JP5826915B2 - 多結晶シリコンウエハ - Google Patents
多結晶シリコンウエハ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5826915B2 JP5826915B2 JP2014504750A JP2014504750A JP5826915B2 JP 5826915 B2 JP5826915 B2 JP 5826915B2 JP 2014504750 A JP2014504750 A JP 2014504750A JP 2014504750 A JP2014504750 A JP 2014504750A JP 5826915 B2 JP5826915 B2 JP 5826915B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- depth
- silicon wafer
- polycrystalline silicon
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 13
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 13
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 167
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 28
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 12
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- 101000931462 Homo sapiens Protein FosB Proteins 0.000 description 1
- 102100020847 Protein FosB Human genes 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
一方、デバイスの微細化の進展にともないシリコンウエハに対する品質要求は益々厳しくなっている。そのためウエハサイズが大型品に移行する際は、スケールの課題とともに品質の課題も解決する必要があり、次世代サイズの単結晶ウエハの市場価格は非常に高価になるという問題があった。
例えば、ウエハケースやウエハを搬送するロボットの開発においては、ウエハの重さや強度、ウエハの重力たわみ等の機械的な特性が単結晶ウエハと同等であれば、単結晶ウエハでなくとも目的に沿った試験が可能だと考えられる。
これらの焼結シリコン製ダミーウエハは、抗折力、引張強度、ビッカース硬度を調整し、ウエハの強度を高めることは出来ても、ウエハの重力たわみ量を単結晶シリコンウエハのそれに近付けることには自ずと限界があり、直径450mm以上のメカニカルウエハとして使用することが極めて限定される原因となっている。
本発明は、上記知見に基づき、以下の発明を提供する。
5)深さ2μm未満の傷については、CMPを実施しない傷として存在することを特徴とする1)〜4)のいずれか一項に記載の多結晶シリコンウエハ。
そこで、本発明者らは、多結晶シリコンウエハ表面の傷の大きさと、多結晶シリコンウエハの機械的特性の関係を調査・研究することにより、相関を見出し、多結晶シリコンウエハ表面の傷の大きさを制御(調整)することにより、単結晶ウエハの機械的特性とが類似する多結晶シリコンウエハの条件を見出すことができた。
この場合も、CMPを実施しないので、深さ2μm未満の傷は存在する。すなわち、深さ2μm未満の傷については、CMPを実施しない傷として存在する。上記と同様に、このレベルの傷は、多結晶シリコンウエハの機械的特性を低下させる要因とはならないので、無視できる。
この場合も、CMPを実施しないので、深さ2μm未満の傷は存在する。すなわち、深さ2μm未満の傷については、CMPを実施しない傷として存在する。上記と同様に、このレベルの傷は、多結晶シリコンウエハの機械的特性を低下させる要因とはならないので、無視できる。
ブロック状でアニールする方が取り扱いは容易だが、単結晶ウエハの重力たわみと近似させるには、ウエハ形状に近いスライスした後に行なう方がどのウエハも安定して近似する特徴がある。
シリカ製坩堝内でシリコンを溶融させ、一方向凝固で坩堝底部の方から固化させて、純度6Nの690x690x250mmのシリコンインゴットを作製した。このインゴットは四つ角を切り落とし、円筒研削することにより外径がΦ451mm、長さが200mmになるように加工した。
そして4点曲げ試験機(図2)で100mm角にしたウエハの曲げ強度を測定した。その結果、幅100μm以下、深さ10μm以下の表面傷では、幅や長さや数量に大きく依存することなく、120MPaの曲げ強度があった。
実施例1で作製した100mm×100mm×925μmtのサンプルで、表面傷の深さを調べた様子を図3に示す。図3では、傷の幅が28μmであり、深さは14μmであった。傷の深さが10〜20μmでその幅が20〜40μmの場合は、100mm角当たり3本までは、傷が皆無の市販の単結晶ウエハの曲げ強度とほとんど差がなかった。因みに、この範囲のサンプルの曲げ強度は、単結晶ウエハの平均曲げ強度である100MPaから±10%以下であった。
実施例1で作製した100mm×100mm×925μmtのサンプルで、ウエハ表面の傷の幅が40μm以上100μm以下で深さが10〜40μm以下の傷、若しくは幅が20μm以上40μm以下で深さが20μm以上40μm以下の場合は、100mm角当たり1本までは、傷が皆無の市販の単結晶ウエハの曲げ強度とほとんど差がなかった。この傷の例を図4に示す。図4では、傷の幅が63μmで、深さは27μmであった。
実施例1で作製した100mm×100mm×925μmtのサンプルを利用して、傷の本数を変更し、傷の幅が60μm程度、傷の深さが30μm程度の傷を2本以上としたところ、曲げ強度が60MPa以下に著しく低下した。
また、傷の幅が30μm程度、傷の深さが15μm程度の傷を4本以上としたところ、曲げ強度が60MPa以下に著しく低下した。
