JPH03137069A - 高熱伝導性絶縁基板及びその製造方法 - Google Patents
高熱伝導性絶縁基板及びその製造方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、ＩＣ基板あるいはヒートシンクなどに適した
高熱伝導性で、かつ絶縁性をもった窒化アルニウム（Ａ
ＩＮ）系の基板及びその製造方法に関するものである。
高熱伝導性で、かつ絶縁性をもった窒化アルニウム（Ａ
ＩＮ）系の基板及びその製造方法に関するものである。
［従来の技術］
ＩＣ基板用セラミックスとしては、従来アルミナが用い
られできが、従来のアルミナ焼結体の熱伝導率では放熱
性が不十分であり、ＩＣチップの発熱量の増大に十分対
応できなくなりつつある。そこで、このようなアルミナ
基板に代るものとして、高熱伝導率を有するＡＩＮを用
いた基板あるいはヒートシンクなどが注目され、その実
用化のために多数の研究がなされている。
られできが、従来のアルミナ焼結体の熱伝導率では放熱
性が不十分であり、ＩＣチップの発熱量の増大に十分対
応できなくなりつつある。そこで、このようなアルミナ
基板に代るものとして、高熱伝導率を有するＡＩＮを用
いた基板あるいはヒートシンクなどが注目され、その実
用化のために多数の研究がなされている。
このＡＩＮは、本来材質的に高熱伝導性並びに高絶縁性
を有し６、又、ベリリアとは違って毒性がないために、
半導体工業において特に絶縁材料やパッケージ材料とし
て有望視されている。
を有し６、又、ベリリアとは違って毒性がないために、
半導体工業において特に絶縁材料やパッケージ材料とし
て有望視されている。
しかしながら、このような具味ある特性を有する一方で
、ＡＩＮ焼結体は金属あるいはガラス質等との接合強度
に問題がある。ところでこの焼結体は、その表面に直接
市販されているメタライズペーストを塗布する厚膜法も
しくは活性金属又は金属の薄膜を蒸着などの手法で形成
する薄膜法などを利用して、金属化層を付与した状態で
使用することが一般的である。しかしながら、このよう
な方法によっては実用に十分耐え得る接合強度を得るこ
とはできず、実際には金属化前又は金属化操作中に何等
かの手法で表面を改質し、他の例えば金属等との接合性
を改善する必要がある。
、ＡＩＮ焼結体は金属あるいはガラス質等との接合強度
に問題がある。ところでこの焼結体は、その表面に直接
市販されているメタライズペーストを塗布する厚膜法も
しくは活性金属又は金属の薄膜を蒸着などの手法で形成
する薄膜法などを利用して、金属化層を付与した状態で
使用することが一般的である。しかしながら、このよう
な方法によっては実用に十分耐え得る接合強度を得るこ
とはできず、実際には金属化前又は金属化操作中に何等
かの手法で表面を改質し、他の例えば金属等との接合性
を改善する必要がある。
このようなＡＩＮ焼結体の表面改質のための従来法とし
ては、ＡＩＮ焼結体表面に酸化処理等を施して酸化物層
を形成する方法が知られている。すなわち、例えばＡＩ
Ｎ焼結体表面に５ｉ０２、Ａｌ２Ｏ３、ムライト、Ｆｅ
２Ｏ３、ＣｕＯ等の酸化物層を形成する方法である。し
かしながら、かかる酸化物層はガラス層、アルミナ層な
どに対しては良好な親和性を有し、強固な結合を生じる
が、ＡＩＮ焼結体自体とは親和性が小さく、信頼性に問
題があるものと考えられる。又、ＡＩＮ基板上にＣｕ板
を直接貼り合せることも提案（特開昭５９−４０４０４
号公報参照）されているが、ヒートサイクル等に対する
信頼性、接合強度の問題が指摘されている。
ては、ＡＩＮ焼結体表面に酸化処理等を施して酸化物層
を形成する方法が知られている。すなわち、例えばＡＩ
Ｎ焼結体表面に５ｉ０２、Ａｌ２Ｏ３、ムライト、Ｆｅ
２Ｏ３、ＣｕＯ等の酸化物層を形成する方法である。し
かしながら、かかる酸化物層はガラス層、アルミナ層な
どに対しては良好な親和性を有し、強固な結合を生じる
が、ＡＩＮ焼結体自体とは親和性が小さく、信頼性に問
題があるものと考えられる。又、ＡＩＮ基板上にＣｕ板
を直接貼り合せることも提案（特開昭５９−４０４０４
号公報参照）されているが、ヒートサイクル等に対する
信頼性、接合強度の問題が指摘されている。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は上記従来法の問題点を解決せんとするもので、
高熱伝導ＡＩＮ基板上に銅又は銅合金を強固に接合して
なる基板及びその製造方法を提供せんとするものである
。
高熱伝導ＡＩＮ基板上に銅又は銅合金を強固に接合して
なる基板及びその製造方法を提供せんとするものである
。
［課題を解決するための手段］
本発明は、空孔を含む高融点金属をもって表面処理した
窒化アルミニウム系基板に銅又は銅合金を加熱により直
接接合した高熱伝導性絶縁基板、並びに表面に空孔を含
む高融点金属層を形成した窒化アルミニウム系基板に、
銅又は銅合金よりなる粉末又は板を置き、加熱すること
によって接合する高熱伝導性絶縁基板の製造方法である
。そして銅合金としては特にＣｕ−Ｗ合金が適当である
。
窒化アルミニウム系基板に銅又は銅合金を加熱により直
接接合した高熱伝導性絶縁基板、並びに表面に空孔を含
