JPH02208033A - 回路基板用セラミックス板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、放熱性、耐熱性に優れた回路基板を得るため
に金属板の一方の表面に接合される回路基板用セラミッ
クス板に関する。

〈従来の技術〉 パワースイッチ、パワーの制御回路、モータの制御回路
、高周波発振出力、広帯域電力増幅などに用いられるパ
ワー半導体モジュールは、近年、高密度集積化、大電流
制御化の傾向にあり、それらモジュールに用いられる基
板には素子から出る多量の熱を速やかに放出する放熱性
とモジュールの高密度集積化に対応する導体回路パター
ンの微細化・高精度化が求められている。

従来このような半導体モジュール基板として、第６図に
示すように、電気的絶縁性を有するセラミックス板１の
１つの面に回路パターンを有する金属板２を接合し、そ
の上に素子４を搭載し、発生した熱を金属板２からセラ
ミックス板１を伝導させ他方の側に接合した金属板３を
介して放熱板５へと放散させる機構が用いられており、
例えば、金属板としてあらかじめ所要のパターンに切り
ぬかれた銅板を、絶縁性を有するセラミックスとして、
ＡＪＺ、Ｏ，を用いて加熱によりＣｕ−０共晶を発生さ
せるいわゆる共晶法で接合したものが商品化されている
。

このような、半導体モジュール基板の放熱性を改良する
手段としては、セラミックスの熱伝導性を向上させる傾
向にあり、Ａｌ２．Ｏ，に替ってＢｅ０１ＡＪ２Ｎなど
熱伝導率のより高い材料の使用が試みられている。　こ
のような新材料の中にはパターン化した銅板を、共晶法
により接合する方法を直接応用することがむずかしいも
のもあり、たとえば、Ａｌ２Ｎは熱伝導率こそＢｅＯに
劣るものの、ＢｅＯのような毒性を心配する必要もなく
、期待される材料であるが、共晶法を応用するためには
、基板を予じめ酸化処理して表面にＡｎ、Ｏ，層を形成
することが必要である。

この共晶法のほか、従来、金属板とセラミックス板を接
合する方法としては、接合前にセラミックス板表面にメ
タライズ処理を施こし、その後で加熱により金属板と接
合する方法や特開昭６２−２４７５９２号公報に開示さ
れた銅箔面にガラス微粉層を形成させた後にセラミック
ス板と重ね合わせ、加熱、加圧して接着する方法もある
。　例えば、メタライズ処理法としでは、めっき法、薄
膜法、Ｍｏ−Ｍ１１法、Ｗ−Ｍｎ法などがある。　　し
かし、このような従来のメタライズ処理法による接合で
は、金属板とセラミックス板、特にＡｆＮ板との接合強
度が十分でない場合もある。　また、特開昭６２−２４
７５９２号公報に開示された方法では、パワー半導体モ
ジュールの基板に必要な０．１ｍｍ以上の厚さの金属板
ではセラミックス板が割れたりすることもある。

また、Ａｌ２Ｎなどの熱伝導性の大きいセラミックスを
用いる場合には、接合法によっては、Ａ１Ｎ板と金属板
との間の接合層の熱抵抗が問題になる場合がある。　例
えば、上述したように、共晶法を用いるために、ＡｆＮ
板表面を酸化してＡ　ｊ！　２０５層を形成する場合、
ＡｌｌｚＯｓ層やＣｕＯ−Ａｌ２Ｏ５共晶層が厚くなる
と熱抵抗が大になってしまう。

このため、セラミックス板と金属板との間の接合に活性
金属を用いて、接合強度を増大させ、接合部の熱抵抗を
増大させないようにして熱放散性の良いＡｆＮのような
セラミックス板を回路基板に用いる試みがなされている
。　例えば、特開昭６３−２７０４５４号公報にはＡｆ
Ｎ基板にＴｉ薄層をスパッタリング法に形成し、その上
に回路形成のための導電性金属層を形成する方法が開示
されている。　ま　た特開昭６０−３２６４８号公報に
は、活性金属を含む°遷移金属箔をセラミックス板表面
に配置した後加熱してセラミックス板表面°ヲメタライ
ズする方法が開示されている。

