JPS62222060A - スパツタリング用タ−ゲツト - Google Patents
スパツタリング用タ−ゲツトInfo
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- JPS62222060A JPS62222060A JP6217386A JP6217386A JPS62222060A JP S62222060 A JPS62222060 A JP S62222060A JP 6217386 A JP6217386 A JP 6217386A JP 6217386 A JP6217386 A JP 6217386A JP S62222060 A JPS62222060 A JP S62222060A
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- cooling
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- sputtering
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- Pending
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ターゲット材料と冷却用の銅製等のブロック
との接合によるターゲット材料の汚染、スパッタ時の熱
応力による接合部分等の剥離等を防止したスパッタリン
グ用ターゲットに関するものである。
との接合によるターゲット材料の汚染、スパッタ時の熱
応力による接合部分等の剥離等を防止したスパッタリン
グ用ターゲットに関するものである。
スパッタリング装置においては、スパッタされるべきタ
ーゲット材料は１通常円板または板状に加工され、冷却
機構を有する銅、銅合金等のブロックの上に固定されて
いる。その目的は、グロー放電中に生ずるイオンがター
ゲット材料を衝撃することによる温度上昇を防止するこ
とにある。
ーゲット材料は１通常円板または板状に加工され、冷却
機構を有する銅、銅合金等のブロックの上に固定されて
いる。その目的は、グロー放電中に生ずるイオンがター
ゲット材料を衝撃することによる温度上昇を防止するこ
とにある。
ターゲット材料を良好に冷却するには、冷却用鋼ブロッ
クとターゲットとの熱的接触を良くする必要がある。こ
のため、ターゲット材料と冷却用銅ブロックのろう材に
よる接合が行なわれるが、ろう材としては公知のように
インジウムあるいはＰ ｂ−Ｓ ｎ半田等が広く用いら
れている。
クとターゲットとの熱的接触を良くする必要がある。こ
のため、ターゲット材料と冷却用銅ブロックのろう材に
よる接合が行なわれるが、ろう材としては公知のように
インジウムあるいはＰ ｂ−Ｓ ｎ半田等が広く用いら
れている。
しかし、ターゲット材料がろう付けし蔑い材質の場合、
ろう材は極く僅かな付着力を有するだけであるため、タ
ーゲット材料はスパッタ中に冷却用銅ブロックから剥離
してしまい、良好な冷却効果が得られない。また、セラ
ミックなどの焼結り−ゲットの場合、材質中に多数存在
する空孔を介してろう材が拡散し、ターゲットが汚染さ
れるという問題があった。
ろう材は極く僅かな付着力を有するだけであるため、タ
ーゲット材料はスパッタ中に冷却用銅ブロックから剥離
してしまい、良好な冷却効果が得られない。また、セラ
ミックなどの焼結り−ゲットの場合、材質中に多数存在
する空孔を介してろう材が拡散し、ターゲットが汚染さ
れるという問題があった。
本発明は、あらゆる材質のターゲットを良好な熱的接触
をもって冷却用ブロックに固定するとともに接合ろう材
による材質汚染のないスパッタリング用ターゲットを得
ることを目的としたものである。
をもって冷却用ブロックに固定するとともに接合ろう材
による材質汚染のないスパッタリング用ターゲットを得
ることを目的としたものである。
本発明は、ターゲット材料と固定用ブロックとの間にタ
ーゲット材料側から接合性向上またはろう材拡散防止用
としてのメタライズ層と接合用のろう材層がこの順に介
在されていることを特徴とするスパッタリング用ターゲ
ットである。
ーゲット材料側から接合性向上またはろう材拡散防止用
としてのメタライズ層と接合用のろう材層がこの順に介
在されていることを特徴とするスパッタリング用ターゲ
ットである。
本発明で、ターゲット材料に適用されるメタライズ層は
、非金属ターゲット等一般に溶融ろうに対し濡れ性を有
しない、またはこれが低い場合、この濡れ性を付与また
は向上し、ブロックとターゲット材料との接合性、接合
強度を向上させる。
、非金属ターゲット等一般に溶融ろうに対し濡れ性を有
しない、またはこれが低い場合、この濡れ性を付与また
は向上し、ブロックとターゲット材料との接合性、接合
強度を向上させる。
また、メタライズ層は、ターゲット材料が焼結されたも
の等多孔質である場合、多孔質の空隙部を埋めて密実化
し、空隙部を介しての溶融ろうの拡散を阻止し、ターゲ
ットのろう材による汚染を防止する。
の等多孔質である場合、多孔質の空隙部を埋めて密実化
し、空隙部を介しての溶融ろうの拡散を阻止し、ターゲ
ットのろう材による汚染を防止する。
本発明の実施例を図１、図２を用いて説明する。
図１において、１はターゲット材料であり、その接合面
側には、メタライズ層２が形成されている。
側には、メタライズ層２が形成されている。
メタライズ層２は、ＮｉあるいはＮｉ合金より成り、０
．５〜１０μｍの膜厚を有する。３はターゲット材料１
と冷却用銅ブロック４を接合するためのろう材層であり
、インジウムまたは半田等から成っている。
．５〜１０μｍの膜厚を有する。３はターゲット材料１
と冷却用銅ブロック４を接合するためのろう材層であり
、インジウムまたは半田等から成っている。
ターゲット材料１と冷却用銅ブロック４の接合は、次の
ようにして行なう。まず、冷却用銅ブロック４の接合面
側と予めメタライズ処理されたターゲット材料１のメタ
ライズ層２上に適当なフラックスを用いて予備ろう被覆
をする。その後、冷却用鋼ブロックとターゲット材料の
予備ろう被覆面同士を接触させて加熱し、接合を行なう
１以上のように構成したスパッタリング用ターゲットは
、メタライズ層２によって冷却用銅ブロック４と良好な
熱的接触を保つと同時に、ろう材によるターゲットの材
質汚染も防止されている。
ようにして行なう。まず、冷却用銅ブロック４の接合面
側と予めメタライズ処理されたターゲット材料１のメタ
ライズ層２上に適当なフラックスを用いて予備ろう被覆
をする。その後、冷却用鋼ブロックとターゲット材料の
予備ろう被覆面同士を接触させて加熱し、接合を行なう
１以上のように構成したスパッタリング用ターゲットは
、メタライズ層２によって冷却用銅ブロック４と良好な
熱的接触を保つと同時に、ろう材によるターゲットの材
質汚染も防止されている。
図２は本発明の他の実施例を示すものである。
図２ではターゲット材料１へ２層のメタライズ処理（メ
タライズ層６．メタライズ層７）が施しである。ここで
メタライズ層６は、ろう材のターゲツト材中への拡散防
止を目的とし、ＮｉまたはＮｉ合金から成り、０．５〜
１０μｍの膜厚を有する。メタライズ層７はろう材との
接合性向上を目的とし、０．５〜１０μｍの膜厚を有す
るＣｕあるいはＣｕ合金より成る。ターゲット材料１と
冷却用銅ブロック４との接合は、前記の実施例と同様に
して行なう。
タライズ層６．メタライズ層７）が施しである。ここで
メタライズ層６は、ろう材のターゲツト材中への拡散防
止を目的とし、ＮｉまたはＮｉ合金から成り、０．５〜
１０μｍの膜厚を有する。メタライズ層７はろう材との
接合性向上を目的とし、０．５〜１０μｍの膜厚を有す
るＣｕあるいはＣｕ合金より成る。ターゲット材料１と
冷却用銅ブロック４との接合は、前記の実施例と同様に
して行なう。
なお、メタライズ層の形成には、イオンブレーティング
やスパッタリングなどのＰＶＤ法や湿式メッキ法を用い
るのがよい。
やスパッタリングなどのＰＶＤ法や湿式メッキ法を用い
るのがよい。
本発明を純Ｃｒターゲットに適用した実施例について述
べる。純Ｃｒターゲツト材に、湿式メッキ法を用いて膜
厚１μｍのＮｉメタライズ層と膜厚５μｍのＣｕメタラ
イズ層を形成した後、冷却用銅ブロックにインジウムを
ろう材として接合を行なった。
べる。純Ｃｒターゲツト材に、湿式メッキ法を用いて膜
厚１μｍのＮｉメタライズ層と膜厚５μｍのＣｕメタラ
イズ層を形成した後、冷却用銅ブロックにインジウムを
ろう材として接合を行なった。
本ターゲットを用いて、実際にスパッタを行なったが、
高周波電力１０Ｍ／ａｉにおいても、接合界面からの剥
離は生じなかった。また、ターゲット使用限界近くまで
スパッタを行なった場合においても、ろう材によるスパ
ッタ膜の汚染は認められなかった。以上純Ｃｒターゲツ
ト材について述べたが、本発明を他の金属またはセラミ
ックターゲットに適用しても結果は同じである。
高周波電力１０Ｍ／ａｉにおいても、接合界面からの剥
離は生じなかった。また、ターゲット使用限界近くまで
スパッタを行なった場合においても、ろう材によるスパ
ッタ膜の汚染は認められなかった。以上純Ｃｒターゲツ
ト材について述べたが、本発明を他の金属またはセラミ
ックターゲットに適用しても結果は同じである。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明のスパッタリング用ターゲッ
トによれば、ターゲット材料と冷却用銅ブロツク間にメ
タライズ層を介することで、接合性向上による良好なタ
ーゲット冷却効果と、ろう材料によるターゲット材質汚
染が防止できるため、その実用的効果は大きい。
トによれば、ターゲット材料と冷却用銅ブロツク間にメ
タライズ層を介することで、接合性向上による良好なタ
ーゲット冷却効果と、ろう材料によるターゲット材質汚
染が防止できるため、その実用的効果は大きい。
図１、図２は、本発明の実施例を示すスパッタリング用
ターゲットの側断面図である。 １：ターゲット材料、２．６．７：メタライズ層、３：
ろう材層、４：冷却用銅ブロック。
ターゲットの側断面図である。 １：ターゲット材料、２．６．７：メタライズ層、３：
ろう材層、４：冷却用銅ブロック。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ スパッタリング装置の陰極部に固定されるスパッタ
リング用ターゲットにおいて、ターゲット材料と該ター
ゲット固定用ブロックとの間に、ターゲット材料側から
メタライズ層と接合用のろう材層がこの順に介在されて
いることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。 ２ メタライズ層がろう材の拡散防止用と接合性向上用
