JPS60181269A - スパツタ−タ−ゲツト - Google Patents
スパツタ−タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS60181269A JPS60181269A JP3641184A JP3641184A JPS60181269A JP S60181269 A JPS60181269 A JP S60181269A JP 3641184 A JP3641184 A JP 3641184A JP 3641184 A JP3641184 A JP 3641184A JP S60181269 A JPS60181269 A JP S60181269A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- ceramic
- sputtering
- cathode
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
金属以外の酸化物、窒化物、ケイ化物、炭化物および硫
化物等の薄膜は、半導体、電子デバイス等の分野によく
用いられる。それら薄膜は上記化合物のセラミックター
ゲットを用い、ＲＦスパッ襲 ター法により作成できる。本発明は、スパッター法で薄
膜を作製するのに用いられるセラミックターゲットに関
するものである。
化物等の薄膜は、半導体、電子デバイス等の分野によく
用いられる。それら薄膜は上記化合物のセラミックター
ゲットを用い、ＲＦスパッ襲 ター法により作成できる。本発明は、スパッター法で薄
膜を作製するのに用いられるセラミックターゲットに関
するものである。
従来例の構成とその問題点
セラミックスバッターターゲットは、熱伝導率が金属に
比較して低く、かつもろいため、熱ショックに弱い。従
って、スパッターターゲットとして用いる時には、直接
セラミック板とカソード電極をＩｎ系の低融ハンダで接
合して電極への熱伝導を良くしている。またはより良い
方法として、ターゲツト板の片面にあらかじめＣｕかＮ
ｉをスパッター法あるいは蒸着法で付着せしめた後、こ
の面とカソード電極を前記低融点Ｉｎ 系ハンダで接合
する。しかしながら、前者の方法においてはセラミック
とＩｎ系ハンダの界面の接着強度が非常に弱く、スパッ
ターガスプラズマの熱ショックによシ破損し易く、また
後者の方法においてもセラミックとコートされたＣｕあ
るいはＮｉ界面が強固でなく１熱シヨツクでクラックが
入った時、この界面ではがれ易い。その結果カソード電
極への熱伝導がより悪くなり、さらに大きな破損に至る
欠点を有する。
比較して低く、かつもろいため、熱ショックに弱い。従
って、スパッターターゲットとして用いる時には、直接
セラミック板とカソード電極をＩｎ系の低融ハンダで接
合して電極への熱伝導を良くしている。またはより良い
方法として、ターゲツト板の片面にあらかじめＣｕかＮ
ｉをスパッター法あるいは蒸着法で付着せしめた後、こ
の面とカソード電極を前記低融点Ｉｎ 系ハンダで接合
する。しかしながら、前者の方法においてはセラミック
とＩｎ系ハンダの界面の接着強度が非常に弱く、スパッ
ターガスプラズマの熱ショックによシ破損し易く、また
後者の方法においてもセラミックとコートされたＣｕあ
るいはＮｉ界面が強固でなく１熱シヨツクでクラックが
入った時、この界面ではがれ易い。その結果カソード電
極への熱伝導がより悪くなり、さらに大きな破損に至る
欠点を有する。
また、一般に、 ＣｕやＮｉをスノ（ツタ−法や蒸着法
で付着させることは、装置の関係」二、特に大型のター
ゲットの場合困難であるし、時間もかかるという欠点を
有する。
で付着させることは、装置の関係」二、特に大型のター
ゲットの場合困難であるし、時間もかかるという欠点を
有する。
発明の目的
本発明はスパッタ法による薄膜形成において。
スパッターガスプラズマによる〃〜ンヨツクで破損しに
ぐいセラミックターゲットを提供することを目的とする
。
ぐいセラミックターゲットを提供することを目的とする
。
発明の構成
本発明は基本的にセラミックターゲツト板の片面に、な
んら金属をコートしない構造、あるいは、ＣｕやＮｉを
スパッター法や蒸着法でコートしだ構造の従来のターゲ
ットと異なり、プラズマ溶射法にて、金属粉を半溶融状
態に加熱してプラズマガスと共にふきつけて凝集固着せ
しめた構造を持つことを特徴とするスパッター用ターゲ
ットである。
んら金属をコートしない構造、あるいは、ＣｕやＮｉを
スパッター法や蒸着法でコートしだ構造の従来のターゲ
ットと異なり、プラズマ溶射法にて、金属粉を半溶融状
態に加熱してプラズマガスと共にふきつけて凝集固着せ
しめた構造を持つことを特徴とするスパッター用ターゲ
ットである。
かかるターゲットは溶射金属粉が非常に強固にセラミッ
ク表面に固着しているため界面の機械的強度が高く、ス
パッターガスプラズマによる熱ショックで破損しにくい
。溶射する金属としては、割合酸化されにくく、かつ熱
伝導率の高いＣｕやＮｉが好捷しいが、特定すべきもの
でなく、多くの金属材料が使用できる。またＣｕやＮｉ
等を付ける前に、下地として、ニッケルクロム合金ある
いはニッケルアルミ合金を付着させるとセラミックと金
属界面が一層強固になり、熱ショックによる破損が一段
と改善される。一般に、Ｃｕ＋Ｎｉをセラミック基体に
付着させる場合、スパッター法や蒸着法に比し、溶射法
は操作が簡単で、いかなる大きさおよびいかなる形状の
ターゲットでも容易に対応でき、かつまた短時間で終了
する長所を持つ。
ク表面に固着しているため界面の機械的強度が高く、ス
パッターガスプラズマによる熱ショックで破損しにくい
。溶射する金属としては、割合酸化されにくく、かつ熱
伝導率の高いＣｕやＮｉが好捷しいが、特定すべきもの
でなく、多くの金属材料が使用できる。またＣｕやＮｉ
等を付ける前に、下地として、ニッケルクロム合金ある
いはニッケルアルミ合金を付着させるとセラミックと金
属界面が一層強固になり、熱ショックによる破損が一段
と改善される。一般に、Ｃｕ＋Ｎｉをセラミック基体に
付着させる場合、スパッター法や蒸着法に比し、溶射法
は操作が簡単で、いかなる大きさおよびいかなる形状の
ターゲットでも容易に対応でき、かつまた短時間で終了
する長所を持つ。
実施例の説明
半導体デバイスにおいて誘電体または絶縁体薄膜として
よく用いられる酸化タンタル（Ｔａ２０５ ）膜と、電
子ディスプレイデバイス（たとえば薄膜電場発光素子）
に高誘電率誘電体薄膜として使用されるチタン酸ストロ
ンチウム（５ｒＴｉ０３ ）膜を形成する目的で、各々
のセラミックターゲットを作製した。Ｔａ２０５セラミ
ックは、粉末に、バインダーとしてポリビニールアルコ
ル（ＰＶＡ ）を添加し、造粒の後、１３（ｉｎ直径、
７馴厚の円板に５００ｋｇ ／ ｏＪの圧力をかけてプ
レス成形し、ついで、空気雰囲気の電気炉中で１３５０
℃で２時間焼結した。できたセラミックを機械的に加工
研磨し、最終１０ｃｍ直径、５ｍｍ厚の円板とした。こ
のセラミック円板を２４枚作製した。同様にＳｒ Ｔｉ
Ｏ３セラミックは３ｒＣＯ３とＴｉＯ２粉末を１＝１
モル比でよく混合し、軽くプレス成形した後、１２００
’Ｃで５時間仮焼した。さらに、粉砕しＰＶＡを加えて
ＴＩＬ２０５の場合と同様にプレス成形し、１４００℃
で２時間焼結して、セラミック板を作製した。そして、
Ｔａ２０５セラミックと同様の寸法に加工研磨し、２
４枚のセラミック板を作製した。Ｔａ２Ｏ５および５ｒ
ＴｉＯ３セラミックとも各々３枚づつの８グループに分
けた。
よく用いられる酸化タンタル（Ｔａ２０５ ）膜と、電
子ディスプレイデバイス（たとえば薄膜電場発光素子）
に高誘電率誘電体薄膜として使用されるチタン酸ストロ
ンチウム（５ｒＴｉ０３ ）膜を形成する目的で、各々
のセラミックターゲットを作製した。Ｔａ２０５セラミ
ックは、粉末に、バインダーとしてポリビニールアルコ
ル（ＰＶＡ ）を添加し、造粒の後、１３（ｉｎ直径、
７馴厚の円板に５００ｋｇ ／ ｏＪの圧力をかけてプ
レス成形し、ついで、空気雰囲気の電気炉中で１３５０
℃で２時間焼結した。できたセラミックを機械的に加工
研磨し、最終１０ｃｍ直径、５ｍｍ厚の円板とした。こ
のセラミック円板を２４枚作製した。同様にＳｒ Ｔｉ
Ｏ３セラミックは３ｒＣＯ３とＴｉＯ２粉末を１＝１
モル比でよく混合し、軽くプレス成形した後、１２００
’Ｃで５時間仮焼した。さらに、粉砕しＰＶＡを加えて
ＴＩＬ２０５の場合と同様にプレス成形し、１４００℃
で２時間焼結して、セラミック板を作製した。そして、
Ｔａ２０５セラミックと同様の寸法に加工研磨し、２
４枚のセラミック板を作製した。Ｔａ２Ｏ５および５ｒ
ＴｉＯ３セラミックとも各々３枚づつの８グループに分
けた。
すなわち％Ｔａ２０５および５ｒＴｉ０５ とも、３枚
づ ′つなんら金属をコートレないもの、Ｇｕをスパッ
ター法で付けたもの、Ｎ１をスパッター法でつけたもの
、Ｏｕを溶射法でつけたもの、Ｎｉを溶射法でつけたも
の、ニッケル８０％クロム２０係合金を溶射法でつけ、
さらにＣｕあるいはＮｉを溶射法で付けだもの、および
ニッケル９５係アルミ５チ合金を溶射法でつけ、さらに
Ｃｕを溶射法でつけたものを作製した。溶射はアルゴン
ガスをプラズマガスとしてプラズマ溶射装置を用いて行
った。ＣｕとＮ１のスパッタリングの膜厚は１０μｍ、
溶射膜はすべてほぼ２００Ｊ１ｍにした。
づ ′つなんら金属をコートレないもの、Ｇｕをスパッ
ター法で付けたもの、Ｎ１をスパッター法でつけたもの
、Ｏｕを溶射法でつけたもの、Ｎｉを溶射法でつけたも
の、ニッケル８０％クロム２０係合金を溶射法でつけ、
さらにＣｕあるいはＮｉを溶射法で付けだもの、および
ニッケル９５係アルミ５チ合金を溶射法でつけ、さらに
Ｃｕを溶射法でつけたものを作製した。溶射はアルゴン
ガスをプラズマガスとしてプラズマ溶射装置を用いて行
った。ＣｕとＮ１のスパッタリングの膜厚は１０μｍ、
溶射膜はすべてほぼ２００Ｊ１ｍにした。
以上のようにして作製したセラミックターゲット枚をす
べて真ちゅう製のターゲットホルダー円板（カソードの
一部となる）ｔｃｌ ００℃の低融点Ｉｎハンダではり
つけた。それをマグネトロンＲＦスパッター装置に装填
し、１０％の酸素を含むＡｒ混合ガスをスパッターガス
にし、 ５Ｘ１０ ｔｏｒｒの圧力でスパッタリングを
した。各ターゲットととにスパッターパワーを１００Ｗ
から開始し、さらに１００Ｗづつ増して％２００Ｗ、３
００Ｗと」−げていき、各パワーで３ｏ分づつ保持した
。そして、どのパワーでクラックが生じたかを観察した
。それらの結果を下表にまとめて記した。△印はクラッ
クが発生したパワーの位置に記されている。各種ターゲ
ットが各々３ケづつあるので３ケの△印が記載されてい
る。同様にＸ印をクラックが生じた後にさらにセラミッ
ク基体とＮｉ あるいはＣｕ との界面で剥離したパワ
ーの位置に記した。
べて真ちゅう製のターゲットホルダー円板（カソードの
一部となる）ｔｃｌ ００℃の低融点Ｉｎハンダではり
つけた。それをマグネトロンＲＦスパッター装置に装填
し、１０％の酸素を含むＡｒ混合ガスをスパッターガス
にし、 ５Ｘ１０ ｔｏｒｒの圧力でスパッタリングを
した。各ターゲットととにスパッターパワーを１００Ｗ
から開始し、さらに１００Ｗづつ増して％２００Ｗ、３
００Ｗと」−げていき、各パワーで３ｏ分づつ保持した
。そして、どのパワーでクラックが生じたかを観察した
。それらの結果を下表にまとめて記した。△印はクラッ
クが発生したパワーの位置に記されている。各種ターゲ
ットが各々３ケづつあるので３ケの△印が記載されてい
る。同様にＸ印をクラックが生じた後にさらにセラミッ
ク基体とＮｉ あるいはＣｕ との界面で剥離したパワ
ーの位置に記した。
下表の結果からなんら金属をコートしないで、■ｎ系ハ
ンダのみでホルダーに固着したものは１００〜２００Ｗ
でクラックが入り、 ３ｏｏｗ程度捷でで容易にはがれ
てしまう。しかし、 ＣｕやＮｉをコートすると、クラ
ックの生じるパワーは犬きくなり、特にプラズマ溶射法
で付着させたものはクラックが入ったとしても剥離に至
る率がスパッター法で付着したものに比較して、格段と
少なくなる。溶射法の場合、下地にニッケルクロ・ムあ
るやＮ１は熱伝導性や耐酸化性に優れているために、タ
ーゲットのコート用材料としてよく用いられるが、他に
９０％Ｃｕ １０ ％ Ａｌのアルミニウムブロンズや
３０ ％ Ｃｕ ７０％Ｎｉのモネルおよび真ちゅう等
の銅合金についても検討したが、下表の結果と同様にス
パッター法で形成した上記合金よりも溶射したものの方
が耐クラツク特性は優れていた。
ンダのみでホルダーに固着したものは１００〜２００Ｗ
でクラックが入り、 ３ｏｏｗ程度捷でで容易にはがれ
てしまう。しかし、 ＣｕやＮｉをコートすると、クラ
ックの生じるパワーは犬きくなり、特にプラズマ溶射法
で付着させたものはクラックが入ったとしても剥離に至
る率がスパッター法で付着したものに比較して、格段と
少なくなる。溶射法の場合、下地にニッケルクロ・ムあ
るやＮ１は熱伝導性や耐酸化性に優れているために、タ
ーゲットのコート用材料としてよく用いられるが、他に
９０％Ｃｕ １０ ％ Ａｌのアルミニウムブロンズや
３０ ％ Ｃｕ ７０％Ｎｉのモネルおよび真ちゅう等
の銅合金についても検討したが、下表の結果と同様にス
パッター法で形成した上記合金よりも溶射したものの方
が耐クラツク特性は優れていた。
ｔｉ耐酸化性に優れたステンレススチールヤＭＯも確か
めたが、結局コートされる金属が薄いので。
めたが、結局コートされる金属が薄いので。
熱伝導よりむしろセラミック基体との固着性の方がより
大事であり、溶射膜の固着性の良さを反映して、これら
合金および金属も応用可能であることを確認した。
大事であり、溶射膜の固着性の良さを反映して、これら
合金および金属も応用可能であることを確認した。
０
１１ 。
発明の効果
本発明により、スパッタープラズマの熱ショックに対し
、非常に強いターゲットを提供し得るので、高いスパッ
ターパワーすなわち高いデポジションレートで薄膜を得
ることができる。このことは薄膜生産上の工業的メリッ
ト、すなわち短時間で低コストで製造し得ることを意味
する。また、ターゲットが安定で破損しにくいことは、
ターゲット作成上のコスト低減につながり、経済的であ
る。
、非常に強いターゲットを提供し得るので、高いスパッ
ターパワーすなわち高いデポジションレートで薄膜を得
ることができる。このことは薄膜生産上の工業的メリッ
ト、すなわち短時間で低コストで製造し得ることを意味
する。また、ターゲットが安定で破損しにくいことは、
ターゲット作成上のコスト低減につながり、経済的であ
る。
Claims (1)
- （１） プラズマ溶射法によシ、セラミック基体の片面
に金属を付着せしめたことを特徴とするスパッターター
ゲット。 セリ≠尭ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
スパッターターゲット。 ＠）金属がニッケルクロム合金あるいはニッケルアルミ
ニウム合金上に銅、銅合金、ニッケルから選ばれた一種
を積層したものであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のスパンターターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3641184A JPS60181269A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | スパツタ−タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3641184A JPS60181269A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | スパツタ−タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60181269A true JPS60181269A (ja) | 1985-09-14 |
Family
ID=12469080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3641184A Pending JPS60181269A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | スパツタ−タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60181269A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63270459A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタ用タ−ゲツトのボンデイング方法 |
| JPH0255102A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Maeda Seikan Kk | 複雑な表面形状を有するコンクリート造形物の製造方法 |
| JPH0255103A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Maeda Seikan Kk | 複雑な表面形状を有するコンクリート造形物の製造方法 |
| US4971866A (en) * | 1989-01-25 | 1990-11-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Vacuum switch contact materials and the manufacturing methods |
| US5049717A (en) * | 1989-11-13 | 1991-09-17 | Okabe Co., Ltd. | Arc stud welding machine |
| US5135154A (en) * | 1989-11-13 | 1992-08-04 | Okabe Co., Ltd. | Reusable stud welding ferrule containing boron nitride |
| WO2002061167A3 (en) * | 2000-10-27 | 2003-07-24 | Honeywell Int Inc | Target/backing plate assemblies |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5633476A (en) * | 1979-08-21 | 1981-04-03 | Siemens Ag | Fixing of target material |
-
1984
- 1984-02-27 JP JP3641184A patent/JPS60181269A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5633476A (en) * | 1979-08-21 | 1981-04-03 | Siemens Ag | Fixing of target material |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63270459A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタ用タ−ゲツトのボンデイング方法 |
| JPH0255102A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Maeda Seikan Kk | 複雑な表面形状を有するコンクリート造形物の製造方法 |
| JPH0255103A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Maeda Seikan Kk | 複雑な表面形状を有するコンクリート造形物の製造方法 |
| JPH0466161B2 (ja) * | 1988-08-19 | 1992-10-22 | Maeda Seikan Kk | |
| US4971866A (en) * | 1989-01-25 | 1990-11-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Vacuum switch contact materials and the manufacturing methods |
| US5049717A (en) * | 1989-11-13 | 1991-09-17 | Okabe Co., Ltd. | Arc stud welding machine |
| US5135154A (en) * | 1989-11-13 | 1992-08-04 | Okabe Co., Ltd. | Reusable stud welding ferrule containing boron nitride |
| WO2002061167A3 (en) * | 2000-10-27 | 2003-07-24 | Honeywell Int Inc | Target/backing plate assemblies |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105777210B (zh) | 一种氮化铝陶瓷覆铜板及其制备方法 | |
| CN106892685B (zh) | 一种陶瓷金属化薄膜及其制备方法 | |
| CN108715992A (zh) | 一种集成电路陶瓷电路板表面铜-石墨烯复合涂层及其制备方法 | |
| US5965278A (en) | Method of making cathode targets comprising silicon | |
| CN115381143B (zh) | 一种基于磁控溅射工艺的电子烟陶瓷发热片及其制备方法 | |
| JPS60181269A (ja) | スパツタ−タ−ゲツト | |
| CN102314978A (zh) | 高性能薄膜电阻及其制备方法 | |
| JPH06346232A (ja) | スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 | |
| JP2602000B2 (ja) | 被覆パターン形成用マスク | |
| US5387441A (en) | Metal-ceramic joint | |
| JPH0690083A (ja) | セラミックスｄｂｃ基板の製造方法 | |
| JPH1068072A (ja) | Ｉｔｏシリンドリカルターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH08109472A (ja) | スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 | |
| JPS58125679A (ja) | 熱処理台板用炭素質又は黒鉛質製品に対するセラミックのコ−ティング方法 | |
| JP2563809B2 (ja) | 半導体用窒化アルミニウム基板 | |
| CN215815611U (zh) | 一种适用于mems继电器的银基多层膜复合金属电触头 | |
| US6420826B1 (en) | Flat panel display using Ti-Cr-Al-O thin film | |
| JPH02267261A (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| CN209906867U (zh) | 一种陶瓷薄膜电路 | |
| JP2876758B2 (ja) | Ｐｔｃ素子の製造方法 | |
| JPH03269501A (ja) | 金属反射鏡およびその製造方法 | |
| JP3591829B2 (ja) | セラミックス−金属複合部材 | |
| JPH029457B2 (ja) | ||
| JP2896518B2 (ja) | 低融点スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| CN106637082A (zh) | 陶瓷金属化复合薄膜及其制备方法 |