JPH02220810A - 酸化物超電導体円筒の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体円筒の製造方法Info
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- JPH02220810A JPH02220810A JP1041750A JP4175089A JPH02220810A JP H02220810 A JPH02220810 A JP H02220810A JP 1041750 A JP1041750 A JP 1041750A JP 4175089 A JP4175089 A JP 4175089A JP H02220810 A JPH02220810 A JP H02220810A
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は臨界電流値の大きいセラミックス系超電導体円
筒の製造方法に関するものである。
筒の製造方法に関するものである。
（従来技術）
酸化物超電導体で円筒を作る際に２つの方法がしられて
いる。１つは粉末焼結法により作られるバルク円筒であ
り、他の１つは基板円筒の表面に薄膜もしくは厚膜をか
ぶせたコーティング円筒である。
いる。１つは粉末焼結法により作られるバルク円筒であ
り、他の１つは基板円筒の表面に薄膜もしくは厚膜をか
ぶせたコーティング円筒である。
前者で作られたものは脆弱であり、臨界電流値も一般に
かなり低い。又後者では製法そのものが未だ完成されて
おらず、基礎テストの段階である。
かなり低い。又後者では製法そのものが未だ完成されて
おらず、基礎テストの段階である。
しかし完成した場合も薄膜による場合（ＣＶＤ法。
ＰＶＤ法）には大形製品を作ることは困難であり、厚膜
（スプレー法、溶射法他）では臨界電流値を大きく望め
ないという欠点が生ずる。
（スプレー法、溶射法他）では臨界電流値を大きく望め
ないという欠点が生ずる。
（発明により解決しようとする課題）
緻密な厚膜を形成でき、しかも容易に円筒型の超電導体
の厚膜、特に磁気シールドとして利用できる厚膜を得る
ことを目的とする。
の厚膜、特に磁気シールドとして利用できる厚膜を得る
ことを目的とする。
（発明による課題の解決手段）
１）酸化物超電導体を溶融し、円筒基板上に吹きつけた
後、圧延して一定の厚膜にし、さらに熱処理することを
特徴とする。
後、圧延して一定の厚膜にし、さらに熱処理することを
特徴とする。
２）吹きつけに際し、ノズルより吹出してアトマイズし
、これを円筒基板上へ吹きつけるようにした。
、これを円筒基板上へ吹きつけるようにした。
３）又、基板を加熱し熱間で圧延を行うようにした。
４）さらに圧延後酸素雰囲気中で熱処理を行うようにし
た。
た。
（実施例）
第１図は超電導体円筒の製造方法を実施する装置を示し
、２は超電導体を溶融する容器である。
、２は超電導体を溶融する容器である。
容器２の外側に加熱用ヒーター１が設けられている。３
は容器下部に設けられたノズルである。
は容器下部に設けられたノズルである。
さて容器２内で超電導体（Ｙ −Ｂａ −Ｃｕ −０系
、Ｂ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系、Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−
Ｃｕ−〇系等、ペロブスカイト型の構造をもつ酸化物超
電導体を対象とする）を酸化物超電導体の溶ける温度以
上（Ｙ系で１，１００〜１，３００℃）で−度溶融し、
この溶融超電導体４のノズル３から吹出してアトマイズ
し、このアトマイズされた溶融超電導体粒子５を金属及
び合金、セラミックス、セラミックスコーティング金属
等よりなる円筒基板６上に吹きつける。
、Ｂ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系、Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−
Ｃｕ−〇系等、ペロブスカイト型の構造をもつ酸化物超
電導体を対象とする）を酸化物超電導体の溶ける温度以
上（Ｙ系で１，１００〜１，３００℃）で−度溶融し、
この溶融超電導体４のノズル３から吹出してアトマイズ
し、このアトマイズされた溶融超電導体粒子５を金属及
び合金、セラミックス、セラミックスコーティング金属
等よりなる円筒基板６上に吹きつける。
次に円筒基板６を超電導体が半溶融化する温度（Ｙ系で
９００〜１ 、０００℃）に加熱して酸化物超電導体を
半溶融状態にして基板６上に堆積した酸化物超電導体の
加工性を良くする。半溶融状態の超電導体をロール８に
よって圧延し、一定の厚膜とし、気孔の発生を防止し、
密度を大きく増大させる。
９００〜１ 、０００℃）に加熱して酸化物超電導体を
半溶融状態にして基板６上に堆積した酸化物超電導体の
加工性を良くする。半溶融状態の超電導体をロール８に
よって圧延し、一定の厚膜とし、気孔の発生を防止し、
密度を大きく増大させる。
なおロール８として円筒基板６を使用することも可能で
ある。
ある。
製造された厚膜の超電導特性をさらに向上させるため、
酸素雰囲気中で熱処理する（Ｙ系では７００〜９５０℃
）。
酸素雰囲気中で熱処理する（Ｙ系では７００〜９５０℃