〈発明が解決しようとする課題〉 ところで、Ｔｉ層　Ｚｒ％Ｙ％Ｈｆなどの活性金属を、
金属板とセラミックス板、特にＡｆＬＮ板との間の接合
に用いる場合、活性金属とセラミックス板との濡れ性が
良いため接合強度は十分に改善できるが、特開昭６３−
２７０４５４号に開示された方法では、スパッタリング
でＴｉ層を形成した後に、スパッタリング、真空蒸着、
電気めっきおよび電解めっきなどにより導電性金属層を
形成するものであるため、パワー半導体モジュールの基
板として必要な厚さの導電性金属層を形成するのが困難
もしくは極めてコストがかかるなどの問題がある。

また、特開昭６０−３２６４８号公報に開示された方法
では、金属板とセラミックス板とを積層して加熱ろう付
けして接合する場合、セラミックス板を掻く薄い金属箔
を用いてメタライズしておくものであるので、取り扱い
が面倒で、熟練を要する。　また、金属板として導体回
路パターン化された金属板や導体回路微細パターン以外
のラフパターンが形成された金属板を用いる場合に、セ
ラミックス板上に正確なバターニングでメタライズする
のが困難である。　さらに、例え正確にバターニングさ
れていたとしても、そのセラミックス板と金属板との位
置決めが極めて困難であるなどの問題がある。　位置決
めが不十分で、位置ずれが生じると、接合が不十分であ
ったり、ずれた金属箔層をエツチングで修正しなければ
ならない問題もある。

本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解消見、セラ
ミックス板と金属板とを容易に、接合強度も大きくかつ
接合層の熱抵抗を増大させることもなく接合でき、例え
、バターニングされた金属板であっても位置合わせや位
置ずれ修正などの困難さを大幅に低減することができる
回路基板用セラミックス板を提供するにある。

＜８ｊ！！を解決するための手段〉 上記目的を達成するために、本発明は、導体回路パター
ンを有する、あるいは導体回路パターンが形成される回
路基板用金属板の一方の表面に接合される回路基板用セ
ラミックス板であって、前記セラミックス板の接合面に
活性金属を含む接合用ろう材を積層したことを特徴とす
る回路基板用セラミックス板を提供するものである。

また、前記金属板は、前記導体回路パターンのまたは前
記導体回路パターンのラフパターンが形成された金属板
であり、前記ろう材は、前記セラミックス板の接合面に
前記ラフパターンに応じて積層されるものであるのが好
ましい。

また、前記活性金属は、チタン、ジルコニウム、イツト
リウムおよびハフニウムの少なくとも１　ｆｌであるの
が好ましい。

また、前記接合用ろう材は、銀ろうであるのが好ましい
。

また、前記セラミックス板は窒化アルミニウム板である
のが好ましい。

以下に、本発明に係る回路基板用セラミックス板を添付
の図面に示す好適実施例に基づいて詳細に説明する。

本発明に用いられるセラミックス板２１としては、導体
回路パターンを形成する金属板３の支持体となるもので
、電気的絶縁性を有し、所要の強度を有するものであれ
ばいかなるものでもよいが、熱放散性が良好なものが好
ましい、　例えば、代表的に窒化アルミニウム（ＡＡＮ
）　　酸化アルミニウム（Ａｊ！ｚＯｓ）、ベリリウム
（ＢｅＯ）、炭化ケイ素（Ｓ　ｉ　Ｃ）などが挙げられ
る。　こ　こで、熱放散性の点でＡＪ！Ｎが好ましい、
　また、セラミックス板の厚さは、接合され名金属板の
厚さに応じて適宜定めればよく、特に制限はないが、パ
ワー半導体モジュール用回路基板の場合、０．２５〜２
ｍｍがよい、　好ましくは、０．５〜１ｍｍがよい、　
このように限定する理由は、薄くなるにしたがいクラッ
クが入り易くなり、そのクラックからのリークにより絶
縁性が低下するからである。　また、厚すぎると熱抵抗
が高くなってしまう。

上述のセラミックス板上に積層される接合用ろう材に含
まれる活性金属は、このセラミックス板との濡れ性がよ
く、接合性が高く、金属板を接合するろう材とのなじみ
がよいものであればどのようなものでもよいが、例えば
、代表的にチタン（Ｔｉ）　　ジルコニウム（Ｚｒ）、
イツトリウム（Ｙ）およびハフニウム（Ｉｆ）などが挙
げられる。　これらの金属は活性が高く、酸化物系ある
いは窒化物系のセラミックス板との界面において、酸化
物もしくは窒化物となって、セラミックス板と強固な結
合を図ることができる。

