JPH0217630B2 - - Google Patents
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- JPH0217630B2 JPH0217630B2 JP7121086A JP7121086A JPH0217630B2 JP H0217630 B2 JPH0217630 B2 JP H0217630B2 JP 7121086 A JP7121086 A JP 7121086A JP 7121086 A JP7121086 A JP 7121086A JP H0217630 B2 JPH0217630 B2 JP H0217630B2
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- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 18
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical group CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- NDSXSCFKIAPKJG-UHFFFAOYSA-N CC(C)O[Ti] Chemical compound CC(C)O[Ti] NDSXSCFKIAPKJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-M Glycolate Chemical compound OCC([O-])=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- -1 titanate compound Chemical class 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
- C23C18/1291—Process of deposition of the inorganic material by heating of the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
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- C23C18/1229—Composition of the substrate
- C23C18/1245—Inorganic substrates other than metallic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、例えば遠赤外線放射膜、熱線反射
膜、半導体膜等として用いられるチタニア薄膜の
製造方法に関する。
膜、半導体膜等として用いられるチタニア薄膜の
製造方法に関する。
（従来の技術）
従来、この種のチタニア薄膜の製造方法として
は、酸化チタンのスパツタリング法やイオンプレ
ーテイング法等のようなPVD法、或いは有機チ
タネート化合物のデイツプ法等が知られている。
は、酸化チタンのスパツタリング法やイオンプレ
ーテイング法等のようなPVD法、或いは有機チ
タネート化合物のデイツプ法等が知られている。
（発明が解決しようとする問題点）
前記従来のスパツタリング法やイオンプレーテ
イング法の場合、装置的に大がかりとなり、更に
真空槽で行なうため、製造されるチタニア薄膜の
大きさが制限されると共に非常にコストアツプと
なる不都合を有し、またデイツプ法の場合、引上
げ操作が難しく膜質が悪く、また密着性にも欠け
るという不都合を有する。
イング法の場合、装置的に大がかりとなり、更に
真空槽で行なうため、製造されるチタニア薄膜の
大きさが制限されると共に非常にコストアツプと
なる不都合を有し、またデイツプ法の場合、引上
げ操作が難しく膜質が悪く、また密着性にも欠け
るという不都合を有する。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、前記不都合を解消したチタニア薄膜
の製造方法を提供することを目的とするもので、
その発明は、ジイソプロポキシビスアセチルアセ
トナートチタン及びイソプロポキシチタニウムオ
クチレングリコレートを有機溶媒中に溶解したス
プレー溶液を、400〜800℃に保たれた基材上に噴
霧してチタニア薄膜を形成することから成る。
の製造方法を提供することを目的とするもので、
その発明は、ジイソプロポキシビスアセチルアセ
トナートチタン及びイソプロポキシチタニウムオ
クチレングリコレートを有機溶媒中に溶解したス
プレー溶液を、400〜800℃に保たれた基材上に噴
霧してチタニア薄膜を形成することから成る。
スプレー溶液の原料としてジイソプロポキシビ
スアセチルアセトナートチタン及びイソプロポキ
シチタニウムオクチレングリコレートの２成分を
併用したのは、一種類の原料で濃度を濃くする
と、原料分解がホモジニアスに起り、粉体のチタ
ニアができ易くなるので、これらを併用すること
によつて、できるだけ分解過程をヘテロジニアス
として、均一な膜質のチタニア薄膜を得るためで
ある。これらジイソプロポキシビスアセチルアセ
トナートチタンとイソプロポキシチタニウムオク
チレングリコレートの成分比は、モル比で、一般
には３／７〜７／３、好ましくは４／６〜６／４
程度に調整する。
スアセチルアセトナートチタン及びイソプロポキ
シチタニウムオクチレングリコレートの２成分を
併用したのは、一種類の原料で濃度を濃くする
と、原料分解がホモジニアスに起り、粉体のチタ
ニアができ易くなるので、これらを併用すること
によつて、できるだけ分解過程をヘテロジニアス
として、均一な膜質のチタニア薄膜を得るためで
ある。これらジイソプロポキシビスアセチルアセ
トナートチタンとイソプロポキシチタニウムオク
チレングリコレートの成分比は、モル比で、一般
には３／７〜７／３、好ましくは４／６〜６／４
程度に調整する。
有機溶媒としては、特に限定されるものではな
いが塩化メチレンがもつとも好ましい。
いが塩化メチレンがもつとも好ましい。
スプレー溶液は、前記２成分が有機溶媒中にチ
タニア（TiO2）含有量換算で２〜10wt％、好ま
しくは４〜7wt％程度となるように調整する。チ
タニア（TiO2）含有量が2wt％未満であると成膜
効率が悪く、また10wt％を越えると原料が熱分
解して薄膜化する際に粉体となり易いからであ
る。
タニア（TiO2）含有量換算で２〜10wt％、好ま
しくは４〜7wt％程度となるように調整する。チ
タニア（TiO2）含有量が2wt％未満であると成膜
効率が悪く、また10wt％を越えると原料が熱分
解して薄膜化する際に粉体となり易いからであ
る。
基材は、特に限定されるものではないが、一般
にはガラス、セラミツクス等の板状体を用い、こ
れを400〜800℃、好ましくは400〜600℃に加熱し
ておいてから前記スプレー溶液を噴霧する。基材
が400℃未満であると膜の形成粒子が大きくなり、
膜が透明でなくなり、また、800℃を越えると原
料が熱分解に際して粉体化し易いからである。ま
た、予め400〜800℃に加熱された基材上にスプレ
ー溶液を噴霧するので、基材上に付着するスプレ
ー溶液は付着と同時に順次熱分解され、CVD法
と同様に、熱力学的平衡状態で成膜が進行し、均
一で透明なチタニア薄膜が形成される。
にはガラス、セラミツクス等の板状体を用い、こ
れを400〜800℃、好ましくは400〜600℃に加熱し
ておいてから前記スプレー溶液を噴霧する。基材
が400℃未満であると膜の形成粒子が大きくなり、
膜が透明でなくなり、また、800℃を越えると原
料が熱分解に際して粉体化し易いからである。ま
た、予め400〜800℃に加熱された基材上にスプレ
ー溶液を噴霧するので、基材上に付着するスプレ
ー溶液は付着と同時に順次熱分解され、CVD法
と同様に、熱力学的平衡状態で成膜が進行し、均
一で透明なチタニア薄膜が形成される。
スプレー溶液は一般には0.5〜1.5Kg／cm2のスプ
レー圧で噴霧する。
レー圧で噴霧する。
（実施例）
次に、本発明の実施例に付き説明する。
当量のジイソプロポキシビスアセチルアセトナ
ートチタンとイソプロポキシチタニウムオクチレ
ングリコレートを、チタニア（TiO2）含有量換
算で、5wt％塩化メチレン溶液となるように調整
したスプレー溶液を用意し、スプレー圧1.0Kg／
cm2、スプレー距離50cmで、500℃に加熱された板
状のセラミツク基材上に20ml噴霧したところ膜厚
0.6μｍのチタニア薄膜が得られた。得られたチタ
ニア薄膜は透明で表面光沢が有り、傷付きにく
く、密着性に優れ、しかもピンホール等の全くな
い均一な薄膜であつた。
ートチタンとイソプロポキシチタニウムオクチレ
ングリコレートを、チタニア（TiO2）含有量換
算で、5wt％塩化メチレン溶液となるように調整
したスプレー溶液を用意し、スプレー圧1.0Kg／
cm2、スプレー距離50cmで、500℃に加熱された板
状のセラミツク基材上に20ml噴霧したところ膜厚
0.6μｍのチタニア薄膜が得られた。得られたチタ
ニア薄膜は透明で表面光沢が有り、傷付きにく
く、密着性に優れ、しかもピンホール等の全くな
い均一な薄膜であつた。
図面は、得られたチタニア薄膜を発熱体で加熱
した場合の放射率特性線図であり、曲線Ａ，Ｂ，
Ｃは夫々100℃、150℃並びに200℃で加熱した場
合の特性曲線を示す。得られたチタニア薄膜は、
図示のように1200〜600cm-1でのもり上りを示し、
遠赤外線放射体であることが確認された。
した場合の放射率特性線図であり、曲線Ａ，Ｂ，
Ｃは夫々100℃、150℃並びに200℃で加熱した場
合の特性曲線を示す。得られたチタニア薄膜は、
図示のように1200〜600cm-1でのもり上りを示し、
遠赤外線放射体であることが確認された。
（発明の効果）
このように、本発明によるときは、ジイソプロ
ポキシビスアセチルアセトナートチタン及びイソ
プロポキシチタニウムオクチレングリコレートを
有機溶媒中に溶解したスプレー溶液を400〜800℃
に保たれた基材上に噴霧してチタニア薄膜を形成
するようにしたので、極めて簡単な方法で、厚み
の小さなチタニア薄膜を、CVD法並の均一さと
密着性とをもつて、しかも大面積のものも製造で
きる等の効果を有する。
ポキシビスアセチルアセトナートチタン及びイソ
プロポキシチタニウムオクチレングリコレートを
有機溶媒中に溶解したスプレー溶液を400〜800℃
に保たれた基材上に噴霧してチタニア薄膜を形成
するようにしたので、極めて簡単な方法で、厚み
の小さなチタニア薄膜を、CVD法並の均一さと
密着性とをもつて、しかも大面積のものも製造で
きる等の効果を有する。
図面は本発明製造方法によつて得られたチタニ
ア薄膜の放射率特性線図である。
ア薄膜の放射率特性線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ジイソプロポキシビスアセチルアセトナート
チタン及びイソプロポキシチタニウムオクチレン
グリコレートを有機溶媒中に溶解したスプレー溶
液を、400〜800℃に保たれた基材上に噴霧してチ
タニア薄膜を形成することから成るチタニア薄膜
の製造方法。 ２ ジイソプロポキシビスアセチルアセトナート
チタンとイソプロポキシチタニウムオクチレング
リコレートの成分比をモル比で３／７〜７／３と
し、これらをチタニア（TiO2）含有量換算で有
機溶媒中に２〜10wt％含むようにしたスプレー
溶液を用いることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のチタニア薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7121086A JPS62228484A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | チタニア薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7121086A JPS62228484A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | チタニア薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62228484A JPS62228484A (ja) | 1987-10-07 |
| JPH0217630B2 true JPH0217630B2 (ja) | 1990-04-23 |
Family
ID=13454090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7121086A Granted JPS62228484A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | チタニア薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62228484A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5055747B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2012-10-24 | 大日本印刷株式会社 | 金属酸化物膜の製造方法 |
| JP5026673B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2012-09-12 | 大日本印刷株式会社 | 金属酸化物膜の製造方法 |
| JP5103990B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-12-19 | 大日本印刷株式会社 | 金属酸化物膜の製造方法 |
| JP5309462B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2013-10-09 | 大日本印刷株式会社 | 金属酸化物膜の製造方法、および積層体 |
| KR20140046617A (ko) * | 2012-10-09 | 2014-04-21 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 산화아연 전구체 및 이를 이용한 산화아연계 박막 증착방법 |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP7121086A patent/JPS62228484A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62228484A (ja) | 1987-10-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |