JP3089856B2 - 冷却用フィン - Google Patents
冷却用フィンInfo
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- JP3089856B2 JP3089856B2 JP04269448A JP26944892A JP3089856B2 JP 3089856 B2 JP3089856 B2 JP 3089856B2 JP 04269448 A JP04269448 A JP 04269448A JP 26944892 A JP26944892 A JP 26944892A JP 3089856 B2 JP3089856 B2 JP 3089856B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高熱伝導性及び絶縁性
を有する窒化アルミニウムと金属を、圧力を伴う回転に
よる摩擦とそれに引き続いて行うより高い圧力による押
え込みにより接合した冷却用フィンに関する。
を有する窒化アルミニウムと金属を、圧力を伴う回転に
よる摩擦とそれに引き続いて行うより高い圧力による押
え込みにより接合した冷却用フィンに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、軽量化、高速
化が進につれ、回路基板上の電子素子の実装密度が高く
なり、放熱を効率的に行うこと及び熱ストレスに対して
の高信頼性も高くなってきた。
化が進につれ、回路基板上の電子素子の実装密度が高く
なり、放熱を効率的に行うこと及び熱ストレスに対して
の高信頼性も高くなってきた。
【０００３】このために、このような電子素子を絶縁基
材に搭載し、該絶縁基材を金属製冷却フィンに装着する
ことにより電子素子より発生する熱を前記冷却フィンか
ら放熱させる手法が採用されている。この場合、ＡｌＮ
焼結体は、熱伝導率が高く熱放熱性に優れているために
絶縁基材が窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体から形成
され、金属部がアルミニウム（Ａｌ）より形成されてい
る冷却フィンが用いられることがある。
材に搭載し、該絶縁基材を金属製冷却フィンに装着する
ことにより電子素子より発生する熱を前記冷却フィンか
ら放熱させる手法が採用されている。この場合、ＡｌＮ
焼結体は、熱伝導率が高く熱放熱性に優れているために
絶縁基材が窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体から形成
され、金属部がアルミニウム（Ａｌ）より形成されてい
る冷却フィンが用いられることがある。
【０００４】この場合、従来、ＡｌＮ焼結体とＡｌとの
接合方法は以下のような手法が用いられている。
接合方法は以下のような手法が用いられている。
【０００５】 ＡｌＮとＡｌをロウ材を介して接合さ
せる方法 ＡｌＮとＡｌにネジ穴を形成させ、該ネジ穴にスタ
ッドを蝶着して接合させる方法 ＡｌＮとＡｌの間に金属箔をはさんで圧接により接
合させる方法
せる方法 ＡｌＮとＡｌにネジ穴を形成させ、該ネジ穴にスタ
ッドを蝶着して接合させる方法 ＡｌＮとＡｌの間に金属箔をはさんで圧接により接
合させる方法
【０００６】しかしながら、ＡｌＮ焼結体とＡｌでは熱
膨張係数が大きく異なる（ＡｌＮ；４．５×１０-6／
Ｋ，Ａｌ；２３．６×１０-6／Ｋ）。そのためにＡｌＮ
焼結体とＡｌの熱膨張差による応力を緩和出来ない。従
って、ＡｌＮ焼結体とＡｌの接合による冷却フィンを加
熱、冷却のサイクルに課すると接合面が一部剥離してし
まうという問題があった。
膨張係数が大きく異なる（ＡｌＮ；４．５×１０-6／
Ｋ，Ａｌ；２３．６×１０-6／Ｋ）。そのためにＡｌＮ
焼結体とＡｌの熱膨張差による応力を緩和出来ない。従
って、ＡｌＮ焼結体とＡｌの接合による冷却フィンを加
熱、冷却のサイクルに課すると接合面が一部剥離してし
まうという問題があった。
【０００７】また、上記の方法では、ＡｌＮ焼結体とＡ
ｌを接合させるために、穴空け加工等の機械加工やＡｌ
Ｎ基板表面のメタライズ等の工程を経なければならず、
そのために接合に対するコストが高いものとなってしま
