JP6451333B2 - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
シリコン単結晶引き上げ装置のチャンバー内に設置された口径800mmの石英ルツボの内底面の中央に、直径300mm、厚さ775μmのシリコンウェーハを載置した。シリコンウェーハは、スライス、面取り、ラッピング、エッチング、鏡面研磨、洗浄などの通常の加工工程を経て製造されたポリッシュドウェーハであり、加工ダメージや金属汚染がないものを用いた。
一方、ルツボ内底面にウェーハを敷かずに単結晶の引き上げを行ったところ、有転位化率は20%、ピンホール発生率は1%であった。
2 シリコン単結晶
3 シリコン融液
10 チャンバー
10A メインチャンバー
10B プルチャンバー
11 断熱材
12 石英ルツボ
12a 石英ルツボの直胴部
12b 石英ルツボのコーナー部
12c 石英ルツボの底部
13 サセプタ
14 回転支持軸
15 ヒーター
16 熱遮蔽体
17 ワイヤー
18 ワイヤー巻き取り機構
19A ガス吸気口
19B ガス排気口
21 シリコンウェーハ
22 ポリシリコン塊
Claims (6)
- 石英ルツボ内のシリコン原料を加熱してシリコン融液を生成し、前記シリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるCZ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、
前記シリコン単結晶の直径の0.8倍以上1.5倍以下の直径、かつ1mm未満の厚さを有し、表面が鏡面又はエッチング面である弾性変形可能なシリコンウェーハを用意し、石英ルツボ内にシリコン原料を充填する前に、前記石英ルツボの湾曲した内底面の中央に前記シリコンウェーハを載置し、
前記シリコンウェーハが載置された前記石英ルツボ内に前記シリコン原料としてのシリコン塊を充填すると共に、前記シリコン塊の荷重によって前記シリコンウェーハを前記石英ルツボの前記内底面に沿って弾性変形させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 前記シリコンウェーハを前記石英ルツボ内に1枚だけ載置した後、前記シリコン塊を充填する、請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記シリコンウェーハは、ドーパントを含まないノンドープシリコンウェーハである、請求項1又は2に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記シリコンウェーハは周縁部が面取り加工されている、請求項1乃至3のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記シリコンウェーハは表裏面および端面において長さ200μm以上の傷が排除されている、請求項1乃至4のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 所定の品質基準を満たさない不適合ウェーハを前記シリコンウェーハとして用いる、請求項1乃至5のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
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