JP3100836B2 - 石英ガラスルツボとその製造方法 - Google Patents
石英ガラスルツボとその製造方法Info
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- C03B19/09—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
- C03B19/095—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould by centrifuging, e.g. arc discharge in rotating mould
Description
間引上げることができる石英ガラスルツボとその製造方
法、さらに詳しくはマルチ引上げ法や連続充填引上げ法
等でシリコン単結晶を長時間に亘って引上げることがで
きる大口径石英ガラスルツボおよびその製造方法に関す
る。
い、単結晶引上用石英ガラスルツボの口径も18インチ
(457.2mm)から22〜24インチ(558.8
〜609.6mm)と大きくなりそれが今日では主流と
なりつつある。前記単結晶引上用石英ガラスルツボの内
表面は、シリコン溶融液に接し、シリコンと反応し溶解
したり、あるいは外部のカーボンヒーターからの熱をシ
リコン融液に伝熱する機能を有している。この単結晶引
上用石英ガラスルツボの大口径化に伴い、ルツボの内壁
が単結晶から離れその熱負荷が大きくなり、例えば8イ
ンチ結晶の引上げには6インチ結晶の時より接湯面の温
度が5℃以上高くなり、ルツボ内表面の溶損速度は5割
増し以上となる等、溶損量が増え、ルツボ内表面が荒
れ、ルツボの長期使用が困難となり、単結晶のコスト高
を招いていた。こうした問題点を解決するため、ルツボ
の内表面を炭化物やチッ化物のセラミックスで被覆する
方法が特開平1ー14170号公報で、また石英ガラス
にクリストバライトを混入したいわゆるガラスセラミッ
クスルツボが特開平5ー24870号公報で提案され
た。しかしながら、前者のルツボは単結晶の引き上げ時
に被覆セラミックスが剥離し、満足のいく溶損量の低減
を図ることができなかった。また後者のルツボにおいて
は溶損量が従来のルツボとほとんど変わるところがない
という欠点があった。
本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、ルツボ内表面をそ
の使用時に結晶化させることにより石英ガラスルツボの
溶損量を少なくできることを見出し、本発明を完成した
ものである。すなわち、
耐える石英ガラスルツボを提供することを目的とする。
が結晶化する耐熱性の高い石英ガラスルツボを提供する
ことを目的とする。
スルツボの製造方法を提供することを目的とする。
明は、石英ガラスルツボ内表面の厚さ1mm以内に結晶
化促進剤含有塗布膜または固溶層が形成されていること
を特徴とする石英ガラスルツボおよび該ルツボの製造方
法に係る。
融液と接触した時ルツボ内表面に結晶を生成させる結晶
化剤をいい、2a族元素または3b族元素からなる。前
記2a族元素としては、マグネシウム、ストロンチウ
ム、カルシウムまたはバリウムが挙げられ、また3b族
元素としてはアルミニウムが挙げられる。前記結晶化促
進剤はルツボ内表面に塗布膜または固溶層として存在す
る。
は、その化合物の溶液をルツボ内表面に2a族元素濃度
が塗布膜1cm2当り1〜100μg、好ましくは10
〜50μgの範囲となるように塗布して塗布膜を形成す
る。これにより単結晶引上げの加熱時に前記2a族元素
がルツボ内部に拡散浸透し深さ0.5〜1mmの範囲に
結晶層を形成し、ルツボ内壁の溶損量を少なくし、ルツ
ボの長時間の使用を可能とする。2a族元素の存在量が
前記範囲未満では結晶の生成が少なく効果がなく、また
前記範囲以上では結晶が多過ぎ、シリコン単結晶の引上
げ中に該結晶が剥離し、単結晶の結晶化率を低下させ
る。
硝酸塩または炭酸塩がよく、これを水、好ましくはアル
コールを20重量%以上含む水に溶解した塗布液が好適
である。前記アルコールとしては、メチルアルコールま
たはエチルアルコールを挙げることができる。
は、前記元素を含む塗布液で塗布しても加熱による拡散
浸透が起こらないため、固溶状態で層中に存在させるの
がよい。固溶層としては、例えば特開平1ー14871
8号公報に記載するように、回転する型内にシリカ粉末
をルツボ状に充填しそれを溶融すると同時に、ゾルゲル
法で得られた高純度のゾルゲルシリカ粉にドープした3
b族元素ドープトシリカ粉をルツボ内に供給し、それを
ルツボ内表面上に溶融・飛散させ形成した0.5〜1m
mの厚さの透明層とするのがよい。前記透明層に0.1
〜2重量%の範囲で3b族元素が存在するとシリコン単
結晶の引上げ等の加熱時に結晶層が形成されルツボ内壁
の溶損量が少なくなる。3b族元素としてはアルミニウ
ムが好適である。前記固溶層中の3b族元素が前記範囲
以下では結晶の形成が少なく効果がなく、また前記範囲
を超える量であると、結晶が多過ぎルツボとの熱膨張率
の差による剥離が起こり、シリコン単結晶の結晶化率を
阻害する。
ン単結晶の引上げを行うと、約1400℃でルツボ内表
面に結晶層が形成され、その耐熱性によりルツボ内壁の
平滑さが維持され例えばマルチ引上げ法や連続充填法等
の長時間の引上げによっても溶損することが少なくてす
む。
が、本発明はこれに限定されるものではない。
ウムの水溶液を加え、濃度とPHを調節しながら、シリ
カゾルを作った。これを1,000℃で焼成後、粉砕整
粒して平均粒径125μmの、重量濃度で1%のアルミ
ニウム元素を含む二酸化珪素粉を得た。高純度天然水晶
粉を垂直軸の周りに回転するモールド中に成型し、内面
から電気アークで加熱して口径が18インチの石英ガラ
スルツボ基体を製造し、引き続いてアーク火炎中に、前
記アルミニウムドープ二酸化珪素粉を徐々に供給してル
ツボ基体の内側に1mmの厚さの石英ガラス層を形成し
た。該ガラス層はわずかに白濁しているが強固に基体に
融着した石英ガラス層であった。このルツボを用いてシ
リコン単結晶を引上げたところ、アルミニウム元素がド
ープされている厚さ(1mm)だけ結晶化し、このため
溶融シリコンに殆ど溶けなかった。多結晶シリコンを追
加し再び結晶を引上げる操作を繰り返す、いわゆるマル
チ引上げ法を用いて10回の引上げが実施できた。
示した配合の溶液を徐々に注ぎ入れた。この時、ルツボ
を回転軸の傾きを変えながら回転して、いわゆるごます
り運動させて、内表面全体に溶液を塗布した。溶液は始
めは透明であるが乾燥する前にわずかに濁っていた。空
気中の炭酸ガスと反応して炭酸バリウムに一部変化する
ためと思われる。このまま温風を送り込みながら石英ガ
