JP5201446B2 - ターゲット材およびその製造方法 - Google Patents
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- 239000013077 target material Substances 0.000 title claims description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 69
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 69
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 69
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 57
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 35
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 27
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 27
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 20
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- -1 solar cells Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229920001897 terpolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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Description
〔1〕カーボン部材表面がコーテングされた炉内において、ルツボの上方に設けた供給管を通じてアルゴンガスをルツボの周囲に供給して酸素を排除した酸素濃度50ppm以下の不活性雰囲気にし、該雰囲気下で、該ルツボが載置されている中空チルプレートにアルゴンガスを通じて該ルツボを底部から冷却して該ルツボに装入されているシリコン融液を凝固速度5mm/分以下で一方向凝固させてなるシリコンターゲット材であって、結晶成長方向を横切る断面をスパッタ面とし、ターゲット側面に現れる上記断面の面積がターゲット側面全体の周面積の10%以下であり、酸素濃度が3.0×10 18 atom/cm 3 以下および炭素濃度が0.27×10 18 atom/cm 3 以下、酸素濃度と炭素濃度の比(酸素濃度/炭素濃度)が20以下であることを特徴とするターゲット材。
〔2〕酸素濃度が1.0×1018atom/cm3以下であって、スパッタ面の平均結晶粒径が1〜20mmである請求項1に記載するターゲット材。
〔3〕カーボン部材表面がコーテングされた炉内において、ルツボの上方に設けた供給管を通じてアルゴンガスをルツボの周囲に供給して酸素を排除した酸素濃度50ppm以下の不活性雰囲気にし、該雰囲気下で、該ルツボが載置されている中空チルプレートにアルゴンガスを通じて該ルツボを底部から冷却して該ルツボに装入されているシリコン融液を凝固速度5mm/分以下で一方向凝固させることによって、結晶成長方向を横切る断面をスパッタ面とし、ターゲット側面に現れる上記断面の面積がターゲット側面全体の周面積の10%以下であり、酸素濃度が3.0×1018atom/cm3以下および炭素濃度が0.27×10 18 atom/cm 3 以下、酸素濃度と炭素濃度の比(酸素濃度/炭素濃度)が20以下であることを特徴とするシリコンターゲット材を製造する方法。
本発明のターゲット材は、カーボン部材表面がコーテングされた炉内において、ルツボの上方に設けた供給管を通じてアルゴンガスをルツボの周囲に供給して酸素を排除した酸素濃度50ppm以下の不活性雰囲気にし、該雰囲気下で、該ルツボが載置されている中空チルプレートにアルゴンガスを通じて該ルツボを底部から冷却して該ルツボに装入されているシリコン融液を凝固速度5mm/分以下で一方向凝固させてなるシリコンターゲット材であって、結晶成長方向を横切る断面をスパッタ面とし、ターゲット側面に現れる上記断面の面積がターゲット側面全体の周面積の10%以下であり、酸素濃度が3.0×10 18 atom/cm 3 以下および炭素濃度が0.27×10 18 atom/cm 3 以下、酸素濃度と炭素濃度の比(酸素濃度/炭素濃度)が20以下であることを特徴とするターゲット材である。
図示する装置は、床下にヒータ2を備え、その上方に中空チルプレート3が設けられており、該中空チルプレート3に冷却用アルゴンガスの供給管6が接続している。この中空チルプレート3にはルツボ1が載置されている。ルツボ1は水平断面形状が角形(四角形)のシリカ製ルツボであり、内部にシリコン融液Lが装入されている。該ルツボ1の上方には天井ヒータ4が設けられている。このヒータ4の空隙を通じてルツボ上面に延びる供給管7が設けられており、該供給管7を通じてルツボの周囲にアルゴンガスが供給される。これらの全体は断熱材5によって覆われている。
〔実施例1〜4〕
図2に示す製造装置を用い、ルツボ1にシリコン原料を入れ、ヒータ2で加熱してシリコン融液Lとした。次いで、ルツボの周囲にアルゴン等の不活性ガスを導入して酸素濃度を表1に示す範囲に調整し、この雰囲気下で、凝固条件を調整して、ターゲット材の側面に現れる結晶成長方向を横切る断面積Sが側面全体面積Mの10%以下になるように、ルツボの底部から冷却してシリコン融液Lを一方向凝固させた。凝固速度は5mm/分以下に制御した。凝固後、最終凝固部を切断し、凝固方向に直交する方向にスライスしてシリコンターゲット材を製造した。このターゲット材を用いてスパッタリングを行い、シリコン薄膜を形成した。この結果を表1に示した。ターゲット材の側面に現れる結晶成長方向を横切る断面積SはX線回折によって測定した。
冷却用のアルゴンガスを導入するが、ルツボ周囲にはアルゴンガスを導入せずにシリコン材料を溶融冷却し、その他は実施例1と同様にしてインゴットを製造し、ターゲット材を制作した。この結果を表1に示した。
Claims (3)
- カーボン部材表面がコーテングされた炉内において、ルツボの上方に設けた供給管を通じてアルゴンガスをルツボの周囲に供給して酸素を排除した酸素濃度50ppm以下の不活性雰囲気にし、該雰囲気下で、該ルツボが載置されている中空チルプレートにアルゴンガスを通じて該ルツボを底部から冷却して該ルツボに装入されているシリコン融液を凝固速度5mm/分以下で一方向凝固させてなるシリコンターゲット材であって、結晶成長方向を横切る断面をスパッタ面とし、ターゲット側面に現れる上記断面の面積がターゲット側面全体の周面積の10%以下であり、酸素濃度が3.0×1018atom/cm3以下および炭素濃度が0.27×10 18 atom/cm 3 以下、酸素濃度と炭素濃度の比(酸素濃度/炭素濃度)が20以下であることを特徴とするターゲット材。
- 酸素濃度が1.0×1018atom/cm3以下であって、スパッタ面の平均結晶粒径が1〜20mmである請求項1に記載するターゲット材。
- カーボン部材表面がコーテングされた炉内において、ルツボの上方に設けた供給管を通じてアルゴンガスをルツボの周囲に供給して酸素を排除した酸素濃度50ppm以下の不活性雰囲気にし、該雰囲気下で、該ルツボが載置されている中空チルプレートにアルゴンガスを通じて該ルツボを底部から冷却して該ルツボに装入されているシリコン融液を凝固速度5mm/分以下で一方向凝固させることによって、結晶成長方向を横切る断面をスパッタ面とし、ターゲット側面に現れる上記断面の面積がターゲット側面全体の周面積の10%以下であり、酸素濃度が3.0×1018atom/cm3以下および炭素濃度が0.27×10 18 atom/cm 3 以下、酸素濃度と炭素濃度の比(酸素濃度/炭素濃度)が20以下であることを特徴とするシリコンターゲット材を製造する方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008044963A JP5201446B2 (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | ターゲット材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008044963A JP5201446B2 (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | ターゲット材およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009203499A JP2009203499A (ja) | 2009-09-10 |
JP5201446B2 true JP5201446B2 (ja) | 2013-06-05 |
Family
ID=41146060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008044963A Active JP5201446B2 (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | ターゲット材およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5201446B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120060858A (ko) * | 2009-11-13 | 2012-06-12 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | Cu-In-Ga-Se 4 원계 합금 스퍼터링 타깃 |
JP5437039B2 (ja) * | 2009-12-09 | 2014-03-12 | 三菱マテリアル株式会社 | 赤外線透過部材及び赤外線透過部材用シリコン材料 |
CN103108977B (zh) | 2010-09-27 | 2015-01-21 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | Cu-In-Ga-Se四元合金溅射靶 |
JP5086452B2 (ja) * | 2011-02-09 | 2012-11-28 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウムターゲット及びその製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3707622B2 (ja) * | 1995-04-11 | 2005-10-19 | 日立金属株式会社 | 金属シリサイドターゲット材 |
JPH10120412A (ja) * | 1996-10-14 | 1998-05-12 | Kawasaki Steel Corp | 金属シリコンの精製方法 |
JPH10182134A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-07-07 | Kawasaki Steel Corp | シリコンの精製方法 |
JP4170003B2 (ja) * | 2002-03-27 | 2008-10-22 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
JP4357810B2 (ja) * | 2002-07-25 | 2009-11-04 | 三菱マテリアル株式会社 | 鋳造装置及び鋳造方法 |
JP4531435B2 (ja) * | 2004-04-13 | 2010-08-25 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコン部材およびその製造方法 |
WO2007010622A1 (ja) * | 2005-07-22 | 2007-01-25 | Kyocera Corporation | 多結晶シリコン基板及びその製造方法、並びに光電変換素子及び光電変換モジュール |
-
2008
- 2008-02-26 JP JP2008044963A patent/JP5201446B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009203499A (ja) | 2009-09-10 |
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