JP2002179495A - シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】シリコン単結晶引上げ工程中の石英ガラスルツ
ボ内表面の面荒れを防止でき、有転位化が発生せず、高
単結晶化率が得られるシリコン単結晶引上げ用石英ガラ
スルツボおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】内表面から少なくとも１００μｍの領域に
おけるＣａの濃度が２．０ｐｐｍ以下であるシリコン単
結晶引上げ用石英ガラスルツボ。また、その製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン単結晶引
上げ用石英ガラスルツボおよびその製造方法に係わり、
特に石英ガラスルツボの内表層領域のＣａ濃度を制御し
たシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボおよびその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの基板に用いられるシリ
コン単結晶は、一般にチョクラルスキー法（ＣＺ法）で
製造されており、このＣＺ法は石英ガラスルツボ内に多
結晶シリコン原料を装填し、装填したシリコン原料を周
囲から加熱して溶融し、上方から吊り下げた種結晶をシ
リコン融液に接触して引上げるものである。

【０００３】この引上げ工程において、石英ガラスルツ
ボは、シリコン原料の融点以上に長時間加熱され、シリ
コン融液に曝されるため、ルツボの内側表面は高温下で
溶融シリコンと徐々に化学反応を起こす。シリコン単結
晶の大口径化に伴ない、引上げ時間が長くなっており、
これにより石英ガラスルツボの内表面からの融液への溶
損量が増加し、上記化学反応により内表面の石英ガラス
の結晶化が促進され、ルツボ内表面に斑点状のクリスト
バライトが形成され、成長する。

【０００４】このようなクリストバライトはシリコン単
結晶の引上げ工程において、ルツボ内表面から離脱しや
すく、シリコン融液に浮遊し、引上げられるシリコン単
結晶に付着すると多結晶化等の品質欠陥を引起し、高品
質が要求されているシリコン単結晶の単結晶化歩留を低
下させていた。

【０００５】このためシリコン単結晶引上げ工程中に石
英ガラスルツボの内表面に発生するクリストバライトを
抑制する方法が検討されていた。

【０００６】本発明者らは、石英ガラスルツボの内表面
に発生するクリストバライトを低減し、ＣＺ法において
高い単結晶化率（ＤＦ率）が得られる石英ガラスルツボ
およびその製造方法について鋭意検討を行った。その結
果、究極的には石英ガラスルツボ内表層領域のＣａ濃度
を制御することでクリストバライトの発生を低減させる
ことができるとの結論に達した。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】そこで、シリコン単結
晶引上げ工程中の石英ガラスルツボ内表面の面荒れを防
止でき、有転位化が発生せず、高単結晶化率が得られる
シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボおよびその製
造方法が要望されており、シリコン単結晶引上げ工程中
の石英ガラスルツボ内表面の面荒れを防止でき、有転位
化が発生せず、高単結晶化率が得られるシリコン単結晶
引上げ用石英ガラスルツボおよびその製造方法を提供す
ることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた本願請求項１の発明は、内表面から少なくと
も１００μｍの領域におけるＣａの濃度が２．０ｐｐｍ
以下であることを特徴とするシリコン単結晶引上げ用石
英ガラスルツボであることを要旨としている。

【０００９】本願請求項２の発明は、回転する型内に高
純度石英原料粉を供給しルツボ形状体を形成してこれを
アーク溶融した溶融ルツボの内表面全体を研磨処理し、
この研磨面を酸水素バーナにより加熱処理し、内表面か
ら少なくとも１００μｍの領域におけるＣａの濃度を
２．０ｐｐｍ以下にすることを特徴とするシリコン単結
晶引上げ用石英ガラスルツボの製造方法であることを要
旨としている。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係わるシリコン単
結晶引上げ用石英ガラスルツボの実施の形態について添
付図面を参照して説明する。

【００１１】図１は本発明に係わる石英ガラスルツボ１
の断面図であり、石英ガラスルツボ１は、図２に示すよ
うに、内表面１_ｓから少なくとも１００μｍの領域にお
けるＣａの濃度が２．０ｐｐｍ以下である。

