JP2003160862A - スパッタリング用アルミニウム含有シリコン合金ターゲット - Google Patents
スパッタリング用アルミニウム含有シリコン合金ターゲットInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高出力の直流スパッタリングを行っても割れが
発生することがなくパーティクル発生の少ないスパッタ
リング用アルミニウム含有シリコン合金ターゲットを提
供する。 【解決手段】Ａｌ：０.１〜１５質量％、Ｐ：１０〜５
００００ｐｐｍを含有し、残部がＳｉおよび不可避不純
物からなり、かつ原子比でＰ／Ａｌ≦１であるように調
整された成分組成を有するスパッタリング用アルミニウ
ム含有シリコン合金ターゲット。
発生することがなくパーティクル発生の少ないスパッタ
リング用アルミニウム含有シリコン合金ターゲットを提
供する。 【解決手段】Ａｌ：０.１〜１５質量％、Ｐ：１０〜５
００００ｐｐｍを含有し、残部がＳｉおよび不可避不純
物からなり、かつ原子比でＰ／Ａｌ≦１であるように調
整された成分組成を有するスパッタリング用アルミニウ
ム含有シリコン合金ターゲット。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶パネルの反
射防止膜、４Ｍや１６ＭＤＲＭなどの半導体デバイスの
拡散防止膜、透明電極として使用されるＩＴＯ(インジ
ウム錫酸化物)膜の下地絶縁層、ＣＤ−ＲやＣＤ−ＲＷ
などの光記録媒体の保護膜等として使用するアルミニウ
ム含有シリコン合金薄膜を形成するためのスパッタリン
グターゲットに関するものである。
射防止膜、４Ｍや１６ＭＤＲＭなどの半導体デバイスの
拡散防止膜、透明電極として使用されるＩＴＯ(インジ
ウム錫酸化物)膜の下地絶縁層、ＣＤ−ＲやＣＤ−ＲＷ
などの光記録媒体の保護膜等として使用するアルミニウ
ム含有シリコン合金薄膜を形成するためのスパッタリン
グターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、燐をドープしたＳｉ薄膜または
Ａｌ：５質量％を含有し残部がＳｉおよび不可避不純物
からなる成分組成のアルミニウム含有シリコン合金薄膜
は、液晶パネルの反射防止膜、４Ｍや１６ＭＤＲＭなど
の半導体デバイスの拡散防止膜、透明電極として使用さ
れるＩＴＯ(インジウム錫酸化物)膜の下地絶縁層、ＣＤ
−ＲやＣＤ−ＲＷなどの光記録媒体の保護膜などとして
使用されており、この燐をドープしたＳｉ薄膜およびア
ルミニウム含有シリコン合金薄膜はこれと同じ成分組成
を有するターゲットを用いて直流スパッタリングするこ
とにより形成されることが知られている。
Ａｌ：５質量％を含有し残部がＳｉおよび不可避不純物
からなる成分組成のアルミニウム含有シリコン合金薄膜
は、液晶パネルの反射防止膜、４Ｍや１６ＭＤＲＭなど
の半導体デバイスの拡散防止膜、透明電極として使用さ
れるＩＴＯ(インジウム錫酸化物)膜の下地絶縁層、ＣＤ
−ＲやＣＤ−ＲＷなどの光記録媒体の保護膜などとして
使用されており、この燐をドープしたＳｉ薄膜およびア
ルミニウム含有シリコン合金薄膜はこれと同じ成分組成
を有するターゲットを用いて直流スパッタリングするこ
とにより形成されることが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、燐をドープした
Ｓｉ薄膜およびアルミニウム含有シリコン合金薄膜を一
層安価に形成することが求められており、ますます高出
力直流スパッタリングされる傾向にある。しかし、従来
の燐をドープしたＳｉおよびアルミニウム含有シリコン
合金ターゲットを一層高出力で直流スパッタリングを行
うとパーティクルの発生が激しくなり、不良品となる事
が多く、また、一層高出力で直流スパッタリングを行う
にはターゲットの冷却能力を高める必要があるところか
らバッキングプレートに供給する冷却水の圧力を高めな
ければならず、冷却水圧を高めるとバッキングプレート
の変形がますます大きくなり、従来の燐をドープしたＳ
ｉまたはアルミニウム含有シリコン合金からなるターゲ
ットでは強度が不足してスパッタ中にターゲット割れが
発生するなどの欠点があった。
Ｓｉ薄膜およびアルミニウム含有シリコン合金薄膜を一
