JP2015056577A - 回路基板の製造方法、回路基板、電子デバイス、電子機器および移動体 - Google Patents

回路基板の製造方法、回路基板、電子デバイス、電子機器および移動体 Download PDF

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哲郎 宮尾
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哲也 大槻
幸彦 塩原
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幸彦 塩原
秀樹 石上
Hideki Ishigami
秀樹 石上
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Abstract

【課題】導体部を精度良く形成することができるとともに、導体部の断線や剥離を低減することが可能な回路基板の製造方法を提供すること、信頼性の高い回路基板、電子デバイス、電子機器および移動体を提供すること。【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、セラミックスで構成されたセラミックス基板210と、金属を含む金属含有組成物とを準備する工程と、セラミックス基板210上に、ガラス材料で構成されたガラス層220を形成する工程と、ガラス層220上に金属含有組成物を付与し、金属含有組成物層231’を形成する工程と、金属含有組成物層を焼成し、導体部231を形成する工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図4

Description

本発明は、回路基板の製造方法、回路基板、電子デバイス、電子機器および移動体に関するものである。
従来から、回路基板に搭載した振動素子等の電子部品をパッケージに収納して構成される電子デバイスが知られている。
電子部品が搭載される回路基板は、一般に、セラミックス基板上に配線(導体部)を配した構成となっている。
また、回路基板としては、導体部とセラミックス基板との密着性を向上する目的で、導体部とセラミックス基板との間にガラス層を設ける構成が知られている。
従来より、このような回路基板は、グリーンシート上にガラス材料を含む組成物の層と金属を含む組成物の層とを形成し、全体を一括で焼成することで製造されている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、従来の回路基板の製造方法では、グリーンシート、ガラス材料を含む組成物の層、金属を含む組成物の層の焼結した際の収縮率の差から、導体部の断線や剥離が発生するといった問題があった。また、導体部を高い位置精度で形成することが困難であった。また、焼結の際に、ガラス材料がグリーンシートに浸透してしまい、ガラス層が形成されないといった問題もあった。
特開平11−214582号公報
本発明の目的は、導体部を精度良く形成することができるとともに、導体部の断線や剥離を低減することが可能な回路基板の製造方法を提供すること、信頼性の高い回路基板、電子デバイス、電子機器および移動体を提供することにある。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]
本発明の回路基板の製造方法は、セラミックス基板と、ガラス材料と、金属を含む金属含有組成物とを準備する工程と、
前記セラミックス基板上に、前記ガラス材料を含むガラス層を形成する工程と、
前記ガラス層上に前記金属含有組成物を配置し、金属含有組成物層を形成する工程と、
前記金属含有組成物層を焼成し、導体部を形成する工程と、
を含むことを特徴とする。
これにより、導体部を精度良く形成することができるとともに、導体部の断線や剥離を低減することができる。
[適用例2]
本発明の回路基板の製造方法では、前記ガラス層を形成する工程は、
前記ガラス材料を前記セラミックス基板上に配置し、ガラス材料含有組成物層を形成するステップと、
前記ガラス材料含有組成物層を焼成するステップと、
を含むことが好ましい。
これにより、ガラス層を簡便に形成することができる。
[適用例3]
本発明の回路基板の製造方法では、前記ガラス材料含有組成物層を焼成するステップでは、500℃以上1200℃以下の範囲内で焼成を行うことが好ましい。
これにより、ガラス材料の流れ出しを低減しつつ、適度な厚みのガラス層を形成することができる。
[適用例4]
本発明の回路基板の製造方法では、前記ガラス材料含有組成物中におけるガラス材料の含有量は、40体積%以上90体積%以下の範囲内であることが好ましい。
これにより、ガラス層の厚みを制御しつつ、緻密なガラス層を形成することができる。
[適用例5]