【００１２】次に本発明に係わる石英ガラスルツボの製
造方法について説明する。

【００１３】本発明に係わるシリコン単結晶引上げ用石
英ガラスルツボの製造方法は、図３に示すように、Ｃａ
の濃度が１．０ｐｐｍ以下の高純度石英原料粉から溶融
ルツボを製造する溶融ルツボ製造工程と、溶融ルツボの
内表面を研削（荒削り）する研削工程と、この研削され
た内表面を研磨する研磨工程と、この研磨された内表面
を加熱処理する加熱処理工程とで構成されている。

【００１４】さらに、溶融ルツボ製造工程は、例えば、
図４に示すような石英ガラスルツボ製造装置を用いて行
われる。なお、石英ガラスルツボ１の中間品であるルツ
ボ成形体および溶融ルツボには共に１Ａの符号を付して
説明する。

【００１５】石英ガラスルツボ製造装置１１のルツボ成
形用型１２は、例えば複数の貫通孔を穿設した金型、も
しくは高純化処理した多孔質カーボン型などのガス透過
性部材で構成されている内側部材１３と、その外周に通
気部１４を設けて、内側部材１３を保持する保持体１５
とから構成されている。

【００１６】また、保持体１５の下部には、図示しない
回転手段と連結されている回転軸１６が固着されてい
て、ルツボ成形用型１２を回転可能なようにして支持し
ている。通気部１４は、保持体１５の下部に設けられた
開口部１７を介して、回転軸１６の中央に設けられた排
気口１８と連結されており、この通気部１４は、減圧機
構１９と連結されている。

【００１７】内側部材１３に対向する上部には複数のア
ーク放電用のアーク電極２０と、原料供給ノズル２１
と、不活性ガス供給管２２および水素ガス供給管２３が
設けられている。

【００１８】従って、石英ガラスルツボ製造装置１１を
用いて石英ガラスルツボの製造を行うには、回転駆動源
（図示せず）を稼働させて回転軸１６を矢印の方向に回
転させることによってルツボ成形用型１２を所定の速度
で回転させる。ルツボ成形用型１２内に、原料供給ノズ
ル２１で、上部から高純度のシリカ粉末を供給する。供
給されたシリカ粉末は、遠心力よってルツボ成形用型１
２の内面部材１３側に押圧されルツボ成形体１Ａとして
形成される。

【００１９】次に、図５に示すような製造工程図に沿っ
て、減圧機構１９の作動により内側部材１３内を減圧
し、さらに、不活性ガス供給管２２からヘリウムガスま
たはアルゴンガス、例えばヘリウムガスを一定量の割
合、例えば８０リットル／分でルツボ成形体１Ａの中空
部１Ａ_ｉに供給する。ヘリウムガスの供給５分後、アー
ク電極２０に通電、継続し、ルツボ成形体１Ａの内側か
ら加熱し、ルツボ成形体１Ａの内表面１Ａ_Ｓに溶融層を
形成する。

【００２０】所定時間経過後、溶融ルツボ１Ａの外側に
気泡Ｂを多数含む不透明層を適切に形成するために、減
圧機構１９を調整もしくは停止してルツボ成形用型１２
内の減圧を調整もしくは停止させる。減圧程度を低減も
しくは停止した状態でさらに全アーク溶融時間Ｔ分間ア
ークを継続し、アーク溶融開始から、一定時間経過後に
ヘリウムガスの供給を停止し、ヘリウムガスの供給を停
止後、例えば停止と同時に水素ガス供給管２３から一定
量の割合、例えば１００リットル／分で水素ガスをルツ
ボ成形体１Ａの中空部１Ａ_ｉに供給する。水素ガスの供
給開始は、遅くともアーク溶融停止の５分前、例えば１
０分前に行われ、かつ全アーク溶融時間Ｔ分の４０％に
相当する時間ｔ分経過以降に行われる（ｔ＞０．４
Ｔ）。アーク溶融開始から所定時間Ｔ分経過後、アーク
通電を停止し、水素ガスの供給を止めて溶融ルツボ製造
工程は終了する。

