JPS63270459A - スパツタ用タ−ゲツトのボンデイング方法 - Google Patents

スパツタ用タ−ゲツトのボンデイング方法

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JPS63270459A
JPS63270459A JP10221287A JP10221287A JPS63270459A JP S63270459 A JPS63270459 A JP S63270459A JP 10221287 A JP10221287 A JP 10221287A JP 10221287 A JP10221287 A JP 10221287A JP S63270459 A JPS63270459 A JP S63270459A
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JP
Japan
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target
ceramic
backing plate
metal
metallic film
Prior art date
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Pending
Application number
JP10221287A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Inoue
和夫 井上
Tetsuya Akiyama
哲也 秋山
Masami Uchida
内田　正美
Takeo Ota
太田　威夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP10221287A priority Critical patent/JPS63270459A/ja
Publication of JPS63270459A publication Critical patent/JPS63270459A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はセラミック系のスパッタ用ターゲットに関する
ものである。
従来の技術 従来、セラミック系のスパッタ用りＪゲットはスパッタ
時に高電力を印加しない場合は樹脂系の接着剤を用いて
一般に銅製のバッキングプレートに接着される。しかし
、セラミック系材料は金属系材料に比べてスパッタレー
トが著しく低いので高電力を印加して高速に膜を形成さ
れる。この場合、セラミック系材料は金属系材料に比べ
て熱伝導率が低いので冷却を十分に行なう必要がある。
・そこで、セラミック系のターゲラ）ｔ−金属製のバッ
キングプレートに接着するのに融解した金属を介して両
者を重ね合わせ、しかる後に徐冷する方法が採られてい
た。この場合に用いられる金属材料としては例えばＩｎ
あるいはＩｎＳｒ等の低融点材料の一元金属あるいは合
金がある。
また、セラミック系ターゲットと融解した金属との塗れ
性が悪いため、従来は、セラミック系ターゲットのバッ
キングプレートとの接合面をスパッタする等の前処理を
施していた。
発明が解決しようとする問題点 従来の金属を用いたセラミック系ターゲットと金属製バ
ッキングプレートとの接着方法では、接着金属部内に気
泡あるいは空洞等の欠陥が生じやすい。また、セラミッ
ク系ターゲットは金属との接着性が悪い。この結果、セ
ラミック系ターゲットト金属製バッキングプレートとの
間での熱伝導が悪くなり、ターゲットの冷却が十分に行
なえないので、ターゲットの温度が上がり過ぎて熱膨張
によって割れることを防ぐために印加電力をあまり高く
できず、従って薄膜形成速度を速くできなかった。
本発明はかかる問題点を鑑みて、接着性がよく冷却効率
が増す接着方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段 本発明は、セラミック系のスパッタ用ターゲットの片面
に金属膜をスパッタ法により形成し、このターゲットの
金属膜形成面と金属製のバッキングプレートとを重ね合
わせた後、真空中で加圧および加熱して密着するもので
ある。
作　　用 セラミック系のターゲットにスパッタ法によって金属膜
を先ず形成する。スパッタされた金属原子はターゲット
内まで入り込むためセラミック系のターゲットと金属膜
との接着強度は強い。さらにターゲットの金属膜形成面
と金属製のバッキングプレートと全真空中で加圧および
加熱すると金属膜と金属製のバッキングプレート間はも
とよりセラミック系のターゲットと金属膜間においても