層安価に形成することが求められており、ますます高出
力直流スパッタリングされる傾向にある。しかし、従来
の燐をドープしたＳｉおよびアルミニウム含有シリコン
合金ターゲットを一層高出力で直流スパッタリングを行
うとパーティクルの発生が激しくなり、不良品となる事
が多く、また、一層高出力で直流スパッタリングを行う
にはターゲットの冷却能力を高める必要があるところか
らバッキングプレートに供給する冷却水の圧力を高めな
ければならず、冷却水圧を高めるとバッキングプレート
の変形がますます大きくなり、従来の燐をドープしたＳ
ｉまたはアルミニウム含有シリコン合金からなるターゲ
ットでは強度が不足してスパッタ中にターゲット割れが
発生するなどの欠点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
一層の高出力直流スパッタリングを行ってもスパッタ発
生の少なくかつパーティクル発生の少ないアルミニウム
含有シリコン合金ターゲットを得るべく研究を行なっ
た。その結果、（イ）Ａｌ：０.１〜１５質量％を含有
し、残部がＳｉおよび不可避不純物からなる成分組成を
有するアルミニウム含有シリコン合金ターゲットにＰを
１０〜５００００ｐｐｍ含有させたアルミニウム含有シ
リコン合金ターゲットは、ＡｌとＰを共に添加すること
によりアルミニウム含有シリコン合金の結晶粒が平均粒
径３ｍｍ以下に微細化して強度が向上し、それによって
バッキングプレートの冷却水圧を高めて一層の高出力直
流スパッタリングを行ってもターゲットに割れが発生す
ることが格段に少なく、さらにターゲット結晶粒の微細
化によりスパッタ中のパーティクルの発生が極めて少な
くなる、（ロ）この場合、Ｐの原子数がＡｌの原子数を
越えると、ＡｌＰ化合物の生成に必要なＰの原子数以上
にＰが存在することとなり、過剰のＰはＳｉ−Ｐの共晶
反応を起こすためにＳｉ−Ｐが粗大に晶出し、そのため
にターゲットの強度が低下することがあり、したがっ
て、ＡｌとＰの含有量は原子比でＰ／Ａｌ≦１であるよ
うに調整された成分組成とすることが一層好ましい、と
いう研究結果が得られたのである。
一層の高出力直流スパッタリングを行ってもスパッタ発
生の少なくかつパーティクル発生の少ないアルミニウム
含有シリコン合金ターゲットを得るべく研究を行なっ
た。その結果、（イ）Ａｌ：０.１〜１５質量％を含有
し、残部がＳｉおよび不可避不純物からなる成分組成を
有するアルミニウム含有シリコン合金ターゲットにＰを
１０〜５００００ｐｐｍ含有させたアルミニウム含有シ
リコン合金ターゲットは、ＡｌとＰを共に添加すること
によりアルミニウム含有シリコン合金の結晶粒が平均粒
径３ｍｍ以下に微細化して強度が向上し、それによって
バッキングプレートの冷却水圧を高めて一層の高出力直
流スパッタリングを行ってもターゲットに割れが発生す
ることが格段に少なく、さらにターゲット結晶粒の微細
化によりスパッタ中のパーティクルの発生が極めて少な
くなる、（ロ）この場合、Ｐの原子数がＡｌの原子数を
越えると、ＡｌＰ化合物の生成に必要なＰの原子数以上
にＰが存在することとなり、過剰のＰはＳｉ−Ｐの共晶
反応を起こすためにＳｉ−Ｐが粗大に晶出し、そのため
にターゲットの強度が低下することがあり、したがっ
て、ＡｌとＰの含有量は原子比でＰ／Ａｌ≦１であるよ
うに調整された成分組成とすることが一層好ましい、と
いう研究結果が得られたのである。
【０００５】この発明は、かかる研究結果に基づいて成
されたものであって、（１）Ａｌ：０.１〜１５質量
％、Ｐ：１０〜５００００ｐｐｍを含有し、残部がＳｉ
および不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタ
リング用アルミニウム含有シリコン合金ターゲット、
（２）Ａｌ：０.１〜１５質量％、Ｐ：１０〜５０００
０ｐｐｍを含有し、残部がＳｉおよび不可避不純物から
なり、かつ原子比でＰ／Ａｌ≦１であるように調整され
た成分組成を有するスパッタリング用アルミニウム含有
シリコン合金ターゲット、（３）平均粒径：３ｍｍ以下
の微細な結晶粒からなる前記（１）または（２）記載の
スパッタリング用アルミニウム含有シリコン合金ターゲ
ット、に特徴を有するものである。
されたものであって、（１）Ａｌ：０.１〜１５質量