【００２１】上述した溶融ルツボ製造工程において、ヘ
リウムガスの供給によって、図６に示すように、溶融当
初に石英ガラスルツボとなる石英ガラスとなる溶融ルツ
ボ１Ａに形成されるシード層（内表面１Ａ_Ｓ）と外側の
不透明層に含まれる気泡量を適切に低減でき、さらに、
ヘリウムガスの供給および製造工程の後半における水素
ガスを供給することにより、著しく透明層の気泡量の低
減が図れる。また、透明層中に残存する気泡および不透
明層中の気泡がシリコン単結晶引上げ中に膨張するのを
防止できる。

【００２２】さらに、減圧溶融を行うことにより、透明
層中に残存する気泡量を低減することができ、また、シ
ード層が一種の通気壁の作用をし、減圧度合の調整によ
って、不透明層中の気泡量および気泡径を制御すること
ができる。この減圧溶融は、前者の効果を得るために、
上記アーク溶融の開始前もしくは同時に、あるいは上記
ルツボ形状成形体の内表面が、アーク溶融によって、例
えば１００μｍ溶融された後に開始するのが好ましい。
また、アーク溶融中に減圧を低減もしくは停止させるこ
とにより、不透明層中の気泡量をより適切に制御でき
る。

【００２３】さらに、水素ガスの供給開始が、アーク溶
融停止の５分前であるため、水素供給の効果が十分得ら
れ、ルツボ内側の透明層に残存する気泡量の低減、およ
び外側不透明層の気泡が膨れるのを防止できる。

【００２４】また、水素ガスの供給開始が、全アーク溶
融時間Ｔの４０％に相当する時間ｔ経過以降に行われる
ので、溶融ルツボ１Ａの石英ガラスの高温粘性を低下さ
せることがなく、長時間の使用に耐えられる溶融ルツボ
１Ａが得られる。

【００２５】なお、図７に示すように、減圧を行いなが
ら溶融ルツボ１Ａの中空部１Ａ_ｉに水素ガスを流すと、
水素ガスが中空部１Ａ_ｉから上方を通って溶融ルツボ１
Ａの未溶融層部１Ａ_ｕに回り込んで侵入し、その内側の
不透明層のＯＨ基濃度を高めてしまい、結果、石英ガラ
スルツボ全体の粘度を低下させやすいことから、水素ガ
スを流す際には、上記のように減圧を停止もしくは低減
するのが好ましい。

【００２６】次に、図３に示すような工程に従い、上記
のようにして製造された溶融ルツボ１Ａを研削工程にお
いて荒削りする。

【００２７】この研削工程（図示せず）は、一般に用い
られる研削方法、例えばＳｉＯ_２砥粒（＃４６〜＃１０
００）を高圧エアにより溶融ルツボ１Ａの内表面１Ａ_Ｓ
に吹き付けるサンドブラスト法によって、主として上記
シード層（内表面１Ａ_Ｓ）を一定量研削し、研削後の内
表面１Ａ_Ｓの算術平均粗さ（Ｒａ）（ＪＩＳ Ｂ０６０
１−１９９４）を５μｍ以上に粗面化する。

【００２８】このように、Ｒａを５μｍ以上の粗さにす
ることによって、より迅速な研磨処理が可能となり、さ
らに、研削工程で発生するマイクロクラックダメージを
確実、かつ、より短時間で除去できるようにするために
は、Ｒａを３５μｍ以下にすることが好ましい。

【００２９】さらに、図４に示すような工程に従い、こ
の溶融ルツボ１Ａの研削された内表面１Ａ_Ｓを研磨工程
において研磨する。

【００３０】例えば、図８に示すように、研磨工程は一
般的に用いられるハンディタイプの研磨装置（ベルトサ
ンダー）２４を用いて行われる。この研磨装置２４はエ
アコンプレッサ（図示せず）に連通された高圧エアパイ
プ２５から送られてくる高圧空気により回転されるベー
ン型回転機構２６と、このベーン型回転機構２６により
回転駆動される駆動回転ローラ２７と、この駆動回転ロ
ーラ２７の回転に従動する従動回転ローラ２８と、両回
転ローラ３４、３５間に回転自在に設けられた研磨ベル
ト２９と、湿式研磨を行うため、研磨ベルト２９と被研
磨物間に給水する給水パイプ３０に接続された給水ノズ
ル３１とを有している。

