JPS605233B2 - 高融点化合物薄膜の製造方法 - Google Patents
高融点化合物薄膜の製造方法Info
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- JPS605233B2 JPS605233B2 JP56017465A JP1746581A JPS605233B2 JP S605233 B2 JPS605233 B2 JP S605233B2 JP 56017465 A JP56017465 A JP 56017465A JP 1746581 A JP1746581 A JP 1746581A JP S605233 B2 JPS605233 B2 JP S605233B2
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、超伝導薄膜および薄膜微小回路の製造技術に
関し、特に高融点化合物薄膜の製造方法に関するもので
ある。
関し、特に高融点化合物薄膜の製造方法に関するもので
ある。
ＡＩ５構造を有する超伝導化合物として代表的な材料で
あるＮＱＣ科ま非平衡相であるから、単一相のＮ広後を
得ることはむずかしく、通常の製造条件ではＮは技３な
どが混在する。
あるＮＱＣ科ま非平衡相であるから、単一相のＮ広後を
得ることはむずかしく、通常の製造条件ではＮは技３な
どが混在する。
薄膜の形態でも状況は同じであり、かかる薄膜を形成す
るために従来、スパッタ法、同時蒸着法、ＣＶＤ法など
が検討されているものの、これらの方法では、生成する
薄膜の組成、特性に影響を与える要因の数が多く、また
それらの要因の相互関係も複雑なため、膜内で組成や特
性が均一である高臨界温度を示すＮＧ蛇薄膜の製造条件
はいまだに確立されておらず、従来から改善策が望まれ
ていた。また、Ｎ広Ｇなどの超伝導薄膜を用いてジョセ
フソン素子などの薄膜回路を基板上に形成する湯合、従
来法では薄膜製造の工程中にわたって基板を高温度に保
持しなければならず、そのため基板としては、特別な材
料しか用いることができず、また、多層構成を必要とす
る薄膜回路の製造にあたっては、既に形成した下層の薄
膜が、上層の薄膜を形成している間に、熱変成する煤れ
があった。
るために従来、スパッタ法、同時蒸着法、ＣＶＤ法など
が検討されているものの、これらの方法では、生成する
薄膜の組成、特性に影響を与える要因の数が多く、また
それらの要因の相互関係も複雑なため、膜内で組成や特
性が均一である高臨界温度を示すＮＧ蛇薄膜の製造条件
はいまだに確立されておらず、従来から改善策が望まれ
ていた。また、Ｎ広Ｇなどの超伝導薄膜を用いてジョセ
フソン素子などの薄膜回路を基板上に形成する湯合、従
来法では薄膜製造の工程中にわたって基板を高温度に保
持しなければならず、そのため基板としては、特別な材
料しか用いることができず、また、多層構成を必要とす
る薄膜回路の製造にあたっては、既に形成した下層の薄
膜が、上層の薄膜を形成している間に、熱変成する煤れ
があった。
そのため、上述した従来の薄膜製造法は、薄膜微小回路
の製造技術としては実用性に乏しく、きわめて適用領域
の狭いものとなっていた。そこで、本発明の目的は、い
かなる基板材料の上にも形成可能な高融点超伝導化合物
薄膜を、信頼性高く、かつ簡略工程で製造することので
きる高融点化合物薄膜の製造方法を提案することにある
。かかる目的を達成するために、本発明では、超伝導化
合物を構成する１つまたは２つの酸化物と高融点金属と
を出発原料とし、それらの複合物を反応させるために高
エネルギービームを用いる。
の製造技術としては実用性に乏しく、きわめて適用領域
の狭いものとなっていた。そこで、本発明の目的は、い
かなる基板材料の上にも形成可能な高融点超伝導化合物
薄膜を、信頼性高く、かつ簡略工程で製造することので
きる高融点化合物薄膜の製造方法を提案することにある
。かかる目的を達成するために、本発明では、超伝導化
合物を構成する１つまたは２つの酸化物と高融点金属と