％、Ｐ：１０〜５００００ｐｐｍを含有し、残部がＳｉ
および不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタ
リング用アルミニウム含有シリコン合金ターゲット、
（２）Ａｌ：０.１〜１５質量％、Ｐ：１０〜５０００
０ｐｐｍを含有し、残部がＳｉおよび不可避不純物から
なり、かつ原子比でＰ／Ａｌ≦１であるように調整され
た成分組成を有するスパッタリング用アルミニウム含有
シリコン合金ターゲット、（３）平均粒径：３ｍｍ以下
の微細な結晶粒からなる前記（１）または（２）記載の
スパッタリング用アルミニウム含有シリコン合金ターゲ
ット、に特徴を有するものである。
【０００６】この発明のスパッタリング用アルミニウム
含有シリコン合金ターゲットは、原料を鋳型内で溶解
し、得られた鋳型内の溶湯を鋳型下部から上部に向かっ
て徐々に冷却しながら下方から上方へ指向性凝固させる
ことにより作られる。その理由は、シリコンは凝固膨張
するために、下方から上方へ指向性凝固を行わないと、
最終凝固部分がインゴット内部にできてしまい、インゴ
ットに割れが発生するからである。したがって、この発
明は、（４）原料を鋳型内で溶解し、得られた鋳型内の
溶湯を鋳型下部から上部に向かって徐々に冷却しながら
下方から上方へ指向性凝固させる前記（１）、（２）ま
たは（３）記載のスパッタリング用アルミニウム含有シ
リコン合金ターゲットの製造方法、に特徴を有するもの
である。
含有シリコン合金ターゲットは、原料を鋳型内で溶解
し、得られた鋳型内の溶湯を鋳型下部から上部に向かっ
て徐々に冷却しながら下方から上方へ指向性凝固させる
ことにより作られる。その理由は、シリコンは凝固膨張
するために、下方から上方へ指向性凝固を行わないと、
最終凝固部分がインゴット内部にできてしまい、インゴ
ットに割れが発生するからである。したがって、この発
明は、（４）原料を鋳型内で溶解し、得られた鋳型内の
溶湯を鋳型下部から上部に向かって徐々に冷却しながら
下方から上方へ指向性凝固させる前記（１）、（２）ま
たは（３）記載のスパッタリング用アルミニウム含有シ
リコン合金ターゲットの製造方法、に特徴を有するもの
である。
【０００７】この発明のスパッタリング用アルミニウム
含有シリコン合金ターゲットに含まれるＡｌを０．１〜
１５質量％に限定した理由は、Ａｌを０．１質量％未満
含有しても十分な強度および導電性が得られないのでＳ
ｉと大きな差が生じることがなく、一方、Ａｌを１５質
量％を越えて含有させると、強度および導電性は向上し
てスパッタリング中に熱衝撃やボンディングされるバッ
キングプレートにかかる冷却水圧による変形によりター
ゲット割れが発生することはないが、得られた膜は抵抗
が小さくなって、絶縁膜として十分に機能しないので好
ましくないからである。この発明のスパッタリング用ア
ルミニウム含有シリコン合金ターゲットに含まれるＡｌ
の含有量の一層好ましい範囲は３〜７質量％である。ま
た、この発明のスパッタリング用アルミニウム含有シリ
コン合金ターゲットに含まれるＰの含有量を１０〜５０
０００ｐｐｍに限定した理由は、Ｐを１０ｐｐｍ未満含
有しても結晶粒微細化などの所望の効果が得られず、一
方、Ｐを５００００ｐｐｍを越えて含有させると、スパ
ッタリング中にパーティクルの発生が異常に多くなり、
また得られた膜は抵抗が小さくなって、絶縁膜として十
分に機能しないので好ましくないからである。この発明
のスパッタリング用アルミニウム含有シリコン合金ター
ゲットに含まれるＰの含有量の一層好ましい範囲は５０
〜１０００ｐｐｍ（さらに一層好ましい範囲は６００〜
１０００ｐｐｍ）である。
含有シリコン合金ターゲットに含まれるＡｌを０．１〜
１５質量％に限定した理由は、Ａｌを０．１質量％未満
含有しても十分な強度および導電性が得られないのでＳ
ｉと大きな差が生じることがなく、一方、Ａｌを１５質
量％を越えて含有させると、強度および導電性は向上し
てスパッタリング中に熱衝撃やボンディングされるバッ
キングプレートにかかる冷却水圧による変形によりター
ゲット割れが発生することはないが、得られた膜は抵抗
が小さくなって、絶縁膜として十分に機能しないので好
ましくないからである。この発明のスパッタリング用ア
