JPS62228484A - チタニア薄膜の製造方法 - Google Patents
チタニア薄膜の製造方法Info
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- JPS62228484A JPS62228484A JP7121086A JP7121086A JPS62228484A JP S62228484 A JPS62228484 A JP S62228484A JP 7121086 A JP7121086 A JP 7121086A JP 7121086 A JP7121086 A JP 7121086A JP S62228484 A JPS62228484 A JP S62228484A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
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-
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- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C18/1229—Composition of the substrate
- C23C18/1245—Inorganic substrates other than metallic
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明Ｃよ、例えば還元外線放射膜、熱線反用膜、半導
体膜等として用いられるチタニア薄膜の製造方法に関す
る。
体膜等として用いられるチタニア薄膜の製造方法に関す
る。
（従来の技術）
従来、この種のチタニア薄膜の￥Ｊ造六方法しては、酸
化チタンのスパッタリング法やイオンブレーティング法
等のようなＰＶＤ法、或いは有機チタネート化合物のデ
ィップ法等が知られている。
化チタンのスパッタリング法やイオンブレーティング法
等のようなＰＶＤ法、或いは有機チタネート化合物のデ
ィップ法等が知られている。
（発明が解決しようとする問題点）
前記従来のスパッタリング法やイオンブレーティング法
の場合、装置的に大がかりとなり、更に真空槽で行なう
ため、製造されるチタニア薄膜の大きさが制限されると
共に非常にコストアップとなる不都合を有し、またディ
ップ法の場合、引上げ操作が難しく膜質が悪く、また密
着性にも欠けるという不都合を有づ“る。
の場合、装置的に大がかりとなり、更に真空槽で行なう
ため、製造されるチタニア薄膜の大きさが制限されると
共に非常にコストアップとなる不都合を有し、またディ
ップ法の場合、引上げ操作が難しく膜質が悪く、また密
着性にも欠けるという不都合を有づ“る。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、１）４記不都合を解消したチタニア薄膜の製
造方法を提供することを目的とするもので、イの発明は
、ジイソプロポキシごスアセチルア上トナー１−チタン
及びイソプロポキシチタニウムオクチレングリコレート
を１１例溶媒中に溶解したスプレー溶液を、４００〜８
００℃に保たれた基材上に噴霧してチタニア薄膜を形成
することから成る。
造方法を提供することを目的とするもので、イの発明は
、ジイソプロポキシごスアセチルア上トナー１−チタン
及びイソプロポキシチタニウムオクチレングリコレート
を１１例溶媒中に溶解したスプレー溶液を、４００〜８
００℃に保たれた基材上に噴霧してチタニア薄膜を形成
することから成る。
スプレー溶液の［’！どしてジイソプロポキシごスアセ
チルアセトナートチタン及びイソブロポキシチタニウム
オクチレングリコレートの２成分を併用したのは、一種
類の原料でｍ度を濃くすると、原料分解が小モジニアス
に起り、粉体のチタニアができ易くなるので、これらを
併用することによって、できるだけ分解過程をヘテロジ
ニアスとして、均一な膜質のチタニア簿膜を得るためで
ある。これらジイソプロポキシごスアセチルアセトナー
トチタンとイソブロボキシヂタニウムオクヂレングリコ
レートの成分比は、モル比で、一般には３／７〜７／３
、好ましくは４／６〜６／４程度に調整する。
チルアセトナートチタン及びイソブロポキシチタニウム
オクチレングリコレートの２成分を併用したのは、一種
類の原料でｍ度を濃くすると、原料分解が小モジニアス
に起り、粉体のチタニアができ易くなるので、これらを
併用することによって、できるだけ分解過程をヘテロジ
ニアスとして、均一な膜質のチタニア簿膜を得るためで
ある。これらジイソプロポキシごスアセチルアセトナー
トチタンとイソブロボキシヂタニウムオクヂレングリコ
レートの成分比は、モル比で、一般には３／７〜７／３
、好ましくは４／６〜６／４程度に調整する。
有機溶媒としては、特に限定されるしのではないが塩化