う。
ｌを接合させるために、穴空け加工等の機械加工やＡｌ
Ｎ基板表面のメタライズ等の工程を経なければならず、
そのために接合に対するコストが高いものとなってしま
う。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる問題
を解決するためになされたもので、ＡｌＮ焼結体と金属
を、圧力を伴う回転による摩擦とそれに引き続いて行う
より高い圧力による押え込みにより接合し、穴空け加工
等の機械加工やＡｌＮのメタライズ等の工程を行うこと
なく迅速に低コストで十分な接合力を有する冷却用フィ
ンを提供するものである。
を解決するためになされたもので、ＡｌＮ焼結体と金属
を、圧力を伴う回転による摩擦とそれに引き続いて行う
より高い圧力による押え込みにより接合し、穴空け加工
等の機械加工やＡｌＮのメタライズ等の工程を行うこと
なく迅速に低コストで十分な接合力を有する冷却用フィ
ンを提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を達成するた
めに、本発明は窒化アルミニウム基材と金属の接合複合
体からなる冷却用フィンにおいて、窒化アルミニウム基
材と金属が、圧力を伴う回転による摩擦とそれに引き続
いて行うより高い圧力による押え込みにより接合してい
る構成を採用したものである。
めに、本発明は窒化アルミニウム基材と金属の接合複合
体からなる冷却用フィンにおいて、窒化アルミニウム基
材と金属が、圧力を伴う回転による摩擦とそれに引き続
いて行うより高い圧力による押え込みにより接合してい
る構成を採用したものである。
【００１０】
【作用】本発明によれば、ＡｌＮ焼結体からなる絶縁基
材にＡｌ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏ，Ｓｉ，
Ｚｎ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｍｇ，Ｍｎのう
ち少なくとも１種以上の元素からなる金属を接触させた
後、前記ＡｌＮ焼結体と前記金属を圧力を加えながら回
転させる。両者は、摩擦による熱エネルギーにより加熱
される。この場合、前記金属の融点直下まで加熱させる
のが望ましく、Ｗ，Ｍｏ等のような高融点の金属は、よ
り長い回転時間あるいは／及びより高い圧力が必要であ
る。
材にＡｌ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏ，Ｓｉ，
Ｚｎ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｍｇ，Ｍｎのう
ち少なくとも１種以上の元素からなる金属を接触させた
後、前記ＡｌＮ焼結体と前記金属を圧力を加えながら回
転させる。両者は、摩擦による熱エネルギーにより加熱
される。この場合、前記金属の融点直下まで加熱させる
のが望ましく、Ｗ，Ｍｏ等のような高融点の金属は、よ
り長い回転時間あるいは／及びより高い圧力が必要であ
る。
【００１１】また、Ａｌ，Ａｕ等のような低融点の金属
はより短いあるいは／及びより低い圧力が適切である。
はより短いあるいは／及びより低い圧力が適切である。
【００１２】このように、回転時間及び圧力は、金属の
種類に依存するが、概ね各々、０．５〜６０秒、０．５
〜２TON が適切な範囲である。
種類に依存するが、概ね各々、０．５〜６０秒、０．５
〜２TON が適切な範囲である。
【００１３】このように、所定の圧力、一定時間の回転
による摩擦加熱による圧接が終了した後、金属が冷えな
いようにするため回転を急停止させ、更に高い圧力（ア
ップセット圧）を加え、そのまま一定時間保持させる。
この時、高融点直下まで加熱された金属の中でＡｌＮが
接触している面の部分が溶融された状態で図３に示すよ
うにＡｌＮの接触部の周囲に押し出される。
による摩擦加熱による圧接が終了した後、金属が冷えな
いようにするため回転を急停止させ、更に高い圧力（ア
ップセット圧）を加え、そのまま一定時間保持させる。
この時、高融点直下まで加熱された金属の中でＡｌＮが
接触している面の部分が溶融された状態で図３に示すよ
うにＡｌＮの接触部の周囲に押し出される。