ルミニウム含有シリコン合金ターゲットに含まれるＡｌ
の含有量の一層好ましい範囲は３〜７質量％である。ま
た、この発明のスパッタリング用アルミニウム含有シリ
コン合金ターゲットに含まれるＰの含有量を１０〜５０
０００ｐｐｍに限定した理由は、Ｐを１０ｐｐｍ未満含
有しても結晶粒微細化などの所望の効果が得られず、一
方、Ｐを５００００ｐｐｍを越えて含有させると、スパ
ッタリング中にパーティクルの発生が異常に多くなり、
また得られた膜は抵抗が小さくなって、絶縁膜として十
分に機能しないので好ましくないからである。この発明
のスパッタリング用アルミニウム含有シリコン合金ター
ゲットに含まれるＰの含有量の一層好ましい範囲は５０
〜１０００ｐｐｍ（さらに一層好ましい範囲は６００〜
１０００ｐｐｍ）である。
【０００８】溶湯に存在するＰの原子数がＡｌの原子数
を越えて存在すると、ＡｌＰの生成に必要なＰの原子数
以上にＰが存在することになり、Ｓｉ−Ｐの共晶反応が
起こるために、Ｓｉ−Ｐが粗大に抄出することがある。
したがって、ＡｌとＰの含有量は原子比でＰ／Ａｌ≦１
(質量比で、Ｐ／Ａｌ≦０．４６５／０．５３５)である
ように調整された成分組成とすることが一層好ましい。
Ｐ／Ａｌは原子比で０．１以下(質量比で、Ｐ／Ａｌ≦
０．０８７)であることが更に一層好ましい。
を越えて存在すると、ＡｌＰの生成に必要なＰの原子数
以上にＰが存在することになり、Ｓｉ−Ｐの共晶反応が
起こるために、Ｓｉ−Ｐが粗大に抄出することがある。
したがって、ＡｌとＰの含有量は原子比でＰ／Ａｌ≦１
(質量比で、Ｐ／Ａｌ≦０．４６５／０．５３５)である
ように調整された成分組成とすることが一層好ましい。
Ｐ／Ａｌは原子比で０．１以下(質量比で、Ｐ／Ａｌ≦
０．０８７)であることが更に一層好ましい。
【０００９】
【発明の実施の態様】原料として、純度：９９．９９９
％の高純度Ｓｉおよび予めＰをドープしたシリコンを用
意した。さらに純度：９９．９９９％の高純度Ａｌを用
意した。このＰをドープしたシリコンと高純度Ａｌを、
内面にシリカ粉末を塗布した内径：２５０ｍｍ、深さ：
２１０ｍｍの石英坩堝に充填し、この原料を充填した石
英坩堝を、上部にヒーターを下部に冷却板をそれぞれ設
けた溶解装置に装入し、大気圧Ａｒ雰囲気下で１３５０
℃に加熱して溶解した。得られた溶湯をそのまま石英坩
堝の中に保持し、ついで冷却板により石英坩堝内の溶湯
を下部から冷却しながら上部に設置されたヒーターの温
度を毎分２℃で徐々に下げ、下方から上方へ指向性凝固
させることによりインゴットを作製した。このようにし
て作製した直径：２５０ｍｍ、高さ：２００ｍｍの寸法
を有するインゴットを輪切りにし、面削を行い、直径：
２３０ｍｍ、厚さ：１５ｍｍの寸法を有する本発明アル
ミニウム含有シリコン合金ターゲット（以下、本発明タ
ーゲットという）１〜１０および比較アルミニウム含有
シリコン合金ターゲット（以下、比較ターゲットとい
う）１〜２を作製した。
％の高純度Ｓｉおよび予めＰをドープしたシリコンを用
意した。さらに純度：９９．９９９％の高純度Ａｌを用
意した。このＰをドープしたシリコンと高純度Ａｌを、
内面にシリカ粉末を塗布した内径：２５０ｍｍ、深さ：
２１０ｍｍの石英坩堝に充填し、この原料を充填した石
英坩堝を、上部にヒーターを下部に冷却板をそれぞれ設
けた溶解装置に装入し、大気圧Ａｒ雰囲気下で１３５０
℃に加熱して溶解した。得られた溶湯をそのまま石英坩
堝の中に保持し、ついで冷却板により石英坩堝内の溶湯
を下部から冷却しながら上部に設置されたヒーターの温
度を毎分２℃で徐々に下げ、下方から上方へ指向性凝固
させることによりインゴットを作製した。このようにし
て作製した直径：２５０ｍｍ、高さ：２００ｍｍの寸法
を有するインゴットを輪切りにし、面削を行い、直径：
２３０ｍｍ、厚さ：１５ｍｍの寸法を有する本発明アル
ミニウム含有シリコン合金ターゲット（以下、本発明タ
ーゲットという）１〜１０および比較アルミニウム含有
シリコン合金ターゲット（以下、比較ターゲットとい
う）１〜２を作製した。
【００１０】さらに、純度：９９．９９９％の高純度Ｓ
ｉおよび純度：９９．９９％の高純度Ａｌを通常の溶解
法により溶解しインゴットを作製し、このインゴットを