本発明の回路基板の製造方法では、前記導体部を形成する工程では、前記ガラス材料の融点よりも低い温度で前記金属含有組成物層を焼成することが好ましい。
これにより、ガラス層を形成するガラス材料の流れ出しを低減しつつ、導体部をより確実に形成することができる。
[適用例6]
本発明の回路基板の製造方法では、前記金属含有組成物は、第6族元素と前記ガラス材料とを含むことが好ましい。
これにより、ガラス層と導体部との密着性を効果的に向上させることができ、導体部の断線や剥離をより確実に低減することができる。
[適用例7]
本発明の回路基板の製造方法では、前記金属含有組成物は、低融点の金属を含むことが好ましい。
これにより、導体部の電気抵抗をより小さいものとすることができる。
[適用例8]
本発明の回路基板は、本発明の回路基板の製造方法により製造されたことを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する回路基板を提供することができる。
[適用例9]
本発明の回路基板は、セラミックス基板、ガラス材料で構成されたガラス層、および金属を含む材料で構成されている導体部が順に積層している積層体を有し、
前記ガラス層には、厚さが20μm以上30μm以下の範囲内の領域を含むことを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する回路基板を提供することができる。
[適用例10]
本発明の電子デバイスは、本発明の回路基板を備えていることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する電子デバイスとなる。
[適用例11]
本発明の電子機器は、本発明の回路基板を備えていることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する電子機器となる。
[適用例12]
本発明の移動体は、本発明の回路基板を備えていることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する移動体となる。
電子デバイスの平面図である。 図1中のA−A線断面図である。 図1に示す電子デバイスが有する振動素子の平面図である。 本発明の回路基板の製造方法の一例を説明する図である。 本発明の電子機器を適用したモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用した携帯電話機(PHSも含む)の構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。 本発明の移動体を適用した自動車の構成を示す斜視図である。
以下、本発明の回路基板、回路基板の製造方法、および電子デバイスを添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
図1は、電子デバイスの平面図、図2は、図1中のA−A線断面図、図3は、図1に示す電子デバイスが有する振動素子の平面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図1中の紙面手前側および図2中の上側を「上」と言い、図1中の紙面奥側および図2中の下側を「下」と言う。
1.電子デバイス
まず、本発明の電子デバイス(本発明の回路基板を備えた電子デバイス)について説明する。
図1および図2に示すように、電子デバイス100は、パッケージ200と、パッケージ200内に収容された振動素子(電子部品)300とを有している。
−振動素子−
図3(a)は、振動素子300を上方から見た平面図であり、同図(b)は、振動素子300を上方から見た透過図(平面図)である。
図3(a)、(b)に示すように、振動素子300は、平面視形状が長方形の板状をなす圧電基板310と、圧電基板310の表面に形成された一対の励振電極320、330とを有している。
圧電基板310は、主として厚み滑り振動をする水晶素板である。本実施形態では、圧電基板310としてATカットと呼ばれるカット角で切り出された水晶素板を用いている。なお、ATカットとは、水晶の結晶軸であるX軸とZ軸とを含む平面(Y面)をX軸回りにZ軸から反時計方向に約35度15分程度回転させて得られる主面(X軸とZ’軸とを含む主面)を有するように切り出すことを言う。このような圧電基板310は、その長手方向が水晶の結晶軸であるX軸と一致する。
励振電極320は、圧電基板310の上面に形成された電極部321と、圧電基板310の下面に形成されたボンディングパッド322と、電極部321およびボンディングパッド322を電気的に接続する配線323とを有している。一方、励振電極330は、圧電基板310の下面に形成された電極部331と、圧電基板310の下面に形成されたボンディングパッド332と、電極部331およびボンディングパッド332を電気的に接続する配線333とを有している。そして、電極部321、331は、圧電基板310を介して対向して設けられており、ボンディングパッド322、332は、圧電基板310の下面の図3中右側の端部に離間して設けられている。
