JP6502399B2 - 単結晶シリコンスパッタリングターゲット - Google Patents
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Description
1)単結晶シリコンからなるスパッタリングターゲットであって、前記ターゲットのスパッタ面が、{100}面から1°を超え10°未満の角度で傾斜した面であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
2)前記スパッタ面の中心を通る基準線に対して0°、15°、30°、45°の角度での三点曲げ強度の平均値が150MPa以上であることを特徴とする前記1)に記載のスパッタリングターゲット。
3)前記三点曲げ強度の平均値対する最大値と最小値の差の割合が4.0%以下であることを特徴とする前記2)に記載のスパッタリングターゲット。
4)前記スパッタ面が、{100}面を<110>軸を中心として回転させた面であることを特徴とする前記1)〜3)のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。
5)前記スパッタ面が、{100}面を<100>軸を中心として回転させた面であることを特徴とする前記1)〜3)のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。
6)前記角度が2°以上8°以下であることを特徴とする前記1)〜5)のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。
7)前記シリコン単結晶が、p型またはn型のドーパントを含むことを特徴とする前記1)〜6)のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。
8)直径が300mm以上であることを特徴とする前記1)〜7)のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。
9)厚さが4mm以上であることを特徴とする前記1)〜8)のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。
引上げ軸を<100>方向としてチョクラルスキー法によって引き上げた直径460mmのシリコン単結晶インゴットから、主表面が{100}ジャスト面であるシリコン単結晶板を切り出し、研磨洗浄後、これを厚さ8mmのスパッタリングターゲット本体として、インジウムからなる厚さ0.3mmのボンディング材を介して、銅合金製バッキングプレートに接合した。また、同じシリコンインゴットから別の{100}ジャスト面を主表面に有する単結晶板を切り出し、同一の研磨洗浄処理を行ったシリコン単結晶板を作製し、これを強度評価用の基板とした。
引上げ軸を<100>方向としてチョクラルスキー法によって引き上げた直径460mmのシリコン単結晶インゴットから、主表面が{100}ジャスト面から1°傾斜した面であるシリコン単結晶板を切り出した。このとき、傾斜面として、{100}面を<110>軸を中心として回転させた面にしたものと、{100}面を<100>軸を中心として回転させた面にしたものの2種類の傾斜方位のものを用意した。それぞれについて、研磨洗浄後、これを厚さ8mmのスパッタリングターゲット本体として銅合金製バッキングプレートに接合した。また、同じシリコンインゴットから同一の2方位へ同一傾斜角、同一厚さで切り出し、同一の研磨洗浄処理を行ったシリコン単結晶板を作製し、これらを強度評価用基板とした。
引上げ軸を<100>方向としてチョクラルスキー法によって引き上げた直径460mmのシリコン単結晶インゴットから、主表面が{100}ジャスト面から2°傾斜した面であるシリコン単結晶板を傾斜角以外は比較例2と同様にして切り出し、強度の評価を行った。実施例1では、スパッタ面の中心を通る基準線に対して0°、15°、30°、45°の角度での三点曲げ強度の平均値は、傾斜方位が<100>の場合157.6MPa、<110>の場合150.1MPaであった。また、0°、15°、30°、45°の角度での三点曲げ強度の最大値と最小値の平均値に対する割合は、傾斜方位が<100>の場合3.1%、<110>の場合2.9%という結果であった。
引上げ軸を<100>方向としてチョクラルスキー法によって引き上げた直径460mmのシリコン単結晶インゴットから、主表面が{100}ジャスト面から4°傾斜した面であるシリコン単結晶板を傾斜角以外は比較例2と同様にして切り出し、強度の評価を行った。実施例2では、スパッタ面の中心を通る基準線に対して0°、15°、30°、45°の角度での三点曲げ強度の平均値は、傾斜方位が<100>の場合167.8MPa、<110>の場合162.7MPaであった。また、0°、15°、30°、45°の角度での三点曲げ強度の最大値と最小値の平均値に対する割合は、傾斜方位が<100>の場合1.9%、<110>の場合2.2%という結果であった。