メチレンがもつとも好ましい。
メチレンがもつとも好ましい。
スプレー溶液は、前記２成分が４１機溶媒中にチタニア
（Ｔｉ０２）含有量換算で２〜１０．ｗｔ％、好ましく
は４〜７ｗｔ％稈度となるように調整する。チタニア（
Ｔｉ０２）含有量が２ｗｔ％未満であると成膜効率が悪
く、また１ｑｗｔ％を越えると原料が熱分解して薄膜化
する際に粉体となり易いからである。
（Ｔｉ０２）含有量換算で２〜１０．ｗｔ％、好ましく
は４〜７ｗｔ％稈度となるように調整する。チタニア（
Ｔｉ０２）含有量が２ｗｔ％未満であると成膜効率が悪
く、また１ｑｗｔ％を越えると原料が熱分解して薄膜化
する際に粉体となり易いからである。
基材は、特に限定されるものではないが、一般にはガラ
ス、セラミックス等の板状体を用い、これを４００〜８
００℃、好ましくは４００へ一６００℃に加熱しておい
てから面記スプレー溶液を噴霧する。基材が４００℃未
満であると膜の形成粒子が大きくなり、膜が透明でなく
＜’ｔす、また、８００℃を越えると原料が熱分解に際
して粉体化し易いからである。また、予め４００〜８０
０℃に加熱された基材上にスプレー溶液を噴霧づるので
、基材上に付着するスプレー溶液は付着と同時に順次熱
分解され、ＣＶＤ法と同様に、熱力学的平衡状態で成膜
が進行し、均一で透明なチタニア薄膜が形成される。
ス、セラミックス等の板状体を用い、これを４００〜８
００℃、好ましくは４００へ一６００℃に加熱しておい
てから面記スプレー溶液を噴霧する。基材が４００℃未
満であると膜の形成粒子が大きくなり、膜が透明でなく
＜’ｔす、また、８００℃を越えると原料が熱分解に際
して粉体化し易いからである。また、予め４００〜８０
０℃に加熱された基材上にスプレー溶液を噴霧づるので
、基材上に付着するスプレー溶液は付着と同時に順次熱
分解され、ＣＶＤ法と同様に、熱力学的平衡状態で成膜
が進行し、均一で透明なチタニア薄膜が形成される。
スプレー溶液は一般には０．５〜１．５Ｋｇ／ｃｍのス
プレー圧で噴霧する。
プレー圧で噴霧する。
（実施例）
次に、本発明の実施例に付き説明する。
当ｍのジイソプロポキシビスアセチルアセトナートチタ
ンとイソプロポキシチタニウムオクヂレングリコレ−１
〜を、チタニア（Ｔ１０２）含有量換算で、５ｗｔ％塩
化メヂレン溶液となるように調整したスプレー溶液を用
意し、スプレー圧１．０／（！ＩＦ／ｃＩｉ、スプレー
距１）ｆｆｆ ５０ ｃｍで、５００℃に加熱された板
状のセラミック基材上に２０ｍ１噴霧したところ膜厚０
６双ｍのチタニア薄膜が得られた。得られたチタニア薄
膜は透明で表面光沢が有り、傷付きに＜＜、密着性に優
れ、しかもピンホール等の全くない均一な」膜であった
。
ンとイソプロポキシチタニウムオクヂレングリコレ−１
〜を、チタニア（Ｔ１０２）含有量換算で、５ｗｔ％塩
化メヂレン溶液となるように調整したスプレー溶液を用
意し、スプレー圧１．０／（！ＩＦ／ｃＩｉ、スプレー
距１）ｆｆｆ ５０ ｃｍで、５００℃に加熱された板
状のセラミック基材上に２０ｍ１噴霧したところ膜厚０
６双ｍのチタニア薄膜が得られた。得られたチタニア薄
膜は透明で表面光沢が有り、傷付きに＜＜、密着性に優
れ、しかもピンホール等の全くない均一な」膜であった
。
図面は、１ｑられたチタニア薄膜を光熱体で加熱した場
合の放射率特性線図であり、曲線Ａ、Ｂ、Ｃは夫々１０
０℃、１５０℃並びに２００℃で加熱した場合の特性曲
線を示す。１７られたチタニア薄膜は、図示のように１
２００〜６００ ｃｍ ’でのもり上りを示し、遠赤外
線放射体であることが確認された。
合の放射率特性線図であり、曲線Ａ、Ｂ、Ｃは夫々１０
０℃、１５０℃並びに２００℃で加熱した場合の特性曲
線を示す。１７られたチタニア薄膜は、図示のように１
２００〜６００ ｃｍ ’でのもり上りを示し、遠赤外
線放射体であることが確認された。
（発明の効果）
このように、本発明によるときは、ジイソプロポキシビ
スアセチルアセト少−１〜チタン及びイソブロボキシチ
タニウムオクヂレングリコレートを有機溶媒中に溶解し
たスプレー溶液を４００〜８０．０℃に保たれた基材上
に噴霧してチタニア薄膜を形成するようにしたので、極
めて簡単な方法で、厚みの小さなチタニア薄膜を、ＣＶ
Ｄ法並の均一さと密着性とをちって、しかも大面積のも
のも製造できる等の効果を有する。
スアセチルアセト少−１〜チタン及びイソブロボキシチ
タニウムオクヂレングリコレートを有機溶媒中に溶解し
たスプレー溶液を４００〜８０．０℃に保たれた基材上
に噴霧してチタニア薄膜を形成するようにしたので、極
めて簡単な方法で、厚みの小さなチタニア薄膜を、ＣＶ
Ｄ法並の均一さと密着性とをちって、しかも大面積のも
のも製造できる等の効果を有する。
図面は本発明製造方法によって１ｑられたチタニア薄膜
の放射率特性線図である。
の放射率特性線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ジイソプロポキシビスアセチルアセトナートチタン
