JPH0748667A - 高い接合強度を有するスパッタリングターゲット - Google Patents
高い接合強度を有するスパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JPH0748667A JPH0748667A JP21225493A JP21225493A JPH0748667A JP H0748667 A JPH0748667 A JP H0748667A JP 21225493 A JP21225493 A JP 21225493A JP 21225493 A JP21225493 A JP 21225493A JP H0748667 A JPH0748667 A JP H0748667A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高純度Ｓｉターゲット材のＣｕまたはＣｕ合
金製バッキングプレートに対する接合強度の高いスパッ
タリングターゲットを提供する。 【構成】 高純度Ｓｉターゲット材をＩｎまたはＩｎ−
Ｓｎ合金はんだを用いてＣｕまたはＣｕ合金製バッキン
グプレートに接合してなるスパッタリングターゲットに
おいて、前記ターゲット材の接合面の面粗さを１〜１０
μｍＲmax とすると共に、上記ターゲット材の接合面と
上記はんだとの間に、イオンプレーティングまたはスパ
ッタリングにより形成したＣｕ，Ｎｉ、およびＣｕ−Ｎ
ｉ合金のうちの少なくともいずれかからなる平均層厚：
２〜８μｍの薄層を介在させる。
金製バッキングプレートに対する接合強度の高いスパッ
タリングターゲットを提供する。 【構成】 高純度Ｓｉターゲット材をＩｎまたはＩｎ−
Ｓｎ合金はんだを用いてＣｕまたはＣｕ合金製バッキン
グプレートに接合してなるスパッタリングターゲットに
おいて、前記ターゲット材の接合面の面粗さを１〜１０
μｍＲmax とすると共に、上記ターゲット材の接合面と
上記はんだとの間に、イオンプレーティングまたはスパ
ッタリングにより形成したＣｕ，Ｎｉ、およびＣｕ−Ｎ
ｉ合金のうちの少なくともいずれかからなる平均層厚：
２〜８μｍの薄層を介在させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高純度Ｓｉターゲッ
ト材のＣｕまたはＣｕ合金製バッキングプレートに対す
る接合強度がきわめて高いスパッタリングターゲットに
関するものである。
ト材のＣｕまたはＣｕ合金製バッキングプレートに対す
る接合強度がきわめて高いスパッタリングターゲットに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光磁気ディスクの保護膜や半導体
製造プロセスにおける反射防止膜などを構成する高純度
Ｓｉ薄膜が、高純度Ｓｉターゲット材をＩｎまたはＩｎ
−Ｓｎ合金はんだにてＣｕまたはＣｕ合金製バッキング
プレートに接合してなるターゲットを用い、これにプラ
ズマを照射し、スパッタして基板表面に高純度Ｓｉを蒸
着させることにより形成されることは良く知られるとこ
ろである。
製造プロセスにおける反射防止膜などを構成する高純度
Ｓｉ薄膜が、高純度Ｓｉターゲット材をＩｎまたはＩｎ
−Ｓｎ合金はんだにてＣｕまたはＣｕ合金製バッキング
プレートに接合してなるターゲットを用い、これにプラ
ズマを照射し、スパッタして基板表面に高純度Ｓｉを蒸
着させることにより形成されることは良く知られるとこ
ろである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、近年のスパッタ
リング装置の高性能化および大型化の進展はめざまし
く、これに伴ない、操業条件は一段と苛酷さを増す状況
にあるが、上記の従来スパッタリングターゲットにおい
ては、高純度Ｓｉターゲット材のＣｕまたはＣｕ合金製
バッキングプレートに対する接合強度が十分でないため
に、かかる苛酷な条件下でのスパッタでは剥離が発生し
易く、これに満足に対応することができないのが現状で
ある。
リング装置の高性能化および大型化の進展はめざまし
く、これに伴ない、操業条件は一段と苛酷さを増す状況
にあるが、上記の従来スパッタリングターゲットにおい
ては、高純度Ｓｉターゲット材のＣｕまたはＣｕ合金製
バッキングプレートに対する接合強度が十分でないため
に、かかる苛酷な条件下でのスパッタでは剥離が発生し
易く、これに満足に対応することができないのが現状で
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
高純度Ｓｉターゲット材のＣｕまたはＣｕ合金製バッキ
ングプレートに対する接合強度の向上をはかるべく研究
を行なった結果、上記の従来スパッタリングターゲット
における高純度Ｓｉターゲット材の接合面は研削仕上げ
され、そのまま直接ＣｕまたはＣｕ合金製バッキングプ
レートにはんだ付けされているが、前記ターゲット材の
接合面の面粗さを１〜１０μｍＲmax とすると共に、こ
の粗面化した接合面にイオンプレーティングまたはスパ
ッタリングによりＣｕ，Ｎｉ、およびＣｕ−Ｎｉ合金の
うちの少なくともいずれかからなる薄層を２〜８μｍの
平均層厚で形成した状態で前記バッキングプレートには
んだ付けを行なうと、前記ターゲット材の前記バッキン
グプレートに対する接合強度が飛躍的に向上し、苛酷な
条件下でのスパッタ操業でも前記ターゲット材が剥離す
ることが皆無となるという研究結果を得たのである。
高純度Ｓｉターゲット材のＣｕまたはＣｕ合金製バッキ
ングプレートに対する接合強度の向上をはかるべく研究
を行なった結果、上記の従来スパッタリングターゲット
における高純度Ｓｉターゲット材の接合面は研削仕上げ
され、そのまま直接ＣｕまたはＣｕ合金製バッキングプ
レートにはんだ付けされているが、前記ターゲット材の
接合面の面粗さを１〜１０μｍＲmax とすると共に、こ
の粗面化した接合面にイオンプレーティングまたはスパ
ッタリングによりＣｕ，Ｎｉ、およびＣｕ−Ｎｉ合金の
うちの少なくともいずれかからなる薄層を２〜８μｍの
平均層厚で形成した状態で前記バッキングプレートには
んだ付けを行なうと、前記ターゲット材の前記バッキン
グプレートに対する接合強度が飛躍的に向上し、苛酷な
条件下でのスパッタ操業でも前記ターゲット材が剥離す
ることが皆無となるという研究結果を得たのである。
【０００５】この発明は、上記の研究結果にもとづいて
なされたものであって、高純度Ｓｉターゲット材をＩｎ
またはＩｎ−Ｓｎ合金はんだを用いてＣｕまたはＣｕ合
金製バッキングプレートに接合してなるスパッタリング
ターゲットにおいて、上記ターゲット材の接合面の面粗
さを１〜１０μｍＲmax とすると共に、上記ターゲット
材の接合面と上記はんだとの間に、イオンプレーティン
グまたはスパッタリングにより形成したＣｕ，Ｎｉ、お
よびＣｕ−Ｎｉ合金のうちの少なくともいずれかからな
る平均層厚：２〜８μｍの薄層を介在させることにより
前記ターゲット材の前記バッキングプレートに対する接
合強度を著しく向上せしめたスパッタリングターゲット
に特徴を有するものである。
なされたものであって、高純度Ｓｉターゲット材をＩｎ
またはＩｎ−Ｓｎ合金はんだを用いてＣｕまたはＣｕ合
金製バッキングプレートに接合してなるスパッタリング
ターゲットにおいて、上記ターゲット材の接合面の面粗
さを１〜１０μｍＲmax とすると共に、上記ターゲット
材の接合面と上記はんだとの間に、イオンプレーティン
グまたはスパッタリングにより形成したＣｕ，Ｎｉ、お
よびＣｕ−Ｎｉ合金のうちの少なくともいずれかからな
る平均層厚：２〜８μｍの薄層を介在させることにより
前記ターゲット材の前記バッキングプレートに対する接
合強度を著しく向上せしめたスパッタリングターゲット
に特徴を有するものである。
【０００６】なお、この発明のスパッタリングターゲッ
トにおいて、高純度Ｓｉターゲット材の接合面の面粗さ
を１〜１０μｍＲmax としたのは、その面粗さが１μｍ
Ｒma x 未満では所望の高い接合強度を確保することがで
きず、一方その面粗さが１０μｍＲmax を越えるとスパ
ッタ中に前記接合面にクラックが発生し易くなるという
理由によるものであり、また同じく介在薄層の平均層厚
を２〜８μｍとしたのは、その層厚が２μｍ未満では、
はんだ付け中にはんだと反応して金属間化合物を形成
し、そのすべてが消失してしまう結果、高い接合強度を
確保することができず、一方その層厚が８μｍを越える
と上記ターゲット材との間に剥離が発生し易くなるとい
う理由にもとづくものである。
トにおいて、高純度Ｓｉターゲット材の接合面の面粗さ
を１〜１０μｍＲmax としたのは、その面粗さが１μｍ
Ｒma x 未満では所望の高い接合強度を確保することがで
きず、一方その面粗さが１０μｍＲmax を越えるとスパ
ッタ中に前記接合面にクラックが発生し易くなるという
理由によるものであり、また同じく介在薄層の平均層厚
を２〜８μｍとしたのは、その層厚が２μｍ未満では、
はんだ付け中にはんだと反応して金属間化合物を形成
し、そのすべてが消失してしまう結果、高い接合強度を
確保することができず、一方その層厚が８μｍを越える
と上記ターゲット材との間に剥離が発生し易くなるとい
う理由にもとづくものである。
【０００７】
【実施例】つぎに、この発明のスパッタリングターゲッ
