JP2015056501A - 回路基板、回路基板の製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体 - Google Patents

回路基板、回路基板の製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体 Download PDF

Info

Publication number
JP2015056501A
JP2015056501A JP2013188726A JP2013188726A JP2015056501A JP 2015056501 A JP2015056501 A JP 2015056501A JP 2013188726 A JP2013188726 A JP 2013188726A JP 2013188726 A JP2013188726 A JP 2013188726A JP 2015056501 A JP2015056501 A JP 2015056501A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit board
ceramic substrate
metal
electronic device
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2013188726A
Other languages
English (en)
Inventor
哲郎 宮尾
Tetsuo Miyao
哲郎 宮尾
大槻 哲也
Tetsuya Otsuki
哲也 大槻
秀樹 石上
Hideki Ishigami
秀樹 石上
幸彦 塩原
Yukihiko Shiobara
幸彦 塩原
中村 英文
Hidefumi Nakamura
英文 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2013188726A priority Critical patent/JP2015056501A/ja
Priority to CN201410421801.5A priority patent/CN104425390A/zh
Priority to US14/482,290 priority patent/US20150070855A1/en
Publication of JP2015056501A publication Critical patent/JP2015056501A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/388Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/11Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/115Via connections; Lands around holes or via connections
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/183Components mounted in and supported by recessed areas of the printed circuit board
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1131Sintering, i.e. fusing of metal particles to achieve or improve electrical conductivity

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

【課題】セラミックス基板との密着性に優れた導体部を備え、信頼性の高い回路基板を提供すること、このような回路基板を容易に製造することが可能な回路基板の製造方法を提供すること、信頼性の高い電子デバイス、電子機器および移動体を提供すること。
【解決手段】本発明の回路基板は、セラミックスで構成されたセラミックス基板210と、当該セラミックス基板210上に配された導体部231と、を有し、導体部231は、セラミックス基板210側から順に、第6族元素とガラス材料とを含む下地層231Bと、低融点の金属を含む金属層231Aとの積層体で構成されており、金属層231Aを構成する低融点の金属の一部が下地層231Bに移行していることを特徴とする。
【選択図】図4