む高融点金属層を形成した窒化アルミニウム系基板に、
銅又は銅合金よりなる粉末又は板を置き、加熱すること
によって接合する高熱伝導性絶縁基板の製造方法である
。そして銅合金としては特にＣｕ−Ｗ合金が適当である
。
本発明において、絶縁基板としては高熱伝導のＡＩＮ基
板を用いるが、その材質には何等制限されず、通常添加
される焼結助剤の量や種類も限定されない。このＡＩＮ
基板上には高融点金属による表面処理層が形成される。
板を用いるが、その材質には何等制限されず、通常添加
される焼結助剤の量や種類も限定されない。このＡＩＮ
基板上には高融点金属による表面処理層が形成される。
高融点金属としては、一般に用いられるＭｏ系、Ｗ系等
の使用が可能である。高融点金属層の形成方法としては
ＡＩＮ未焼成シート上に高融点金属を主成分としたペー
ストを塗布後１６００℃以上の非酸化性雰囲気で焼成す
る方法あるいは焼成したＡＩＮ基板上に酸化物あるいは
ガラス成分を添加した高融点金属を塗布し、１２００℃
以上の非酸化雰囲気で焼成する方法が用いられる。いず
れの方法においても、高融点金属層は緻密質でなく、空
孔を有する構造とすることがよい。空孔は開孔の状態で
存在し、好ましくは若干吸水する程度で、しかもＡＩＮ
との密着力は十分に確保される条件を選定する必要があ
る。これは空孔が存在しないと銅又は銅合金との接着力
が不足し、空孔が多いと、ＡＩＮとの接着力低くなって
しまうからである。高融点金属層上には、綱又は銅合金
の粉末、板等を所望の形状で配置し、そののち、非酸化
性雰囲気中で銅又は銅合金の融解温度以上に加熱し密着
させる。好ましくは１３００℃以上に加熱する。銅又は
銅合金の一部又は全てが融解し、高融点金属層に含浸さ
れることによって密着が達成されると考えられる。
の使用が可能である。高融点金属層の形成方法としては
ＡＩＮ未焼成シート上に高融点金属を主成分としたペー
ストを塗布後１６００℃以上の非酸化性雰囲気で焼成す
る方法あるいは焼成したＡＩＮ基板上に酸化物あるいは
ガラス成分を添加した高融点金属を塗布し、１２００℃
以上の非酸化雰囲気で焼成する方法が用いられる。いず
れの方法においても、高融点金属層は緻密質でなく、空
孔を有する構造とすることがよい。空孔は開孔の状態で
存在し、好ましくは若干吸水する程度で、しかもＡＩＮ
との密着力は十分に確保される条件を選定する必要があ
る。これは空孔が存在しないと銅又は銅合金との接着力
が不足し、空孔が多いと、ＡＩＮとの接着力低くなって
しまうからである。高融点金属層上には、綱又は銅合金
の粉末、板等を所望の形状で配置し、そののち、非酸化
性雰囲気中で銅又は銅合金の融解温度以上に加熱し密着
させる。好ましくは１３００℃以上に加熱する。銅又は
銅合金の一部又は全てが融解し、高融点金属層に含浸さ
れることによって密着が達成されると考えられる。
銅及び銅合金としては、無酸素鋼が接着強度、導電率等
より好ましい。又、Ｗスケルトン中に銅を含浸したＣｕ
−Ｗ合金は、更にＡｌ２Ｏ３等とロウ付する場合等に好
ましい結果を得る。
より好ましい。又、Ｗスケルトン中に銅を含浸したＣｕ
−Ｗ合金は、更にＡｌ２Ｏ３等とロウ付する場合等に好
ましい結果を得る。
［実施例］
以下本発明を挙げて説明する。
実施例Ｉ
ＡＩＮ粉にＹ２Ｏ３を１．０％添加し、有機物としてＰ
ＶＢを加え、ドクターブレード成形で得たＡＩＮシート
を７０ｍ１口に切断した。シート上にはＷ粉末（平均粒
度２μ）Ｊ：Ａ１２０ｚ粉２０重量％添加し、更にビヒ
クルを添加し、調整したペーストをスクリーン印刷で塗
布後、１８００℃でＮ２中で焼成した。
ＶＢを加え、ドクターブレード成形で得たＡＩＮシート
を７０ｍ１口に切断した。シート上にはＷ粉末（平均粒
度２μ）Ｊ：Ａ１２０ｚ粉２０重量％添加し、更にビヒ
クルを添加し、調整したペーストをスクリーン印刷で塗
布後、１８００℃でＮ２中で焼成した。
得られたＡＩＮ基板には吸水する程度のＷメタライズ層
が厚み１０μ形成されていた。この基板上にＣｕ粉（５
μ）を介し、Ｃｕ板０．２ｍ＋厚を置き、１２５０℃に
加熱したところＡＩＮとＣｕ板が強固に接着された。
が厚み１０μ形成されていた。この基板上にＣｕ粉（５
μ）を介し、Ｃｕ板０．２ｍ＋厚を置き、１２５０℃に
加熱したところＡＩＮとＣｕ板が強固に接着された。
実施例２
Ｙ２Ｏ２粉を１６０％添加したＡＩＮ粉を型押し、１９
００℃窒素気流中で焼成したところ、５０ｍｍ口Ｘ １
．Ｏｍｍ厚の基板を得た。熱伝導率は１９０ｖ／ＩＩｋ
であった。基板の両面にＷ粉末（１μｍ）にＡｌ２Ｏ３
・ＣａＯ粉（５μｍ）を１０重量％添加し、更にビヒク
ルを加え調整したペーストをスクリーン印刷し、１７０
０℃窒素中で焼成したところ、ＡＩＮ基板上にポーラス
なＷ層（厚み１０μ）を持った基板を得た。ＡＩＮとＷ
の接着は、Ａｌ２Ｏ３・ＣａＯを介してなされ、十分な
接着強度を示した。得られた基板上に１Ｏｃｕ−Ｗ金を
厚みｌ■で置き、１３００℃に加熱したところ、ＡＩＮ
とＣｕ−Ｗ合金は強固に接着された。
００℃窒素気流中で焼成したところ、５０ｍｍ口Ｘ １
．Ｏｍｍ厚の基板を得た。熱伝導率は１９０ｖ／ＩＩｋ
であった。基板の両面にＷ粉末（１μｍ）にＡｌ２Ｏ３
・ＣａＯ粉（５μｍ）を１０重量％添加し、更にビヒク
ルを加え調整したペーストをスクリーン印刷し、１７０
０℃窒素中で焼成したところ、ＡＩＮ基板上にポーラス
なＷ層（厚み１０μ）を持った基板を得た。ＡＩＮとＷ
の接着は、Ａｌ２Ｏ３・ＣａＯを介してなされ、十分な
接着強度を示した。得られた基板上に１Ｏｃｕ−Ｗ金を
厚みｌ■で置き、１３００℃に加熱したところ、ＡＩＮ
とＣｕ−Ｗ合金は強固に接着された。
Ｃｕ−Ｗ合金上には更にメタライズメツキされたＡｌ２
Ｏ３基板のロウ付が可能であり、これらの接着強度は十
分にあることがわかった。
Ｏ３基板のロウ付が可能であり、これらの接着強度は十
分にあることがわかった。
［発明の効果〕
本発明は、ＡＩＮ系基板基板ｕ又はＣｕ合金を接合強度
が高く直接接合してなるもので、高熱伝導性でかつ絶縁
性を持った基板材料が信頼性高く提供される。
が高く直接接合してなるもので、高熱伝導性でかつ絶縁
性を持った基板材料が信頼性高く提供される。
Claims (3)
- （１）空孔を含む高融点金属をもって表面処理した窒化
アルミニウム系基板に銅又は銅合金を加熱により直接接
合したことを特徴とする高熱伝導性絶縁基板。 - （２）表面に空孔を含む高融点金属層を形成した窒化ア
ルミニウム系基板に、銅又は銅合金よりなる粉末又は板
を置き、加熱することによって接合することを特徴とす
る高熱伝導性絶縁基板の製造方法。 - （３）銅合金がＣｕ−Ｗ合金である請求項（２）記載の
高熱伝導性絶縁基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27370989A JP2751473B2 (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 高熱伝導性絶縁基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27370989A JP2751473B2 (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 高熱伝導性絶縁基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03137069A true JPH03137069A (ja) | 1991-06-11 |
| JP2751473B2 JP2751473B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=17531466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27370989A Expired - Lifetime JP2751473B2 (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 高熱伝導性絶縁基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751473B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0891968A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-04-09 | Nippon Steel Corp | 表面に銅合金層を形成したセラミックス構造部材 |
| US5561321A (en) * | 1992-07-03 | 1996-10-01 | Noritake Co., Ltd. | Ceramic-metal composite structure and process of producing same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015056501A (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | 回路基板、回路基板の製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体 |
-
1989
- 1989-10-23 JP JP27370989A patent/JP2751473B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5561321A (en) * | 1992-07-03 | 1996-10-01 | Noritake Co., Ltd. | Ceramic-metal composite structure and process of producing same |
| JPH0891968A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-04-09 | Nippon Steel Corp | 表面に銅合金層を形成したセラミックス構造部材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2751473B2 (ja) | 1998-05-18 |
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