【００１４】この後、両者を接合させた状態で徐冷する
ことにより図３に示した状態でＡｌＮと金属は冷却され
る。この時、金属の熱膨張係数は、ＡｌＮよりも高いた
め、冷却による寸法変化が大きく、ＡｌＮとの接触部を
周囲から押え込む状態（焼きばめ）が生じ、両者は強力
に接合する。この場合、焼きばめの効果は、両者の接合
部の形状及び両者の熱膨張係数の差異等によって異なる
ため、ＡｌＮと接合する金属の種類及び接合する部品形
状により適切な接合条件を設定することによって強力な
接合が得られる。
ことにより図３に示した状態でＡｌＮと金属は冷却され
る。この時、金属の熱膨張係数は、ＡｌＮよりも高いた
め、冷却による寸法変化が大きく、ＡｌＮとの接触部を
周囲から押え込む状態（焼きばめ）が生じ、両者は強力
に接合する。この場合、焼きばめの効果は、両者の接合
部の形状及び両者の熱膨張係数の差異等によって異なる
ため、ＡｌＮと接合する金属の種類及び接合する部品形
状により適切な接合条件を設定することによって強力な
接合が得られる。
【００１５】従来、焼きばめは、熱膨張係数の異なる２
種類の素材を、高温に加熱した時の状態と冷却後の状態
の寸法変化を計算した後、素材加工を行い、接合する工
程を経るが、素材の形状により寸法変化の予測及び接合
に最適な素材加工が困難であり、長時間及び高コストを
要する。
種類の素材を、高温に加熱した時の状態と冷却後の状態
の寸法変化を計算した後、素材加工を行い、接合する工
程を経るが、素材の形状により寸法変化の予測及び接合
に最適な素材加工が困難であり、長時間及び高コストを
要する。
【００１６】それに対し、本発明による接合は、同じ焼
きばめによる効果を利用した接合でありながら、複雑な
素材加工や詳細な設計を必要とせず、極めて短時間で接
合を可能とするものである。この接合によってＡｌＮが
相手金属内に押し込まれ、ＡｌＮの周囲から圧力が加わ
った状態とする。この意味で相手金属はＡｌＮより熱膨
張係数の大きなものを用いる。
きばめによる効果を利用した接合でありながら、複雑な
素材加工や詳細な設計を必要とせず、極めて短時間で接
合を可能とするものである。この接合によってＡｌＮが
相手金属内に押し込まれ、ＡｌＮの周囲から圧力が加わ
った状態とする。この意味で相手金属はＡｌＮより熱膨
張係数の大きなものを用いる。
【００１７】また、ＡｌＮ焼結体と前記金属は熱膨張係
数が著しく異なるため、これらの形状によっては接合し
た後の冷却中に両者の間で著しい熱ストレスが加わり、
クラックが生じたり破損する場合がある。このような場
合は、ＡｌＮ焼結体と前記金属の間に前記金属と異なる
金属層を設けることにより熱ストレスを緩和させること
が望ましい。該金属層は、ＡｌＮ焼結体とＡｌ，Ｃｕ，
Ｔｉ，Ｎｉ，Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ｚｎ，Ａｕ，Ａ
ｇ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｍｇ，Ｍｎのうち少なくとも１
種以上の元素からなる金属の中間の熱膨張係数を有する
金属であれば如何なるものでもよく、例えば、Ｗ−Ｃｕ
やＷ−Ｍｏ合金（両者とも例えば７×１０-6／Ｋ），Ａ
ｌ−Ｓｉ合金（例えば１４×１０-6／Ｋ）が適切であ
る。また、該金属層の厚み及び層数は問わない。
数が著しく異なるため、これらの形状によっては接合し
た後の冷却中に両者の間で著しい熱ストレスが加わり、
クラックが生じたり破損する場合がある。このような場
合は、ＡｌＮ焼結体と前記金属の間に前記金属と異なる
金属層を設けることにより熱ストレスを緩和させること
が望ましい。該金属層は、ＡｌＮ焼結体とＡｌ，Ｃｕ，
Ｔｉ，Ｎｉ，Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ｚｎ，Ａｕ，Ａ
ｇ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｍｇ，Ｍｎのうち少なくとも１
種以上の元素からなる金属の中間の熱膨張係数を有する
金属であれば如何なるものでもよく、例えば、Ｗ−Ｃｕ
やＷ−Ｍｏ合金（両者とも例えば７×１０-6／Ｋ），Ａ
ｌ−Ｓｉ合金（例えば１４×１０-6／Ｋ）が適切であ
る。また、該金属層の厚み及び層数は問わない。
【００１８】また、このようにして形成された冷却用フ
ィンにおいて、必要に応じて、フィンを形成するＡｌＮ
の、金属と対向する面と逆の面に、メタライズ処理ある
いはメッキ処理を施すと、ＡｌＮ基板に半導体素子を直
接搭載することが可能になる。この為、半導体素子より
発生する熱が最短の伝熱経路を経てフィンより発生され
る為、冷却効果が著しい。メタライズ処理は、タングス
テンあるいはモリブデン等のような高融点金属による厚
膜法またはＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ等の薄膜法が適切であり、
メッキ処理はＮｉあるいはＡｕ／Ｎｉ等が適切である。
ィンにおいて、必要に応じて、フィンを形成するＡｌＮ
の、金属と対向する面と逆の面に、メタライズ処理ある
いはメッキ処理を施すと、ＡｌＮ基板に半導体素子を直
接搭載することが可能になる。この為、半導体素子より
発生する熱が最短の伝熱経路を経てフィンより発生され
る為、冷却効果が著しい。メタライズ処理は、タングス
テンあるいはモリブデン等のような高融点金属による厚
膜法またはＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ等の薄膜法が適切であり、
メッキ処理はＮｉあるいはＡｕ／Ｎｉ等が適切である。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。
説明する。
【００２０】実施例１ 図１において、熱伝導率が２００Ｗ／mKのＡｌＮ基材１
（φ４０mm，厚さ２mm）を接合用設備の１対のチャック
の片方に固定した。また、このチャックと対向する他方
のチャックに直径４０mm、厚さ３０mmのＡｌ２を固定し
た。次に室温下でＡｌ２に１TON の荷重を加えながら６
００rpm の速さで回転させてＡｌＮ１に押さえつけた。
８秒後回転を止めると共に更に荷重を２TON まで上昇さ
せて１０秒間Ａｌ２をＡｌＮ１に押さえつけた後荷重を
開放した。
（φ４０mm，厚さ２mm）を接合用設備の１対のチャック
の片方に固定した。また、このチャックと対向する他方
のチャックに直径４０mm、厚さ３０mmのＡｌ２を固定し
た。次に室温下でＡｌ２に１TON の荷重を加えながら６
００rpm の速さで回転させてＡｌＮ１に押さえつけた。
８秒後回転を止めると共に更に荷重を２TON まで上昇さ
せて１０秒間Ａｌ２をＡｌＮ１に押さえつけた後荷重を
開放した。
【００２１】接合した接合複合体をチャックより即取り
外し２００℃の砂浴に入れて徐冷した。その後、Ａｌ２
部を切断機により削り取り冷却フィンを作製した。
外し２００℃の砂浴に入れて徐冷した。その後、Ａｌ２
部を切断機により削り取り冷却フィンを作製した。
【００２２】このように作製したフィンのＡｌＮ基材１
とＡｌ２の接合程度を確かめるために、超音波探傷によ
り接合面積を調べた。その結果、φ４０mmの全面積にわ
たり十分に接合していることが分かった。
とＡｌ２の接合程度を確かめるために、超音波探傷によ
り接合面積を調べた。その結果、φ４０mmの全面積にわ
たり十分に接合していることが分かった。
【００２３】更に、このように作製したフィンの接合力
を測定するために、ＡｌＮ基板とＡｌを横から挟み、引
っ張り試験機でＡｌＮを引っ張り、ＡｌＮ基板とＡｌの
接合部が剥離する応力を測定した。その結果、接合強度
は７．５kg/mm2であった。この強度は、他の接合方法で
ＡｌＮとＡｌを接合した場合に比べ極めて高い。
を測定するために、ＡｌＮ基板とＡｌを横から挟み、引
っ張り試験機でＡｌＮを引っ張り、ＡｌＮ基板とＡｌの
接合部が剥離する応力を測定した。その結果、接合強度
は７．５kg/mm2であった。この強度は、他の接合方法で
ＡｌＮとＡｌを接合した場合に比べ極めて高い。
【００２４】実施例２ 図２において、直径６０mm、長さ０．６mmのＡｌＮ基材
１と直径９０mm、長さ３２mmのＴｉ２’を用いて、両者
の間に直径６０mm、厚さ１mmのＡｌ−Ｓｉ合金３を挟み
込み、室温下でＡｌＮ基材１に４TON の荷重を加えなが
ら８００rpm の速さで回転させて接合を行った。１０秒
後回転を止めると共に荷重を開放させ、この接合複合体
を砂浴に加えて徐冷した。その後、Ｔｉ部２’を加工し
て冷却用フィンを作製した。
１と直径９０mm、長さ３２mmのＴｉ２’を用いて、両者
の間に直径６０mm、厚さ１mmのＡｌ−Ｓｉ合金３を挟み
込み、室温下でＡｌＮ基材１に４TON の荷重を加えなが
ら８００rpm の速さで回転させて接合を行った。１０秒
後回転を止めると共に荷重を開放させ、この接合複合体
を砂浴に加えて徐冷した。その後、Ｔｉ部２’を加工し
て冷却用フィンを作製した。
【００２５】本実施例で作製した冷却用フィンの接合強
度を実施例１と同様の方法で測定したところ、６．３kg
/mm2であった。
度を実施例１と同様の方法で測定したところ、６．３kg
/mm2であった。
【００２６】また、この冷却用フィンを室温→１８０℃
→−５０℃→室温のヒートサイクルを２０００回繰り返
したがＡｌＮ基板とＡｌ−Ｓｉ合金及びＡｌ−Ｓｉ合金
とＴｉの界面で剥離は生じていなかった。
→−５０℃→室温のヒートサイクルを２０００回繰り返
したがＡｌＮ基板とＡｌ−Ｓｉ合金及びＡｌ−Ｓｉ合金
とＴｉの界面で剥離は生じていなかった。
【００２７】実施例３ 本実施例を図４を用いて説明する。直径２０mm，長さ３
mmのＡｌＮ基材１の片面の一部（１５×１５mm）にタン
グステンを含むペーストをスクリーン印刷により塗布し
た後、乾燥，脱脂，焼成を経て、Ｎｉメッキ，Ａｕメッ
キ３を施した。タングステン膜の厚さは約１０μｍ，Ｎ
ｉ，Ａｕメッキの厚さは各々約５μｍ，１μｍであっ
た。
mmのＡｌＮ基材１の片面の一部（１５×１５mm）にタン
グステンを含むペーストをスクリーン印刷により塗布し
た後、乾燥，脱脂，焼成を経て、Ｎｉメッキ，Ａｕメッ
キ３を施した。タングステン膜の厚さは約１０μｍ，Ｎ
ｉ，Ａｕメッキの厚さは各々約５μｍ，１μｍであっ
た。
【００２８】この後、実施例１，２と同様の処理により
直径２５mm，長さ１５mmのＡｌ２と接合を行い、Ａｌを
加工して冷却用フィンを作製した。ひきつづき、メタラ
イズとメッキを施した部位３に半導体素子４を搭載し
た。このフィンの冷却能力を評価する為に、熱抵抗を測
定したところ５Ｋ／Ｗであった。また、比較例として、
同一寸法のＡｌＮ基材に同じ形状に加工したＡｌを樹脂
により接着したフィンの熱抵抗を測定したところ１０Ｗ
／Ｋであった。
直径２５mm，長さ１５mmのＡｌ２と接合を行い、Ａｌを
加工して冷却用フィンを作製した。ひきつづき、メタラ
イズとメッキを施した部位３に半導体素子４を搭載し
た。このフィンの冷却能力を評価する為に、熱抵抗を測
定したところ５Ｋ／Ｗであった。また、比較例として、
同一寸法のＡｌＮ基材に同じ形状に加工したＡｌを樹脂
により接着したフィンの熱抵抗を測定したところ１０Ｗ
／Ｋであった。
【００２９】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明によれば冷却
用フィンにおいて、良好な冷却性能を有し、繰り返し熱
履歴が加わってもＡｌＮ基材と金属の接合面での剥離を
生じない優れたＡｌＮ焼結体と金属の接合フィンを迅速
に低コストで提供するものである。
用フィンにおいて、良好な冷却性能を有し、繰り返し熱
履歴が加わってもＡｌＮ基材と金属の接合面での剥離を
生じない優れたＡｌＮ焼結体と金属の接合フィンを迅速
に低コストで提供するものである。
【図１】本発明によるＡｌＮ基材と金属の接合フィンの
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明によるＡｌＮ基材と金属の接合フィンの
断面図である。
断面図である。
【図３】金属とＡｌを接合した後の接合部の状態の断面
概念図である。図中矢印は焼きばめにより金属がＡｌＮ
を押し込む状態を示す。
概念図である。図中矢印は焼きばめにより金属がＡｌＮ
を押し込む状態を示す。
【図４】半導体素子をＡｌＮ／Ａｌフィンに搭載した様
子を示す。
子を示す。
１ ＡｌＮ基材 ２ Ａｌ ２’ Ｔｉ ３ 金属層 ４ 半導体素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/373