【００３１】研磨ベルト２９は、例えばダイヤモンドベ
ルトであり、ダイヤモンド粒径は８００〜３０００メッ
シュ（＃）である。この研磨ベルト２９を溶融ルツボ１
Ａの内表面１Ａ_Ｓに当て、高圧エアパイプ２５からベー
ン型回転機構２６に送り、このベーン型回転機構２６を
回転させて、駆動回転ローラ２７を回転させ、研磨ベル
ト２９を回動させて、内表面１Ａ_Ｓを研磨する。このと
き、給水パイプ３０、給水ノズル３１を介して研磨ベル
ト２９と内表面１Ａ_Ｓ間に給水するので、湿式研磨とな
り、高平坦に研磨される。

【００３２】研磨ベルト２９による内表面１Ａ_Ｓの研磨
は、例えば、＃８００、＃１２００、＃３０００の順
に、段階的に研磨ベルト（研磨布）の粗さを小さくして
いくことが好ましい。特に、有害となるマイクロクラッ
クダメージをより確実に除去するためには、＃８００以
上の細かい研磨布を用いる前に、これよりも粗い研磨布
を用いて研磨処理しておくことが好ましい。

【００３３】上記のようにして研磨された内表面１Ａ_Ｓ
はＲａで０．１μｍ以下、表面粗さのバラツキを内表面
１Ａ_Ｓ全体で±０．０３μｍの範囲内にすることができ
る。研磨ベルト２９のダイヤモンド粒径が＃８００以上
と細かいので、より均一性を高く、かつより確実にＲａ
を０．１μｍより小さくすることができる。さらに、内
表面１Ａ_Ｓの状態は、より好ましくは、最高高さ（Ｒ
ｙ）（ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４）が１．５μｍで
あり、この場合、内表面１Ａ_Ｓのより高い均一性が得ら
れる。

【００３４】上記のようにＲａを０．１μｍ以下にする
と、次工程の加熱処理を行うことにより、内表面１Ａ_Ｓ
に目視できるような凹凸を残すことがなく、また、引上
げられるシリコン単結晶に悪影響を与えることもなく、
さらに、マイクロクラックダメージを残さないようにす
ることができる。Ｒａが０．１μｍを超える場合には、
次工程の加熱処理を行っても、内表面１Ａ_Ｓに目視でき
る程度の凹凸が残ってしまい、引上げられるシリコン単
結晶に悪影響を与えやすい。

【００３５】また、内表面１Ａ_Ｓの部分的なＲａのバラ
ツキが、内表面全体で±０．０３μｍの範囲内である
と、加熱処理によって形成されるガラス層の厚さの均一
性を保つことができる。Ｒａのバラツキが±０．０３μ
ｍを超えると、この粗さ状態の違いに伴い加熱処理によ
って形成されるガラス層の厚さの均一性が損なわれてし
まう。

【００３６】次に、図３に示すような工程に従い、この
溶融ルツボ１Ａの研磨された内表面１Ａ_Ｓを加熱処理工
程により熱処理する。

【００３７】この加熱処理工程（図示せず）は酸水素バ
ーナを用いて、内表面全体を加熱することによって行わ
れる。溶融ルツボ１Ａの内表面１Ａ_Ｓの一部にのみ微小
気泡が存在する場合にも、内表面全体を研削工程、研磨
工程で、研削、研磨し、酸水素バーナを用いて内表面全
体を高温加熱することにより、ＳｉＯ_２のベーパライズ
が発生せず、剥離の原因となる部分的結晶化も生じな
い。

【００３８】特に、酸水素バーナを用いて、内表面全体
を加熱するので、図２に示すように、石英ガラスルツボ
１の内表面１_Ｓが平坦で気泡がなく、かつ内表面１_Ｓか
ら少なくとも１００μｍの領域におけるＣａの濃度を
２．０ｐｐｍ以下にすることができる。