Description

本発明は、回路基板、回路基板の製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体に関するものである。
従来から、回路基板に搭載した振動素子等の電子部品をパッケージに収納して構成される電子デバイスが知られている。
電子部品が搭載される回路基板は、セラミックス基板上に配線(導体部)を配した構成となっている。
このような回路基板は、一般に、銅やタングステン等を含む導電組成物をグリーンシートの付与した後に焼成することにより製造されている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、従来の回路基板では、導体部とセラミックス基板との密着性が十分に得られず、導体部の剥離や導体部の断線等の問題があった。また、回路基板の製造時に、銅が流れ出て配線の短絡等が生じる問題もあった。
特開平7−86741号公報
本発明の目的は、セラミックス基板との密着性に優れた導体部を備え、信頼性の高い回路基板を提供すること、このような回路基板を容易に製造することが可能な回路基板の製造方法を提供すること、信頼性の高い電子デバイス、電子機器および移動体を提供することにある。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]
本発明の回路基板は、セラミックスで構成されたセラミックス基板と、前記セラミックス基板上に配されている導体部と、を有し、
前記導体部は、前記セラミックス基板側から順に、第6族元素とガラス材料とを含む下地層、および金属層の積層体で構成されており、
前記金属層を構成する金属の一部が前記下地層に含まれていることを特徴とする。
これにより、セラミックス基板と導体部との密着性を優れたものとすることができ、信頼性の高い回路基板を提供することができる。
[適用例2]
本発明の回路基板では、前記金属層は、スズ、銅、銀、ビスマス、インジウム、亜鉛の中の少なくとも1つの金属を含むことが好ましい。
これにより、導体部の電気抵抗をより小さいものとすることができる。
[適用例3]
本発明の回路基板では、前記下地層中に含まれる前記第6族元素の含有量をA[質量%]、前記ガラス材料の含有量をB[質量%]としたとき、1≦A/B≦9の関係を満足することが好ましい。
これにより、導体部の形状を保持しつつ、セラミックス基板と導体部との密着性をより高いものとすることができる。
[適用例4]
本発明の回路基板では、ビアを有することが好ましい。
これにより、セラミックス基板の導体部が設けられた面とは反対側の面との導通を図ることができる。
[適用例5]
本発明の回路基板では、前記ビアは、前記第6族元素と、前記ガラス材料と、前記金属層を構成する金属とを有することが好ましい。
これにより、ビアとセラミックス基板との密着性を向上させるとともに、導体部とビアとの密着性を向上させることができる。
[適用例6]
本発明の回路基板の製造方法は、前記セラミックス基板と、前記第6族元素と前記ガラス材料とを含む下地層形成用組成物と、前記金属を含む金属層形成用組成物とを準備する工程と、
前記セラミックス基板上に、前記下地層形成用組成物を塗布し、第1の塗布層を形成する工程と、
前記第1の塗布層を形成した前記セラミックス基板を焼成する工程と、
焼成した前記第1の塗布層上に、前記金属層形成用組成物を塗布し、第2の塗布層を形成する工程と、
前記第2の塗布層を形成した前記セラミックス基板を焼成し、前記下地層および前記金属層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする。
これにより、セラミックス基板と導体部との密着性に優れ、信頼性の高い回路基板を容易に製造することができる。
[適用例7]
本発明の回路基板の製造方法では、前記第2の塗布層を焼成する工程における焼成は、前記金属の融点よりも10℃以上200℃以下の高い温度で行うことが好ましい。
これにより、低融点金属をより確実に下地層内に移行(浸透)させることができる。その結果、導体部の気密性をより高いものとすることができる。
[適用例8]
本発明の電子デバイスは、本発明の回路基板と、
電子部品と、
前記回路基板上に前記電子部品を保持する保持部材と、を有することを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する電子デバイスとなる。
[適用例9]
本発明の電子機器は、本発明の回路基板を備えていることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する電子機器となる。
[適用例10]
本発明の移動体は、本発明の回路基板を備えていることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する移動体となる。
電子デバイスの平面図である。 図1中のA−A線断面図である。 図1に示す電子デバイスが有する振動素子の平面図である。 図1に示す電子デバイスが有する回路基板の部分断面図である。 本発明の回路基板の製造方法の一例を説明する図である。 本発明の電子機器を適用したモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用した携帯電話機(PHSも含む)の構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。 本発明の移動体を適用した自動車の構成を示す斜視図である。
以下、本発明の回路基板、回路基板の製造方法、および電子デバイスを添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