このような励振電極320、330は、例えば、圧電基板310上に蒸着やスパッタリングによってNiまたはCrの下地層を成膜した後、下地層の上に蒸着やスパッタリングによってAuの電極層を成膜し、その後フォトリソグラフィー技法および各種エッチング技法を用いて、所望の形状にパターニングすることにより形成することができる。下地層を形成することにより、圧電基板310と前記電極層との接着性が向上し、信頼性の高い振動素子300が得られる。
このような振動素子300は、一対の導電性接着剤(接着剤)291、292を介してパッケージ200に固定されている。
−パッケージ−
図1および図2に示すように、パッケージ200は、上側に開放する凹部を有するキャビティ状のベース基板(セラミックス基板)210と、板状のリッド(蓋体)250と、ベース基板210の上面211に設けられ、ベース基板210とリッド250とを接合するメタライズ層270とを有している。ベース基板210およびリッド250は、それぞれ、矩形(長方形)の平面視形状を有している。このようなパッケージ200では、ベース基板210とリッド250とが気密的に封止されている。パッケージ200の内部(収納空間S)は、減圧されており、具体的には、100Pa以下であるのが好ましく、10Pa以下であるのがより好ましい。
ベース基板210の構成材料としては、例えば、酸化物系セラミックス、窒化物系セラミックス、炭化物系セラミックス等の各種セラミックスなどを用いることができる。一方、リッド250の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、アルミニウム、ニッケル、銅、銀、金のような各種金属材料、これら金属材料のうちの少なくとも1種を含む合金(例えば、コバール)などを用いることができる。例えば、ベース基板210の構成材料をセラミックスとした場合には、当該セラミックスと線膨張係数が近似する材料であるコバール等の合金を用いると良い。また、メタライズ層270の構成としては、特に限定されないが、例えば、Ni、Cr等の下地層に、Auの被覆層を形成した構成とすることができる。
ベース基板210には一対の電極230、240が設けられている。
電極230は、ベース基板210の上面に設けられた接続電極(導体部)231と、ベース基板210の下面に設けられた外部実装電極(導体部)232と、ベース基板210を貫通して設けられ、接続電極231と外部実装電極232とを接続する貫通電極(ビア)233とを有している。同様に、電極240は、ベース基板210の上面に設けられた接続電極(導体部)241と、ベース基板210の下面に設けられた外部実装電極(導体部)242と、ベース基板210を貫通して設けられ、接続電極241と外部実装電極242とを接続する貫通電極(ビア)243とを有している。
また、図2に示すように、ベース基板210と、接続電極231、外部実装電極232、接続電極241、外部実装電極242との間には、ガラス材料で構成されたガラス層220が設けられている。すなわち、接続電極231、外部実装電極232、接続電極241、外部実装電極242は、ガラス層220を介してベース基板210上に設けられている。ガラス層220を有することにより、各電極(導体部)とベース基板210との密着性が向上する。
ガラス層220を構成するガラス材料としては、例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。
ガラス層220の平均厚さは、20μm以上30μm以下である。これにより、各電極(導体部)とベース基板210との密着性を向上しつつ、回路基板の低背化を図ることができる。
なお、回路基板は、ベース基板210、一対の電極230、240およびガラス層220によって構成される。
また、各電極は、第6族元素とガラス材料とを含んでいる。これにより、ガラス層220と各電極との密着性を効果的に向上させることができ、各電極の断線や剥離をより確実に低減することができる。
第6族元素の中でも、特に、タングステン(W)、モリブデン(M)からなる群から選択される少なくとも1種を用いるのが好ましい。これにより、各電極の形状をより容易に保持することができる。
また、各電極は、低融点の金属を含んでいる。これにより、各電極の電気抵抗をより小さいものとすることができる。
低融点の金属としては、例えば、Sn(スズ)、Cu(銅)、Ag(銀)、Bi(ビスマス)、In(インジウム)、Zn(亜鉛)またはこれらを含む合金等が挙げられる。これらの中でも、銅、銀からなる群から選択される少なくとも1種であるのが好ましい。これにより、各電極の電気抵抗をより小さいものとすることができる。