を出発原料とし、それらの複合物を反応させるために高
エネルギービームを用いる。
すなわち、本発明では、基板上に、ＱまたはＳｊの酸化
物またはそれらの酸化物の混合物の層を形成し、該層の
上に、Ｎｑ〜Ｖｘ（１≧ｘ≧０）から成る高融点金属の
薄膜を形成し、前記薄膜の上方から、前記層と前記薄膜
との複合物を高エネルギービームで局部的に加熱するこ
とによって、（Ｎｑ‐ｘＶｘ）３Ｑ，‐ｙＳｉｙ（１≧
ｙ≧０）から成る超伝導化合物薄膜を生成する。本発明
の製造方法では、超伝導化合物を横成するＮｂまたはＶ
のような高融点金属が酸素に対して強い親和力をもつ性
質を利用する。
物またはそれらの酸化物の混合物の層を形成し、該層の
上に、Ｎｑ〜Ｖｘ（１≧ｘ≧０）から成る高融点金属の
薄膜を形成し、前記薄膜の上方から、前記層と前記薄膜
との複合物を高エネルギービームで局部的に加熱するこ
とによって、（Ｎｑ‐ｘＶｘ）３Ｑ，‐ｙＳｉｙ（１≧
ｙ≧０）から成る超伝導化合物薄膜を生成する。本発明
の製造方法では、超伝導化合物を横成するＮｂまたはＶ
のような高融点金属が酸素に対して強い親和力をもつ性
質を利用する。
例えば、Ｎ広後の製造は、次式で示される化学反応を進
めることにより行う。Ｃや〇２十Ｎｂ→Ｎｂ３Ｇｅ十Ｎ
ｂ・〇（１）（１｝式で示す反応が固相状態で進んでＮ
広戊が生成するか否かは、‘１｝式の反応に伴なうギプ
ス（Ｇｉｂｂｓ）の自由エネルギーの変化量の正確な値
が不明な場合、蛇０２とＮｂ・０の生成熱の大小関係を
比較することで十分推定できる。
めることにより行う。Ｃや〇２十Ｎｂ→Ｎｂ３Ｇｅ十Ｎ
ｂ・〇（１）（１｝式で示す反応が固相状態で進んでＮ
広戊が生成するか否かは、‘１｝式の反応に伴なうギプ
ス（Ｇｉｂｂｓ）の自由エネルギーの変化量の正確な値
が不明な場合、蛇０２とＮｂ・０の生成熱の大小関係を
比較することで十分推定できる。
上述のように、Ｎｂの酸化物（Ｎｂ・０）は大きな生成
熱をもち、２５００で−５８〜６６Ｋｃａｌ′夕・ａｔ
ｏｍである。一方、Ｑ０２の生成熱は２５ｏ０で、おお
よそ一４０Ｋｃａｌ′夕・ａｂｍである。したがって、
‘１｝式の反応は右へ進むと推定できる。すなわち、Ｑ
０２上にＮｂの薄膜を形成し、その複合物を加熱するこ
とによってＮ広蛇を生成することができる。さらに、本
発明の方法では、Ｇｅ０２とＮｂを反応させるための熱
源としてレーザビームや電子ビームなどの高エネルギー
ビームを用いているため、反応はビームの照射された部
分においてのみ進行し、基板上の所望部分のみにＮｂ３
０ｅを形成できるから微小回路の形成が容易であり、ま
たビームが照射されている部分を除けば基板は雰囲気温
度に近く、しかもビームが照射されている部分において
も熱は基板深部に達することはないので、基板の熱変成
の心配がなく、従って、基板材料としてはいかなるもの
でも使用できる利点もある。以下に図面を参照して本発
明を詳細に説明する。本発明により高融点化合物薄膜を
形成する一例を第１図および第２図を参照して説明する
。
熱をもち、２５００で−５８〜６６Ｋｃａｌ′夕・ａｔ
ｏｍである。一方、Ｑ０２の生成熱は２５ｏ０で、おお
よそ一４０Ｋｃａｌ′夕・ａｂｍである。したがって、
‘１｝式の反応は右へ進むと推定できる。すなわち、Ｑ
０２上にＮｂの薄膜を形成し、その複合物を加熱するこ
とによってＮ広蛇を生成することができる。さらに、本
発明の方法では、Ｇｅ０２とＮｂを反応させるための熱
源としてレーザビームや電子ビームなどの高エネルギー
ビームを用いているため、反応はビームの照射された部
分においてのみ進行し、基板上の所望部分のみにＮｂ３
０ｅを形成できるから微小回路の形成が容易であり、ま
たビームが照射されている部分を除けば基板は雰囲気温
度に近く、しかもビームが照射されている部分において
も熱は基板深部に達することはないので、基板の熱変成
の心配がなく、従って、基板材料としてはいかなるもの
でも使用できる利点もある。以下に図面を参照して本発
明を詳細に説明する。本発明により高融点化合物薄膜を