の２層構造であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のスパッタリング用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6217386A JPS62222060A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6217386A JPS62222060A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25872487A Division JPS63121662A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | スパッタリング用ターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62222060A true JPS62222060A (ja) | 1987-09-30 |
Family
ID=13192467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6217386A Pending JPS62222060A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62222060A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6320154A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-27 | Kobe Steel Ltd | スパツタリング用タ−ゲツトのボンデイング方法 |
| US5338425A (en) * | 1991-06-28 | 1994-08-16 | Mitsubishi Materials Corporation | Target units |
| JPH09503025A (ja) * | 1993-09-24 | 1997-03-25 | イノベイティブ スパッタリング テクノロジー エヌ．ヴイ．（アイ．エス．ティー．） | 積層された金属構造体 |
| JP2013181214A (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Mitsubishi Materials Corp | ＳｎＮｂスパッタリングターゲット |
| CN110937911A (zh) * | 2018-09-25 | 2020-03-31 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材组件形成方法 |
| CN113278914A (zh) * | 2021-05-14 | 2021-08-20 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种对于粉末压结类靶材焊接面的镀镍方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5488885A (en) * | 1977-12-26 | 1979-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Insulator target for sputtering device |
| JPS5633476A (en) * | 1979-08-21 | 1981-04-03 | Siemens Ag | Fixing of target material |
-
1986
- 1986-03-20 JP JP6217386A patent/JPS62222060A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5488885A (en) * | 1977-12-26 | 1979-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Insulator target for sputtering device |
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| JPH09503025A (ja) * | 1993-09-24 | 1997-03-25 | イノベイティブ スパッタリング テクノロジー エヌ．ヴイ．（アイ．エス．ティー．） | 積層された金属構造体 |
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| CN110937911A (zh) * | 2018-09-25 | 2020-03-31 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材组件形成方法 |
| CN113278914A (zh) * | 2021-05-14 | 2021-08-20 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种对于粉末压结类靶材焊接面的镀镍方法 |
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