引上げ軸を<100>方向としてチョクラルスキー法によって引き上げた直径460mmのシリコン単結晶インゴットから、主表面が{100}ジャスト面から6°傾斜した面であるシリコン単結晶板を傾斜角以外は比較例2と同様にして切り出し、強度の評価を行った。実施例3では、スパッタ面の中心を通る基準線に対して0°、15°、30°、45°の角度での三点曲げ強度の平均値は、傾斜方位が<100>の場合165.3MPa、<110>の場合158.3MPaであった。また、0°、15°、30°、45°の角度での三点曲げ強度の最大値と最小値の平均値に対する割合は、傾斜方位が<100>の場合2.0%、<110>の場合2.5%という結果であった。
引上げ軸を<100>方向としてチョクラルスキー法によって引き上げた直径460mmのシリコン単結晶インゴットから、主表面が{100}ジャスト面から8°傾斜した面であるシリコン単結晶板を傾斜角以外は比較例2と同様にして切り出し、強度の評価を行った。実施例4では、スパッタ面の中心を通る基準線に対して0°、15°、30°、45°の角度での三点曲げ強度の平均値は、傾斜方位が<100>の場合154.5MPa、<110>の場合151.3MPaであった。また、0°、15°、30°、45°の角度での三点曲げ強度の最大値と最小値の平均値に対する割合は、傾斜方位が<100>の場合2.4%、<110>の場合3.2%という結果であった。
引上げ軸を<100>方向としてチョクラルスキー法によって引き上げた直径460mmのシリコン単結晶インゴットから、主表面が{100}ジャスト面から10°傾斜した面であるシリコン単結晶板を傾斜角以外は比較例2と同様にして切り出し、強度の評価を行った。比較例3では、スパッタ面の中心を通る基準線に対して0°、15°、30°、45°の角度での三点曲げ強度の平均値は、傾斜方位が<100>の場合140.8MPa、<110>の場合121.9MPaであった。また、0°、15°、30°、45°の角度での三点曲げ強度の最大値と最小値の平均値に対する割合は、傾斜方位が<100>の場合3.3%、<110>の場合4.0%という結果であった。
引上げ軸を<100>方向としてチョクラルスキー法によって引き上げた直径460mmのシリコン単結晶インゴットから、主表面が{100}ジャスト面から20°傾斜した面であるシリコン単結晶板を傾斜角以外は比較例2と同様にして切り出し、強度の評価を行った。比較例4では、スパッタ面の中心を通る基準線に対して0°、15°、30°、45°の角度での三点曲げ強度の平均値は、傾斜方位が<100>の場合142.5MPa、<110>の場合136.3MPaであった。また、0°、15°、30°、45°の角度での三点曲げ強度の最大値と最小値の平均値に対する割合は、傾斜方位が<100>の場合4.3%、<110>の場合7.7%という結果であった。
Claims (8)
- 単結晶シリコンからなるスパッタリングターゲットであって、前記ターゲットのスパッタ面が、{100}面から<110>軸を中心に1°を超え10°未満の角度で傾斜した面であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 単結晶シリコンからなるスパッタリングターゲットであって、前記ターゲットのスパッタ面が、{100}面から<100>軸を中心に1°を超え10°未満の角度で傾斜した面であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 前記スパッタ面の中心を通る基準線に対して0°、15°、30°、45°の角度での三点曲げ強度の平均値が150MPa以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記三点曲げ強度の平均値に対する最大値と最小値の差の割合が4.0%以下であることを特徴とする請求項3に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記角度が2°以上8°以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記単結晶シリコンが、p型またはn型のドーパントを含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
- 直径が300mm以上であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
- 厚さが4mm以上であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
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