【００３９】これに対して、アーク炎での加熱処理で
は、酸水素バーナでの加熱処理に比べかなり高い雰囲気
温度となり、加熱時に表面のＳｉＯ_２を蒸発させ、この
ＳｉＯ _２より蒸気圧の低いＡｌ、Ｃａ等の不純物が内表
面に濃縮された状態で残存し、熱処理後の石英ガラスル
ツボの内表面にＡｌ、Ｃａ等の不純物が点在してしま
い、内表面から少なくとも１００μｍの領域におけるＣ
ａの濃度を２．０ｐｐｍ以下にすることはできない。

【００４０】次に本発明に係わる石英ガラスルツボ１を
用いたＣＺ法によるシリコン単結晶の引上げ方法につい
て説明する。

【００４１】図９に示すように、シリコン単結晶引上装
置４１のチャンバ４２内に設置した石英ガラスルツボ１
に原料であるポリシリコンを充填し、石英ガラスルツボ
１の外周に設けたヒータ４３によってポリシリコンを加
熱溶解し、しかる後、シリコン融液４４にシードチャッ
クに取付けた種結晶４６を浸漬し、シードチャックおよ
び石英ガラスルツボ１を同方向または逆方向に所定の回
転数で回転させながらシードチャックを引上げてシリコ
ン単結晶４７を成長させ、所定の引上げ速度で引上げる
ことにより行われる。

【００４２】上記のような引上げ工程において、石英ガ
ラスルツボ１は、シリコン原料の融点以上に長時間加熱
され、シリコン融液４４に曝されるため、石英ガラスル
ツボ１の内表面１_ｓは高温下で溶融シリコンと徐々に化
学反応を起こすが、石英ガラスルツボ１の内表面１_Ｓか
ら少なくとも１００μｍの領域におけるＣａの濃度が
２．０ｐｐｍ以下であるので、ルツボ内表面１_Ｓでのク
リストバライトの形成は抑制される。

【００４３】従って、クリストバライトがルツボ内表面
１_Ｓから離脱するようなことがなく、これによりクリス
トバライトが融液に浮遊して、引上げられるシリコン単
結晶４７に付着し多結晶化等の品質欠陥を引起すことが
なく、シリコン単結晶４７を高単結晶化率で引上げるこ
とができる。

【００４４】

【実施例】本発明に係わるシリコン単結晶引上げ用石英
ガラスルツボを用いてシリコン単結晶の引上げを行い、
単結晶化率を調べた。

【００４５】試料は口径が２２”の石英ガラスルツボを
用い、内表面から１０μｍにおけるＣａを表１のように
変化させた。

【００４６】試験結果：表１に示す。

【００４７】

【表１】

【００４８】・Ｃａが０．５ｐｐｍである実施例１は、
面荒れが発生せず、良好な状態を維持し、ＤＦ率１００
％と良好であった。また、Ａｌは５１ｐｐｍとＣａに比
べて多く含有しているが、面荒れが発生していない。

【００４９】・Ｃａが２．０ｐｐｍである実施例２は、
若干面荒れが認められたが、ＤＦ率は１００％で良好で
あった。また、Ａｌは３４ｐｐｍとＣａに比べて多く含
有しているが、面荒れに大きな影響を与えていない。

【００５０】・Ｃａが２．８ｐｐｍである比較例１は、
Ｃａ以外のＡｌ、Ｆｅ、Ｎａ、Ｋ、ＬｉおよびＣｕ各々
の濃度が実施例１とほぼ同等であるにもかかわらず、か
なりの範囲で面荒れが認められ、ＤＦ率７５％と低い値
である。

【００５１】・Ｃａが６．３ｐｐｍである比較例２は、
Ｃａ以外のＡｌ、Ｆｅ、Ｎａ、Ｋ、ＬｉおよびＣｕ各々
の濃度が実施例２とほぼ同等であるにもかかわらず、ほ
ぼ全面に面荒れが発生し、表面がガサガサ状態になって
おり、ＤＦ率４０％と極めて低い値である。

【００５２】・面荒れの要因となるクリストバライトの
発生状態は、Ｃａの含有量が影響を与えることがわかっ
た。また、面荒れがＤＦ率に影響を与えることもわかっ
た。

【００５３】

【発明の効果】本発明によれば、シリコン単結晶引上げ
工程中の石英ガラスルツボ内表面の面荒れを防止でき、
有転位化が発生せず、高単結晶化率が得られるシリコン
単結晶引上げ用石英ガラスルツボおよびその製造方法を
提供することができる。