図1は、電子デバイスの平面図、図2は、図1中のA−A線断面図、図3は、図1に示す電子デバイスが有する振動素子の平面図、図4は、図1に示す電子デバイスが有する回路基板の部分断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図1中の紙面手前側および図2中の上側を「上」と言い、図1中の紙面奥側および図2中の下側を「下」と言う。
1.電子デバイス
まず、本発明の電子デバイス(本発明の回路基板を備えた電子デバイス)について説明する。
図1および図2に示すように、電子デバイス100は、パッケージ200と、パッケージ200内に収容された振動素子(電子部品)300とを有している。
−振動素子−
図3(a)は、振動素子300を上方から見た平面図であり、同図(b)は、振動素子300を上方から見た透過図(平面図)である。
図3(a)、(b)に示すように、振動素子300は、平面視形状が長方形の板状をなす圧電基板310と、圧電基板310の表面に形成された一対の励振電極320、330とを有している。
圧電基板310は、主として厚み滑り振動をする水晶素板である。本実施形態では、圧電基板310としてATカットと呼ばれるカット角で切り出された水晶素板を用いている。なお、ATカットとは、水晶の結晶軸であるX軸とZ軸とを含む平面(Y面)をX軸回りにZ軸から反時計方向に約35度15分程度回転させて得られる主面(X軸とZ’軸とを含む主面)を有するように切り出すことを言う。このような圧電基板310は、その長手方向が水晶の結晶軸であるX軸と一致する。
励振電極320は、圧電基板310の上面に形成された電極部321と、圧電基板310の下面に形成されたボンディングパッド322と、電極部321およびボンディングパッド322を電気的に接続する配線323とを有している。一方、励振電極330は、圧電基板310の下面に形成された電極部331と、圧電基板310の下面に形成されたボンディングパッド332と、電極部331およびボンディングパッド332を電気的に接続する配線333とを有している。そして、電極部321、331は、圧電基板310を介して対向して設けられており、ボンディングパッド322、332は、圧電基板310の下面の図3中右側の端部に離間して設けられている。
このような励振電極320、330は、例えば、圧電基板310上に蒸着やスパッタリングによってNiまたはCrの下地層を成膜した後、下地層の上に蒸着やスパッタリングによってAuの電極層を成膜し、その後フォトリソグラフィー技法および各種エッチング技法を用いて、所望の形状にパターニングすることにより形成することができる。下地層を形成することにより、圧電基板310と前記電極層との接着性が向上し、信頼性の高い振動素子300が得られる。
このような振動素子300は、一対の導電性接着剤(接着剤)291、292を介してパッケージ200に固定されている。
−パッケージ−
図1および図2に示すように、パッケージ200は、上側に開放する凹部を有するキャビティ状のベース基板(セラミックス基板)210と、板状のリッド(蓋体)250と、ベース基板210の上面211に設けられ、ベース基板210とリッド250とを接合するメタライズ層270とを有している。ベース基板210およびリッド250は、それぞれ、矩形(長方形)の平面視形状を有している。このようなパッケージ200では、ベース基板210とリッド250とが気密的に封止されている。パッケージ200の内部(収納空間S)は、減圧されており、具体的には、100Pa以下であるのが好ましく、10Pa以下であるのがより好ましい。
ベース基板210の構成材料としては、例えば、酸化物系セラミックス、窒化物系セラミックス、炭化物系セラミックス等の各種セラミックスなどを用いることができる。一方、リッド250の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、アルミニウム、ニッケル、銅、銀、金のような各種金属材料、これら金属材料のうちの少なくとも1種を含む合金(例えば、コバール)などを用いることができる。例えば、ベース基板210の構成材料をセラミックスとした場合には、当該セラミックスと線膨張係数が近似する材料であるコバール等の合金を用いると良い。また、メタライズ層270の構成としては、特に限定されないが、例えば、Ni、Cr等の下地層に、Auの被覆層を形成した構成とすることができる。
ベース基板210には一対の電極230、240が設けられている。
ベース基板210および一対の電極230、240によって、回路基板が構成されている。
電極230は、ベース基板210の上面に設けられた接続電極(導体部)231と、ベース基板210の下面に設けられた外部実装電極(導体部)232と、ベース基板210を貫通して設けられ、接続電極231と外部実装電極232とを接続する貫通電極(ビア)233とを有している。同様に、電極240は、ベース基板210の上面に設けられた接続電極(導体部)241と、ベース基板210の下面に設けられた外部実装電極(導体部)242と、ベース基板210を貫通して設けられ、接続電極241と外部実装電極242とを接続する貫通電極(ビア)243とを有している。
図4に示すように、接続電極(導体部)231は、ベース基板210側から順に、下地層231Bと金属層231Aとの積層体で構成されている。なお、外部実装電極232、接続電極241、外部実装電極242は、接続電極231と同様の構成となっているので、接続電極231を代表して挙げて説明する。
金属層231Aは、低融点の金属を含む材料で構成されている。