本発明に用いられる接合用ろう材としては、金属板より
低融点であり、金属板との接合性が高く、また、接合強
度も高く、とり扱いやすいもので、セラミックス板との
接合性がよいものであればいかなるものでもよく、例え
ば、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕまたは黄銅などを主成分とする比
較的高溶融点のろう材合金であれはよく、代表的に銀ろ
う、金ろう、黄銅ろう、洋銀ろうなどが挙げられる。　
ここで、銀ろうとしてはＡｇ−Ｃｕ合金、Ａｇ−Ｃｕに
Ｚｎ、Ｃｄ。

Ｍｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｐのいずれかを付加したＡｇ−Ｃｕ
系合金、Ａｇ−３ｎ系合金、Ａｇ−Ｐｄ系合金、Ａｇ−
Ｚｎ系合金およびＡｇ−Ｃｄ系合金が挙げられる。　ま
た、余ろうとしては、Ａｕ−Ａｇ−ＣｕにＺｎ％Ｃｄな
どを付加したＡｕ−Ａｇ−Ｃｕ系合金などが挙げられる
。　また、黄銅ろうとしては、Ｃｕ−Ｚｎ系の黄銅やＣ
ｕ−Ｚｎ系黄銅を主体にＡｇ％Ｓｎを少量付加した合金
などが挙げられ、洋銀ろうとしてはＣｕ−Ｚｎ−Ｎｉ合
金が挙げられる。

ここで、好ましくは、銀ろうがよく、より好ましくはＡ
ｇ−Ｃｕ合金ろうがよく、融点が最も低くなる点からす
れば、Ａｇ−Ｃｕ共晶合金がさらに好ましい。

また、ろう材として用いる場合、これらの合金のほかに
、融剤としてホウ砂、粉末ガラス、水ガラス、ケイ石粉
とソーダの混合物等を含んでいてもよい。

本発明の回路基板用セラミックス板は、まず、第１図に
示すように、セラミックス板２１の両表面全面上に活性
金属を含む接合用ろう材２２を積層した接合用セラミッ
クス板２０を製造する。　この時、ろう材２２を積層す
るのはセラミックス板２１の両面が好ましいが片面のみ
であってもよい。

接合用ろう材２２の積層厚さは、第２図に示すようにセ
ラミックス板２１と金属板３とを強固に接合するのに十
分な厚さであれば十分であり、特に制限はないが３〜１
００μｍ程度あればよい、　より好ましくは５〜５０μ
ｍがよい、　この理由は３μｍ未満では、ろう材２２の
量が不足して、金属板３とセラミックス板２１とを十分
に接合することが・できなル）シ、１００μｍ超では、
ろう材２２の量が多すぎて、不経済であるとともに、厚
い程熱抵抗が大きくなるからである。

接合用ろう材２２に含ましめる活性金属の含有量は全ろ
う材の０．０１〜２０ｗｔ％がよく、より好ましくは、
０．１〜５ｗｔ％がよい、　この理由は０．０１ｗｔ％
未満では、界面に作用する程十分な量とならないからで
あり、２０ｗｔ％超では、融点上昇を招いたり、接合後
硬くもろい層を形成するからである。

活性金属を含む接合用ろう材２２をセラミックス板２１
の表面上に積層する方法としては、特に制限的ではない
が、例えば、代表的に以下のような方法を挙げることか
できる。

■活性金属成分とろう材合金の各金属成分との全成分を
同時スパッタリングする方法。

■活性金属粉末とろう打合金粉末とをバインダに加えて
ペースト状にし、このペーストをセラミックス板表面に
塗布後、加熱して、バインダを蒸発させ、活性金属およ
びろう材合金を溶融または焼結させる方法。

■まず、セラミックス板表面に活性金属を所要の含有量
となるまでイオンブレーティングした後、ろう材（活性
金属含まず）のみを所定量公知の方法で積層する方法。

■まず、セラミックス板表面に活性金属を所定の含有量
となるまでスパッタまたは蒸着した後、ろう材（活性金
属含まず）のみを所定量公知の方法で積層する方法。

活性金属を含まないろう材合金のみをセラミックス板表
面に形成された活性金属層上に積層する方法としては、
特に制限はなく、電気めっき、無電解めっ籾、溶融めっ
きなどのめっき法、蒸着、スパッタリング、イオンブレ
ーティング、ＣＶＤなどの薄膜法、溶融コート法、ペー
スト法などを用いることができる。

この他、活性金属を含むろう材２２をセラミックス板上
に積層する方法には、めフき法、ＣＶＤ法、ペースト法
なども挙げることがで台る。

次に、本発明においては、このようにして得られた接合
用セラミックス板２０の両側には、第２図に示すように
、金属板３がそれぞ配され、必要に応じて加圧され、真
空を含む不活性雰囲気中で加熱されて、活性金属を含む
ろう材２２によりセラミックス板２１と金属板３とが接
合されることにより、積層体２３が得られる。

接合用セラミックス板２０と金属板３とを接合する場合
、真空を含む不活性雰囲気中で行うのが好ましい、　こ
こで不活性雰囲気とは活性金属やろう材成分金属が酸化
されない、すなわち、不活性になる雰囲気であって、真
空もしくはＮ２ガス雰囲気、Ｈｅ％Ｎｅ％Ａｒ％Ｘｅな
どの不活性ガス雰囲気などを言う。

接合温度としては、使用する活性金属を含む接合用ろう
材によって定まるものであるので、特に限定的ではない
が、使用する活性金属を含むろう材を溶融する必要があ
るので、このろう材の融点より少なくとも高い必要があ
る。　好ましくは、使用するろう材の融点より１０℃以
上高いのがよい、　より好ましくは、使用する融点より
５０℃〜１００℃高い温度がよい。

例えば、活性金属としてチタンを０．５〜２ｗｔ％、ろ
う材としてＡｇ−Ｃｕ共晶合金を用いる場合は、Ａｇ−
Ｃｕ共晶合金の融点は７７９℃であるが、チタンを含ん
でおり、予めセラミックス板上に積層されているため、
融点は８００℃以上となるため、接合温度は、８００〜
１０５０℃とするのがよい、　好ましくは、８５０〜１
０００℃であり、より好ましくは８５０〜９００℃がよ
い。

こうして、セラミックス板２１に金属板３が接合され、
積層体２３が得られる。

この後、エツチング等の公知の方法により導体回路パタ
ーンを積層体２３のどちらか一方の金属板３およびろう
材２２に形成し、積層体２３を導体回路パターンを有す
る回路基板とすることができる。

また、第３図に示すように、接合用セラミックス板２０
に接合する金属板をプレス、エツチング等の公知の方法
で導体回路パターンもしくは導体回路パターンのラフパ
ターンを予め形成したバターニング金属板２とした場合
には、接合用セラミックス板も予め、全く同様なパター
ンをバターニングして積層したろう材２４としておく必
要がある。　すなわち、第３図に示すように、金属板２
と同じパターンでバターニングされたろう材２４を一方
の面に有し、他方の面にはろう材２２を全面に積層した
本発明のセラミックス板２５を予め製造しておくことに
より、バターニングされた金属板２をバターニングろう
材２２上に正確に位置合わせすることができる。　正確
に位置合わせをした後、接合用セラミックス板２０と金
属板２とは必要に応じて加圧され、加熱され、容易に接
合される。

もちろん、この場合にも接合用セラミックス板２５の裏
面にも金属板３を接合する。

ここでラフパターンとは、完成された導体回路パターン
ではなく、導体回路パターンのうち微細パターン以外の
導体回路パターンを言う。

セラミックス板２１にバターニング金属板２と同じパタ
ーンのろう材２４の層を積層するためには、金属板２の
パターンとちょうど逆パターンのマスキングを行って、
前述の方法により活性金属を含む接合用ろう材の積層を
行えばよい。

マスキングの方法としては、例えば、逆パターンのマス
クを作成し、セラミックス板２１上に固定することによ
り行うことができる。

このように、予めラフパターンがバターニングされた金
属板２を接合用セラミックス板２５に接合した積層体２
６を用いる場合は、微細導体回路パターンのみをエツチ
ングにより形成すればよいので第２図に示す積層体２３
をエツチングして導体回路パターンを形成する場合に比
べてエツチングの負荷（エツチング時間、エツチング剤
、エツチング電流など）を大幅に低減させることができ
る。　本発明においては、微細導体回路パターンを形成
した金属板２であっても、予めセラミックス板２１に同
じパターンのろう材２４が積層されているので金属板２
を本発明の回路基板用セラミックス板２５に従来に比べ
て容易に接合できるが、上述のようにラフパターニング
金属板２を接合後、この金属板２に微細パターンを形成
するほうがパターニング精度を挙げることができるので
好ましい。

