JP5595615B2 - 単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器及びその製造方法 - Google Patents
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Description
シリカガラス表面の再結晶化に関するOH基濃度とBa濃度の影響を予備的に検討するため、以下のような実験を行った。
× 再結晶化せず、無色透明のまま
△ 若干再結晶化した、白色半透明化
○ 少しムラが存在するが全面再結晶化した、白色不透明化
◎ 全面均一に再結晶化した、完全な白色不透明化
*1 表面の結晶質シリカ粒が剥がれやすい状態
図3に示した工程(1)〜(6)に従い、単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器を製造した。まず、原料粉11として、粒径50〜500μm、純度99.999wt.%の天然石英粉を作製した。
冷却したシリカ容器71の内側表面全面に塗布するBa濃度を480μg/cm2に変更した他は、実施例1と同様にシリカ容器を製造した。
透明層52の内側のOH基濃度を高める際のOH基濃度を220massppmに設定し、かつ、冷却したシリカ容器71の内側表面全面に塗布するBa濃度を40μg/cm2に変更した他は、実施例1と同様にシリカ容器を製造した。
透明層52の内側のOH基濃度を高める際のOH基濃度を220massppmに設定し、かつ、冷却したシリカ容器71の内側表面全面に塗布するBa濃度を800μg/cm2に変更した他は、実施例1と同様にシリカ容器を製造した。
透明層52の内側のOH基濃度を高める際のOH基濃度を800massppmに設定し、かつ、冷却したシリカ容器71の内側表面全面に塗布するBa濃度を60μg/cm2に変更した他は、実施例1と同様にシリカ容器を製造した。
透明層52の内側のOH基濃度を高める際のOH基濃度を1200massppmに設定し、かつ、冷却したシリカ容器71の内側表面全面に塗布するBa濃度を100μg/cm2に変更した他は、実施例1と同様にシリカ容器を製造した。
透明層52の内側のOH基濃度を高める際のOH基濃度を800massppmに設定し、かつ、冷却したシリカ容器71の内側表面全面に塗布するBa濃度を30μg/cm2に変更した他は、実施例1と同様にシリカ容器を製造した。
透明層52の内側のOH基濃度を高める際のOH基濃度を1200massppmに設定し、かつ、冷却したシリカ容器71の内側表面全面に塗布するBa濃度を30μg/cm2に変更した他は、実施例1と同様にシリカ容器を製造した。
実施例1で用いた原料粉と同様の原料粉から、従来法の減圧アーク溶融法(ただし、空気雰囲気)により、シリカ容器(外側は白色不透明シリカ焼結体であり、内側は無色透明シリカガラス体である。)を作製した。また、シリカ容器内表面にBaを塗布することはしなかった。
従来法の常圧アーク溶融法及び粉体原料散布アーク溶融法でシリカ容器を製造した。すなわち、まず、実施例1の原料粉と同様の原料粉から仮成形体を形成し、常圧アーク溶融法により、外側が白色不透明シリカガラス層、内側が白色半透明シリカガラス層からなるシリカ基体を作製した。このシリカ基体の内側に合成クリストバライト粉(粒径50〜300μm、純度99.9999wt.%)を散布しつつ溶融させて、透明シリカガラス層(追加内表層)を形成した。
実施例1から以下の点を変更してシリカ容器を製造した。すなわち、仮成形体の加熱溶融雰囲気を終始水蒸気を除去した空気とし、水蒸気を導入しないまま冷却工程に移行した。また、冷却したシリカ容器の内側表面全面に塗布するBa濃度を950μg/cm2に変更した。
冷却後のシリカ容器にBaを塗布しないこと以外は、実施例2と同様にしてシリカ容器を製造した。
各実施例及び比較例において用いた原料粉及び製造したシリカ容器の物性、特性評価を以下のようにして行った。
光学顕微鏡又は電子顕微鏡で各原料粉の二次元的形状観察及び面積測定を行った。次いで、粒子の形状を真円と仮定し、面積測定値から直径を計算して求めた。この手法を統計的に繰り返し行い、粒径の範囲(この範囲の中に99wt.%以上の原料粉が含まれる)の値として、表2〜7に示した。
シリカ容器をカッターで切断し、シリカ容器の側壁全高さの中央部分における断面をスケールで測定することにより、各層の厚さを求めた。
不透明層部分、透明層部分からガラスサンプルを切断、調整し、赤外線吸収分光光度法でOH基濃度測定を行った。ただし、透明層内表面部に関しては、表面から0.5mm深さ及び1mm深さの2点を測定し、算術平均値として示した。また、透明層深部に関しては1.5mm深さ及び2.0mm深さの2点を測定し、算術平均値として示した。
Dodd,D.M. and Fraser,D.B.(1966) Optical determination of OH in fused silica. Journal of Applied Physics, vol.37, P.3911.
内表面から深さ1mmまでの部分及び深さ1.5mmから2.5mmまでの部分から各々薄片状にサンプリングし、酸処理により溶液調整を行い、濃度分析を行った。濃度分析は、プラズマ発光分析法(ICP−AES)又はプラズマ質量分析法(ICP−MS)又は原子吸光光度法(AAS)で行った。
製造したシリカ容器の中に純度99.9999999wt.%の金属ポリシリコンを投入し、昇温を行いシリコン融液とし、次いで単結晶シリコンの引き上げを3回繰り返して行い(マルチ引き上げ)、単結晶シリコン育成の成功率として評価した。引き上げ条件は、引き上げ装置(CZ装置)内をアルゴン(Ar)ガス100%雰囲気、引き上げ速度0.6mm/分、単結晶シリコン寸法は直径300mm、長さ600mm、1バッチの操業時間は約80時間とした。単結晶シリコン育成3回繰り返しの成功比率の分類は以下の通りとした。
3回成功 ○(良好)
2回成功 △(やや不良)
1回成功 ×(不良)
前記の単結晶シリコン連続引き上げにおいて、各単結晶シリコンマルチ引き上げ後の1本目の単結晶シリコンの任意の部位から、直径300mm、厚さ200μmの両面研磨仕上げのシリコンウェーハ各200枚を作製した。次いで各々のシリコンウェーハの両面に存在するボイドとピンホールと異物の個数をパーティクル検出器により測定し、統計的に数値処理を行いシリコンウェーハ200枚あたりの欠陥の無い枚数を求めた。ボイド、ピンホール、異物のいずれも検出されないシリコンウェーハ枚数に応じて以下のような評価とした。
無欠陥シリコンウェーハ枚数 200枚〜199枚 ○
無欠陥シリコンウェーハ枚数 198枚〜197枚 △
無欠陥シリコンウェーハ枚数 196枚以下 ×
前記の単結晶シリコン連続引き上げの評価終了後、各シリカ容器の当初のシリコン融液面上部近くの部分(シリコン融液と接触していない部分)から、シリカ容器側壁の全厚さにわたって、寸法が200mm×50mm×側壁全厚さであるサンプルを切り出した。次いで、ルツボ形状の評価試験用シリカガラス製容器を別途用意し、用意した評価試験用シリカガラス製容器内に多結晶シリコンを充填し電気炉で溶融し、シリコン融液とした。該シリコン融液中に各サンプルの下部半分を沈めた。この状態で電気炉内で1500℃で80時間保持した後、各サンプルを引き上げた。次いで、各サンプルのうち、切り出す前にシリカ容器内表面側であった側の表面のエッチング量を、断面厚さをスケールで測定することにより求めた。
エッチングされた厚さが1.5mm未満 ○(良好)
エッチングされた厚さが1.5mm〜3mm未満 △(やや不良)
エッチングされた厚さが3mm以上 ×(不良)
Claims (4)
- 内側に透明シリカガラスから成る透明層を有し、外側に気泡を含有する不透明シリカガラスから成る不透明層を有する単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器であって、
前記透明層が、前記シリカ容器の内表面側に位置し、OH基を300〜1500massppmの濃度で含有し、厚さが0.5mm以上3mm以下である高OH基層と、該高OH基層よりもOH基濃度が低く、平均OH基濃度が60massppm以下である低OH基層とから成り、
前記高OH基層の内表面にBaが25〜1000μg/cm2の濃度で塗布されているものである
ことを特徴とする単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器。 - 前記高OH基層の内表面に塗布されたBaの濃度が60〜500μg/cm2であることを特徴とする請求項1に記載の単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器。
- 単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器の製造方法であって、
原料粉として、粒径10〜1000μmのシリカ粉を作製する工程と、
前記原料粉を型枠内に投入し、該型枠を回転させつつ該型枠の内壁に応じた所定の形状に仮成形して仮成形体を作製する工程と、
前記型枠内の仮成形体を回転させつつ該仮成形体の内側から露点温度が15℃〜−15℃の水素含有不活性ガスを供給するとともに該仮成形体を外側から減圧することにより該仮成形体に含まれるガス成分を脱ガスさせつつ、放電加熱溶融法により前記仮成形体を加熱溶融させ、内側をOH基濃度が60massppm以下の透明シリカガラスから成る透明層とし、外側を気泡を含有する不透明シリカガラスから成る不透明層としたシリカ容器を作製する工程と、
前記作製したシリカ容器の内側に水蒸気含有ガスを導入し、該水蒸気含有ガス雰囲気にて加熱を継続することにより、前記透明層のうち、内表面側のOH基濃度を300massppm以上に高める工程と、
前記水蒸気含有ガス雰囲気による加熱を行ったシリカ容器を室温まで冷却する工程と、
前記冷却したシリカ容器の透明層の内表面にBa化合物を塗布し、乾燥させることにより、前記透明層の内表面にBaを25〜1000μg/cm2の濃度で塗布する工程と
を含み、
前記水蒸気含有ガス雰囲気による加熱及び前記冷却により、前記透明層の内表面側の層厚0.5mm以上3mm以下の領域において、OH基濃度を300〜1500massppmとすること
を特徴とする単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器の製造方法。 - 前記冷却工程において、少なくとも200℃以下の温度に低下するまで前記シリカ容器の内側を水蒸気含有ガス雰囲気とすることを特徴とする請求項3に記載の単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014502284A JP5595615B2 (ja) | 2012-05-16 | 2013-03-18 | 単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012112748 | 2012-05-16 | ||
JP2012112748 | 2012-05-16 | ||
PCT/JP2013/001839 WO2013171955A1 (ja) | 2012-05-16 | 2013-03-18 | 単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器及びその製造方法 |
JP2014502284A JP5595615B2 (ja) | 2012-05-16 | 2013-03-18 | 単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5595615B2 true JP5595615B2 (ja) | 2014-09-24 |
JPWO2013171955A1 JPWO2013171955A1 (ja) | 2016-01-12 |
Family
ID=49583388
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014502284A Active JP5595615B2 (ja) | 2012-05-16 | 2013-03-18 | 単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器及びその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140150715A1 (ja) |
EP (1) | EP2725122A4 (ja) |
JP (1) | JP5595615B2 (ja) |
KR (1) | KR20140058678A (ja) |
CN (1) | CN103703171A (ja) |
TW (1) | TWI486314B (ja) |
WO (1) | WO2013171955A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201732095A (zh) * | 2014-09-24 | 2017-09-16 | Sumco股份有限公司 | 單晶矽之製造方法及製造系統 |
ES2706877T3 (es) | 2014-11-13 | 2019-04-01 | Gerresheimer Glas Gmbh | Filtro de partículas de máquina para conformar vidrio, unidad de émbolo, cabeza de soplado, soporte de cabeza de soplado y máquina para conformar vidrio adaptada a dicho filtro o que lo comprende |
EP3940124B1 (de) * | 2020-07-14 | 2024-01-03 | Siltronic AG | Kristallstück aus monokristallinem silizium |
JP2022180695A (ja) * | 2021-05-25 | 2022-12-07 | 株式会社Sumco | 石英ガラスルツボ及びその製造方法並びにシリコン単結晶の製造方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6144793A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ |
JPH01148718A (ja) | 1987-12-03 | 1989-06-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 石英るつぼの製造方法 |
JPH0729871B2 (ja) | 1987-12-03 | 1995-04-05 | 信越半導体 株式会社 | 単結晶引き上げ用石英るつぼ |
JP3100836B2 (ja) | 1994-06-20 | 2000-10-23 | 信越石英株式会社 | 石英ガラスルツボとその製造方法 |
US5976247A (en) | 1995-06-14 | 1999-11-02 | Memc Electronic Materials, Inc. | Surface-treated crucibles for improved zero dislocation performance |
JP3765368B2 (ja) * | 1999-06-01 | 2006-04-12 | 東芝セラミックス株式会社 | 石英ガラスルツボおよびその製造方法 |