）。
（効果）
酸化物超電導体を溶融し、これを円筒基板」二に吹きつ
け圧延し、一定の厚膜にしたのち熱処理を施すようにし
た。
け圧延し、一定の厚膜にしたのち熱処理を施すようにし
た。
この結果緻密な厚膜を形成でき、しかも容易に円筒型の
超電導体の厚膜、特に磁気シールドとして利用できる厚
膜を得ることができる。
超電導体の厚膜、特に磁気シールドとして利用できる厚
膜を得ることができる。
第１図は本発明製造方法を実施する装置の概略図。
第２図は本発明方法で製造した超電導体円筒の完成品。
図において；
１ ヒーター ２ 容器
３ ノズル ４ 溶融超電導体５ 溶融超電導
体粒子６ 円筒基板 ７ 半溶融超電導体 ８ ロール 以上 出願人 住友重機械工業株式会社 復代理人 弁理士 大 橋 勇 第１図 第２図
体粒子６ 円筒基板 ７ 半溶融超電導体 ８ ロール 以上 出願人 住友重機械工業株式会社 復代理人 弁理士 大 橋 勇 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）酸化物超電導体を溶融し、円筒基板上に吹きつけた
後圧延して一定の厚膜にし、さらに熱処理することを特
徴とする酸化物超電導体円筒の製造方法。 ２）酸化物超電導体の溶融体をノズルより吹出してアト
マイズし、これを円筒基板上へ吹きつけるようにした請
求項１）記載の酸化物超電導体円筒の製造方法。 ３）円筒基板を加熱し熱間で圧延を行うことを特徴とす
る請求項１）記載の酸化物超電導体円筒の製造方法。 ４）圧延後酸素雰囲気中で熱処理を行うことを特徴とす
る請求項１）記載の酸化物超電導体円筒の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1041750A JPH02220810A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 酸化物超電導体円筒の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1041750A JPH02220810A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 酸化物超電導体円筒の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02220810A true JPH02220810A (ja) | 1990-09-04 |
Family
ID=12617098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1041750A Pending JPH02220810A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 酸化物超電導体円筒の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02220810A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04294600A (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-19 | Ngk Insulators Ltd | 酸化物超電導筒状磁気シールド体及びそのための酸化物超電導筒状体の焼成方法 |
| EP0592797A2 (de) * | 1991-02-22 | 1994-04-20 | Abb Research Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines rotationssymmetrischen Formteiles eines Hochtemperatursupraleiters |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP1041750A patent/JPH02220810A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0592797A2 (de) * | 1991-02-22 | 1994-04-20 | Abb Research Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines rotationssymmetrischen Formteiles eines Hochtemperatursupraleiters |
| EP0592797A3 (en) * | 1991-02-22 | 1994-08-10 | Abb Research Ltd | Method for manufacturing rotation symetrical high temperature superconductor workpieces |
| JPH04294600A (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-19 | Ngk Insulators Ltd | 酸化物超電導筒状磁気シールド体及びそのための酸化物超電導筒状体の焼成方法 |
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