形成する一例を第１図および第２図を参照して説明する
。
ここで、第１図はビーム走査に先立って形成した３層構
造体を示し、１は高融点金属薄膜、２は酸化物層、およ
び３は基板である。本発明においては、まずＳｉ単結晶
、技単結晶または瓜Ａｓ単結晶等の基板３上に、Ｗまた
はＳｉの酸化物またはそれら酸化物の混合物による酸化
物層２を熱酸化法などによって形成する。次いで、高真
空蒸着装層内で、この酸化物層２の上に、Ｎｂ，‐ｘＶ
ｘ（ＩＺｘと０）から成る高融点金属薄膜１を電子ビー
ム加熱法により堆積させる。以上により第１図示の３層
構造体が得られる。この構造体を別の真空容器内に移し
、第２図に示すようにレーザ４Ａおよび照射光学４Ｂに
より、薄膜１の上方から薄膜１と酸化物層２との複合物
を高エネルギーのレーザビームで所望パタ−ンに沿って
走査する。かかるビーム走査によりかかる複合物はパタ
ーンに沿っては局部的に加熱され、（Ｎｂ，−ＸＶＸ）
３蛇，‐ｙＳｉｙ（１≧ｙ≧０）から成る超伝導化合物
薄膜５および高融点金属ＮＱｙＶｘの酸化物層６が形成
される。本発明の３実施例における高融点金属薄膜１、
酸化物層２および基板３の組合せを次の第１表に示す。
第１表 いずれの実施例においても、Ｎｂ、Ｖ薄膜１の厚さはお
およそ０．１５仏肌、Ｓｉ０２、Ｑ０２薄膜２の厚さは
おおよそ０．１ムのであった。
造体を示し、１は高融点金属薄膜、２は酸化物層、およ
び３は基板である。本発明においては、まずＳｉ単結晶
、技単結晶または瓜Ａｓ単結晶等の基板３上に、Ｗまた
はＳｉの酸化物またはそれら酸化物の混合物による酸化
物層２を熱酸化法などによって形成する。次いで、高真
空蒸着装層内で、この酸化物層２の上に、Ｎｂ，‐ｘＶ
ｘ（ＩＺｘと０）から成る高融点金属薄膜１を電子ビー
ム加熱法により堆積させる。以上により第１図示の３層
構造体が得られる。この構造体を別の真空容器内に移し
、第２図に示すようにレーザ４Ａおよび照射光学４Ｂに
より、薄膜１の上方から薄膜１と酸化物層２との複合物
を高エネルギーのレーザビームで所望パタ−ンに沿って
走査する。かかるビーム走査によりかかる複合物はパタ
ーンに沿っては局部的に加熱され、（Ｎｂ，−ＸＶＸ）
３蛇，‐ｙＳｉｙ（１≧ｙ≧０）から成る超伝導化合物
薄膜５および高融点金属ＮＱｙＶｘの酸化物層６が形成
される。本発明の３実施例における高融点金属薄膜１、
酸化物層２および基板３の組合せを次の第１表に示す。
第１表 いずれの実施例においても、Ｎｂ、Ｖ薄膜１の厚さはお
およそ０．１５仏肌、Ｓｉ０２、Ｑ０２薄膜２の厚さは
おおよそ０．１ムのであった。
基板３の単結晶としては、研磨、化学エッチングを施し
、よく蒸留水で洗浄した後に乾燥させたものを用いた。
まず、第１表の実施例１について説明する。Ｓｉ単結晶
３の上に、熱酸化法によってＳｉ０２薄膜２を形成し、
これを高真空蒸着装暦内に移し、室温で保ったＳｉ０２
薄膜２の表面に１０‐７Ｔｏｎ程度の真空中で電子ビー
ム加熱法によりＮｂの薄膜１を形成した。次に、これを
ただちに別の真空容器内に移し、１×１０‐６Ｔｏｒｒ
以下の真空度まで排気した後、レーザ４Ａおよびその照
射光学系４８によってレーザビームをＮｂ薄膜１の表面
に照射して走査した。ここで、レーザとしてはＣＷふイ
オンレーザを用いた。Ｎｂ薄膜１は、別の真空容器内へ
移す際にその表面が酸化されるＩ倶れがあるから、真空
蒸着後に同一装置内でビームを照射することがより好ま
しいことはもちろんである。ビーム照射領域の上昇温度
の推定を理論的に行って、ビームパワーがＮｂ薄膜１の
表面でおおよそ９００ｑｏを越えないように調整した。
、よく蒸留水で洗浄した後に乾燥させたものを用いた。
まず、第１表の実施例１について説明する。Ｓｉ単結晶
３の上に、熱酸化法によってＳｉ０２薄膜２を形成し、
これを高真空蒸着装暦内に移し、室温で保ったＳｉ０２
薄膜２の表面に１０‐７Ｔｏｎ程度の真空中で電子ビー
ム加熱法によりＮｂの薄膜１を形成した。次に、これを
ただちに別の真空容器内に移し、１×１０‐６Ｔｏｒｒ
以下の真空度まで排気した後、レーザ４Ａおよびその照
射光学系４８によってレーザビームをＮｂ薄膜１の表面
に照射して走査した。ここで、レーザとしてはＣＷふイ
オンレーザを用いた。Ｎｂ薄膜１は、別の真空容器内へ
移す際にその表面が酸化されるＩ倶れがあるから、真空
蒸着後に同一装置内でビームを照射することがより好ま
しいことはもちろんである。ビーム照射領域の上昇温度
の推定を理論的に行って、ビームパワーがＮｂ薄膜１の
表面でおおよそ９００ｑｏを越えないように調整した。
レーザビーム照射後、Ｘ線回折および電子回折法によっ
て試料からの反応生成物を同定したところ、ビームを走
査した部分では、未反応のＳｉ０２薄膜２の上に超伝導
化合物であるＮ広Ｓｉ薄膜５と、更にその上にＮｂの酸
化物層６が層状に生成されていることがわかった。
て試料からの反応生成物を同定したところ、ビームを走
査した部分では、未反応のＳｉ０２薄膜２の上に超伝導
化合物であるＮ広Ｓｉ薄膜５と、更にその上にＮｂの酸
化物層６が層状に生成されていることがわかった。
また、生成されたＮ広Ｓｉ薄膜５は、その厚さと組成と
がきわめて均一であった。一方、ビームが照射されてい
ない領域は、照射前の状態とほぼ同じであった。実施例
２について説明する。
がきわめて均一であった。一方、ビームが照射されてい
ない領域は、照射前の状態とほぼ同じであった。実施例
２について説明する。
蛇単結晶３の上に蛇０２薄膜２を形成した後、実施例１
と同じ方法でＮｂ薄膜１を戊０２薄膜２の表面に堆積さ
せ、次いでビームパワーを実施例１の場合よりやや低下
させて温度８００〜８５０００となるよう調整し、その
ビームによりＮｂ薄膜１の表面を走査した。その結果、
ＣＷＡｒイオンレーザビームが照射された領域では、未
反応の戊０２薄膜２の上に層状にＮ広蛇の薄膜５と、更
にその上に少量のＮｂ５蛇３を含むＮｂの酸化物層６が
生成された。次に実施例３について説明する。
と同じ方法でＮｂ薄膜１を戊０２薄膜２の表面に堆積さ
せ、次いでビームパワーを実施例１の場合よりやや低下
させて温度８００〜８５０００となるよう調整し、その
ビームによりＮｂ薄膜１の表面を走査した。その結果、
ＣＷＡｒイオンレーザビームが照射された領域では、未
反応の戊０２薄膜２の上に層状にＮ広蛇の薄膜５と、更
にその上に少量のＮｂ５蛇３を含むＮｂの酸化物層６が
生成された。次に実施例３について説明する。
ｌｍＡｓ単結晶３の上に電子ビーム加熱法によってＳｉ
０２薄膜２およびＶの薄膜１を順次に横層したのち、ビ
ームパワーを実施例２より更に低下させて温度７００〜
８５０００となるよう調整し、そのビームによってＶ薄
膜１の表面を走査したところ、ビームが照射された部分
では、超伝導化合物であるＶ３Ｓｊ薄膜５と更にその上
に少量のＶ５Ｓｉ３の混つたＶの酸化物層６が生成され
た。以上の３実施例のいずれの場合にも、レーザビーム
は照射表面でほとんど吸収され、また基板３上に形成し
た酸化物層２で熱的に絶縁されるから基板３にはしーザ
ビーム照射による熱変成は全く認められなかった。
０２薄膜２およびＶの薄膜１を順次に横層したのち、ビ
ームパワーを実施例２より更に低下させて温度７００〜
８５０００となるよう調整し、そのビームによってＶ薄
膜１の表面を走査したところ、ビームが照射された部分
では、超伝導化合物であるＶ３Ｓｊ薄膜５と更にその上
に少量のＶ５Ｓｉ３の混つたＶの酸化物層６が生成され
た。以上の３実施例のいずれの場合にも、レーザビーム
は照射表面でほとんど吸収され、また基板３上に形成し
た酸化物層２で熱的に絶縁されるから基板３にはしーザ
ビーム照射による熱変成は全く認められなかった。
そして、レーザビームの代りに電子ビームを用いた場合
にもほぼ同じ結果が得られた。なお、本発明では、反応
後に高融点金属の酸化物層６が超伝導化合物薄膜５の表
面に層状に生成されるが、これらの酸化物は、化学エッ
チングなどによって、超伝導化合物薄膜５には何ら影響
を与えずに容易に取り除くことができた。
にもほぼ同じ結果が得られた。なお、本発明では、反応
後に高融点金属の酸化物層６が超伝導化合物薄膜５の表
面に層状に生成されるが、これらの酸化物は、化学エッ
チングなどによって、超伝導化合物薄膜５には何ら影響
を与えずに容易に取り除くことができた。
さらに、酸化物層２として戊０２とＳ；０２の混合物を
用いることにより単一の化合物薄膜５のみならず、例え
ばＮｂ３（Ｑ、Ｓｊ）のようなＮｂ３ＧとＮ広Ｓｉの混
合物の薄膜も製造可能であり、またＳｉ０２や蛇Ｑの代
りにそれらを主成分としたガラスを用いても同じように
本発明の製造方法を適用できる。
用いることにより単一の化合物薄膜５のみならず、例え
ばＮｂ３（Ｑ、Ｓｊ）のようなＮｂ３ＧとＮ広Ｓｉの混
合物の薄膜も製造可能であり、またＳｉ０２や蛇Ｑの代
りにそれらを主成分としたガラスを用いても同じように
本発明の製造方法を適用できる。
以上説明したように、本発明の製造方法では、超伝導化
合物薄膜を製造するにあたって、基板全体を加熱する必
要がないから、基板材料としてはいかなるものでも使用
できるという利点がある。
合物薄膜を製造するにあたって、基板全体を加熱する必
要がないから、基板材料としてはいかなるものでも使用
できるという利点がある。
またビームを走査したり、走査後不必要な生成酸化物を
取り除いて、超伝導化合物薄膜を露出させ、その上に同
じ操作で超伝導化合物薄膜を形成させることも容易であ
るから、本発明は２次元あるいは３次元の薄膜微小回路
の製造に使用してきわめて有利である。さらに、超伝導
化合物と格子整合のよい物質を基板に用いて、その上に
本発明の方法でその化合物の薄膜を形成すれば、固相ェ
ピタキシャル成長を行うことも可能で、良質の単結晶薄
膜の取得も容易であるという利点もある。
取り除いて、超伝導化合物薄膜を露出させ、その上に同
じ操作で超伝導化合物薄膜を形成させることも容易であ
るから、本発明は２次元あるいは３次元の薄膜微小回路
の製造に使用してきわめて有利である。さらに、超伝導
化合物と格子整合のよい物質を基板に用いて、その上に
本発明の方法でその化合物の薄膜を形成すれば、固相ェ
ピタキシャル成長を行うことも可能で、良質の単結晶薄
膜の取得も容易であるという利点もある。
第１図および第２図は、本発明の製造方法の一実施例を
示す、それぞれレーザビーム走査前およびレーザビーム
走査後の３層構造体の断面構造を示す説明図である。 １・・・・・・高融点金属薄膜、２・・・・・・酸化物
層、３・・・・・・基板、４Ａ・・・・・・レーザ、４
Ｂ・…・・照射光学系、５・・・・・・化合物薄膜、６
・・・・・・反応後生成された高融点金属の酸化物層。 第１図第２図
示す、それぞれレーザビーム走査前およびレーザビーム
走査後の３層構造体の断面構造を示す説明図である。 １・・・・・・高融点金属薄膜、２・・・・・・酸化物
層、３・・・・・・基板、４Ａ・・・・・・レーザ、４
Ｂ・…・・照射光学系、５・・・・・・化合物薄膜、６
・・・・・・反応後生成された高融点金属の酸化物層。 第１図第２図
Claims (1)
- １ 基板上に、ＧｅまたはＳｉの酸化物またはそれらの
酸化物の混合物の層を形成し、該層の上に、Ｎｂ＿１＿
−＿ｘＶ＿ｘ（１≧ｘ≧０）から成る高融点金属の薄膜
を形成し、前記薄膜の上方から、前記層と前記薄膜との
複合物を高エネルギービームで局部的に加熱することに
よつて、（Ｎｂ＿１＿−＿ｘＶ＿ｘ）＿３Ｇｅ＿１＿−
＿ｙＳｉ＿ｙ（１≧ｙ≧０）から成る超伝導化合物薄膜
を生成することを特徴とする高融点化合物薄膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56017465A JPS605233B2 (ja) | 1981-02-10 | 1981-02-10 | 高融点化合物薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56017465A JPS605233B2 (ja) | 1981-02-10 | 1981-02-10 | 高融点化合物薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57132381A JPS57132381A (en) | 1982-08-16 |
| JPS605233B2 true JPS605233B2 (ja) | 1985-02-08 |
Family
ID=11944763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56017465A Expired JPS605233B2 (ja) | 1981-02-10 | 1981-02-10 | 高融点化合物薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605233B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61261465A (ja) * | 1985-05-16 | 1986-11-19 | Natl Res Inst For Metals | 化合物超電導体の製造方法 |
| JPS63265475A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Agency Of Ind Science & Technol | 超伝導電子回路の作成法 |
| JPS63265473A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Agency Of Ind Science & Technol | 超伝導電子回路の作成法 |
| JPS63265474A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Agency Of Ind Science & Technol | 超伝導電子回路の作成法 |
| DE3855230T2 (de) * | 1987-08-28 | 1996-10-31 | Sumitomo Electric Industries | Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Gegenstandes |
| JPS6489573A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-04 | Nec Corp | Pattern formation of superconductor circuit |
| JPS6489574A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-04 | Nec Corp | Pattern formation of superconductor circuit |
| JPH01119076A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-11 | Nec Corp | 酸化物超伝導体膜の製造方法 |
| US5053383A (en) * | 1988-03-29 | 1991-10-01 | At&T Bell Laboratories | Method of reducing critical current density of oxide superconductors by radiation damage |
| JPH04317456A (ja) * | 1991-04-15 | 1992-11-09 | Yoshibumi Sakai | 常温超電導材料とその成形体の製造方法 |
-
1981
- 1981-02-10 JP JP56017465A patent/JPS605233B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57132381A (en) | 1982-08-16 |
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