以上のような回路基板では、ベース基板210と接続電極231との密着性が優れている。その結果、回路基板は、優れた信頼性を有するものとなる。
収納空間Sに収納された振動素子300は、一対の導電性接着剤(保持部材)291、292を介してベース基板210に片持ち支持されている。導電性接着剤291は、接続電極231とボンディングパッド322とに接触して設けられ、これにより、導電性接着剤291を介して接続電極231とボンディングパッド322とが電気的に接続されている。一方の導電性接着剤292は、接続電極241とボンディングパッド332とに接触して設けられており、これにより、導電性接着剤292を介して接続電極241とボンディングパッド332とが電気的に接続されている。
導電性接着剤291、292としては、特に限定されず、例えば、シリコン系、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系、ビスマレイミド系、ポリエステル系、ポリウレタン系樹脂に金属粉末等の導電性フィラーを混合した接着剤を用いることができる。
2.回路基板の製造方法
次いで、本発明の回路基板の製造方法について、図4に基づき、詳細に説明する。
図4は、本発明の回路基板の製造方法の一例を説明する図である。図4中、上側を上、下側を下とした。
まず、ビアホール212を形成したベース基板210を用意する(図4(a)参照)。
ベース基板210は、例えば、ビアホール212用の穴を形成したグリーンシートを焼成することで得ることができる。
一方で、第6族元素、ガラス材料、低融点金属等を含む金属含有組成物と、ガラス材料を含むガラス材料含有組成物とを用意する。
金属含有組成物としては、第6族元素、ガラス材料、低融点金属等の粉末を有機ビヒクルと混合し、ペースト状にしたものを用いるのが好ましい。
また、ガラス材料含有組成物としては、ガラス材料の粉末を有機ビヒクルと混合し、ペースト状にしたものを用いるのが好ましい。
ガラス材料含有組成物中におけるガラス材料の含有量は、40体積%以上90体積%以下であることが好ましい。これにより、ガラス層220の厚みを制御しつつ、緻密なガラス層220を形成することができる。
次に、ビアホール212内に、金属含有組成物を充填し、その後、焼結し、図4(b)に示すような貫通電極(ビア)233を形成する。
本工程における焼成温度は、300℃以上1400℃以下の範囲内であるのが好ましく、600℃以上900℃以下の範囲内であるのがより好ましい。
次に、図4(c)に示すように、接続電極(導体部)231を形成すべき領域に、ガラス材料含有組成物を付与し、ガラス材料含有組成物層220’を形成する。
次に、ガラス材料含有組成物層220’を焼成し、ガラス層220を形成する。
焼成する方法としては、特に限定されず、セラミックス基板全体を炉で焼成する方法であってもよいし、ガラス材料含有組成物層220’にレーザを照射して焼成する方法であってもよい。
ガラス材料含有組成物層を焼成する際の焼成温度は、500℃以上1200℃以下であるのが好ましく、700℃以上1000℃以下であるのがより好ましい。これにより、ガラス材料の流れ出しを低減しつつ、適度な厚みのガラス層220を形成することができる。
次に、図4(d)に示すように、ガラス層220上に、金属含有組成物を付与し、金属含有組成物層231’を形成する。
その後、金属含有組成物層231’を焼成する。これにより、回路基板が形成される。
金属含有組成物層231’を焼成する際の焼成温度の最高点は、ガラス材料の融点よりも低いのが好ましい。これにより、ガラス層220を形成するガラス材料の流れ出しを低減しつつ、接続電極(導体部)231をより確実に形成することができる。
なお、上述した説明では、貫通電極(ビア)233を形成した後に、ガラス層220、接続電極(導体部)231を形成するものとして説明したが、これに限定されず、貫通電極(ビア)233は、ガラス層220を形成した後に、接続電極(導体部)231と同時に形成してもよい。
また、ビアホール212内にもガラス層220を形成してもよい。
また、ガラス層220は、導体部が形成される領域外に形成されていてもよい。
3.電子機器
次いで、本発明の電子デバイスを備える電子機器(本発明の電子機器)について、図5〜図7に基づき、詳細に説明する。
図5は、本発明の電子機器を適用したモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部2000を備えた表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター1100には、フィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子デバイス100が内蔵されている。
図6は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機(PHSも含む)の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部2000が配置されている。このような携帯電話機1200には、フィルター、共振器等として機能する電子デバイス100が内蔵されている。
図7は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。
ディジタルスチルカメラ1300におけるケース(ボディー)1302の背面には、表示部が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース1302の正面側(図中裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子1312にはテレビモニター1430が、デ−タ通信用の入出力端子1314にはパーソナルコンピューター1440が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー1308に格納された撮像信号が、テレビモニター1430や、パーソナルコンピューター1440に出力される構成になっている。このようなディジタルスチルカメラ1300には、フィルター、共振器等として機能する電子デバイス100が内蔵されている。
なお、本発明の電子デバイスを備える電子機器は、図5のパーソナルコンピューター(モバイル型パーソナルコンピューター)、図6の携帯電話機、図7のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンター)、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーター等に適用することができる。
4.移動体
次いで、本発明の電子デバイスを備える移動体(本発明の移動体)について、図8に基づき、詳細に説明する。
図8は、本発明の移動体を適用した自動車の構成を示す斜視図である。自動車1500には、例えば、ジャイロセンサーとして本発明の電子デバイスが組み込まれる。この場合は、機能素子として、振動素子300に換えて角速度検出素子(ジャイロ素子)を用いた電子デバイス100’を用いることができる。このような電子デバイス100’によれば、車体1501の姿勢を検出することができる。電子デバイス100’の検出信号は、車体姿勢制御装置1502に供給され、車体姿勢制御装置1502は、その信号に基づいて車体1501の姿勢を検出し、検出結果に応じてサスペンションの硬軟を制御したり、個々の車輪1503のブレーキを制御したりすることができる。その他、このような姿勢制御は、二足歩行ロボットやラジコンヘリコプターで利用することができる。以上のように、各種移動体の姿勢制御の実現にあたって、電子デバイス100’が組み込まれる。
以上、本発明の回路基板、回路基板の製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
また、前述した実施形態では、ベース基板がキャビティ型をなし、リッドが板状をなしている構成について説明したが、ベース基板およびリッドの形状は、接合されてパッケージとなったときに、内部に振動素子を収納する空間を形成することができれば、特に限定されない。例えば、前述した実施形態とは逆に、ベース基板を板状とし、リッドをキャビティ型としてもよい。また、両者をキャビティ型としてもよい。
また、前述した実施形態では、電子部品としてATカット振動子を用いた構成について説明したが、電子分品としては、これに限定されず、例えば、音叉型の振動子やジャイロ素子であってもよい。
[1]回路基板の製造
1.金属含有組成物の作製
タングステン粉末(粒子径約3μm)、ガラス粉末(粒子径約2μm)を重量比80:20の割合で調合し、混合物1を得た。
さらに、銅粉末(粒子径約3μm)、りん粉末(粒子径約5μm)を重量比93:7の割合で調合し、混合物2を得た。
混合物1と混合物2とを、重量比70:30の割合で混合し、これに有機ビヒクルを混合して金属含有組成物を作製した。
2.ガラス材料含有組成物の作製
まず、ガラス粉末(粒子径約2μm)と有機ビヒクルを混合してガラス材料含有組成物を作製した。
3.セラミックス基板の作製
250μmの穴(ビアホール)をあけたグリーンシートを水素雰囲気中で200℃/h以下の速度で昇温し、1500℃で3時間加熱焼成しセラミックス基板を作製した。
4.ビアの形成
焼成して得たセラミックス基板のビアホールに金属含有組成物をスクリーン印刷し、ビアホールに充填した。
その後、窒素雰囲気中で200℃/h以下の速度で昇温し、900℃0.5時間の条件で加熱焼成し、ビアを形成した。
5.ガラス材料含有組成物層の形成
セラミックス基板の導体部を設ける領域に、ガラス材料含有組成物をスクリーン印刷し、ガラス材料含有組成物層を形成した。
6.ガラス層の形成
ガラス材料含有組成物層を形成したセラミックス基板を窒素雰囲気中で200℃/h以下の速度で昇温し、900℃0.5時間の条件で加熱焼成し、ガラス層を形成した。
7.金属含有組成物層の形成
形成したガラス層上に金属含有組成物をスクリーン印刷で塗布し、金属含有組成物層を形成した。
8.焼成
金属含有組成物層が形成されたセラミックス基板を窒素雰囲気中で200℃/h以下の速度で昇温し、900℃0.5時間の条件で加熱焼成し、導体部を形成した。これにより、回路基板を得た。
[2]回路基板の評価
回路基板の評価をビアと導体部の密着性(クラック、剥がれ)および形状保持性を光学顕微鏡で評価し、下地層形成用組成物、金属層形成用組成物の充填性を電子顕微鏡、電気的導通性を導通テスター、気密性をアルコールシミだし試験で評価した。結果すべての評価項目が良好であった。
以上の結果から、接着性、充填性、配線形状保持性、電気的導通性、気密性に優れた導体部と、この導体部を有する回路基板は非常に優れた信頼性を有する基板であることが判明した。
100、100’…電子デバイス 200…パッケージ 210…ベース基板 211…上面 212…ビアホール 220…ガラス層 220’…ガラス材料含有組成物層 230…電極 231…接続電極 231’…金属含有組成物層 232…外部実装電極 233…貫通電極 240…電極 241…接続電極 242…外部実装電極 243…貫通電極 250…リッド 270…メタライズ層 291、292…導電性接着剤 300…振動素子 310…圧電基板 320…励振電極 321…電極部 322…ボンディングパッド 323…配線 330…励振電極 331…電極部 332…ボンディングパッド 333…配線 1100…パーソナルコンピューター 1102…キーボード 1104…本体部 1106…表示ユニット 1200…携帯電話機 1202…操作ボタン 1204…受話口 1206…送話口 1300…ディジタルスチルカメラ 1302…ケース 1304…受光ユニット 1306…シャッタボタン 1308…メモリー 1312…ビデオ信号出力端子 1314…入出力端子 1430…テレビモニター 1440…パーソナルコンピューター 1500…自動車 1501…車体 1502…車体姿勢制御装置 1503…車輪 2000…表示部 S…内部空間(収納空間)

Claims (12)

  1. セラミックス基板と、ガラス材料と、金属を含む金属含有組成物とを準備する工程と、
    前記セラミックス基板上に、前記ガラス材料を含むガラス層を形成する工程と、
    前記ガラス層上に前記金属含有組成物を配置し、金属含有組成物層を形成する工程と、
    前記金属含有組成物層を焼成し、導体部を形成する工程と、
    を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
  2. 前記ガラス層を形成する工程は、
    前記ガラス材料を前記セラミックス基板上に配置し、ガラス材料含有組成物層を形成するステップと、
    前記ガラス材料含有組成物層を焼成するステップと、
    を含む請求項1に記載の回路基板の製造方法。
  3. 前記ガラス材料含有組成物層を焼成するステップでは、500℃以上1200℃以下の範囲内で焼成を行う請求項2に記載の回路基板の製造方法。
  4. 前記ガラス材料含有組成物中におけるガラス材料の含有量は、40体積%以上90体積%以下の範囲内である請求項2または3に記載の回路基板の製造方法。
  5. 前記導体部を形成する工程では、前記ガラス材料の融点よりも低い温度で前記金属含有組成物層を焼成する請求項1ないし4のいずれか1項に記載の回路基板の製造方法。
  6. 前記金属含有組成物は、第6族元素と前記ガラス材料とを含む請求項1ないし5のいずれか1項に記載の回路基板の製造方法。
  7. 前記金属含有組成物は、低融点の金属を含む請求項1ないし6のいずれか1項に記載の回路基板の製造方法。
  8. 請求項1ないし7のいずれか1項に記載の回路基板の製造方法により製造されたことを特徴とする回路基板。
  9. セラミックス基板、ガラス材料で構成されたガラス層、および金属を含む材料で構成されている導体部が順に積層している積層体を有し、
    前記ガラス層には、厚さが20μm以上30μm以下の範囲内の領域を含むことを特徴とする回路基板。
  10. 請求項8または9に記載の回路基板を備えていることを特徴とする電子デバイス。
  11. 請求項8または9に記載の回路基板を備えていることを特徴とする電子機器。
  12. 請求項8または9に記載の回路基板を備えていることを特徴とする移動体。
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