JP2876758B2 - Ｐｔｃ素子の製造方法 - Google Patents
Ｐｔｃ素子の製造方法Info
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- JP2876758B2 JP2876758B2 JP24530590A JP24530590A JP2876758B2 JP 2876758 B2 JP2876758 B2 JP 2876758B2 JP 24530590 A JP24530590 A JP 24530590A JP 24530590 A JP24530590 A JP 24530590A JP 2876758 B2 JP2876758 B2 JP 2876758B2
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- Japan
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- ptc element
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- batio
- manufacturing
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はPTC素子の製造方法に関する。
［従来の技術］ 従来、PTC素子の製造方法としては、例えばBaTiO3粉
末にCe,La,Nb,Taなどの元素が添加された複合粉末をプ
レス機で加圧成形した後、焼成する方法や、真空蒸着法
により基板上に薄膜を形成する方法、あるいはBaTiO3系
半導体粉末に導電性の添加剤とガラスフリットを加えて
ペースト状として基板上にスクリーン印刷した後、焼成
する方法等がある。
末にCe,La,Nb,Taなどの元素が添加された複合粉末をプ
レス機で加圧成形した後、焼成する方法や、真空蒸着法
により基板上に薄膜を形成する方法、あるいはBaTiO3系
半導体粉末に導電性の添加剤とガラスフリットを加えて
ペースト状として基板上にスクリーン印刷した後、焼成
する方法等がある。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、プレス機を用いる方法においてはプレ
ス成形のために薄膜もしくは複雑な形状や大面積の形状
は得にくい。また、真空蒸着法を用いる方法において
は、真空チャンバー内で行なうために操作が難しく、薄
膜形成は可能であるが、大面積化は難しく、コストも高
くなってしまう。更にスクリーン印刷を用いる方法では
比抵抗が高くなりやすく、またガラスフリットを加える
ことによりBaTiO3系半導体とガラスフリットの耐熱性、
熱膨張係数の差から熱処理時などに生じる熱衝撃に弱い
という欠点があった。
ス成形のために薄膜もしくは複雑な形状や大面積の形状
は得にくい。また、真空蒸着法を用いる方法において
は、真空チャンバー内で行なうために操作が難しく、薄
膜形成は可能であるが、大面積化は難しく、コストも高
くなってしまう。更にスクリーン印刷を用いる方法では
比抵抗が高くなりやすく、またガラスフリットを加える
ことによりBaTiO3系半導体とガラスフリットの耐熱性、
熱膨張係数の差から熱処理時などに生じる熱衝撃に弱い
という欠点があった。
本発明は、上述した問題点を解決するためになされた
ものであり、薄型で大面積で複雑形状のPTC素子を安価
に、かつ安易に製造できるPTC素子の製造方法を提供す
ることを目的としている。
ものであり、薄型で大面積で複雑形状のPTC素子を安価
に、かつ安易に製造できるPTC素子の製造方法を提供す
ることを目的としている。
［課題を解決するための手段］ この目的を達成するために、本発明のPTC素子の製造
方法はBaTiO3粉末にCe,La,Nb,Taなどの元素が添加され
た複合粉末を母型上に溶射し、該母型上に皮膜を形成す
る工程と、前記溶射皮膜を前記母型より離脱させる工程
と、前記離脱させた溶射皮膜を熱処理する工程とからな
る。
方法はBaTiO3粉末にCe,La,Nb,Taなどの元素が添加され
た複合粉末を母型上に溶射し、該母型上に皮膜を形成す
る工程と、前記溶射皮膜を前記母型より離脱させる工程
と、前記離脱させた溶射皮膜を熱処理する工程とからな
る。
［実施例］ 以下、本発明を具体化した一実施例を図面を参照して
説明する。
説明する。
半導体化剤として、Laが0.2at％添加されたBaTiO3粉
末を1100℃で60分間焼成した後、粉砕することにより粒
径が５〜125μｍの粉末を作製する。この粉末を第１図
に示すようにZn合金母型２上に第４図に示す条件で0.1
〜1mmの膜厚でプラズマ溶射ガン１により溶射を行な
う。
末を1100℃で60分間焼成した後、粉砕することにより粒
径が５〜125μｍの粉末を作製する。この粉末を第１図
に示すようにZn合金母型２上に第４図に示す条件で0.1
〜1mmの膜厚でプラズマ溶射ガン１により溶射を行な
う。
次にZn合金母型２を溶融してBaTiO3皮膜３を離脱させ
る。この離脱させたBaTiO3皮膜３を空気中、300℃/hrの
速度で昇温し、1340℃の温度で0.5hr保持した後、300℃
/hrの速度で降温した。この熱処理により、BaTiO3皮膜
３は半導体化されてPTC素子４となる。
る。この離脱させたBaTiO3皮膜３を空気中、300℃/hrの
速度で昇温し、1340℃の温度で0.5hr保持した後、300℃
/hrの速度で降温した。この熱処理により、BaTiO3皮膜
３は半導体化されてPTC素子４となる。
このPTC素子４に第２図に示すようにスパッタリング
によりAl電極５を作製して、温度−比抵抗の関係を測定
した結果を第３図に示す。110℃ぐらいから比抵抗の上
昇がみられ、PTC特性を示していることが理解される。
によりAl電極５を作製して、温度−比抵抗の関係を測定
した結果を第３図に示す。110℃ぐらいから比抵抗の上
昇がみられ、PTC特性を示していることが理解される。
以上、詳述したことから明らかなように、本実施例の
PTC素子の製造方法によれば、薄型で大面積、もしくは
複雑な形状のPTC素子が安価に且つ容易に製造すること
ができる。
PTC素子の製造方法によれば、薄型で大面積、もしくは
複雑な形状のPTC素子が安価に且つ容易に製造すること
ができる。
尚、本実施例においては母型にZn合金を用いている
が、熱可塑性樹脂を用いても良いし、また、Al及びAl合
金を用いてアルカリ溶液により溶解するようにしても良
い。また母型を繰り返し使用したいときは、母型２に離
型剤、例えば、ベンガラを水ガラスで溶いたものを塗布
して、BaTiO3溶射皮膜を剥離させるか、表面研磨された
セラミックス母型を用いて、母型を高温予熱状態（300
℃以上）で溶射を行なってから剥離させても良い。表面
研磨された酸化物セラミックスを高温状態に保てば、溶
射を行なっているときはBaTiO3溶射皮膜は母型と良く接
合しているが、冷却されて常温状態になると熱膨張係数
の違いによって溶射皮膜と母型との間に応力が生じて剥
離し易くなり、簡単にBaTiO3皮膜を母型から離脱させる
ことが可能となる。
が、熱可塑性樹脂を用いても良いし、また、Al及びAl合
金を用いてアルカリ溶液により溶解するようにしても良
い。また母型を繰り返し使用したいときは、母型２に離
型剤、例えば、ベンガラを水ガラスで溶いたものを塗布
して、BaTiO3溶射皮膜を剥離させるか、表面研磨された
セラミックス母型を用いて、母型を高温予熱状態（300
℃以上）で溶射を行なってから剥離させても良い。表面
研磨された酸化物セラミックスを高温状態に保てば、溶
射を行なっているときはBaTiO3溶射皮膜は母型と良く接
合しているが、冷却されて常温状態になると熱膨張係数
の違いによって溶射皮膜と母型との間に応力が生じて剥
離し易くなり、簡単にBaTiO3皮膜を母型から離脱させる
ことが可能となる。
その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲の変更は可能
である。
である。
［発明の効果］ 以上、詳述したことから明らかなように、本発明によ
れば、溶射法を用いることにより所望する形状の母型に
Ce,La,Nb,TaなどのPTC特性を発現させる元素が添加され
たBaTiO3皮膜を形成することが可能となるために、薄型
で大面積、もしくは複雑な形状のPTC素子が安価に且つ
容易に製造することができる。
れば、溶射法を用いることにより所望する形状の母型に
Ce,La,Nb,TaなどのPTC特性を発現させる元素が添加され
たBaTiO3皮膜を形成することが可能となるために、薄型
で大面積、もしくは複雑な形状のPTC素子が安価に且つ
容易に製造することができる。
第１図から第４図までは本発明を具体化した実施例を示
すもので、第１図は母型へ溶射する様子を示す説明図、
第２図は本実施例のPTC素子の断面図、第３図は本実施
例におけるPTC素子の温度と比抵抗の関係を示すグラ
フ、第４図はプラズマ溶射の条件を示す表である。 図中、１はプラズマ溶射ガン、２は母型、３はBaTiO3皮
膜、４はPTC素子である。
すもので、第１図は母型へ溶射する様子を示す説明図、
第２図は本実施例のPTC素子の断面図、第３図は本実施
例におけるPTC素子の温度と比抵抗の関係を示すグラ
フ、第４図はプラズマ溶射の条件を示す表である。 図中、１はプラズマ溶射ガン、２は母型、３はBaTiO3皮
膜、４はPTC素子である。
Claims (1)
- 【請求項１】BaTiO3粉末にCe,La,Nb,Taなどの元素が添
加された複合粉末を母型上に溶射し、該母型上に皮膜を
形成する工程と、 前記溶射皮膜を前記母型より離脱させる工程と、 前記離脱させた溶射皮膜を熱処理する工程と からなることを特徴とするPTC素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24530590A JP2876758B2 (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | Ｐｔｃ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24530590A JP2876758B2 (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | Ｐｔｃ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04124801A JPH04124801A (ja) | 1992-04-24 |
| JP2876758B2 true JP2876758B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=17131701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24530590A Expired - Lifetime JP2876758B2 (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | Ｐｔｃ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2876758B2 (ja) |
-
1990
- 1990-09-14 JP JP24530590A patent/JP2876758B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04124801A (ja) | 1992-04-24 |
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