実施例1で作製した100mm×100mm×925μmtのサンプルを利用して、傷のサイズを変更し、傷の幅が127μm、傷の深さが54μmである場合の様子を、図5に示す。表面傷の深さが40μm超又は傷の幅が100μm以上の場合は曲げ強度が60MPa以下に著しく低下した。
当然のことであるが、点線及び一点鎖線で表示した10μm以下の傷は無視できる。なお、上記の説明では、傷の深さが大きな影響を与えるので、傷の深さのみの説明に留めた。しかし、上記の説明から明らかなように、傷の幅も制限を受けるものである。
当然のことであるが、細線の傷は最大個数が3個以下、点線及び一点鎖線で表示した10μm以下の傷は無視できる。なお、上記の説明では、傷の深さが大きな影響を与えるので、傷の深さのみの説明に留めた。しかし、上記の説明から明らかなように、傷の幅も制限を受けるものである。
このように、本発明の多結晶シリコンインゴット用いて製作した外径が450mm以上の多結晶シリコンウエハは、安価でかつ450mm以上の大型多結晶シリコンウエハとして、特にメカニカルシリコンウエハとして有用である。
Claims (5)
- 溶解法により作製した外径が450mm以上の多結晶シリコンウエハであって、該ウエハに存在する幅が40μm以上100μm以下、深さが10μm超40μm以下である傷が、ウエハ全体を100mm角に区分した場合の一区分当たりの最大個数が1個以下、残余が傷の深さが10μm以下であると共に、深さ2μm以上の傷が存在することを特徴とする多結晶シリコンウエハ。
- 溶解法により作製した外径が450mm以上の多結晶シリコンウエハであって、該ウエハに存在する幅が20μm以上40μm以下、深さが20μm超40μm以下である傷が、ウエハ全体を100mm角に区分した場合の一区分当たりの最大個数が1個以下、残余が傷の深さが10μm以下であると共に、深さ2μm以上の傷が存在することを特徴とする多結晶シリコンウエハ。
- 溶解法により作製した外径が450mm以上の多結晶シリコンウエハであって、該ウエハに存在する幅が20μm以上40μm以下、深さが10μm超20μm以下である傷が、ウエハ全体を100mm角に区分した場合の一区分当たりの最大個数が3個以下、残余が傷の深さが10μm以下であると共に、深さ2μm以上の傷が存在することを特徴とする多結晶シリコンウエハ。
- 溶解法により作製した外径が450mm以上の多結晶シリコンウエハであって、該ウエハに存在する傷の深さが10μm以下であると共に、深さ2μm以上の傷が存在することを特徴とする多結晶シリコンウエハ。
- 深さ2μm未満の傷については、CMPを実施しない傷として存在することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の多結晶シリコンウエハ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014504750A JP5826915B2 (ja) | 2012-03-12 | 2013-02-20 | 多結晶シリコンウエハ |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012054826 | 2012-03-12 | ||
JP2012054826 | 2012-03-12 | ||
JP2014504750A JP5826915B2 (ja) | 2012-03-12 | 2013-02-20 | 多結晶シリコンウエハ |
PCT/JP2013/054081 WO2013136922A1 (ja) | 2012-03-12 | 2013-02-20 | 多結晶シリコンウエハ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013136922A1 JPWO2013136922A1 (ja) | 2015-08-03 |
JP5826915B2 true JP5826915B2 (ja) | 2015-12-02 |
Family
ID=49160841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014504750A Active JP5826915B2 (ja) | 2012-03-12 | 2013-02-20 | 多結晶シリコンウエハ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9053942B2 (ja) |
JP (1) | JP5826915B2 (ja) |
TW (1) | TWI558864B (ja) |
WO (1) | WO2013136922A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6502399B2 (ja) | 2017-02-06 | 2019-04-17 | Jx金属株式会社 | 単結晶シリコンスパッタリングターゲット |
JP6546953B2 (ja) | 2017-03-31 | 2019-07-17 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001308352A (ja) | 2000-04-18 | 2001-11-02 | Canon Inc | 光起電力素子、該光起電力素子を用いた太陽電池モジュール及び該太陽電池モジュールの製造方法 |
JP3819863B2 (ja) | 2003-03-25 | 2006-09-13 | 日鉱金属株式会社 | シリコン焼結体及びその製造方法 |
CN101611469A (zh) | 2007-07-13 | 2009-12-23 | 日矿金属株式会社 | 烧结硅晶圆 |
CN101743195A (zh) | 2007-07-13 | 2010-06-16 | 日矿金属株式会社 | 烧结硅晶片 |
JP5432712B2 (ja) | 2007-07-13 | 2014-03-05 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 焼結シリコンウエハ |