それぞれの形成材料の結晶が互いに入り組んで成長する
ので接着強酸は非常に強い。また、ターゲット表面及び
バッキングプレートの表面の平滑性が十分であれば、接
着面での欠陥は非常に少なくなる。この結果、接着部分
での熱伝導が良くなるために冷却効率が向上し、より高
い電力をターゲットに印加可能となるため、本ボンディ
ング法全用いたターゲツト１自いれば、より高速の８ｍ
形成が可能となる。
実施例 第１図は本発明のボンディング方法を示した第１の実施
例である。１はセラミック系ターゲットであり、例えば
焼成やホットプレスや溶解等の方法で作成する。まず（
ａ）に示すようにセラミック系ターゲット１にエアフラ
ッシュ２を行なって表面に付層している異物等を取シ除
く。次に（ト）に示すように金属薄膜３をスパッタ法に
よってセラミック系ターゲット１０片面に均一に形成す
る。ここでスパッタ法によって金属薄膜３を形成する理
由は放電で生じた高速粒子が金Ｈ４薄膜３の原子を叩い
てセラミック系ターゲット１中に叩き込むとともに逆ス
パツタ効果によジセラミック系ターゲット１が叩かれ、
セラミック系ターゲット１と金属薄膜３との間に界面混
合層ができるために付層力が強いためである。金属薄膜
３の材料としては、熱伝導率の高い銅や銀が望ましい。
また、厚さは１０００Ａから１０μｍである。次に（ｃ
）に示すように前記のセラミック系ターゲット１をバッ
キングプレートと脱脂処理されかつ、鏡面仕上されてい
る面で重なるように置く。さらに、（ロ）に示すように
真空中で加圧棒６を介してセラミック系ターゲット４と
バッキングプレートとを加圧する。また、同時にヒータ
６を用いて加熱する。加圧力は１Ｋｐ／−〜１０　＆　
／ｌｒｉ　、温度は５００”Ｃ〜１ｏＯｏ″Ｃが好まし
い。本実施例に示すごとく真空中で加圧加熱を行なうと
金鵡博膜３と金ｆ４ｎのバッキングプレート４との間の
みならずセラミック系ターゲット１と金属薄膜３との間
でも各材料の結晶が入り混ざって成長し、強固に接合さ
れる。この結果、セラミック系ターゲット１から金属製
のバッキングプレート４へのＷｐ！云導率が良くなシ冷
却効率が向上するために、ターゲット１に高電力全印加
可能となシ、セラミックの薄膜形成速度を上げることが
できる。本発明ではセラミック系ターゲット１と金属製
のバッキングプレート４との中間層に当たる金属薄膜３
は従来のような低融点材料金用いる必要は全くない。
第２図は本発明のボンディング方法を示した第２の実施
例である。本実施例では第１の実施例と比べると、金属
薄膜３をセラミック系ターゲット１に形成する前に、タ
ーゲツト１自体金スパッタしている点が異なる。この場
合、エアフラッシュでは取り除けない異物も取り除くこ
とができる。
加圧棒５とセラミックターゲット１との間では接着しな
いように加圧棒６の面を粗くする必要がある。また加圧
棒５とバンキングプレート４との間には、加圧棒６の面
を粗くするほかに界面活性剤等を塗る処理を施す必要が
ある。
発明の効果 セラミック系ターゲットと金属製のバッキングプレート
とのボンディング方法を本発明のごとく実施すれば、タ
ーゲットとバッキングプレートとの間の付着力が増し、
かつ、熱伝導率が良くなって冷却効率が向上するため、
高電力の印加が可能となり、セラミックの薄膜の高速形
成が実現でき、生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は本発明のスパッタ用ターゲットの
ボンディング方法の実施例を示′す模式図である。 １・・・・・・セラミック系ターゲット、２・・・エア
フラッシュ、３・・・・・・金属薄膜、４・・・・・−
バッキングプレート、５・・・・・・加圧棒、６・・・
・・・ヒータ。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 （ｂ）　　　　　　　　　　　　　　　　　　’せラミ
・ンク呆ターケレト３郊薄蔑

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. セラミック系のスパッタ用ターゲットの片面に金属膜を
    スパッタ法により形成し、このターゲットの金属膜形成
    面と金属製のバッキングプレートとを重ね合わせた後、
    真空中で加圧および加熱して密着することを特徴とする
    スパッタ用ターゲットのボンディング方法。
JP10221287A 1987-04-24 1987-04-24 スパツタ用タ−ゲツトのボンデイング方法 Pending JPS63270459A (ja)

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