及びイソプロポキシチタニウムオクチレングリコレート
を有機溶媒中に溶解したスプレー溶液を、４００〜８０
０℃に保たれた基材上に噴霧してチタニア薄膜を形成す
ることから成るチタニア薄膜の製造方法。 ２、ジイソプロポキシビスアセチルアセトナートチタン
とイソプロポキシチタニウムオクチレングリコレートの
成分比をモル比で３／７〜７／３とし、これらをチタニ
ア（ＴｉＯ＿２）含有量換算で有機溶媒中に２〜１０ｗ
ｔ％含むようにしたスプレー溶液を用いることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のチタニア薄膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7121086A JPS62228484A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | チタニア薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7121086A JPS62228484A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | チタニア薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62228484A true JPS62228484A (ja) | 1987-10-07 |
| JPH0217630B2 JPH0217630B2 (ja) | 1990-04-23 |
Family
ID=13454090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7121086A Granted JPS62228484A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | チタニア薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62228484A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006160600A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
| JP2006225738A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法、および金属酸化物膜の製造装置 |
| JP2007290958A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
| JP2008105923A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-05-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法、および積層体 |
| CN103710680A (zh) * | 2012-10-09 | 2014-04-09 | 三星康宁精密素材株式会社 | 氧化锌前驱体和利用该前驱体沉积氧化锌类薄膜的方法 |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP7121086A patent/JPS62228484A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006160600A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
| JP2006225738A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法、および金属酸化物膜の製造装置 |
| JP2007290958A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
| JP2008105923A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-05-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法、および積層体 |
| CN103710680A (zh) * | 2012-10-09 | 2014-04-09 | 三星康宁精密素材株式会社 | 氧化锌前驱体和利用该前驱体沉积氧化锌类薄膜的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0217630B2 (ja) | 1990-04-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |