JPS61115667A - スパツタリング用タ−ゲツトを冷却板に接合する方法 - Google Patents
スパツタリング用タ−ゲツトを冷却板に接合する方法Info
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- JPS61115667A JPS61115667A JP23479084A JP23479084A JPS61115667A JP S61115667 A JPS61115667 A JP S61115667A JP 23479084 A JP23479084 A JP 23479084A JP 23479084 A JP23479084 A JP 23479084A JP S61115667 A JPS61115667 A JP S61115667A
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- Japan
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/19—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering taking account of the properties of the materials to be soldered
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、スパッタリングによって半導体デ゛バイス
の電極および配線を形成させるために使用さｎるアルミ
ニウム製またはアルミニウム会合製のターゲットを銅製
の冷却板に接合する方法に関する。
の電極および配線を形成させるために使用さｎるアルミ
ニウム製またはアルミニウム会合製のターゲットを銅製
の冷却板に接合する方法に関する。
半導体デバイス内における電極および配線の材料として
使用さｎるアルミニウムおよびアルミニウム台％ （Ａ
Ｊ−８ｉ、 Ａｌ−Ｃｕ、 ＡＡ！−８ｉ−Ｃｕ）は、
スパッタリングによって半導体デバイスの電極および配
線材に供するために、ターゲットに加工されるが、その
スパッタリング中にターゲットは過熱さ詐るので、そｎ
を防ぐため、こｎらのターゲットは一般に銅製の冷却板
に接合される。
使用さｎるアルミニウムおよびアルミニウム台％ （Ａ
Ｊ−８ｉ、 Ａｌ−Ｃｕ、 ＡＡ！−８ｉ−Ｃｕ）は、
スパッタリングによって半導体デバイスの電極および配
線材に供するために、ターゲットに加工されるが、その
スパッタリング中にターゲットは過熱さ詐るので、そｎ
を防ぐため、こｎらのターゲットは一般に銅製の冷却板
に接合される。
このようなアルミニウム製およびアルミニウム会合製の
ターゲットは約３５０℃から再結晶を起こして結晶の粗
大化及び合台成分の析出を生じ、特に４００℃以上の温
度ではこの現象が極めて顕著になり、このような状態に
なったターゲットを使用してスパッタリングすると、生
成し几被膜の組成や厚さが不均一になるので、前記ター
ゲットと冷却板との接合は３５０℃よりも低い温度にお
いて遂行しなければならない。
ターゲットは約３５０℃から再結晶を起こして結晶の粗
大化及び合台成分の析出を生じ、特に４００℃以上の温
度ではこの現象が極めて顕著になり、このような状態に
なったターゲットを使用してスパッタリングすると、生
成し几被膜の組成や厚さが不均一になるので、前記ター
ゲットと冷却板との接合は３５０℃よりも低い温度にお
いて遂行しなければならない。
したがって、アルミニウムとその合雀の有力な炉中ろう
付は法として近年登場したＧｅｎｅｒａＪ ＥＪｅ−ｃ
ｔｒｉｃ社の真空ろう付は法や西独で開発されたＶＡＷ
法は、７ラツクスを使用しないで、しかもＺｎ、Ｃｄの
ような揮発し易い元素を含むろうを使用しないという点
では、極端に汚染を嫌う電子材料として使用さｎるター
ゲットのろう付けに適しているけれども、こｎらの方法
はいずｎも約６００℃ま、之ニそｎを越える温度におい
て遂行されるものであるから、約３５０°Ｃ以上の温度
に拍子ことがでキナいアルミニウム製またはアルミニウ
ム合戴製のターゲットのろう付けには不向さであり、し
たがって、このようなターゲッ゛トを銅製の冷却板に接
合するには、現在のところ、イオンブレーティング等に
よってターゲット表面に直接銅の薄膜を堆積させてから
、その上に錫の薄膜を例えば真空蒸着によって堆積させ
る一万、冷却板の表面に錫の薄膜を被覆し、ついでこ九
らの錫の薄膜間にシート状のろ′５を挾み込んだ後、加
熱下にターゲットと冷却板とを圧接するという方法に頼
っている。
付は法として近年登場したＧｅｎｅｒａＪ ＥＪｅ−ｃ
ｔｒｉｃ社の真空ろう付は法や西独で開発されたＶＡＷ
法は、７ラツクスを使用しないで、しかもＺｎ、Ｃｄの
ような揮発し易い元素を含むろうを使用しないという点
では、極端に汚染を嫌う電子材料として使用さｎるター
ゲットのろう付けに適しているけれども、こｎらの方法
はいずｎも約６００℃ま、之ニそｎを越える温度におい
て遂行されるものであるから、約３５０°Ｃ以上の温度
に拍子ことがでキナいアルミニウム製またはアルミニウ
ム合戴製のターゲットのろう付けには不向さであり、し
たがって、このようなターゲッ゛トを銅製の冷却板に接
合するには、現在のところ、イオンブレーティング等に
よってターゲット表面に直接銅の薄膜を堆積させてから
、その上に錫の薄膜を例えば真空蒸着によって堆積させ
る一万、冷却板の表面に錫の薄膜を被覆し、ついでこ九
らの錫の薄膜間にシート状のろ′５を挾み込んだ後、加
熱下にターゲットと冷却板とを圧接するという方法に頼
っている。
しかしながら、上述の従来方法によってターゲットを冷
却板に接合すると、アルミニウムと銅とは元来密着性に
乏しい上に、その接合面に欠陥（空洞）が生じ易いため
、こｎら部材間の接合強度か弱＜’ｚｖ、ターゲットを
スパッタリングしている間に受ける熱や荷重に起因する
歪によって、その接合面が剥離するという問題があった
。
却板に接合すると、アルミニウムと銅とは元来密着性に
乏しい上に、その接合面に欠陥（空洞）が生じ易いため
、こｎら部材間の接合強度か弱＜’ｚｖ、ターゲットを
スパッタリングしている間に受ける熱や荷重に起因する
歪によって、その接合面が剥離するという問題があった
。
そこで本発明者等は、上述のような観点から、接合強度
が強く、かつ接合面に欠陥を生じない前記ターゲットと
銅製冷却板との接合方法を得るぺぐ種々探究した結果、
アルミニウムおよびその合釜に対して極めて密着性のよ
い亜鉛をまずターゲットｉ面に約０．０５μｍ被覆し、
ついで亜鉛に対して極めて密着性のよいニッケルを被覆
し、さらにニッケルと非常に密着性のよい銅を被覆し、
最後にろうとのぬｎ性をよくするために錫を被覆すると
、そのターゲットに対して極めて接合強度の丁ぐれた複
合被膜が得られ、この被膜と、予め錫の薄膜が被覆され
ている銅製冷却板のその薄膜との間にシート状のろうを
挾み込んだ後、真空中草たは不活性ガス雰囲気中、加熱
下においてターゲットと冷却板とを互に圧接すると、全
体としてきわめて接合強度が丁ぐｎｌかつその接合面に
欠陥がない、冷却板付きのターゲットが得られることを
見出した。
が強く、かつ接合面に欠陥を生じない前記ターゲットと
銅製冷却板との接合方法を得るぺぐ種々探究した結果、
アルミニウムおよびその合釜に対して極めて密着性のよ
い亜鉛をまずターゲットｉ面に約０．０５μｍ被覆し、
ついで亜鉛に対して極めて密着性のよいニッケルを被覆
し、さらにニッケルと非常に密着性のよい銅を被覆し、
最後にろうとのぬｎ性をよくするために錫を被覆すると
、そのターゲットに対して極めて接合強度の丁ぐれた複
合被膜が得られ、この被膜と、予め錫の薄膜が被覆され
ている銅製冷却板のその薄膜との間にシート状のろうを
挾み込んだ後、真空中草たは不活性ガス雰囲気中、加熱
下においてターゲットと冷却板とを互に圧接すると、全
体としてきわめて接合強度が丁ぐｎｌかつその接合面に
欠陥がない、冷却板付きのターゲットが得られることを
見出した。
この発明は、上記知見に基いて発明されたものであって
、 アルミニウム製またはアルミニウム合釜製のスパッタリ
ング用ターゲットを銅製冷却板に接合する方法において
、そのターゲットの表面に順次、亜鉛、ニッケル、銅お
よび錫の各薄膜を被覆する一万、冷却板の表面に錫の薄
膜を被覆し、ついでこれらのターゲットと冷却板にそれ
ぞれ被覆さｎｔ錫の薄膜の間にシート状のろうを挾み込
んだ後、真空中または不活炸ガス雰囲気中、加熱下にお
いて前記ターゲットと冷却板とを互に圧接することによ
って前記ターゲットを前記冷却板に接合することを特徴
とするものである。
、 アルミニウム製またはアルミニウム合釜製のスパッタリ
ング用ターゲットを銅製冷却板に接合する方法において
、そのターゲットの表面に順次、亜鉛、ニッケル、銅お
よび錫の各薄膜を被覆する一万、冷却板の表面に錫の薄
膜を被覆し、ついでこれらのターゲットと冷却板にそれ
ぞれ被覆さｎｔ錫の薄膜の間にシート状のろうを挾み込
んだ後、真空中または不活炸ガス雰囲気中、加熱下にお
いて前記ターゲットと冷却板とを互に圧接することによ
って前記ターゲットを前記冷却板に接合することを特徴
とするものである。
このターゲットの素材となるアルミニウムおよびアルミ
ニウム合骸の代表的な例として、純度９９．９９９％以
上の高純度アルミニウム、Ａｌ一方重量％ＳｉおよびＡ
ｌ−０，５重量％Ｃｕが挙げられ、一方冷却板の素材と
して例えば無酸素銅およびＯ，Ｍ、Ｃ。
ニウム合骸の代表的な例として、純度９９．９９９％以
上の高純度アルミニウム、Ａｌ一方重量％ＳｉおよびＡ
ｌ−０，５重量％Ｃｕが挙げられ、一方冷却板の素材と
して例えば無酸素銅およびＯ，Ｍ、Ｃ。
（、Ｃｕ −０，１５重量％Ｚｒ−０，４５重量％Ｃｒ
） カ挙げられる。
） カ挙げられる。
ターゲットおよび冷却板に被覆さ汎る各釜属の薄層のう
ち、亜鉛層は亜鉛酸塩溶液に品物を浸漬する無電解めつ
＠（ジンケート処理）によって形成され、その他のニッ
ケル層、銅層および錫層は慣用の電気めっきによって形
成させるのが好都合であり、通常こｎらのニッケル層、
銅層および錫層はそｎぞｎ１〜１０μｍ１１０〜３０μ
ｍおよび１〜５μｍの厚さで被覆される。
ち、亜鉛層は亜鉛酸塩溶液に品物を浸漬する無電解めつ
＠（ジンケート処理）によって形成され、その他のニッ
ケル層、銅層および錫層は慣用の電気めっきによって形
成させるのが好都合であり、通常こｎらのニッケル層、
銅層および錫層はそｎぞｎ１〜１０μｍ１１０〜３０μ
ｍおよび１〜５μｍの厚さで被覆される。
ろう付けに使用されるろうとしては、普通、例えば純錫
または５ｎ−３，５％Ａｇのような錫をベースにし友厚
さ約５０μｍのシート状の軟ろうが有利に使用さｎｌそ
してターゲットと冷却板との接合は、一般に荷重： １
．８〜２．２ ＫＰ ／ｍ１温度：２４５〜２６０°Ｃ
１雰囲気：５Ｘ１０Ｔｏｒｒ以下の真空中またはアルゴ
ンのような不活性ガス中、圧接時間：１５〜２０分間の
条件の下で遂行される。
または５ｎ−３，５％Ａｇのような錫をベースにし友厚
さ約５０μｍのシート状の軟ろうが有利に使用さｎｌそ
してターゲットと冷却板との接合は、一般に荷重： １
．８〜２．２ ＫＰ ／ｍ１温度：２４５〜２６０°Ｃ
１雰囲気：５Ｘ１０Ｔｏｒｒ以下の真空中またはアルゴ
ンのような不活性ガス中、圧接時間：１５〜２０分間の
条件の下で遂行される。
ついで、この発明を実施例によって説明する。
ＡＪ一方重量％Ｓｉの組成と、直径３０ ａｎ Ｘ厚さ
６０ｃＩｒＬの寸法を有する円板状のスパッタリング用
ターゲットを市販のジンケート処理用の亜鉛酸塩溶液に
１分間浸漬することによって、その表面に亜鉛被膜を形
成させ、ついでその亜鉛被膜の上に、スルファミン酸ニ
ッケル浴組成： Ｎｉ （ＮＨ２ＳＯ３）２−４Ｈ２０４５０ｇ／ ｌＮ
ｉＣｌ２−６Ｈ，０１０ｇ ／ Ｉ Ｈ３Ｂ０３３０Ｆ／／１ 電流密度： ５Ａ／すｍ゛時間
１０分 液温： ５０°Ｃの条件下で、厚
さ１０μｍのニッケルめっきｔ施し、さらにそのニッケ
ル被膜の上に、 硫酸銅浴組成： ＣｕＳＯ４・５Ｈ２０２００９／ Ｉ Ｈ，Ｓｏ、 ５０９／１電流密度
’ ５Ａ／ｄｍ”時間：
２０分 液温： 室温 の条件下で、厚さ２０μｍの銅めっキラ施し、最後にそ
の銅被膜の上に、 硫酸錫浴組成： ５ｎＳ０． ３０１／ ｌＨ，８０
，１００ｍｌ／ １ 電流密度： １．５Ａ／ｄｉ’時間：
３ 分 液温二 室 温 の条件下で、厚さ５μｍの錫めっきを施した。
６０ｃＩｒＬの寸法を有する円板状のスパッタリング用
ターゲットを市販のジンケート処理用の亜鉛酸塩溶液に
１分間浸漬することによって、その表面に亜鉛被膜を形
成させ、ついでその亜鉛被膜の上に、スルファミン酸ニ
ッケル浴組成： Ｎｉ （ＮＨ２ＳＯ３）２−４Ｈ２０４５０ｇ／ ｌＮ
ｉＣｌ２−６Ｈ，０１０ｇ ／ Ｉ Ｈ３Ｂ０３３０Ｆ／／１ 電流密度： ５Ａ／すｍ゛時間
１０分 液温： ５０°Ｃの条件下で、厚
さ１０μｍのニッケルめっきｔ施し、さらにそのニッケ
ル被膜の上に、 硫酸銅浴組成： ＣｕＳＯ４・５Ｈ２０２００９／ Ｉ Ｈ，Ｓｏ、 ５０９／１電流密度
’ ５Ａ／ｄｍ”時間：
２０分 液温： 室温 の条件下で、厚さ２０μｍの銅めっキラ施し、最後にそ
の銅被膜の上に、 硫酸錫浴組成： ５ｎＳ０． ３０１／ ｌＨ，８０
，１００ｍｌ／ １ 電流密度： １．５Ａ／ｄｉ’時間：
３ 分 液温二 室 温 の条件下で、厚さ５μｍの錫めっきを施した。
一方、無酸素銅からなる直径３０ｃＩｒＬ×厚さ６０α
の円板状冷却板に上記と同じ条件下で厚さ５μｍの錫め
っきを施した。
の円板状冷却板に上記と同じ条件下で厚さ５μｍの錫め
っきを施した。
ついで、このように表面処理を施した円板状のターゲッ
トと冷却板との間に、ろうとして厚さ：５０ａｍの純錫
の箔を挾み込み、５ Ｘ １０ Ｔｏｒｒの真空中、２
５０℃に昇温して両者の間に２Ｋｙ／ｃｌの荷重を１５
分間かけることによって、ターゲットを冷却板に接合し
た。
トと冷却板との間に、ろうとして厚さ：５０ａｍの純錫
の箔を挾み込み、５ Ｘ １０ Ｔｏｒｒの真空中、２
５０℃に昇温して両者の間に２Ｋｙ／ｃｌの荷重を１５
分間かけることによって、ターゲットを冷却板に接合し
た。
つぎに、従来方法により、丁なわち、上記と同じ組成と
寸法ビ有するターゲットの表面に銅をイオンブレーティ
ングすることによってそれヲ２０μｍの厚さに堆積させ
、さらにその銅被膜の上に、上記と同じ方法で錫めっき
を施工ことによって厚さ５μｍの錫の被膜を形成させる
一方、上記と同じ寸法を有する無酸素銅の冷却板上にも
同様に錫めっきを施して厚さ５μｍの錫の被膜を形成さ
せ、÷その後このように被覆処理を施し之ターゲットと
冷却板とｔ１上記と全く同じ方法および条件を用いて接
合した。
寸法ビ有するターゲットの表面に銅をイオンブレーティ
ングすることによってそれヲ２０μｍの厚さに堆積させ
、さらにその銅被膜の上に、上記と同じ方法で錫めっき
を施工ことによって厚さ５μｍの錫の被膜を形成させる
一方、上記と同じ寸法を有する無酸素銅の冷却板上にも
同様に錫めっきを施して厚さ５μｍの錫の被膜を形成さ
せ、÷その後このように被覆処理を施し之ターゲットと
冷却板とｔ１上記と全く同じ方法および条件を用いて接
合した。
このように本発明および従来方法によってそれぞれ接合
したターゲットと冷却板との接合面において生じた欠陥
の割合をＸ線によって調べたところ、接合面全体の面積
に対する欠陥を生じていた部分の面積の割合、丁なわち
欠陥率は、本発明によって接合した接合面において０％
であるのに対し、従来方法による接合面においては２０
％であった。
したターゲットと冷却板との接合面において生じた欠陥
の割合をＸ線によって調べたところ、接合面全体の面積
に対する欠陥を生じていた部分の面積の割合、丁なわち
欠陥率は、本発明によって接合した接合面において０％
であるのに対し、従来方法による接合面においては２０
％であった。
つぎに、本発明によって接合したターゲットと冷却板と
の接合強度を引張試験によって評価下るために、外径２
８ 朋Ｘ高さ７５正の寸法を有する円柱を上記のＡｌ一
方重量％Ｓｉおよび無酸素銅部材からそｎぞれ採取し、
そｎらの一方の端面にそｎぞれねじ穴ン穿つとともに、
その他方の端面を互につき合わせてアルミニウム合雀製
の円柱と無酸素銅製の円柱とｔ上記と同様な本発明方法
および従来方法によってそれぞれ接合し、本発明によっ
て接合し次試験片と従来方法によって接合した試験片を
それぞれ５個づつ製作した。
の接合強度を引張試験によって評価下るために、外径２
８ 朋Ｘ高さ７５正の寸法を有する円柱を上記のＡｌ一
方重量％Ｓｉおよび無酸素銅部材からそｎぞれ採取し、
そｎらの一方の端面にそｎぞれねじ穴ン穿つとともに、
その他方の端面を互につき合わせてアルミニウム合雀製
の円柱と無酸素銅製の円柱とｔ上記と同様な本発明方法
および従来方法によってそれぞれ接合し、本発明によっ
て接合し次試験片と従来方法によって接合した試験片を
それぞれ５個づつ製作した。
このようにして得られた各試験片を引張試験機にかけて
これらの接合面を剥離するのに要する引張強さを室温に
おいて測定し念ところ、第１表に示す結果が得られた。
これらの接合面を剥離するのに要する引張強さを室温に
おいて測定し念ところ、第１表に示す結果が得られた。
第 １ 表
Ｏ：はんだ面 ×：メッキ母材間
はんだ付は条件：温度２６０℃、はんだ：５ｎ−５％Ａ
ｇ時間、圧力は同じ 〔発明の効果〕 実施例で示し念結果から、本発明方法は、従来方法に比
べて、ターゲットと冷却板との接合面において欠陥を生
ずることがなく、また本発明方法によって得らｎるター
ゲットと冷却板との接合強度に従来方法によって得らｎ
るものよりも著しく大きいことがわかる。
ｇ時間、圧力は同じ 〔発明の効果〕 実施例で示し念結果から、本発明方法は、従来方法に比
