JPH04168267A - スパッタリング用接合体 - Google Patents
スパッタリング用接合体Info
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- JPH04168267A JPH04168267A JP29431490A JP29431490A JPH04168267A JP H04168267 A JPH04168267 A JP H04168267A JP 29431490 A JP29431490 A JP 29431490A JP 29431490 A JP29431490 A JP 29431490A JP H04168267 A JPH04168267 A JP H04168267A
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- Japan
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- sputtering
- backing plate
- coupling
- grooves
- sputter target
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、スパッタリング技術によって薄膜を生成する
際に使用されるスパッタターゲットとバッキングプレー
トが接合されてなるスパッタリング用接合体に関するも
のである。
際に使用されるスパッタターゲットとバッキングプレー
トが接合されてなるスパッタリング用接合体に関するも
のである。
第4図に示すような状態で、スパッタリング装置に装着
されるスパッタリング用接合体のうちスパッタターゲッ
ト2は、通常板状に加工され、冷却機構を有する無酸素
銅(以下単に銅と記す)から製造されたバッキングプレ
ート1の上にろう付けによって接合される。
されるスパッタリング用接合体のうちスパッタターゲッ
ト2は、通常板状に加工され、冷却機構を有する無酸素
銅(以下単に銅と記す)から製造されたバッキングプレ
ート1の上にろう付けによって接合される。
この接合に関し、特開昭54−88885号、特開昭5
6−33476号、特開昭61−169166号などに
はろう材の接合性の向上、ろう材の拡散防止などを目的
として、スパッタターゲットの接合面上にメタライズ層
を形成した後、ろう材を介して、バッキングプレートと
接合する方法が提案されている。
6−33476号、特開昭61−169166号などに
はろう材の接合性の向上、ろう材の拡散防止などを目的
として、スパッタターゲットの接合面上にメタライズ層
を形成した後、ろう材を介して、バッキングプレートと
接合する方法が提案されている。
これらに開示されているような従来のスパッタターゲッ
トとバッキングプレートの接合方法は、ろう材を用い、
ろう材を融点直上まで加熱し、接合を行っている。
トとバッキングプレートの接合方法は、ろう材を用い、
ろう材を融点直上まで加熱し、接合を行っている。
しかし、上記の接合方法では、
1)スパッタターゲットとバッキングプレートとの熱膨
張係数に大きな差異がある場合、2)スパッタリング用
接合体が300圓を超えるような大型の場合、 3)スパッタターゲットに比ベパッキングプレートの肉
厚が厚い場合、 4)ろう材が200℃以上の高融点の場合、などには、
ろう接合後の冷却中に反りや変形を生じ、スパッタリン
グ装置に取り付けられなかったり、またたとえ取り付け
られたとしても接着時の残留応力によってスパッタリン
グ中に剥離が生じるなどの問題点があった。
張係数に大きな差異がある場合、2)スパッタリング用
接合体が300圓を超えるような大型の場合、 3)スパッタターゲットに比ベパッキングプレートの肉
厚が厚い場合、 4)ろう材が200℃以上の高融点の場合、などには、
ろう接合後の冷却中に反りや変形を生じ、スパッタリン
グ装置に取り付けられなかったり、またたとえ取り付け
られたとしても接着時の残留応力によってスパッタリン
グ中に剥離が生じるなどの問題点があった。
以上の不具合を防止するために、
(イ)低融点のろう材を用いて加熱温度を低く押さえて
接合する方法 (ロ)接合終了時にプレス機等を用いて反りを矯正する
方法、 などが試みられている。しかし、前者はスパッタリング
中に出力を上げた際、ろう材の融点以上に加熱されて剥
離してしまい、後者は矯正中に割れが発生してしまうと
いう事故がたびたび発生している。
接合する方法 (ロ)接合終了時にプレス機等を用いて反りを矯正する
方法、 などが試みられている。しかし、前者はスパッタリング
中に出力を上げた際、ろう材の融点以上に加熱されて剥
離してしまい、後者は矯正中に割れが発生してしまうと
いう事故がたびたび発生している。
以上の問題点を解決するために、本願出願人は特開平2
−43362号公報にバッキングプレートの接合面に溝
を設けることによって変形を防止する方法を提案してい
る。本方法によるとかなり反りが低減できるが、スパッ
タリング用接合体が300Mを超えて大型化してくると