低融点の金属としては、例えば、Sn(スズ)、Cu(銅)、Ag(銀)、Bi(ビスマス)、In(インジウム)、Zn(亜鉛)またはこれらを含む合金等が挙げられる。これらの中でも、銅、銀からなる群から選択される少なくとも1種であるのが好ましい。これにより、接続電極231の電気抵抗をより小さいものとすることができる。
金属層231Aの平均厚さは、0.5μm以上500μm以下であるのが好ましく、0.5μm以上50μm以下であるのがより好ましい。
下地層231Bは、第6族元素とガラス材料とを含む材料で構成されている。さらに、下地層231Bには、前述した低融点の金属が金属層231A側から移行している。すなわち、下地層231Bは、第6族元素とガラス材料と低融点の金属とを含んでいる。
第6族元素の中でも、特に、タングステン(W)、モリブデン(M)からなる群から選択される少なくとも1種を用いるのが好ましい。これにより、各電極の形状をより容易に保持することができる。
また、ガラス材料としては、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。
下地層231B中に含まれる第6族元素の含有量をA[質量%]、ガラス材料の含有量をB[質量%]としたとき、1≦A/B≦9の関係を満足することが好ましく、2≦A/B≦4の関係を満足することがより好ましい。このような関係を満足することにより、接続電極231の形状を保持しつつ、ベース基板210と接続電極231との密着性をより高いものとすることができる。
下地層231Bの平均厚さは、0.5μm以上500μm以下であるのが好ましく、5μm以上50μm以下であるのがより好ましい。
貫通電極(ビア)233は、接続電極231と外部実装電極232とを接続する機能を備えている。なお、貫通電極243については、貫通電極233と同様の構成であるので、その説明を割愛する。
貫通電極233を構成する材料としては、接続電極231と外部実装電極232とを導通可能とする材料であれば、特に限定されないが、第6族元素とガラス材料と低融点の金属とを含むものを用いるのが好ましい。これにより、貫通電極233とベース基板210との密着性を向上させるとともに、接続電極231や外部実装電極232と貫通電極233との密着性を向上させることができる。
以上のような回路基板では、ベース基板210と接続電極231との密着性が優れている。その結果、回路基板は、優れた信頼性を有するものとなる。
収納空間Sに収納された振動素子300は、一対の導電性接着剤(保持部材)291、292を介してベース基板210に片持ち支持されている。導電性接着剤291は、接続電極231とボンディングパッド322とに接触して設けられ、これにより、導電性接着剤291を介して接続電極231とボンディングパッド322とが電気的に接続されている。一方の導電性接着剤292は、接続電極241とボンディングパッド332とに接触して設けられており、これにより、導電性接着剤292を介して接続電極241とボンディングパッド332とが電気的に接続されている。
導電性接着剤291、292としては、特に限定されず、例えば、シリコン系、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系、ビスマレイミド系、ポリエステル系、ポリウレタン系樹脂に金属粉末等の導電性フィラーを混合した接着剤を用いることができる。
2.回路基板の製造方法
次いで、本発明の回路基板の製造方法について、図5に基づき、詳細に説明する。
図5は、本発明の回路基板の製造方法の一例を説明する図である。図5中、上側を上、下側をした。
まず、ビアホール212を形成したベース基板210を用意する(図5(a)参照)。
ベース基板210は、例えば、ビアホール212用の穴を形成したグリーンシートを焼成することで得ることができる。
一方で、第6族元素とガラス材料とを含む下地層形成用組成物と、低融点の金属を含む金属層形成用組成物と、第6族元素とガラス材料とを含むビア形成用組成物とを用意する。
下地層形成用組成物およびビア形成用組成物としては、第6族元素およびガラス材料等の粉末を有機ビヒクルと混合し、ペースト状にしたものを用いるのが好ましい。
また、金属層形成用組成物としては、低融点の金属等の粉末を有機ビヒクルと混合し、ペースト状にしたものを用いるのが好ましい。
次に、ビアホール212内に、ビア形成用組成物を充填し、その後、ベース基板210上面に下地層形成用材料を塗布し、第1の塗布層231B’およびビア形成用組成物層233’を形成する(図5(b)参照)。
次に、第1の塗布層231B’を形成したベース基板210を焼成する。
本工程における焼成温度は、300℃以上1400℃以下であるのが好ましく、600℃以上900℃以下であるのがより好ましい。
次に、焼成した第1の塗布層231B’の上に、金属層形成用組成物を塗布し、第2の塗布層231A’を形成する(図5(c)参照)。この際、第2の塗布層231A’中に含まれる低融点の金属が第1の塗布層231B’および充填されたビア形成用組成物中に移行していく。
次に、第2の塗布層231A’を形成したベース基板210を焼成する。これにより、回路基板が形成される(図5(d)参照)。
本工程における焼成温度は、低融点の金属の融点よりも10℃以上200℃以下高い温度であるのが好ましい。これにより、低融点金属をより確実に下地層231Bおよびビア(貫通電極)233内に移行(浸透)させることができる。その結果、導体部(接続電極)231およびビア(貫通電極)233の気密性をより高いものとすることができる。
以上のような方法によれば、セラミックス基板(ベース基板210)と導体部(接続電極231)との密着性に優れ、信頼性の高い回路基板を容易に製造することができる。
4.電子機器
次いで、本発明の電子デバイスを備える電子機器(本発明の電子機器)について、図6〜図8に基づき、詳細に説明する。
図6は、本発明の電子機器を適用したモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部2000を備えた表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター1100には、フィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子デバイス100が内蔵されている。
図7は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機(PHSも含む)の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部2000が配置されている。このような携帯電話機1200には、フィルター、共振器等として機能する電子デバイス100が内蔵されている。
図8は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。
ディジタルスチルカメラ1300におけるケース(ボディー)1302の背面には、表示部が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース1302の正面側(図中裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子1312にはテレビモニター1430が、データ通信用の入出力端子1314にはパーソナルコンピューター1440が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー1308に格納された撮像信号が、テレビモニター1430や、パーソナルコンピューター1440に出力される構成になっている。このようなディジタルスチルカメラ1300には、フィルター、共振器等として機能する電子デバイス100が内蔵されている。
なお、本発明の電子デバイスを備える電子機器は、図6のパーソナルコンピューター(モバイル型パーソナルコンピューター)、図7の携帯電話機、図8のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンター)、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーター等に適用することができる。
5.移動体
次いで、本発明の電子デバイスを備える移動体(本発明の移動体)について、図9に基づき、詳細に説明する。
図9は、本発明の移動体を適用した自動車の構成を示す斜視図である。自動車1500には、例えば、ジャイロセンサーとして本発明の電子デバイスが組み込まれる。この場合は、機能素子として、振動素子300に換えて角速度検出素子(ジャイロ素子)を用いた電子デバイス100’を用いることができる。このような電子デバイス100’によれば、車体1501の姿勢を検出することができる。電子デバイス100’の検出信号は、車体姿勢制御装置1502に供給され、車体姿勢制御装置1502は、その信号に基づいて車体1501の姿勢を検出し、検出結果に応じてサスペンションの硬軟を制御したり、個々の車輪1503のブレーキを制御したりすることができる。その他、このような姿勢制御は、二足歩行ロボットやラジコンヘリコプターで利用することができる。以上のように、各種移動体の姿勢制御の実現にあたって、電子デバイス100’が組み込まれる。
以上、本発明の回路基板、回路基板の製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
また、前述した実施形態では、ベース基板がキャビティ型をなし、リッドが板状をなしている構成について説明したが、ベース基板およびリッドの形状は、接合されてパッケージとなったときに、内部に振動素子を収納する空間を形成することができれば、特に限定されない。例えば、前述した実施形態とは逆に、ベース基板を板状とし、リッドをキャビティ型としてもよい。また、両者をキャビティ型としてもよい。
また、前述した実施形態では、電子部品としてATカット振動子を用いた構成について説明したが、電子分品としては、これに限定されず、例えば、音叉型の振動子やジャイロ素子であってもよい。
[1]回路基板の製造
1.下地層形成用組成物およびビア形成用組成物の作製
タングステン粉末(粒子径約3μm)、ガラス粉末(粒子径約2μm)を重量比80:20の割合で調合した。これに有機ビヒクルを混合して下地層形成用組成物およびビア形成用組成物を作製した。
2.金属層形成用組成物の作製
2−1.
まず、銀粉末(粒子径約3μm)、銅粉末(粒子径約3μm)、亜鉛粉末(粒子径7μm)を重量比50:20:30の割合で調合。これに有機ビヒクルを混合して金属層形成用組成物1を作製した。
また、銅粉末(粒子径約3μm)、りん粉末(粒子径約5μm)を重量比93:7の割合で調合した。これに有機ビヒクルを混合して金属層形成用組成物2を作製した。
3.セラミックス基板の作製
250μmの穴(ビアホール)をあけたグリーンシートを水素雰囲気中で200℃/H以下の速度で昇温し、1500℃で3時間加熱焼成しセラミックス基板を作製した。
4.ビアホールへのビア形成用組成物の充填
焼成したセラミックス基板のビアホールにビア形成用組成物をスクリーン印刷し、ビアホールに充填した。
5.第1の塗布層の形成
セラミックス基板に下地層形成用組成物をスクリーン印刷し、第1の塗布層を形成した。
6.焼成
第1の塗布層を形成したセラミックス基板を窒素雰囲気中で200℃/h以下の速度で昇温し、900℃0.5時間の条件で加熱焼成した。
7.第2の塗布層の形成
焼成した第1の塗布層上に導電体部に金属層形成用組成物1または金属層形成用組成物2をスクリーン印刷で塗布し、第2の塗布層を形成した。
8.焼成
第2の塗布層が形成されたセラミックス基板を窒素雰囲気中で200℃/h以下の速度で昇温し、800℃0.5時間の条件で加熱焼成した。これにより、金属層形成用組成物1および金属層形成用組成物2を用いて形成された2つの回路基板を得た。
[2]回路基板の評価
回路基板の評価をビアと導体部の密着性(クラック、剥がれ)および形状保持性を光学顕微鏡で評価し、下地層形成用組成物、金属層形成用組成物の充填性を電子顕微鏡、電気的導通性を導通テスター、気密性をアルコールシミだし試験で評価した。結果すべての評価項目が良好であった。
以上の結果から、接着性、充填性、配線形状保持性、電気的導通性、気密性に優れた導体部と、この導体部を有する回路基板は非常に優れた信頼性を有する基板であることが判明した。
100、100’…電子デバイス 200…パッケージ 210…ベース基板 211…上面 212…ビアホール 230…電極 231…接続電極 231A…金属層 231A’…第2の塗布層 231B…下地層 231B’…第1の塗布層 232…外部実装電極 233…貫通電極 233’…ビア形成用組成物層 240…電極 241…接続電極 242…外部実装電極 243…貫通電極 250…リッド 270…メタライズ層 291、292…導電性接着剤 300…振動素子 310…圧電基板 320…励振電極 321…電極部 322…ボンディングパッド 323…配線 330…励振電極 331…電極部 332…ボンディングパッド 333…配線 1100…パーソナルコンピューター 1102…キーボード 1104…本体部 1106…表示ユニット 1200…携帯電話機 1202…操作ボタン 1204…受話口 1206…送話口 1300…ディジタルスチルカメラ 1302…ケース 1304…受光ユニット 1306…シャッタボタン 1308…メモリー 1312…ビデオ信号出力端子 1314…入出力端子 1430…テレビモニター 1440…パーソナルコンピューター 1500…自動車 1501…車体 1502…車体姿勢制御装置 1503…車輪 2000…表示部 S…内部空間(収納空間)
2.回路基板の製造方法
次いで、本発明の回路基板の製造方法について、図5に基づき、詳細に説明する。
図5は、本発明の回路基板の製造方法の一例を説明する図である。図5中、上側を上、下側を下とした。
まず、ビアホール212を形成したベース基板210を用意する(図5(a)参照)。
ベース基板210は、例えば、ビアホール212用の穴を形成したグリーンシートを焼成することで得ることができる。
次に、ビアホール212内に、ビア形成用組成物を充填し、その後、ベース基板210上面に下地層形成用組成物を塗布し、第1の塗布層231B’およびビア形成用組成物層233’を形成する(図5(b)参照)。
次に、第1の塗布層231B’を形成したベース基板210を焼成する。
本工程における焼成温度は、300℃以上1400℃以下であるのが好ましく、600℃以上900℃以下であるのがより好ましい。
.電子機器
次いで、本発明の電子デバイスを備える電子機器(本発明の電子機器)について、図6
〜図8に基づき、詳細に説明する。
図6は、本発明の電子機器を適用したモバイル型(またはノート型)のパーソナルコン
ピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター11
00は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部2000を備えた表示ユ
ニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒン
ジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター11
00には、フィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子デバイス100が内
蔵されている。
.移動体
次いで、本発明の電子デバイスを備える移動体(本発明の移動体)について、図9に基
づき、詳細に説明する。
図9は、本発明の移動体を適用した自動車の構成を示す斜視図である。自動車1500
には、例えば、ジャイロセンサーとして本発明の電子デバイスが組み込まれる。この場合
は、機能素子として、振動素子300に換えて角速度検出素子(ジャイロ素子)を用いた
電子デバイス100’を用いることができる。このような電子デバイス100’によれば
、車体1501の姿勢を検出することができる。電子デバイス100’の検出信号は、車
体姿勢制御装置1502に供給され、車体姿勢制御装置1502は、その信号に基づいて
車体1501の姿勢を検出し、検出結果に応じてサスペンションの硬軟を制御したり、個
々の車輪1503のブレーキを制御したりすることができる。その他、このような姿勢制
御は、二足歩行ロボットやラジコンヘリコプターで利用することができる。以上のように
、各種移動体の姿勢制御の実現にあたって、電子デバイス100’が組み込まれる。
2.金属層形成用組成物の作製
ず、銀粉末(粒子径約3μm)、銅粉末(粒子径約3μm)、亜鉛粉末(粒子径7μ
m)を重量比50:20:30の割合で調合。これに有機ビヒクルを混合して金属層形成
用組成物1を作製した。
また、銅粉末(粒子径約3μm)、りん粉末(粒子径約5μm)を重量比93:7の割
合で調合した。これに有機ビヒクルを混合して金属層形成用組成物2を作製した。