第２図および第３図においても、金属板３と３あるいは
金属板２と３とを接合用セラミックス板２０または２５
の両側に配置した後、特に金属板２と接合用セラミック
ス板２５は位置合わせした後、ずれたり、相対的に動い
たりしないよう、固定しておくのが好ましい、　固定方
法としては特に制限はなく、公知の方法によればよく、
例えば金属板の両側からクランプ等に用いて加圧固定す
ればよい。

〈実施例〉 以下に、本発明を、実施例に基づいて具体的に説明する
。

（実施例１） セラミックス板として厚さ０．６３５ｍｍのＡｌＮセラ
ミックス板（寸法２０φ）の両側に、活性金属としてチ
タン（Ｔ　Ｉ　）を５μｍ厚さにイオンブレーティグし
た後、その上に接合用ろう材として銀−銅（Ａｇ−Ｃｕ
）共晶合金（Ａｇ７１．９ｗｔ％）を３０μｍ厚さに溶
融コートして、両側にろう材を積層した本発明の回路基
板用セラミックス板を得た。

次に、金属板として厚さ０．２ｍｍの銅板（寸法２０φ
）を２枚用い、この２枚の銅板をそれぞれ、ここで得ら
れた接合用セラミックス板の両側に配置し、真空雰囲気
中で加熱温度８５０℃で接合して積層体を得た。

得られた積層体のせん断強度を測定した結果、１０　ｋ
ｇｆ／ｍｍ”　と良好な値であった。

（実施例２） 実施例１で用いた金属板に第３図に示す金属板２と同様
のパターンを放電加工により形成し、パターニング金属
板２とした。

実施例１で用いたセラミックス板の片面には、得られた
パターニング金属板２と逆パターンのマスクをし、もう
一方の面にはマスクをせず、両面に、Ｔｉをイオンブレ
ーティングで５μｍコーティングした後、その上にＣｕ
−Ａｇ共晶合金ろう材をスパッタリングにより３０μｍ
厚さに積層して、第３図に示すような本発明の回路基板
用セラミックス板２５を製造した。

次にこの接合用セラミックス板２５のパターニングろう
材２４を有する側には、前述のパターニング金属板２を
正確に位置合わせして配置し、もう一方の面には実施例
１で用いた金属板３を配置し、クランプで加圧固定した
まま、真空下９００℃で接合して、積層体２６を得た。

得られた積層体２６のＡＪＺＮ板２１上２１−ニングＣ
ｕ板２との間の接合強度を、実施例１と同様にして測定
した結果、１２　ｋｇｆ／＋ｍ２であった。

（比較例１） 実施例１で用いたものと同様の金属板（銅板）およびセ
ラミックス板（ＡＪｌＮ板）を用い、実施例１と異なり
、活性金属を含まない、ろう材としてＡｇ−Ｃｕ共晶合
金（Ａｇ７１．９ｗｔ％）を用いて、セラミックス板の
両側に銅板を真空雰囲気中で、加熱温度８５０℃で、接
合層の厚さ３０μｍで得られた積層体のＡｊ２Ｎ板とＣ
ｕ板との接合強度を実施例１と同様な方法で測定した結
果、０　、３　ｋｇｆ／ｍｍ”であった。

（比較例２） 実施例１で用いたものと同様の銅板およびＡｊ２Ｎ板を
用い、ろう材として、活性金属としてＴｉを１ｗｔ％含
有するＡｇ−Ｃｕ共晶合金箔（厚さ５０μｍ）を用いた
が、一方の銅板および合金箔にはそれぞれ、第３図に示
′すパターンをプレスで、および長さ１０ｍｍ、幅０．
２ｍｍの十字形状微細パターンエツチングで予め形成し
た後、ＡＪｌＮ板の片側にはそれぞれバターニングした
合金箔および銅板を正確に位置合わせして、合金箔を間
に挟んで配置し、もう一方の側にはパターニングしてい
ない合金箔および銅板を配置して、真空雰囲気中で、８
５０℃で接合した。

