同じ構造を有し、第2の天然石英ガラス層の厚さt1が異なる石英ガラスルツボのサンプルA1〜A7を用意した。各サンプルA1〜A7は、口径32インチ、ルツボの高さ500mm、ルツボ内表面から外表面までの厚さは直胴部17mm、湾曲部25mm、底部14mmとした。各サンプルの詳細な条件は表1に示す通りである。表1に示すように、サンプルA1〜A7に設けられた第2の天然石英ガラス層は、直径R1及びCa濃度が互いに同一であるが、厚さt1が互いに異なっている。
図1に示した石英ガラスルツボ10と同じ構造を有し、第2の天然石英ガラス層13のCa濃度が異なる石英ガラスルツボのサンプルB1〜B6と、第2の天然石英ガラス層13の代わりに合成石英ガラスを用いたサンプルC1を用意した。Ca濃度は結合誘導プラズマ発光分光分析法(ICP−AES)により測定した。各サンプルB1〜B6,C1は、口径32インチ、直胴部の長さ300mm、ルツボ内表面から外表面までの厚さ10mmとした。各サンプルの詳細な条件は表2に示す通りである。表2に示すように、サンプルB1〜B6に設けられた第2の天然石英ガラス層は、直径R1及び厚さt1が互いに同一であるが、Ca濃度が互いに異なっている。
図5に示した石英ガラスルツボ20と同じ構造を有し、天然石英ガラス層14のCa濃度及びAl濃度が異なる石英ガラスルツボのサンプルA1〜A6と、ルツボ全体が二層構造の石英ガラスルツボ(すなわち、内層が全て合成石英ガラスからなるルツボ)のサンプルB1を用意した。Ca及びAlの濃度は結合誘導プラズマ発光分光分析法(ICP−AES)により測定した。各サンプルA1〜A6,B1は、直径32インチ(口径800mm)、直胴部の長さ300mm、ルツボの肉厚は直胴部で17mm、底部で14mm、湾曲部で25mmとした。
10A ルツボの直胴部
10B ルツボの底部
10C ルツボの湾曲部
11 第1の天然石英ガラス層
12 合成石英ガラス層
13 第2の天然石英ガラス層
14 天然石英ガラス層
14a 天然石英ガラス層の露出領域
15 合成石英ガラス層
21 シリコン単結晶
21S シリコン単結晶の投影面
22 シリコン融液
Z ルツボの中心軸
Claims (14)
- 直胴部及び底部を有するシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボであって、
前記底部の内表面の少なくとも一部を構成する天然石英ガラス層と、
少なくとも前記直胴部の内表面を構成する合成石英ガラス層とを備え、
前記天然石英ガラス層に含まれるCaの濃度が0.5ppm以下であることを特徴とするシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ。 - 前記直胴部及び前記底部において外層を構成する第1の天然石英ガラス層と、
前記直胴部及び前記底部において内層を構成し、少なくとも前記直胴部において露出する合成石英ガラス層と、
前記合成石英ガラス層の内表面のうち、前記底部の中心を含む領域を覆う第2の天然石英ガラス層を含み、
前記第2の天然石英ガラス層に含まれる前記Caの濃度が0.5ppm以下であり、
前記第2の天然石英ガラス層の厚さが30μm以上200μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ。 - 前記第2の天然石英ガラス層の平面領域は、前記シリコン単結晶の投影面を含むことを特徴とする請求項2に記載のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ。
- 前記第2の天然石英ガラス層の平面領域の直径は、ルツボ口径R0に対して0.3R0以上0.6R0以下であることを特徴とする請求項3に記載のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ。
- 前記第2の天然石英ガラス層に含まれるCaの濃度が0.4ppm以下であることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか一項に記載のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ。
- 前記第2の天然石英ガラス層の厚さが30μm以上100μm以下であることを特徴とする請求項2乃至5のいずれか一項に記載のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ。
- 前記直胴部及び前記底部において外層を構成する天然石英ガラス層と、
前記直胴部において内層を構成する合成石英ガラス層を含み、
前記天然石英ガラス層の内表面が前記底部の中心を含む領域において露出しており、
前記天然石英ガラス層に含まれる前記Caの濃度が0.5ppm以下であり、
前記天然石英ガラス層に含まれるAlの濃度が20ppm以下であることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ。 - 前記天然石英ガラス層の露出領域は、平面視にて前記シリコン単結晶の投影面を含むことを特徴とする請求項7に記載のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ。
- 前記天然石英ガラス層の露出領域の直径は、ルツボ口径R0に対して0.3R0以上0.6R0以下であることを特徴とする請求項8に記載のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ。
- 前記天然石英ガラス層に含まれるCaの濃度が0.4ppm以下であることを特徴とする請求項7乃至9のいずれか一項に記載のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ。
- 前記天然石英ガラス層に含まれるAlの濃度が10ppm以下であることを特徴とする請求項7乃至10のいずれか一項に記載のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ。
- 回転しているモールドの内表面の略全面に第1の天然石英粉を堆積させる工程と、
前記第1の天然石英粉による層の内表面の略全面に合成石英粉を堆積させる工程と、
前記合成石英粉による層の内表面のうち底部の少なくとも一部に第2の天然石英粉を選択的に堆積させる工程と、
前記第1の天然石英粉、前記合成石英粉及び前記第2の天然石英粉を溶融することにより、前記モールドの内表面全体に形成された第1の天然石英ガラス層と、前記第1の天然石英ガラス層の内表面全体に形成された合成石英ガラス層と、前記合成石英ガラス層の内表面のうち前記底部の中心を含む領域に形成された第2の天然石英ガラス層を有する石英ガラスルツボを成形する工程とを備え、
前記第2の天然石英粉に含まれるCaの濃度が0.5ppm以下であることを特徴とするシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボの製造方法。 - 回転しているモールドの内表面に天然石英粉を堆積させる工程と、
前記天然石英粉による層の内表面に合成石英粉を堆積させる工程と、
前記天然石英粉及び前記合成石英粉を溶融することにより、前記モールドの内表面全体に形成された天然石英ガラス層と、前記天然石英ガラス層の内表面のうち底部の中心を含む領域を除いた領域に形成された合成石英ガラス層を有する石英ガラスルツボを成形する工程とを備え、
前記天然石英粉に含まれるCaの濃度が0.5ppm以下であり、前記天然石英粉に含まれるAlの濃度が20ppm以下とすることを特徴とするシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボの製造方法。 - 直胴部及び底部を有し、前記底部の内表面の少なくとも一部が天然石英ガラスによって構成され、少なくとも前記直胴部の内表面が合成石英ガラスによって構成され、前記天然石英ガラスに含まれるCaの濃度が0.5ppm以下である石英ガラスルツボを用意し、前記石英ガラスルツボ内にポリシリコンを充填する工程と、
前記石英ガラスルツボ内の前記ポリシリコンを融解させる工程と、
前記石英ガラスルツボ内のシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げる工程とを備え、
前記シリコン単結晶を引き上げる工程は、前記ルツボの底部の内表面の少なくとも一部に露出する前記天然石英ガラスを30μm以上溶解した後、前記シリコン単結晶の胴部の引き上げを開始する工程を含むことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
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US12/607,519 US8506708B2 (en) | 2008-10-31 | 2009-10-28 | Silica glass crucible for pulling up silicon single crystal, method for manufacturing thereof and method for manufacturing silicon single crystal |
KR1020090103438A KR101165598B1 (ko) | 2008-10-31 | 2009-10-29 | 실리콘 단결정 인상용 석영 유리 도가니 및 그 제조 방법 그리고 실리콘 단결정의 제조 방법 |
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012136398A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Covalent Materials Corp | シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボ |
JP2012136399A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Covalent Materials Corp | シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボ |
WO2013140706A1 (ja) | 2012-03-23 | 2013-09-26 | 信越石英株式会社 | 単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器及びその製造方法 |
JP2013209227A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Covalent Materials Corp | 石英ガラスルツボ |
JP2017186213A (ja) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | クアーズテック株式会社 | 石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
JP2020097512A (ja) * | 2018-12-13 | 2020-06-25 | クアーズテック株式会社 | シリカガラスルツボ |
JP2020105062A (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-09 | クアーズテック株式会社 | 石英ガラスるつぼの製造方法および光学ガラス溶融用石英ガラスるつぼ |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5047227B2 (ja) * | 2009-05-27 | 2012-10-10 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶引き上げ装置 |
JP5453677B2 (ja) * | 2010-06-25 | 2014-03-26 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボ、シリコンインゴットの製造方法 |
JP5610570B2 (ja) * | 2010-07-20 | 2014-10-22 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボ、シリコンインゴットの製造方法 |
DE102011002599B4 (de) * | 2011-01-12 | 2016-06-23 | Solarworld Innovations Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Ingots und Silizium-Ingot |
WO2014167788A1 (ja) * | 2013-04-08 | 2014-10-16 | 信越石英株式会社 | 単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器及びその製造方法 |
JP6451333B2 (ja) * | 2015-01-14 | 2019-01-16 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
KR102243264B1 (ko) * | 2018-12-13 | 2021-04-21 | 쿠어스택 가부시키가이샤 | 실리카 유리 도가니 및 그의 제조 방법 |
JP2023549193A (ja) * | 2020-11-11 | 2023-11-22 | グローバルウェーハズ カンパニー リミテッド | 坩堝の腐食を低減させた単結晶シリコンインゴットを形成する方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH059097A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の引上方法 |
