JP4569468B2 - パワーモジュール用基板の製造方法 - Google Patents
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Description
ここで、導体パターンは、例えば下記特許文献1に示すように、セラミックス基板の表面に、純アルミニウム若しくはアルミニウム合金により形成された板状の母材をはんだ付け若しくはろう付けにより接合した後に、この母材にエッチング処理を施すことにより形成されている。
しかも、この導体パターン部材をテンプレートのガイド孔に挿入して、このガイド孔の内周面に導体パターン部材およびろう材箔の外周縁を案内させながらこれらをセラミックス基板の表面に配置するので、導体パターン部材およびその裏面に設けられたろう材箔をセラミックス基板の表面における定められた位置に高精度に位置決めして配置することができる。
この場合、導体パターン部材の裏面における端縁で生ずる切断によるだれの長さを全周で略均一にすることができるとともに、厚さにゆがみが生ずるのを抑えることが可能になるので、パワーモジュール用基板の製品品質の向上を図ることができる。
また、前述のように、導体パターン部材を前記セラミックス基板の表面に配置する際、セラミックス基板の表面に揮発性有機媒体を塗布しておく場合には、この配置の際にテンプレートとセラミックス基板の表面とを非接触にして隙間を設けておくことにより、テンプレートとセラミックス基板の表面とが揮発性有機媒体の表面張力により密着して、このパワーモジュール用基板の生産性を阻害するのを防ぐことができる。
まず、純アルミニウム若しくはアルミニウム合金からなる第1母材13aの裏面に、図示されない揮発性有機媒体を均一に塗布した後に、Al−Si系若しくはAl−Ge系のろう材箔15aを載置し、前記揮発性有機媒体の表面張力により第1母材13aの裏面にその全域に亙ってろう材箔15aを仮固定して配置する。
ここで、第1テンプレート41の厚さは導体パターン部材13bの厚さより大きくされ、また、第2テンプレート42の厚さは金属層部材14bの厚さよりも大きくされている。
これにより、セラミックス基板12の表面に導体パターン13が設けられるとともに、セラミックス基板12の裏面に金属層14が設けられたパワーモジュール用基板11がエッチング工程を経ることなく形成される。
さらにまた、本実施形態では、セラミックス基板12の裏面と金属層部材14bとの接合も前記と同様とされているので、金属層部材14bの裏面に対してろう材箔15aが位置ずれ等したり、金属層部材14bとセラミックス基板12の裏面との接合不良が発生するのも防ぐことができる。
例えば、前記実施形態では、導体パターン部材13bおよび金属層部材14bを、一度の打ち抜きパンチ31の前進移動で各母材13a、14aから打ち抜いて形成したが、これに代えて、裏面にろう材箔15aが配置された第1母材13aにおける導体パターン部材13bの形成予定部をその裏面側から押圧し、この導体パターン部材13bの形成予定部の外周縁にせん断力を作用させてその厚さ方向途中まで切断するとともに、この導体パターン部材13bの形成予定部の外周縁に位置するろう材箔15aを切断した後に、この導体パターン部材13bの形成予定部をその表面側から押圧して押し戻し、その表裏面と第1母材13aの表裏面とを略面一にし、その後、この第1母材13aの裏面に配置されたろう材箔15aとセラミックス基板12の表面とを第1テンプレート41を挟んで対向させた状態で、導体パターン部材13bの形成予定部の表面をセラミックス基板12の表面に向けて押圧して第1母材13aから分離し導体パターン部材13bを形成するとともに、この導体パターン部材13bをその裏面側から第1テンプレート41の第1ガイド孔41aに挿入することにより、セラミックス基板12の表面にろう材箔15aと導体パターン部材13bとをこの順に配置するようにしてもよい。つまり、いわゆるプッシュバック法を適用して第1母材13aから打ち抜かれた導体パターン部材13bを用いてもよい。なお、金属層部材14bについても同様に前記プッシュバック法を適用して第2母材14aから打ち抜くようにしてもよい。
12 セラミックス基板
13 導体パターン
13a 第1母材(母材)
13b 導体パターン部材
15a ろう材箔
31 打ち抜きパンチ
41 第1テンプレート(テンプレート)
Claims (7)
- セラミックス基板の表面に導体パターンが設けられたパワーモジュール用基板の製造方法であって、
前記セラミックス基板の表面に、母材から打ち抜かれた導体パターン部材、およびろう材箔を配置するに際し、前記導体パターン部材の外周縁に沿った内面形状のガイド孔を有するテンプレートを、前記ガイド孔がこのセラミックス基板の表面において導体パターンが配置される位置に向けて開口するように、セラミックス基板の表面に対向させて配置した後に、このガイド孔に、裏面にろう材箔が配置された導体パターン部材をこの裏面側から挿入して、ガイド孔の内周面に導体パターン部材の外周縁を案内させながらセラミックス基板の表面にろう材箔と導体パターン部材とをこの順に配置し、その後、前記セラミックス基板の裏面側および前記導体パターン部材の表面を挟み込んだ状態でこれらを加熱し前記ろう材箔を溶融させて、前記導体パターン部材を前記セラミックス基板の表面に接合することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。 - 請求項1記載のパワーモジュール用基板の製造方法において、