、それだけの対策では不十分であるということが判明し
た。
−43362号公報にバッキングプレートの接合面に溝
を設けることによって変形を防止する方法を提案してい
る。本方法によるとかなり反りが低減できるが、スパッ
タリング用接合体が300Mを超えて大型化してくると
、それだけの対策では不十分であるということが判明し
た。
また、上述の溝をターゲツト材の接合面に設けるという
提案が特開昭59−232270号公報に開示されてい
るが、この目的は接合強度を高めるというものであり、
この方法は反り防止への効果はほとんどないことが上記
特開平2−43362号公報で報告されている。
提案が特開昭59−232270号公報に開示されてい
るが、この目的は接合強度を高めるというものであり、
この方法は反り防止への効果はほとんどないことが上記
特開平2−43362号公報で報告されている。
本発明の目的は、これらの背景をもとにさらに反りや変
形量の少ないスパッタリング用接合体を提供することで
ある。
形量の少ないスパッタリング用接合体を提供することで
ある。
本@明は、スパッタターゲットとバッキングプレートの
相対する接合面がろう材を介して接合されてなり、前記
両者の接合面に溝を設けたことを特徴とするスパッタリ
ング用接合体である。
相対する接合面がろう材を介して接合されてなり、前記
両者の接合面に溝を設けたことを特徴とするスパッタリ
ング用接合体である。
すなわち、本発明は、スパッタターゲットとバッキング
プレートの接合面の両面に溝を設けることによって反り
の発生を大幅に低下させようとするものである。
プレートの接合面の両面に溝を設けることによって反り
の発生を大幅に低下させようとするものである。
本発明における溝の形態の例を第2図に示すが、ストラ
イブ状(1)、基盤目状(2)、レコード溝状(3)等
積々の形態で実施することができる。
イブ状(1)、基盤目状(2)、レコード溝状(3)等
積々の形態で実施することができる。
第3図には1、溝の断面形状について示している。■字
形(1)、矩形(2)、半円形(3)、U字形(4)の
いずれであっても十分効果を発揮することができる。
形(1)、矩形(2)、半円形(3)、U字形(4)の
いずれであっても十分効果を発揮することができる。
溝断面形状については、深さ、幅(開口幅)はともに0
.5画以上でないと変形防止に対して効果がなく、あま
り大きくしすぎると熱電導の面から好ましくなく、0.
5〜1.51程度が望ましい。
.5画以上でないと変形防止に対して効果がなく、あま
り大きくしすぎると熱電導の面から好ましくなく、0.
5〜1.51程度が望ましい。
また、溝のピッチは大きすぎると変形防止に効果がなく
、本発明者が検討した結果によると10mm以下とする
ことが望ましい。
、本発明者が検討した結果によると10mm以下とする
ことが望ましい。
なお、上記の溝形状等は指針であり、バッキングプレー
トとスパッタターゲットの寸法や材質等によって最適な
ものを検討する必要がある。
トとスパッタターゲットの寸法や材質等によって最適な
ものを検討する必要がある。
接合方法は、従来から行われている方法に従って行えば
良い。
良い。
C実施例〕
次に実施例と図面に基づいて本発明の詳細な説明する。
実施例1
純クロムからなるスパッタターゲットで寸法が、厚さ8
画、幅127M、長さ750 mmのものと、バッキン
グプレートを銅で寸法を厚さ251uln、幅150■
、長さ830画のものを準備した。
画、幅127M、長さ750 mmのものと、バッキン
グプレートを銅で寸法を厚さ251uln、幅150■
、長さ830画のものを準備した。
両方の接合面にU字形の深さ1画、幅1mmの溝をピッ
チ3mmで第2図(1)に示すようなストライプ状に加
工した後、第1図(1)に示す形状に接合した。
チ3mmで第2図(1)に示すようなストライプ状に加
工した後、第1図(1)に示す形状に接合した。
接合終了後、変形量を測定したが、0.30mmであっ
た。なお、変形量はスパッタリング用接合体を基準平面
の上に静置した時の基準平面からの浮き上がり量(第5
図に示すYの値)で評価した。
た。なお、変形量はスパッタリング用接合体を基準平面
の上に静置した時の基準平面からの浮き上がり量(第5
図に示すYの値)で評価した。
上記と同じようにバッキングプレート側のみ溝を設けた
ものは変形量が0.9M、ターゲット側のみ溝を設けた
ものは変形量が1.5mmとなり、どちらにも溝を設け
なかったものは変形量が3.0Mを示し、実用上使えな
いほどの変形量となった。
ものは変形量が0.9M、ターゲット側のみ溝を設けた
ものは変形量が1.5mmとなり、どちらにも溝を設け
なかったものは変形量が3.0Mを示し、実用上使えな
いほどの変形量となった。
実施例2
実施例1と同じように両方の接合面に半径0.8門、深
さ0.8mmのU字溝をピッチ4mmでストライプ状に
加工したものを接合した。その結果、変形量0.32−
となり良好であった。
さ0.8mmのU字溝をピッチ4mmでストライプ状に