Claims (10)

  1. セラミックスで構成されたセラミックス基板と、前記セラミックス基板上に配されている導体部と、を有し、
    前記導体部は、前記セラミックス基板側から順に、第6族元素とガラス材料とを含む下地層、および金属層の積層体で構成されており、
    前記金属層を構成する金属の一部が前記下地層に含まれていることを特徴とする回路基板。
  2. 前記金属層は、スズ、銅、銀、ビスマス、インジウム、亜鉛の中の少なくとも1つの金属を含む請求項1に記載の回路基板。
  3. 前記下地層中に含まれる前記第6族元素の含有量をA[質量%]、前記ガラス材料の含有量をB[質量%]としたとき、1≦A/B≦9の関係を満足する請求項1または2に記載の回路基板。
  4. ビアを有する請求項1ないし3のいずれか1項に記載の回路基板。
  5. 前記ビアは、前記第6族元素と、前記ガラス材料と、前記金属層を構成する金属とを有する請求項4に記載の回路基板。
  6. 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の回路基板の製造方法であって、
    前記セラミックス基板と、前記第6族元素と前記ガラス材料とを含む下地層形成用組成物と、前記金属を含む金属層形成用組成物とを準備する工程と、
    前記セラミックス基板上に、前記下地層形成用組成物を塗布し、第1の塗布層を形成する工程と、
    前記第1の塗布層を形成した前記セラミックス基板を焼成する工程と、
    焼成した前記第1の塗布層上に、前記金属層形成用組成物を塗布し、第2の塗布層を形成する工程と、
    前記第2の塗布層を形成した前記セラミックス基板を焼成し、前記下地層および前記金属層を形成する工程と、
    を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
  7. 前記第2の塗布層を焼成する工程における焼成は、前記金属の融点よりも10℃以上200℃以下の高い温度で行う請求項6に記載の回路基板の製造方法。
  8. 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の回路基板と、
    電子部品と、
    前記回路基板上に前記電子部品を保持する保持部材と、
    を有することを特徴とする電子デバイス。
  9. 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の回路基板を備えていることを特徴とする電子機器。
  10. 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の回路基板を備えていることを特徴とする移動体。
JP2013188726A 2013-09-11 2013-09-11 回路基板、回路基板の製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体 Withdrawn JP2015056501A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013188726A JP2015056501A (ja) 2013-09-11 2013-09-11 回路基板、回路基板の製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体
CN201410421801.5A CN104425390A (zh) 2013-09-11 2014-08-25 电路基板及其制造方法、电子器件、电子设备以及移动体
US14/482,290 US20150070855A1 (en) 2013-09-11 2014-09-10 Circuit board, method for manufacturing circuit board, electronic device, electronic apparatus, and moving object