輪切りにして従来アルミニウム含有シリコン合金ターゲ
ット（以下、従来ターゲット１という）を作製し、さら
にＰを１０００ｐｐｍドープしたシリコンインゴットか
らＳｉターゲット（以下、従来ターゲット２という）を
作製した。
ｉおよび純度：９９．９９％の高純度Ａｌを通常の溶解
法により溶解しインゴットを作製し、このインゴットを
輪切りにして従来アルミニウム含有シリコン合金ターゲ
ット（以下、従来ターゲット１という）を作製し、さら
にＰを１０００ｐｐｍドープしたシリコンインゴットか
らＳｉターゲット（以下、従来ターゲット２という）を
作製した。
【００１１】これら本発明ターゲット１〜１０および比
較ターゲット１〜２および従来ターゲット１〜２の平均
結晶粒径を測定してその結果を表１に示したのち、本発
明ターゲット１〜１０および比較ターゲット１〜２およ
び従来ターゲット１〜２を厚さ：１０ｍｍの無酸素銅製
冷却板にＩｎ−Ｓｎ共晶はんだを用いてはんだ付けし、
通常の直流マグネトロンスパッタ装置に取り付け、 スパッタガス：Ａｒガス５ｍｍＴｏｒｒ＋Ｏ2ガス１０
μＴｏｒｒ、 直流電力：８００ｋｗ、 冷却水圧：０．３ＭＰａ、 の条件にて試験時間３０時間でスパッタした。スパッタ
開始から１０分間は空スパッタリングし、その後、５時
間、１５時間、２０時間、２５時間、及び３０時間経過
後におけるアーク放電の回数を測定し、その結果を表１
に示した。
較ターゲット１〜２および従来ターゲット１〜２の平均
結晶粒径を測定してその結果を表１に示したのち、本発
明ターゲット１〜１０および比較ターゲット１〜２およ
び従来ターゲット１〜２を厚さ：１０ｍｍの無酸素銅製
冷却板にＩｎ−Ｓｎ共晶はんだを用いてはんだ付けし、
通常の直流マグネトロンスパッタ装置に取り付け、 スパッタガス：Ａｒガス５ｍｍＴｏｒｒ＋Ｏ2ガス１０
μＴｏｒｒ、 直流電力：８００ｋｗ、 冷却水圧：０．３ＭＰａ、 の条件にて試験時間３０時間でスパッタした。スパッタ
開始から１０分間は空スパッタリングし、その後、５時
間、１５時間、２０時間、２５時間、及び３０時間経過
後におけるアーク放電の回数を測定し、その結果を表１
に示した。
【００１２】さらに、ターゲットの強度を評価するため
に、本発明ターゲット１〜１０、比較ターゲット１〜２
および従来ターゲット１〜２をそれぞれ冷却水で冷却す
ることのできる厚さ：１０ｍｍの無酸素銅製冷却板にＩ
ｎ−Ｓｎ共晶はんだを用いてはんだ付けし、冷却水圧：
０．８ＭＰａにまで高めて、ターゲット割れの有無を調
べ、その結果を表１に示した。
に、本発明ターゲット１〜１０、比較ターゲット１〜２
および従来ターゲット１〜２をそれぞれ冷却水で冷却す
ることのできる厚さ：１０ｍｍの無酸素銅製冷却板にＩ
ｎ−Ｓｎ共晶はんだを用いてはんだ付けし、冷却水圧：
０．８ＭＰａにまで高めて、ターゲット割れの有無を調
べ、その結果を表１に示した。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【発明の効果】表１に示される結果から、本発明ターゲ
ット１〜１０は、従来ターゲット１〜２に比べて結晶粒
が微細であり、アーク放電回数が少ないところからパー
ティクル発生が極めて少なく、さらに高圧の冷却水圧を
かけてもターゲット割れがないところから強度が一段と
優れていることが分かる。しかし、この発明の範囲から
外れてＰを含む比較ターゲット１〜２は好ましくない特
性が現れることが分かる。
ット１〜１０は、従来ターゲット１〜２に比べて結晶粒
が微細であり、アーク放電回数が少ないところからパー
ティクル発生が極めて少なく、さらに高圧の冷却水圧を
かけてもターゲット割れがないところから強度が一段と
優れていることが分かる。しかし、この発明の範囲から
外れてＰを含む比較ターゲット１〜２は好ましくない特
性が現れることが分かる。
【００１５】上述のように、この発明は、高電力の直流
スパッタリングを行ってもターゲット割れが発生するこ
とがなく、パーティクルの発生が極めて少ないアルミニ
ウム含有シリコン合金薄膜を形成するためのスパッタリ
ング用ターゲットを提供することができ、電子産業の発
展に大いに貢献し得るものである。
スパッタリングを行ってもターゲット割れが発生するこ
とがなく、パーティクルの発生が極めて少ないアルミニ
ウム含有シリコン合金薄膜を形成するためのスパッタリ
ング用ターゲットを提供することができ、電子産業の発
展に大いに貢献し得るものである。
Claims (4)
- 【請求項１】Ａｌ：０.１〜１５質量％、Ｐ：１０〜５
００００ｐｐｍを含有し、残部がＳｉおよび不可避不純
物からなる成分組成を有することを特徴とするスパッタ
リング用アルミニウム含有シリコン合金ターゲット。 - 【請求項２】Ａｌ：０.１〜１５質量％、Ｐ：１０〜５
００００ｐｐｍを含有し、残部がＳｉおよび不可避不純
物からなり、かつ原子比でＰ／Ａｌ≦１であるように調
整された成分組成を有することを特徴とするスパッタリ
ング用アルミニウム含有シリコン合金ターゲット。 - 【請求項３】平均粒径：３ｍｍ以下の微細な結晶粒から
なることを特徴とする請求項１または２記載のスパッタ
リング用アルミニウム含有シリコン合金ターゲット。 - 【請求項４】原料を鋳型内で溶解し、得られた鋳型内の
溶湯を鋳型下部から上部に向かって徐々に冷却しながら
下方から上方へ指向性凝固させることを特徴とする請求
項１、２または３記載のスパッタリング用アルミニウム
含有シリコン合金ターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001362015A JP2003160862A (ja) | 2001-11-28 | 2001-11-28 | スパッタリング用アルミニウム含有シリコン合金ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001362015A JP2003160862A (ja) | 2001-11-28 | 2001-11-28 | スパッタリング用アルミニウム含有シリコン合金ターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003160862A true JP2003160862A (ja) | 2003-06-06 |
Family
ID=19172585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001362015A Withdrawn JP2003160862A (ja) | 2001-11-28 | 2001-11-28 | スパッタリング用アルミニウム含有シリコン合金ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003160862A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008101277A (ja) * | 2008-01-15 | 2008-05-01 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 |
| WO2015159947A1 (ja) * | 2014-04-17 | 2015-10-22 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 |
-
2001
- 2001-11-28 JP JP2001362015A patent/JP2003160862A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008101277A (ja) * | 2008-01-15 | 2008-05-01 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 |
| WO2015159947A1 (ja) * | 2014-04-17 | 2015-10-22 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 |
| EP3050999A4 (en) * | 2014-04-17 | 2017-05-31 | Mitsubishi Materials Corporation | Sputtering target and sputtering target manufacturing method |
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