Claims (7)
- 【請求項１】 窒化アルミニウム基材と金属の接合複合
体からなる冷却用フィンにおいて、窒化アルミニウム基
材と金属が、圧力を伴う回転による摩擦とそれに引き続
いて行うより高い圧力による押え込みにより接合してい
ることを特徴とする冷却用フィン。 - 【請求項２】 前記接合が、焼きばめにより成り立って
いることを特徴とする請求項１記載の冷却用フィン。 - 【請求項３】 前記金属が、前記窒化アルミニウムより
大きな熱膨張係数を有することを特徴とする請求項１、
２記載の冷却用フィン。 - 【請求項４】 前記金属の主成分が、Ａｌ，Ｃｕ，Ｔ
ｉ，Ｎｉ，Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ｚｎ，Ａｕ，Ａｇ，
Ｃｏ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｍｇ，Ｍｎのうち、少なくとも１種
類以上の元素より構成されていることを特徴とする請求
項１記載の冷却用フィン。 - 【請求項５】 前記接合が前記窒化アルミニウム基材と
前記金属を直接接合するかまたは前記窒化アルミニウム
基材と前記金属の間に、熱膨張係数が窒化アルミニウム
と前記金属の中間である前記金属と異なる金属層を設け
て接合することからなることを特徴とする請求項１、２
記載の冷却用フィン。 - 【請求項６】 前記冷却用フィンにおいて、必要に応じ
て前記窒化アルミニウムの、金属と接合している面と対
向する面あるいは側面にメタライズあるいはメッキが施
されており、半導体素子が直接接合し得ることを特徴と
する請求項１，２記載の冷却用フィン。 - 【請求項７】 前記冷却用フィンにおいて、前記窒化ア
ルミニウムのメタライズあるいはメッキされている面に
更にロー付けにより金属枠が接合していることを特徴と
する請求項１，２，６記載の冷却用フィン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04269448A JP3089856B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 冷却用フィン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04269448A JP3089856B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 冷却用フィン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697333A JPH0697333A (ja) | 1994-04-08 |
| JP3089856B2 true JP3089856B2 (ja) | 2000-09-18 |
Family
ID=17472575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04269448A Expired - Fee Related JP3089856B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 冷却用フィン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3089856B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4723661B2 (ja) * | 2009-06-11 | 2011-07-13 | ファナック株式会社 | 受熱面平行フィン型扁平状放熱構造体 |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP04269448A patent/JP3089856B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0697333A (ja) | 1994-04-08 |
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