トを実施例により具体的に説明する。それぞれ表１に示
される寸法をもった純度：９９．９９９９重量％の高純
度Ｓｉターゲット材と無酸素銅製バッキングプレートを
用意し、これら高純度Ｓｉターゲット材の接合面の面粗
さを同じく表１に示される面粗さとした状態で、これに
同じく表１に示される条件で介在薄層を形成し、ついで
これらターゲット材とバッキングプレートとを同じく表
１に示されるはんだを間にはさんで重ね合わせ、大気
中、加熱温度：１５０〜２００℃、加重：１０kgの条件
ではんだ付けを行なうことにより本発明スパッタリング
ターゲット（以下、本発明ターゲットという）１〜９を
それぞれ製造した。また、比較の目的で、高純度Ｓｉタ
ーゲット材の接合面の面粗さを表２に示される面粗さと
すると共に、介在薄層の形成を行なわない以外は同一の
条件で従来スパッタリングターゲット（以下、従来ター
ゲットという）１〜９を製造した。
トを実施例により具体的に説明する。それぞれ表１に示
される寸法をもった純度：９９．９９９９重量％の高純
度Ｓｉターゲット材と無酸素銅製バッキングプレートを
用意し、これら高純度Ｓｉターゲット材の接合面の面粗
さを同じく表１に示される面粗さとした状態で、これに
同じく表１に示される条件で介在薄層を形成し、ついで
これらターゲット材とバッキングプレートとを同じく表
１に示されるはんだを間にはさんで重ね合わせ、大気
中、加熱温度：１５０〜２００℃、加重：１０kgの条件
ではんだ付けを行なうことにより本発明スパッタリング
ターゲット（以下、本発明ターゲットという）１〜９を
それぞれ製造した。また、比較の目的で、高純度Ｓｉタ
ーゲット材の接合面の面粗さを表２に示される面粗さと
すると共に、介在薄層の形成を行なわない以外は同一の
条件で従来スパッタリングターゲット（以下、従来ター
ゲットという）１〜９を製造した。
【０００８】
【表１】
【０００９】
【表２】
【００１０】ついで、この結果得られた各種のターゲッ
トから、直径：５０mmφ×長さ：６０mmの寸法をもった
試験片を切り出し、ターゲット材の部分とバッキングプ
レートの部分とをそれぞれ接合面を境にして別個に接着
剤を用いて支持体内に固定し、この状態で引張試験機に
て引張り、接合面の引張強さを測定することにより接合
強度を評価した。これらの測定結果を表１，２に示し
た。
トから、直径：５０mmφ×長さ：６０mmの寸法をもった
試験片を切り出し、ターゲット材の部分とバッキングプ
レートの部分とをそれぞれ接合面を境にして別個に接着
剤を用いて支持体内に固定し、この状態で引張試験機に
て引張り、接合面の引張強さを測定することにより接合
強度を評価した。これらの測定結果を表１，２に示し
た。
【００１１】
【発明の効果】表１，２に示される結果から、本発明タ
ーゲット１〜９のそれぞれを構成する高純度Ｓｉターゲ
ット材は、従来ターゲット１〜９を構成するそれに比し
て一段と高い接合強度でバッキングプレートに接合され
ていることが明らかである。上述のように、この発明の
スパッタリングターゲットは、これを構成する高純度Ｓ
ｉターゲット材がＣｕまたはＣｕ合金製バッキングプレ
ートにきわめて高い接合強度で接合されているので、苛
酷な条件下でのスパッタでも前記ターゲット材が前記バ
ッキングプレートより剥離することはなく、著しく長期
に亘って安定した性能を発揮するのである。
ーゲット１〜９のそれぞれを構成する高純度Ｓｉターゲ
ット材は、従来ターゲット１〜９を構成するそれに比し
て一段と高い接合強度でバッキングプレートに接合され
ていることが明らかである。上述のように、この発明の
スパッタリングターゲットは、これを構成する高純度Ｓ
ｉターゲット材がＣｕまたはＣｕ合金製バッキングプレ
ートにきわめて高い接合強度で接合されているので、苛
酷な条件下でのスパッタでも前記ターゲット材が前記バ
ッキングプレートより剥離することはなく、著しく長期
に亘って安定した性能を発揮するのである。
Claims (1)
- 【請求項１】 高純度Ｓｉターゲット材をＩｎまたはＩ
ｎ−Ｓｎ合金はんだを用いてＣｕまたはＣｕ合金製バッ
キングプレートに接合してなるスパッタリングターゲッ
トにおいて、 上記ターゲット材の接合面の面粗さを１〜１０μｍＲ
max とすると共に、上記ターゲット材の接合面と上記は
んだとの間に、イオンプレーティングまたはスパッタリ
ングにより形成したＣｕ，Ｎｉ、およびＣｕ−Ｎｉ合金
のうちの少なくともいずれかからなる平均層厚：２〜８
μｍの薄層を介在させたことを特徴とする高い接合強度
を有するスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21225493A JPH0748667A (ja) | 1993-08-04 | 1993-08-04 | 高い接合強度を有するスパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21225493A JPH0748667A (ja) | 1993-08-04 | 1993-08-04 | 高い接合強度を有するスパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0748667A true JPH0748667A (ja) | 1995-02-21 |
Family
ID=16619530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21225493A Pending JPH0748667A (ja) | 1993-08-04 | 1993-08-04 | 高い接合強度を有するスパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748667A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006257511A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲット製造用はんだ合金、およびこれを用いたスパッタリングターゲット |
| CN1306060C (zh) * | 2002-06-21 | 2007-03-21 | 王殿儒 | 使用阴极电弧离子镀技术对锡焊润湿性的处理方法 |
| JP2009242915A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2012184469A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Mitsubishi Materials Corp | Ｉｎスパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2013181214A (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Mitsubishi Materials Corp | ＳｎＮｂスパッタリングターゲット |
| CN103692041A (zh) * | 2012-09-28 | 2014-04-02 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 一种硅靶材组件的钎焊方法 |
| CN103917685A (zh) * | 2011-11-08 | 2014-07-09 | 东曹Smd有限公司 | 具有特殊的表面处理和良好颗粒性能的硅溅射靶及其制造方法 |
| WO2015008864A1 (ja) * | 2013-07-18 | 2015-01-22 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコンターゲット構造体の製造方法およびシリコンターゲット構造体 |
| WO2015065606A1 (en) | 2013-10-30 | 2015-05-07 | United Technologies Corporation | Laser powder deposition weld rework for gas turbine engine non-fusion weldable nickel castings |
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| CN113199106A (zh) * | 2021-05-24 | 2021-08-03 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种半导体用硅靶材的制作方法 |
| CN113263237A (zh) * | 2021-05-19 | 2021-08-17 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种高纯硅靶材与铜背板的钎焊方法 |
-
1993
- 1993-08-04 JP JP21225493A patent/JPH0748667A/ja active Pending
Cited By (23)
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010612 |