JPH0545066A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-23 | Nippon Steel Corp | シリコン単結晶の引上げ用石英るつぼおよびその製造方法 |
JPH07330483A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-19 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 単結晶引上用石英ガラスルツボの製造方法 |
JP2000169287A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-20 | Sumitomo Metal Ind Ltd | シリコン単結晶の製造方法 |
JP2002179495A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-26 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボおよびその製造方法 |
JP2002284596A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-03 | Japan Siper Quarts Corp | 合成石英によって内表面を部分的に被覆した石英ガラスルツボ |
JP2005343774A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
JP2007091532A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリカガラスルツボ |
JP2007210803A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶インゴットの製造方法及び製造装置並びにシリコン単結晶インゴット |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01261293A (ja) | 1988-04-12 | 1989-10-18 | Mitsubishi Metal Corp | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ |
JP4086283B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2008-05-14 | 信越石英株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボおよびその製造方法 |
JP4233059B2 (ja) | 2003-05-01 | 2009-03-04 | 信越石英株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
JP4789437B2 (ja) | 2004-07-16 | 2011-10-12 | 信越石英株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスるつぼおよびその製造方法 |
-
2009
- 2009-10-09 JP JP2009235028A patent/JP5072933B2/ja active Active
- 2009-10-28 US US12/607,519 patent/US8506708B2/en active Active
- 2009-10-29 KR KR1020090103438A patent/KR101165598B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH059097A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の引上方法 |
JPH0545066A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-23 | Nippon Steel Corp | シリコン単結晶の引上げ用石英るつぼおよびその製造方法 |
JPH07330483A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-19 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 単結晶引上用石英ガラスルツボの製造方法 |
JP2000169287A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-20 | Sumitomo Metal Ind Ltd | シリコン単結晶の製造方法 |
JP2002179495A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-26 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボおよびその製造方法 |
JP2002284596A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-03 | Japan Siper Quarts Corp | 合成石英によって内表面を部分的に被覆した石英ガラスルツボ |
JP2005343774A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
JP2007091532A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリカガラスルツボ |
JP2007210803A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶インゴットの製造方法及び製造装置並びにシリコン単結晶インゴット |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012136398A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Covalent Materials Corp | シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボ |
JP2012136399A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Covalent Materials Corp | シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボ |
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