JP4592037B2 (ja) * | 2000-05-31 | 2010-12-01 | 信越石英株式会社 | 石英ガラスルツボの製造方法 |
WO2004097080A1 (ja) * | 2003-05-01 | 2004-11-11 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
JP2005145732A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Kuramoto Seisakusho Co Ltd | 結晶化石英ルツボ |
JP2005145731A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Kuramoto Seisakusho Co Ltd | 結晶化石英ルツボ |
JP2011088755A (ja) * | 2008-03-14 | 2011-05-06 | Japan Siper Quarts Corp | 石英ガラスルツボおよびその製造方法 |
JP5106340B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2012-12-26 | 信越石英株式会社 | シリカ容器及びその製造方法 |
JP5167073B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2013-03-21 | 信越石英株式会社 | シリカ容器及びその製造方法 |
JP5108803B2 (ja) | 2009-02-16 | 2012-12-26 | 信越石英株式会社 | シリカ容器の製造方法 |
WO2010137221A1 (ja) * | 2009-05-26 | 2010-12-02 | 信越石英株式会社 | シリカ容器及びその製造方法 |
JP4969632B2 (ja) * | 2009-10-14 | 2012-07-04 | 信越石英株式会社 | シリカ粉及びシリカ容器並びにそれらの製造方法 |
JP4951057B2 (ja) | 2009-12-10 | 2012-06-13 | 信越石英株式会社 | シリカ容器及びその製造方法 |
JP5289293B2 (ja) | 2009-12-14 | 2013-09-11 | 株式会社Sumco | 単結晶引上げ用石英ルツボ |
JP5289294B2 (ja) | 2009-12-14 | 2013-09-11 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ |
JP2012017240A (ja) * | 2010-12-24 | 2012-01-26 | Covalent Materials Corp | シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボの製造方法 |
-
2013
- 2013-03-18 EP EP13791405.7A patent/EP2725122A4/en not_active Withdrawn
- 2013-03-18 CN CN201380002396.7A patent/CN103703171A/zh active Pending
- 2013-03-18 US US14/234,588 patent/US20140150715A1/en not_active Abandoned
- 2013-03-18 KR KR1020147009050A patent/KR20140058678A/ko active Search and Examination
- 2013-03-18 WO PCT/JP2013/001839 patent/WO2013171955A1/ja active Application Filing
- 2013-03-18 JP JP2014502284A patent/JP5595615B2/ja active Active
- 2013-04-22 TW TW102114214A patent/TWI486314B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2013171955A1 (ja) | 2016-01-12 |
TW201348157A (zh) | 2013-12-01 |
EP2725122A1 (en) | 2014-04-30 |
CN103703171A (zh) | 2014-04-02 |
EP2725122A4 (en) | 2015-04-08 |
US20140150715A1 (en) | 2014-06-05 |
WO2013171955A1 (ja) | 2013-11-21 |
KR20140058678A (ko) | 2014-05-14 |
TWI486314B (zh) | 2015-06-01 |
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Legal Events
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140729 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |