JPH04124801A - Ｐｔｃ素子の製造方法 - Google Patents
Ｐｔｃ素子の製造方法Info
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- JPH04124801A JPH04124801A JP24530590A JP24530590A JPH04124801A JP H04124801 A JPH04124801 A JP H04124801A JP 24530590 A JP24530590 A JP 24530590A JP 24530590 A JP24530590 A JP 24530590A JP H04124801 A JPH04124801 A JP H04124801A
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＰＴＣ素子の製造方法に関する。
［従来の技術］
従来、ＰＴＣ素子の製造方法としては、例えばＢ ａ
Ｔ ｉ Ｏｓ粉末にＣｅ、Ｌａ、Ｎｂ、Ｔａなどの元素
が添加された複合粉末をプレス機で加圧成形した後、焼
成する方法や、真空蒸着法により基板上に薄膜を形成す
る方法、あるいはＢａＴｊＯ３系半導体粉末に導電性の
添加剤とガラスフリットを加えてペースト状として基板
上にスクリーン印刷した後、焼成する方法等がある。
Ｔ ｉ Ｏｓ粉末にＣｅ、Ｌａ、Ｎｂ、Ｔａなどの元素
が添加された複合粉末をプレス機で加圧成形した後、焼
成する方法や、真空蒸着法により基板上に薄膜を形成す
る方法、あるいはＢａＴｊＯ３系半導体粉末に導電性の
添加剤とガラスフリットを加えてペースト状として基板
上にスクリーン印刷した後、焼成する方法等がある。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、プレス機を用いる方法においてはプレス
成形のために薄膜もしくは複雑な形状や大面積の形状は
得にくい。また、真空蒸着法を用いる方法においては、
真空チャンバー内で行なうために操作が難しく、薄膜形
成は可能であるが、大面積化は難しく、コストも高くな
ってしまう。
成形のために薄膜もしくは複雑な形状や大面積の形状は
得にくい。また、真空蒸着法を用いる方法においては、
真空チャンバー内で行なうために操作が難しく、薄膜形
成は可能であるが、大面積化は難しく、コストも高くな
ってしまう。
更にスクリーン印刷を用いる方法では比抵抗が高くなり
やすく、またガラスフリットを加えることニヨリＢ ａ
Ｔ ｉ Ｏｓ系半導体とガラスフリットの耐熱性、熱
膨張係数の差から熱処理時などに生じる熱衝撃に弱いと
いう欠点があった。
やすく、またガラスフリットを加えることニヨリＢ ａ
Ｔ ｉ Ｏｓ系半導体とガラスフリットの耐熱性、熱
膨張係数の差から熱処理時などに生じる熱衝撃に弱いと
いう欠点があった。
本発明は、上述した問題点を解決するためになされたも
のであり、薄型で大面積で複雑形状のＰＴＣ素子を安価
に、かつ安易に製造できるＰＴＣ素子の製造方法を提供
することを目的としている。
のであり、薄型で大面積で複雑形状のＰＴＣ素子を安価
に、かつ安易に製造できるＰＴＣ素子の製造方法を提供
することを目的としている。
［課題を解決するための手段］
この目的を達成するために、本発明のＰＴＣ素子の製造
方法はＢａＴｉＯｓ粉末にＣｅ、Ｌａ。
方法はＢａＴｉＯｓ粉末にＣｅ、Ｌａ。
Ｎｂ、Ｔａなどの元素が添加された複合粉末を母型上に
溶射し、該母型上に皮膜を形成する工程と、前記溶射皮
膜を前記母型より離脱させる工程と、前記離脱させた溶
射皮膜を熱処理する工程とからなる。
溶射し、該母型上に皮膜を形成する工程と、前記溶射皮
膜を前記母型より離脱させる工程と、前記離脱させた溶
射皮膜を熱処理する工程とからなる。
［実施例コ
以下、本発明を具体化した一実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
半導体化剤として、Ｌａが０．２ａｔ ％添加された
Ｂ ａ Ｔ ｉ Ｏｓ粉末を１１００℃で６０分間焼成
した後、粉砕することにより粒径が５〜１２５μｍの粉
末を作製する。この粉末を第１図に示すようにＺｎ合金
母型２上に第４図に示す条件で０．１〜１ｍｍの膜厚で
プラズマ溶射ガン１により溶射を行なう。
Ｂ ａ Ｔ ｉ Ｏｓ粉末を１１００℃で６０分間焼成
した後、粉砕することにより粒径が５〜１２５μｍの粉
末を作製する。この粉末を第１図に示すようにＺｎ合金
母型２上に第４図に示す条件で０．１〜１ｍｍの膜厚で
プラズマ溶射ガン１により溶射を行なう。
次にＺｎ合金母型２を溶融してＢａＴｉ０ａ皮膜３を離
脱させる。この離脱させたＢ ａ Ｔ ｉ Ｏｓ皮膜３
を空気中、３００℃／ｈｒの速度で昇温し、１３４０℃
の温度で０．５ｈｒ保持した後、３００℃／ｈｒの速度
で降温した。この熱処理により、ＢａＴｉ０ａ皮膜３は
半導体化されてＰＴＣ素子４となる。
脱させる。この離脱させたＢ ａ Ｔ ｉ Ｏｓ皮膜３
を空気中、３００℃／ｈｒの速度で昇温し、１３４０℃
の温度で０．５ｈｒ保持した後、３００℃／ｈｒの速度
で降温した。この熱処理により、ＢａＴｉ０ａ皮膜３は
半導体化されてＰＴＣ素子４となる。
このＰＴＣ素子４に第２図に示すようにスパッタリング
によりＡＩ電極５を作製して、温度−比抵抗の関係を測
定した結果を第３図に示す。１１０℃ぐらいから比抵抗
の上昇がみられ、ＰＴＣ特性を示していることが理解さ
れる。
によりＡＩ電極５を作製して、温度−比抵抗の関係を測
定した結果を第３図に示す。１１０℃ぐらいから比抵抗
の上昇がみられ、ＰＴＣ特性を示していることが理解さ
れる。
以上、詳述したことから明らかなように、本実施例のＰ
ＴＣ素子の製造方法によれば、薄型で大面積、もしくは
複雑な形状のＰＴＣ素子が安価に且つ容易に製造するこ
とができる。
ＴＣ素子の製造方法によれば、薄型で大面積、もしくは
複雑な形状のＰＴＣ素子が安価に且つ容易に製造するこ
とができる。
尚、本実施例においては母型にＺｎ合金を用いているが
、熱可塑性樹脂を用いても良いし、また、Ａ１及びＡ１
合金を用いてアルカリ溶液により溶解するようにしても
良い。また母型を繰り返し使用したいときは、母型２に
１ｗ型剤、例えば、ベンガラを水ガラスで溶いたものを
塗布して、ＢａＴｉＯ３溶射皮膜を剥離させるか、表面
研磨されたセラミックス母型を用いて、母型を高温予熱
状態（３００℃以上）で溶射を行なってから剥離させて
も良い。表面研磨された酸化物セラミックスを高温状態
に保てば、溶射を行なっているときはＢａＴｉ０ｍ溶射
皮膜は母型と良く接合しているが、冷却されて常温状態
になると熱膨張係数の違いによって溶射皮膜と母型との
間に応力が生じて剥離し易くなり、簡単にＢ ａ、Ｔ
ｊ Ｏｓ皮膜を母型から離脱させることが可能となる。
、熱可塑性樹脂を用いても良いし、また、Ａ１及びＡ１
合金を用いてアルカリ溶液により溶解するようにしても
良い。また母型を繰り返し使用したいときは、母型２に
１ｗ型剤、例えば、ベンガラを水ガラスで溶いたものを
塗布して、ＢａＴｉＯ３溶射皮膜を剥離させるか、表面
研磨されたセラミックス母型を用いて、母型を高温予熱
状態（３００℃以上）で溶射を行なってから剥離させて
も良い。表面研磨された酸化物セラミックスを高温状態
に保てば、溶射を行なっているときはＢａＴｉ０ｍ溶射
皮膜は母型と良く接合しているが、冷却されて常温状態
になると熱膨張係数の違いによって溶射皮膜と母型との
間に応力が生じて剥離し易くなり、簡単にＢ ａ、Ｔ
ｊ Ｏｓ皮膜を母型から離脱させることが可能となる。
その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲の変更は可能で
ある。
ある。
［発明の効果］
以上、詳述したことから明らかなように、本発明によれ
ば、溶射法を用いることにより所望する形状の母型にＣ
ｅ、Ｌａ、Ｎｂ、ＴａなどのＰＴＣ特性を発現させる元
素が添加されたＢａＴｉＯ３皮膜を形成することが可能
となるために、薄型で大面積、もしくは複雑な形状のＰ
ＴＣ素子が安価に且つ容易に製造することができる。
ば、溶射法を用いることにより所望する形状の母型にＣ
ｅ、Ｌａ、Ｎｂ、ＴａなどのＰＴＣ特性を発現させる元
素が添加されたＢａＴｉＯ３皮膜を形成することが可能
となるために、薄型で大面積、もしくは複雑な形状のＰ
ＴＣ素子が安価に且つ容易に製造することができる。
第１図から第４図までは本発明を具体化した実施例を示
すもので、第１図は母型へ溶射する様子を示す説明図、
第２図は本実施例のＰＴＣ素子の断面図、第３図は本実
施例におけるＰＴＣ素子の温度と比抵抗の関係を示すグ
ラフ、第４図はプラズマ溶射の条件を示す表である。 図中、１はプラズマ溶射ガン、２は母型、３はＢ ａ
Ｔ ｉ Ｏｓ皮膜、４はＰＴＣ素子である。
すもので、第１図は母型へ溶射する様子を示す説明図、
第２図は本実施例のＰＴＣ素子の断面図、第３図は本実
施例におけるＰＴＣ素子の温度と比抵抗の関係を示すグ
ラフ、第４図はプラズマ溶射の条件を示す表である。 図中、１はプラズマ溶射ガン、２は母型、３はＢ ａ
Ｔ ｉ Ｏｓ皮膜、４はＰＴＣ素子である。
Claims (1)
- １．ＢａＴｉＯ＿３粉末にＣｅ，Ｌａ，Ｎｂ，Ｔａなど
の元素が添加された複合粉末を母型上に溶射し、該母型
上に皮膜を形成する工程と、 前記溶射皮膜を前記母型より離脱させる工程と、前記離
脱させた溶射皮膜を熱処理する工程とからなることを特
徴とするＰＴＣ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24530590A JP2876758B2 (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | Ｐｔｃ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24530590A JP2876758B2 (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | Ｐｔｃ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04124801A true JPH04124801A (ja) | 1992-04-24 |
| JP2876758B2 JP2876758B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=17131701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24530590A Expired - Lifetime JP2876758B2 (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | Ｐｔｃ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2876758B2 (ja) |
-
1990
- 1990-09-14 JP JP24530590A patent/JP2876758B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2876758B2 (ja) | 1999-03-31 |
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