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013188726A JP2015056501A (ja) 2013-09-11 2013-09-11 回路基板、回路基板の製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015056501A true JP2015056501A (ja) 2015-03-23

Family

ID=52625387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013188726A Withdrawn JP2015056501A (ja) 2013-09-11 2013-09-11 回路基板、回路基板の製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20150070855A1 (ja)
JP (1) JP2015056501A (ja)
CN (1) CN104425390A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109469517A (zh) * 2017-09-07 2019-03-15 通用电气公司 经涂布的部件和涡轮部件、及其形成方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6524780B2 (ja) * 2015-04-20 2019-06-05 セイコーエプソン株式会社 電気配線部材の製造方法、電気配線部材形成用材料、電気配線部材、電気配線基板の製造方法、電気配線基板形成用材料、電気配線基板、振動子、電子機器および移動体
CN111256673B (zh) * 2020-01-19 2021-09-10 北京晨晶电子有限公司 一种石英音叉和基座的连接结构、连接方法及其应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0621656A (ja) * 1991-08-30 1994-01-28 Fujitsu Ltd 多層回路基板及びその製造方法
JPH09246694A (ja) * 1996-03-12 1997-09-19 Mitsubishi Materials Corp 導電性厚膜を有する回路基板及びその製造方法
JP2751473B2 (ja) * 1989-10-23 1998-05-18 住友電気工業株式会社 高熱伝導性絶縁基板及びその製造方法
JP2001244625A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Kyocera Corp 窒化アルミニウム質焼結体
JP2010129539A (ja) * 2008-11-27 2010-06-10 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd ヘッドランプ用セラミックパッケージ及びこれを備えるヘッドランプモジュール
JP2013153051A (ja) * 2012-01-25 2013-08-08 Tokuyama Corp メタライズドセラミックスビア基板及びその製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6072690A (en) * 1998-01-15 2000-06-06 International Business Machines Corporation High k dielectric capacitor with low k sheathed signal vias
US7098580B2 (en) * 2004-01-29 2006-08-29 Kyocera Corporation Piezoelectric oscillator
JP4636018B2 (ja) * 2004-05-12 2011-02-23 株式会社大真空 圧電振動素子用パッケージ及び圧電振動子
US7387838B2 (en) * 2004-05-27 2008-06-17 Delaware Capital Formation, Inc. Low loss glass-ceramic materials, method of making same and electronic packages including same
JP4375466B2 (ja) * 2007-09-21 2009-12-02 セイコーエプソン株式会社 導電ポスト形成方法、多層配線基板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP5757287B2 (ja) * 2010-03-24 2015-07-29 株式会社大真空 電子部品用パッケージのベース、電子部品用パッケージ
CN103081095B (zh) * 2010-10-28 2015-07-15 京瓷株式会社 电子装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2751473B2 (ja) * 1989-10-23 1998-05-18 住友電気工業株式会社 高熱伝導性絶縁基板及びその製造方法
JPH0621656A (ja) * 1991-08-30 1994-01-28 Fujitsu Ltd 多層回路基板及びその製造方法
JPH09246694A (ja) * 1996-03-12 1997-09-19 Mitsubishi Materials Corp 導電性厚膜を有する回路基板及びその製造方法
JP2001244625A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Kyocera Corp 窒化アルミニウム質焼結体
JP2010129539A (ja) * 2008-11-27 2010-06-10 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd ヘッドランプ用セラミックパッケージ及びこれを備えるヘッドランプモジュール
JP2013153051A (ja) * 2012-01-25 2013-08-08 Tokuyama Corp メタライズドセラミックスビア基板及びその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109469517A (zh) * 2017-09-07 2019-03-15 通用电气公司 经涂布的部件和涡轮部件、及其形成方法
JP2019052082A (ja) * 2017-09-07 2019-04-04 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ バリアコーティング用液体ボンドコーティング
US11773734B2 (en) 2017-09-07 2023-10-03 General Electric Company Liquid bond coatings for barrier coatings

Also Published As

Publication number Publication date
US20150070855A1 (en) 2015-03-12
CN104425390A (zh) 2015-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9161450B2 (en) Electronic device, electronic apparatus, and method of manufacturing electronic device
JP6003194B2 (ja) ベース基板、電子デバイスおよびベース基板の製造方法
JP6365111B2 (ja) 配線基板の製造方法、配線基板、素子収納用パッケージ、電子デバイス、電子機器および移動体
US9635769B2 (en) Electronic device, electronic apparatus, method of manufacturing base substrate, and method of manufacturing electronic device
US9549481B2 (en) Method for producing base substrate, method for producing electronic device, base substrate, and electronic apparatus
US8921162B2 (en) Method for manufacturing electronic component, and electronic apparatus
CN103531705B (zh) 基底基板、电子器件和电子设备
JP2015231009A (ja) 電子デバイスパッケージ用基板および電子デバイスパッケージ用基板の製造方法
US9370106B2 (en) Method for producing package, method for producing electronic device, and electronic device
JP2015056501A (ja) 回路基板、回路基板の製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体
JP6544157B2 (ja) 物理量センサー、センサーデバイス、電子機器および移動体
JP6866623B2 (ja) 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体
JP6866588B2 (ja) 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器および移動体
US10384931B2 (en) Electronic device having a bonding wire connected to a terminal at an alloyed portion
JP2015056577A (ja) 回路基板の製造方法、回路基板、電子デバイス、電子機器および移動体
JP2015231191A (ja) 電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法
JP2015149318A (ja) 配線基板、配線基板の製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体
JP6786796B2 (ja) 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器および移動体
JP2015231001A (ja) 電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法
JP2015153805A (ja) 配線基板の製造方法、配線基板、電子デバイス、電子機器および移動体
JP6834480B2 (ja) 振動片の製造方法、振動片、振動子、電子機器および移動体
JP2015231010A (ja) 電子デバイスパッケージ用基板、電子デバイスパッケージ、電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法
JP2013235884A (ja) 基板の製造方法、充填装置および電子デバイス
JP2018159645A (ja) 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体
JP2013239528A (ja) 基板の製造方法、基板、電子デバイスおよび電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160729

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170412

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170523

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20170713