JP2009038220A (ja) | 2007-08-02 | 2009-02-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ダミーウェハ |
WO2009119338A1 (ja) | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 日鉱金属株式会社 | 焼結シリコンウエハ |
US8236428B2 (en) | 2008-07-10 | 2012-08-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Hybrid silicon wafer and method for manufacturing same |
EP2497849A4 (en) | 2009-11-06 | 2014-08-06 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | HYBRID SILICON WAFER |
US8512868B2 (en) | 2009-11-06 | 2013-08-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Hybrid silicon wafer |
JP5606189B2 (ja) | 2010-07-08 | 2014-10-15 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ハイブリッドシリコンウエハ及びその製造方法 |
US8252422B2 (en) | 2010-07-08 | 2012-08-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Hybrid silicon wafer and method of producing the same |
US8647747B2 (en) | 2010-07-08 | 2014-02-11 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Hybrid silicon wafer and method of producing the same |
WO2012124596A1 (ja) | 2011-03-15 | 2012-09-20 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 多結晶シリコンウエハ |
-
2013
- 2013-02-20 US US14/381,431 patent/US9053942B2/en active Active
- 2013-02-20 WO PCT/JP2013/054081 patent/WO2013136922A1/ja active Application Filing
- 2013-02-20 JP JP2014504750A patent/JP5826915B2/ja active Active
- 2013-02-23 TW TW102106379A patent/TWI558864B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI558864B (zh) | 2016-11-21 |
US20150108490A1 (en) | 2015-04-23 |
US9053942B2 (en) | 2015-06-09 |
TW201402886A (zh) | 2014-01-16 |
WO2013136922A1 (ja) | 2013-09-19 |
JPWO2013136922A1 (ja) | 2015-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101356303B1 (ko) | 다결정 실리콘 웨이퍼 | |
JP5682471B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
US8058173B2 (en) | Methods for producing smooth wafers | |
JP5212472B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
TWI439585B (zh) | Mixed with silicon wafers | |
JP2013004825A5 (ja) | ||
JP5826915B2 (ja) | 多結晶シリコンウエハ | |
TWI680512B (zh) | 矽晶圓之研磨方法、矽晶圓之製造方法及矽晶圓 | |
KR102466888B1 (ko) | Lls 링/코어 패턴을 개선하기 위해 단결정 실리콘 잉곳을 처리하는 방법 | |
Goldstein et al. | 450 mm silicon wafers challenges-wafer thickness scaling | |
JP4127233B2 (ja) | シリコン単結晶ウェーハの評価方法およびこれを用いたシリコン単結晶ウェーハ | |
JP2008169109A (ja) | 単結晶、単結晶ウエーハ及びエピタキシャルウエーハ | |
JP2009035481A (ja) | シリコン単結晶ウエーハ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150616 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150730 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150929 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151014 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5826915 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |