JP2013181214A - SnNbスパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SnNbターゲット材2の表面に5μm〜30μmの厚さのNi層3と5μm〜30μmの厚さのCu層4とがこの順に積層されるとともに、該Cu層4とバッキングプレート5との間がIn又はIn合金からなるはんだ6を介して接合されている。SnNbターゲット材2の表面のNi層3及びCu層4はイオンプレーティングによって形成されている。
【選択図】 図1
Description
例えば、特許文献1には、高純度Siターゲット材の接合面とはんだとの間に、イオンプレーティングまたはスパッタリングにより形成したCu、Ni、およびCu−Ni合金のうちの少なくともいずれかからなる平均層厚2〜8μmの薄層を介在させることが開示されている。
また、特許文献2に記載のスパッタリングターゲットでは、Si等のターゲット材の接合面に下地金属層としてCr膜、その下地金属層に積層された上層金属層としてCu膜がそれぞれ成膜され、そのCu膜とバッキングプレート間にろう材が介在して接合されている。
そこで、これらSnとNbとのInに対する作用を遮断すべくバリア層を形成することを考えた。そのバリア層としてNi層を形成したが、はんだ塗布作業中に破れが生じて、バリア層としての機能を発揮できなくなる。
このような研究を経ての知見の下、本発明は以下の解決手段とした。
このCu層が5μm未満であると、はんだ塗布作業中にCuがはんだのInと反応して下層のNi層が露出する場合があり、30μmを超えると剥離のおそれがある。また、Ni層は5μm未満であるとバリア層としての効果に乏しく、30μmを超えると剥離のおそれがある。
これらNi層及びCu層がイオンプレーティングによって形成されることにより、密着性をより向上させることができる。
本実施形態のSnNbスパッタリングターゲット1は、SnNbターゲット材2の表面に5μm〜30μmの厚さのNi層3と5μm〜30μmの厚さのCu層4とがこの順に積層されるとともに、そのCu層4とバッキングプレート5との間がIn又はIn合金からなるはんだ6を介して接合されている。
Ni層3及びCu層4はイオンプレーティングによって形成されている。また、はんだ6は、融点が低いInSn合金はんだが好ましい。
バッキングプレート5は例えばCu又はCu合金から構成される。
なお、SnNbターゲット材2とバッキングプレート5との間には、スペーサとして例えば直径0.4mmのCu製のワイヤ(図示略)が介在されており、はんだ6は、このワイヤにより形成される隙間を埋める程度の厚さに設けられる。
次に、この十分に塗り拡げたはんだの塗布層中にワイヤを配置した後、図2の矢印で示すようにターゲット材2を裏返してバッキングプレート5の上に載せることにより、これらを貼り合わせ、上方から荷重をかけた状態で冷却する。この冷却は、加熱器10の電源を遮断するとともに、ターゲット材2とバッキングプレート5との積層体に風を送るなどによる徐冷とする。
なお、これらNi層、Cu層はイオンプレーティングにより形成した。また、いずれも、SnNbターゲット材とバッキングプレートとの間に直径0.4mmのCu製ワイヤを介在させて隙間を確保し、SnNbターゲット材及びバッキングプレートを155℃の温度に加熱してはんだを塗布した。
一方、比較例のものは、InがSnNbターゲット材に深く拡散しているとともに、このInの拡散に伴いはんだの組成もSnの比率が高くなっており、はんだとしての機能低下をきたすおそれがある。このため、SnNbターゲット材とバッキングプレートとが剥離し易いものとなっている。
なお、接合断面のEPMA像を図3に模式的に示した。
(2)SnNbターゲット材2の表面にCu層4のみ形成して接合したもの(比較例2)及びNi層3のみ形成して接合したもの(比較例3)は、比較例1ほど深くはないが、はんだ6のInがターゲット材2内に拡散していた。比較例2を図3(b)に、比較例3を図3(c)に示す。Ni層3のみを形成した比較例3では、Ni層3に破れBが生じていた。
(3)SnNbターゲット材2の表面にNi層3及びCu層4をこの順で形成して接合したもの(実施例1)は、はんだ6のInのターゲット材2への拡散は見当たらなかった。
SnNbターゲット材表面のNi層及びCu層はイオンプレーティングによって形成されるのが好ましいが、イオンプレーティング以外の方法として、蒸着や溶射等によって成膜されるものも含む。
2 SnNbターゲット材
3 Ni層
4 Cu層
5 バッキングプレート
6 はんだ
10 加熱器
A 拡散領域
B 破れ
Claims (2)
- SnNbターゲット材の表面に5μm〜30μmの厚さのNi層と5μm〜30μmの厚さのCu層とがこの順に積層されるとともに、該Cu層とバッキングプレートとの間がIn又はIn合金からなるはんだを介して接合されていることを特徴とするSnNbスパッタリングターゲット。
- 前記Ni層及び前記Cu層はイオンプレーティングによって形成されていることを特徴とする請求項1記載のSnNbスパッタリングターゲット。
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