前記導体パターン部材は、裏面にろう材箔が配置された母材における導体パターン部材の形成予定部の裏面に向けて打ち抜きパンチを前進移動し、この母材における導体パターン部材の形成予定部をその裏面側から押圧して、このパンチの前進移動を、導体パターン部材の形成予定部の外周縁を母材の厚さ方向全域でせん断変形させて破断するまで継続することにより母材から打ち抜かれて形成されたことを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。 - 請求項1記載のパワーモジュール用基板の製造方法において、
裏面にろう材箔が配置された母材における導体パターン部材の形成予定部をその裏面側から押圧し、この導体パターン部材の形成予定部の外周縁にせん断力を作用させてその厚さ方向途中まで切断するとともに、この導体パターン部材の形成予定部の外周縁に位置する前記ろう材箔を切断した後に、この導体パターン部材の形成予定部をその表面側から押圧して押し戻し、その後、この母材の裏面とセラミックス基板の表面とを前記テンプレートを挟んで対向させた状態で、前記導体パターン部材の形成予定部の表面をセラミックス基板の表面に向けて押圧して母材から分離し前記導体パターン部材を形成するとともに、この導体パターン部材をその裏面側からテンプレートのガイド孔に挿入することにより、セラミックス基板の表面にろう材箔と導体パターン部材とをこの順に配置することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。 - 請求項1から3のいずれかに記載のパワーモジュール用基板の製造方法において、
前記ろう材箔は、前記導体パターン部材の裏面に揮発性有機媒体の表面張力によって仮固定されて配置され、前記加熱時に、前記揮発性有機媒体を揮発させることを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。 - 請求項1から4のいずれかに記載のパワーモジュール用基板の製造方法において、
前記導体パターン部材および前記ろう材箔を前記セラミックス基板の表面に配置する際、予め、このセラミックス基板の表面に揮発性有機媒体を塗布しておき、その後、前記導体パターン部材をその裏面側から前記ガイド孔に挿入してセラミックス基板の表面に載置するとともに、前記セラミックス基板の表面に塗布された揮発性有機媒体の表面張力によってこのセラミックス基板の表面に前記導体パターン部材および前記ろう材箔を仮固定することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。 - 請求項1から5のいずれかに記載のパワーモジュール用基板の製造方法において、
前記導体パターン部材および前記ろう材箔を前記セラミックス基板の表面に配置する際、前記テンプレートを、前記セラミックス基板の表面と非接触とした状態でこのセラミックス基板の表面に対向させて配置することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。 - 請求項1から6のいずれかに記載のパワーモジュール用基板の製造方法において、
前記テンプレートの厚さは、前記導体パターン部材の厚さよりも大きくされていることを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02208033A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-17 | Kawasaki Steel Corp | 回路基板用セラミックス板 |
JPH0435052A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-05 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 回路基板の製造方法 |
JPH06169148A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 金属ベース回路基板及びその製法 |
JP2006059859A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPH0435052A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-05 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 回路基板の製造方法 |
JPH06169148A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 金属ベース回路基板及びその製法 |
JP2006059859A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板の製造方法 |
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