接合強度は、８　ｋｇｆ／＋ｍ２で十分であったが、合
金箔の厚さが５０μｍと極めて薄いので、取り扱いが極
めて面倒であり、特に、バターニングした後の金属板と
合金箔とを正確に位置合わせするには、高度の熟練を要
した。　金属板と合金箔のパターンの位置ずれが少しで
もあると、パターン中の開口内にろう材がはみ出して、
特に、微細パターンでは、パターンの下部を埋めてしま
うこともあった。

以上の結果、本発明の実施例１および２は、比較例１に
比べて、接合強度が大きく、強固な接合力を有すること
がわかる。

また、実施例２のように、予めパターニングされた金属
板であっても、同じパターンのろう材層をセラミックス
板に容易かつ正確に形成することができ、本発明の回路
基板用セラミックス板とすることができ、その後、接合
するので、金属板とセラミックス板との正確な位置合わ
せを容易に行うことができ、従って、容易かつ正確に接
合することが可能で、接合後も好適に微細パターン形成
ができるので、比較例２のように位置合わせに熟練を要
することもなく、また、パターン中の開口内にろう材が
はみ出したり、微細パターンを埋めることもない。

〈発明の効果〉 以上、詳述したように、本発明によれば、セラミックス
板には予め活性金属を含む接合用ろう材層が形成されて
いるので、金属板に接合する際の操作を極めて簡単なも
のとすることができ、金属板とセラミックス板との間の
接合層の熱抵抗を増やすこともなく、接合強度も大きく
することができる。

また、本発明ｄよれば、予めバターニングされた金属板
をセラミックス板に接合する場合であっても、同じパタ
ーンの活性金属を有するろう材層がセラミックス板に容
易に形成されており、しかも、形成された後に接合され
るので、正確な位置合わせを容易に行うことができ、接
合に熟練を要することもなく、容易に、熱抵抗の増大の
ない強固な接合を行うことができるし、しかも、位置合
わせが正確であるので、接合後の位置ずれ修正も行う必
要がない。

従って、本発明の回路基板用セラミックス板を用いて金
属板が接合された積層体を用いて製造された回路基板は
、パワー半導体モジュール用として最適である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る回路基板用セラミックス板の一
実施例の部分断面図である。 第２図は、本発明の回路基板用セラミックス板を用いて
金属板を接合して得た積層体の一実施例の部分断面図で
ある。 第３図は、本発明の回路基板用セラミックス板へのパタ
ーニング金属板の接合方法を示す分解斜視図である。 第４図は、従来使用されていた半導体モジュール基板を
示す断面図である。 符号の説明 １・・・絶縁性を有するセラミックス板、２・・・回路
パターンが形成される、 あるいは回路パターンを有する金属板、３・・・金属板
、 ４・・・素子、 ５・・・放熱板、 ２０．２５・・・接合用セラミックス板、２１・・・セ
ラミックス板、 ２２．２４・・・活性金属を含む接合用ろう材、２３．
２６・・・積層体 Ｆ　Ｉ　Ｇ、　３ ＦＩＧ、１ Ｆ　Ｉ　Ｇ、　２ Ｆ　Ｉ　Ｇ、　４

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）導体回路パターンを有する、あるいは導体回路パ
   ターンが形成される回路基板用金属板の一方の表面に接
   合される回路基板用セラミックス板であって、前記セラ
   ミックス板の接合面に活性金属を含む接合用ろう材を積
   層したことを特徴とする回路基板用セラミックス板。
2. （２）前記金属板は、前記導体回路パターンのまたは前
   記導体回路パターンのラフパターンが形成された金属板
   であり、前記ろう材は、前記セラミックス板の接合面に
   前記ラフパターンに応じて積層されるものである請求項
   １に記載の回路基板用セラミックス板。
3. （３）前記活性金属は、チタン、ジルコニウム、イット
   リウムおよびハフニウムの少なくとも１種である請求項
   １または２に記載の回路基板用セラミックス板。
4. （４）前記接合用ろう材は、銀ろうである請求項１ない
   し３のいずれかに記載の回路基板用セラミックス板。
5. （５）前記セラミックス板は、ＡｌＮ板である請求項１
   ないし４のいずれかに記載の回路基板用セラミックス板
   。