ラスルツボのごますり運動を続けて完全に乾燥させ、バ
リウム元素を内表面にもつ石英ガラスルツボを作成し
た。塗布量は1cm2当り50μgであった。このルツ
ボに多結晶シリコン塊を入れた後加熱してシリコンを溶
融し、融液からシリコン単結晶を引上げた。10回のマ
ルチ引上げ法を実施することができた。後にルツボの内
表面を観察したところ、0.8mmの厚さの厚い結晶層
が内面全体を覆っており、ルツボ全体の厚みも殆ど減少
していなかった。
時にルツボの内側に結晶層が形成され、耐熱性が向上
し、例えば減圧下でシリコン単結晶の引上げを行って
も、内表面が荒れず、平滑さが維持される。前記本発明
の石英ガラスルツボはその内表面に2a族元素含有塗布
膜または3b族元素含有固溶層を形成するという簡便な
方法で製造でき、工業的に有利な製造方法である。
Claims (9)
- 【請求項1】石英ガラスルツボ内表面の厚さ1mm以内
に結晶化促進剤含有塗布膜または固溶層が形成されてい
ることを特徴とする石英ガラスルツボ。 - 【請求項2】結晶化促進剤が2a族元素または3b族元
素であることを特徴とする請求項1記載の石英ガラスル
ツボ。 - 【請求項3】2a族元素がマグネシウム、ストロンチウ
ム、カルシウムまたはバリウムであることを特徴とする
請求項2記載の石英ガラスルツボ。 - 【請求項4】3b族元素がアルミニウム元素であること
を特徴とする請求項2記載の石英ガラスルツボ。 - 【請求項5】ルツボの内表面に形成された塗布膜が1c
m2当り2a族元素を1〜100μgの範囲で含有する
ことを特徴とする請求項1記載の石英ガラスルツボ。 - 【請求項6】ルツボ内表面に形成された厚さ0.5〜1
mmの固溶層中の3b族元素濃度が0.1〜2重量%の
範囲であることを特徴とする請求項2記載の石英ガラス
ルツボ。 - 【請求項7】2a族元素化合物の溶液をルツボ内表面に
塗布し、乾燥することを特徴とする石英ガラスルツボの
製造方法。 - 【請求項8】2a族元素化合物の溶液が2a族元素化合
物をアルコール20重量%以上を含む水に溶解した溶液
であることを特徴とする請求項7記載の石英ガラスルツ
ボの製造方法。 - 【請求項9】高純度シリカ粉を回転する型内に供給しシ
リカ粉充填層を形成し、それをアーク加熱で溶融すると
共に、3b族元素ドープトシリカ粉を供給し溶融・散布
させ厚さ0.5〜1mmの層に3b族元素を固溶させる
ことを特徴とする石英ガラスルツボの製造方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010138034A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | シリカ容器及びその製造方法 |
WO2010125739A1 (ja) | 2009-04-28 | 2010-11-04 | 信越石英株式会社 | シリカ容器及びその製造方法 |
WO2010137221A1 (ja) | 2009-05-26 | 2010-12-02 | 信越石英株式会社 | シリカ容器及びその製造方法 |
EP2410080A1 (en) | 2010-07-20 | 2012-01-25 | Japan Super Quartz Corporation | Vitreous silica crucible and method of manufacturing silicon ingot |
WO2013171937A1 (ja) | 2012-05-15 | 2013-11-21 | 信越石英株式会社 | 単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器及びその製造方法 |
WO2013171955A1 (ja) | 2012-05-16 | 2013-11-21 | 信越石英株式会社 | 単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器及びその製造方法 |
US8733127B2 (en) | 2009-07-15 | 2014-05-27 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Silica container and method for producing the same |
US8815403B2 (en) | 2009-08-05 | 2014-08-26 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Silica container and method for producing the same |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5980629A (en) * | 1995-06-14 | 1999-11-09 | Memc Electronic Materials, Inc. | Methods for improving zero dislocation yield of single crystals |
US5976247A (en) * | 1995-06-14 | 1999-11-02 | Memc Electronic Materials, Inc. | Surface-treated crucibles for improved zero dislocation performance |
JP3764776B2 (ja) * | 1996-03-18 | 2006-04-12 | 信越石英株式会社 | 単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ及びその製造方法 |
TWI221486B (en) * | 1998-07-31 | 2004-10-01 | Shinetsu Handotai Kk | Quartz glass crucible for pulling silicon single crystal and production process for such |
US6319313B1 (en) | 1999-03-15 | 2001-11-20 | Memc Electronic Materials, Inc. | Barium doping of molten silicon for use in crystal growing process |
US6350312B1 (en) * | 1999-03-15 | 2002-02-26 | Memc Electronic Materials, Inc. | Strontium doping of molten silicon for use in crystal growing process |
US7118789B2 (en) * | 2001-07-16 | 2006-10-10 | Heraeus Shin-Etsu America | Silica glass crucible |
JP2003095678A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-04-03 | Heraeus Shin-Etsu America | シリコン単結晶製造用ドープ石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
US6641663B2 (en) * | 2001-12-12 | 2003-11-04 | Heracus Shin-Estu America | Silica crucible with inner layer crystallizer and method |
JP3983054B2 (ja) | 2002-01-17 | 2007-09-26 | 信越石英株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスるつぼ及びその製造方法 |
JP4427775B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2010-03-10 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 表面改質石英ガラスルツボとその表面改質方法 |
US20030183161A1 (en) | 2002-03-29 | 2003-10-02 | Japan Super Quartz Corporation | Surface modified quartz glass crucible and its modification process |
JP4444559B2 (ja) * | 2002-10-09 | 2010-03-31 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 石英ガラスルツボの強化方法とシリコン単結晶の引き上げ方法 |
JP2005289751A (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Sumco Corp | シリコン単結晶の引上方法 |
JP2006213556A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Japan Siper Quarts Corp | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボとその製造方法、および取り出し方法 |
JP4517953B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2010-08-04 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
JP4761355B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2011-08-31 | 信越石英株式会社 | 金属元素ドープ大型石英ガラス部材の製造方法及び該製造方法で得られた金属元素ドープ大型石英ガラス部材 |
US7427327B2 (en) | 2005-09-08 | 2008-09-23 | Heraeus Shin-Etsu America, Inc. | Silica glass crucible with barium-doped inner wall |
US7383696B2 (en) | 2005-09-08 | 2008-06-10 | Heraeus Shin-Etsu America, Inc. | Silica glass crucible with bubble-free and reduced bubble growth wall |
TW200730672A (en) * | 2005-11-29 | 2007-08-16 | Japan Super Quartz Corp | Quartz glass crucible, method of producing the same, and application thereof |
US9139932B2 (en) | 2006-10-18 | 2015-09-22 | Richard Lee Hansen | Quartz glass crucible and method for treating surface of quartz glass crucible |
KR100835292B1 (ko) * | 2006-12-19 | 2008-06-09 | 주식회사 실트론 | 실리콘 단결정 제조용 도가니 및 이를 포함하는 실리콘단결정 제조장치 |
JP5213356B2 (ja) | 2007-05-31 | 2013-06-19 | 信越石英株式会社 | シリコン単結晶引上用石英ガラスルツボおよびその製造方法 |
JP5229778B2 (ja) | 2007-09-28 | 2013-07-03 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボの製造方法 |
JP5523018B2 (ja) | 2008-08-30 | 2014-06-18 | 株式会社Sumco | 石英ルツボの製造装置 |
JP4969632B2 (ja) | 2009-10-14 | 2012-07-04 | 信越石英株式会社 | シリカ粉及びシリカ容器並びにそれらの製造方法 |
JP4951057B2 (ja) | 2009-12-10 | 2012-06-13 | 信越石英株式会社 | シリカ容器及びその製造方法 |
US9115019B2 (en) | 2009-12-14 | 2015-08-25 | Sumco Corporation | Vitreous silica crucible and method of manufacturing the same |
JP5793036B2 (ja) * | 2011-09-08 | 2015-10-14 | 三菱マテリアル電子化成株式会社 | シリコンインゴット鋳造用積層ルツボ及びその製造方法 |
JP5793034B2 (ja) * | 2011-09-08 | 2015-10-14 | 三菱マテリアル電子化成株式会社 | シリコンインゴット鋳造用積層ルツボ及びその製造方法 |
JP5793035B2 (ja) * | 2011-09-08 | 2015-10-14 | 三菱マテリアル電子化成株式会社 | シリコンインゴット鋳造用積層ルツボ及びその製造方法 |
CN109477239A (zh) | 2016-09-23 | 2019-03-15 | 胜高股份有限公司 | 石英玻璃坩埚及其制造方法以及使用了石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法 |
JP6743753B2 (ja) | 2017-04-27 | 2020-08-19 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の引上げ方法 |
DE112018002317T5 (de) | 2017-05-02 | 2020-03-26 | Sumco Corporation | Quarzglastiegel und herstellungsverfahren dafür |
US11466381B2 (en) | 2018-02-23 | 2022-10-11 | Sumco Corporation | Quartz glass crucible |
WO2021140729A1 (ja) | 2020-01-10 | 2021-07-15 | 株式会社Sumco | 石英ガラスルツボ |
DE112021006516T5 (de) * | 2020-12-18 | 2023-10-19 | Sumco Corporation | Quarzglastiegel, herstellungsverfahren dafür und herstellungsverfahren für silicium-einkristall |
-
1994
- 1994-06-20 JP JP06159602A patent/JP3100836B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010138034A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | シリカ容器及びその製造方法 |
WO2010125739A1 (ja) | 2009-04-28 | 2010-11-04 | 信越石英株式会社 | シリカ容器及びその製造方法 |
JP4907735B2 (ja) * | 2009-04-28 | 2012-04-04 | 信越石英株式会社 | シリカ容器及びその製造方法 |
US8420191B2 (en) | 2009-04-28 | 2013-04-16 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Silica container and method for producing the same |
WO2010137221A1 (ja) | 2009-05-26 | 2010-12-02 | 信越石英株式会社 | シリカ容器及びその製造方法 |
US8915096B2 (en) | 2009-05-26 | 2014-12-23 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Silica container and method for producing the same |
CN102395535B (zh) * | 2009-05-26 | 2014-07-02 | 信越石英株式会社 | 二氧化硅容器及其制造方法 |
JP4903288B2 (ja) * | 2009-05-26 | 2012-03-28 | 信越石英株式会社 | シリカ容器及びその製造方法 |
CN102395535A (zh) * | 2009-05-26 | 2012-03-28 | 信越石英株式会社 | 二氧化硅容器及其制造方法 |
US8420192B2 (en) | 2009-05-26 | 2013-04-16 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Silica container and method for producing the same |
US8733127B2 (en) | 2009-07-15 | 2014-05-27 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Silica container and method for producing the same |
US8815403B2 (en) | 2009-08-05 | 2014-08-26 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Silica container and method for producing the same |
JP2012025597A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Japan Siper Quarts Corp | シリカガラスルツボ、シリコンインゴットの製造方法 |
EP2410080A1 (en) | 2010-07-20 | 2012-01-25 | Japan Super Quartz Corporation | Vitreous silica crucible and method of manufacturing silicon ingot |
US9109300B2 (en) | 2010-07-20 | 2015-08-18 | Sumco Corporation | Vitreous silica crucible provided with mineralizer on its inner surface and method of manufacturing silicon ingot using same |
WO2013171937A1 (ja) | 2012-05-15 | 2013-11-21 | 信越石英株式会社 | 単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器及びその製造方法 |
WO2013171955A1 (ja) | 2012-05-16 | 2013-11-21 | 信越石英株式会社 | 単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH082932A (ja) | 1996-01-09 |
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