べて、ターゲットと冷却板との接合面において欠陥を生
ずることがなく、また本発明方法によって得らｎるター
ゲットと冷却板との接合強度に従来方法によって得らｎ
るものよりも著しく大きいことがわかる。
以上述べた説明から明らかなように、この発明によると
、アルミニウム環またはアルミニウム合並製のスパッタ
リング用ターゲットを銅製冷却板に接合し几場合に、接
合強度が丁ぐれ、かつ欠陥のない接合面を得ることがで
きる結果、スパッタリングに際してこれらの部材が互に
剥離するのが防止されるので、長期間にわｔって安定し
化スパッタリング操作を遂行することができる冷却板付
きのターゲットを提供するこ、とがでさる。
、アルミニウム環またはアルミニウム合並製のスパッタ
リング用ターゲットを銅製冷却板に接合し几場合に、接
合強度が丁ぐれ、かつ欠陥のない接合面を得ることがで
きる結果、スパッタリングに際してこれらの部材が互に
剥離するのが防止されるので、長期間にわｔって安定し
化スパッタリング操作を遂行することができる冷却板付
きのターゲットを提供するこ、とがでさる。
Claims (1)
- アルミニウム製またはアルミニウム合金製のスパッタリ
ング用ターゲットを銅製冷却板に接合する方法において
、そのターゲットの表面に順次、亜鉛、ニッケル、銅お
よび錫の各薄膜を被覆する一方、冷却板の表面に錫の薄
膜を被覆し、ついでこれらのターゲットと冷却板にそれ
ぞれ被覆された錫の薄膜の間にシート状のろうを挾み込
んだ後、真空中または不活性ガス雰囲気中、加熱下にお
いて前記ターゲットと冷却板とを互に圧接することによ
つて前記ターゲットを前記冷却板に接合することを特徴
とする、上記接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23479084A JPS61115667A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | スパツタリング用タ−ゲツトを冷却板に接合する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23479084A JPS61115667A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | スパツタリング用タ−ゲツトを冷却板に接合する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61115667A true JPS61115667A (ja) | 1986-06-03 |
| JPH0338943B2 JPH0338943B2 (ja) | 1991-06-12 |
Family
ID=16976422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23479084A Granted JPS61115667A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | スパツタリング用タ−ゲツトを冷却板に接合する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61115667A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0586462A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-04-06 | Mitsubishi Materials Corp | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
| JPH11131225A (ja) * | 1997-10-24 | 1999-05-18 | Dowa Mining Co Ltd | スパッタリングターゲットとその接合方法及び接合装置 |
| WO2008041350A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Joint with first and second members with a joining layer located therebetween containing sn metal and another metallic material; methods for forming the same joint |
| WO2011162126A1 (ja) * | 2010-06-25 | 2011-12-29 | 千住金属工業株式会社 | 蓄電デバイス用電極、その製造方法及びその接続方法 |
| JP2020128583A (ja) * | 2019-02-12 | 2020-08-27 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体 |
-
1984
- 1984-11-07 JP JP23479084A patent/JPS61115667A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0586462A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-04-06 | Mitsubishi Materials Corp | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
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| WO2008041350A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Joint with first and second members with a joining layer located therebetween containing sn metal and another metallic material; methods for forming the same joint |
| US8763884B2 (en) | 2006-09-29 | 2014-07-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Joint with first and second members with a joining layer located therebetween containing Sn metal and another metallic material; methods for forming the same joint |
| WO2011162126A1 (ja) * | 2010-06-25 | 2011-12-29 | 千住金属工業株式会社 | 蓄電デバイス用電極、その製造方法及びその接続方法 |
| JP2012009714A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Senju Metal Ind Co Ltd | 蓄電デバイス用電極、その製造方法及びその接続方法 |
| EP2587505A4 (en) * | 2010-06-25 | 2016-01-20 | Senju Metal Industry Co | ELECTRODE FOR ELECTRIC STORAGE DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE ELECTRODE, AND METHOD FOR CONNECTING THE ELECTRODE |
| US9368249B2 (en) | 2010-06-25 | 2016-06-14 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Method of manufacturing an electrode for an energy storage device |
| US10121606B2 (en) | 2010-06-25 | 2018-11-06 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Method of manufacturing an electrode for an energy storage device |
| JP2020128583A (ja) * | 2019-02-12 | 2020-08-27 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0338943B2 (ja) | 1991-06-12 |
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