【００５４】すなわち、内表面から少なくとも１００μ
ｍの領域におけるＣａの濃度が２．０ｐｐｍ以下である
ので、クリストバライトがルツボ内表面から離脱するよ
うなことがなく、これによりクリストバライトが融液に
浮遊して、引上げられるシリコン単結晶に付着し多結晶
化等の品質欠陥を引起すことがなく、シリコン単結晶を
高単結晶化率で引上げることができる。

【００５５】また、回転する型内に高純度石英原料粉を
供給しルツボ形状体を形成してこれをアーク溶融した溶
融ルツボの内表面全体を研磨処理し、この研磨面を酸水
素バーナにより加熱処理し、内表面から少なくとも１０
０μｍの領域におけるＣａの濃度を２．０ｐｐｍ以下に
することで、シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ
を製造するので、石英ガラスルツボの内表面から少なく
とも１００μｍの領域におけるＣａ濃度をより確実に、
より容易に２０ｐｐｍ以下に制御することが可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わるシリコン単結晶引上げ用石英ガ
ラスルツボの断面図。

【図２】図１のＡ部を拡大して示す断面図。

【図３】本発明に係わるシリコン単結晶引上げ用石英ガ
ラスルツボの製造方法の工程図。

【図４】本発明に係わるシリコン単結晶引上げ用石英ガ
ラスルツボの製造方法に用いられる石英ガラスルツボ製
造装置の概念図。

【図５】本発明に係わる石英ガラスルツボの製造方法の
溶融ルツボ製造工程の説明図。

【図６】本発明に係わる石英ガラスルツボの製造方法の
溶融ルツボ製造工程において製造される石英ガラスルツ
ボの説明図。

【図７】本発明に係わる石英ガラスルツボの製造方法の
溶融ルツボ製造工程における石英ガラスルツボの状態の
説明図。

【図８】本発明に係わる石英ガラスルツボの製造方法の
研磨工程に使用される研磨装置の説明図。

【図９】本発明に係わる石英ガラスルツボを用いたシリ
コン単結晶引上げ装置の断面図。

【符号の説明】

１ 石英ガラスルツボ１_Ｓ 内表面１Ａ 中間品（ルツ
ボ成形体、溶融ルツボ）１Ａ_ｓ 内表面１Ａ_ｉ 中空部
１Ａ_ｕ 未溶融層１１ 石英ガラスルツボ製造装置１２
ルツボ成形用型１３ 内側部材１４ 通気部１５ 保
持体１６ 回転軸１７ 開口部１８ 排気口１９ 減圧
機構２０ アーク電極２１ 原料供給ノズル２２ 不活
性ガス供給管２３ 水素ガス供給管２４ 研磨装置（ベ
ルトサンダー）２５ 高圧エアパイプ２６ ベーン型回
転機構２７ 駆動回転ローラ２８ 従動回転ローラ２９
研磨ベルト３０ 給水パイプ３１ 給水ノズル４１シ
リコン単結晶引上装置４２チャンバ４３ヒータ４４シリ
コン融液４６種結晶４７シリコン単結晶Ｂ 気泡

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前田 功 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地 東芝セラミックス株式会社小国製造所内 Ｆターム(参考） 4G014 AH08 4G077 AA02 BA04 CF10 EG02 HA12 PD01

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内表面から少なくとも１００μｍの領域
   におけるＣａの濃度が２．０ｐｐｍ以下であることを特
   徴とするシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ。
2. 【請求項２】 回転する型内に高純度石英原料粉を供給
   しルツボ形状体を形成してこれをアーク溶融した溶融ル
   ツボの内表面全体を研磨処理し、この研磨面を酸水素バ
   ーナにより加熱処理し、内表面から少なくとも１００μ
   ｍの領域におけるＣａの濃度を２．０ｐｐｍ以下にする
   ことを特徴とするシリコン単結晶引上げ用石英ガラスル
   ツボの製造方法。