加工したものを接合した。その結果、変形量0.32−
となり良好であった。
実施例3
実施例1と同じように両方の接合面に深さinm、幅1
mmの7字形溝を縦ピツチ5皿、横ピツチ3鵬で第2@
(2)に示す基盤目状で加工し、第1図(2)に示す
形状に接合したところ、変形量0.28叩と良好であっ
た。
mmの7字形溝を縦ピツチ5皿、横ピツチ3鵬で第2@
(2)に示す基盤目状で加工し、第1図(2)に示す
形状に接合したところ、変形量0.28叩と良好であっ
た。
実施例4
スパッタターゲットを純クロムで寸法が直径300In
I11、厚さ8謳とし、バッキングプレートを銅で直径
350 mm、厚さ18mmとして両方の接合面に深さ
1闘、幅1ffIInの四角い溝をピッチ30として第
2図(3)に示すようなレコード盤状に加工した。これ
を実施例1と同様に接合を行ったところ変形量0.10
mmと良好であった。
I11、厚さ8謳とし、バッキングプレートを銅で直径
350 mm、厚さ18mmとして両方の接合面に深さ
1闘、幅1ffIInの四角い溝をピッチ30として第
2図(3)に示すようなレコード盤状に加工した。これ
を実施例1と同様に接合を行ったところ変形量0.10
mmと良好であった。
上記と同様でバッキングプレート側のみ溝を設けたもの
は変形量0.80mと実用上不向きな変形量が生じた。
は変形量0.80mと実用上不向きな変形量が生じた。
上述の溝の寸法形状や加工形状は各々単独で用いても良
いが、それぞれ複合で用いることもできる。また、本実
施例ではスパッタターゲットとバッキングプレートの溝
の加工位置は相対する位置で説明したが、この溝の位置
をずらして、たとえば千鳥形状になるように加工または
接合しても良い。
いが、それぞれ複合で用いることもできる。また、本実
施例ではスパッタターゲットとバッキングプレートの溝
の加工位置は相対する位置で説明したが、この溝の位置
をずらして、たとえば千鳥形状になるように加工または
接合しても良い。
本発明によれば、従来はスパッタターゲットとバッキン
グプレートの接合後の反りが大きく生じ剥離したり、装
置に取り付けられなかったりしたが、大幅に反りを低減
することができ、品質の安定したスパッタリング用接合
体を供給することができる。
グプレートの接合後の反りが大きく生じ剥離したり、装
置に取り付けられなかったりしたが、大幅に反りを低減
することができ、品質の安定したスパッタリング用接合
体を供給することができる。
第1図は、本発明に係るスパッタリング用接合体の断面
図、第2図は溝の形態を示す図、第3図は溝形状を示す
図、第4図は従来のスパッタリング用接合体の断面図、
第5図は接合体の変形状況を示す図である。 1:バッキングプレート、2ニスバツタターゲツト、3
:溝、31:縦溝、32:横溝、4:ろう材、5:磁石 出願人 日立金属株式会社5.−。 7. \ ”、ヲ 第1図 3、溝 3、@ 第2図 第3図 第5図
図、第2図は溝の形態を示す図、第3図は溝形状を示す
図、第4図は従来のスパッタリング用接合体の断面図、
第5図は接合体の変形状況を示す図である。 1:バッキングプレート、2ニスバツタターゲツト、3
:溝、31:縦溝、32:横溝、4:ろう材、5:磁石 出願人 日立金属株式会社5.−。 7. \ ”、ヲ 第1図 3、溝 3、@ 第2図 第3図 第5図
Claims (1)
- (1)スパッタターゲットとバッキングプレートの相対
する接合面がろう材を介して接合されてなり、前記両者
の接合面に溝を設けたことを特徴とするスパッタリング
用接合体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29431490A JPH04168267A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | スパッタリング用接合体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29431490A JPH04168267A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | スパッタリング用接合体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04168267A true JPH04168267A (ja) | 1992-06-16 |
Family
ID=17806093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29431490A Pending JPH04168267A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | スパッタリング用接合体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04168267A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6749103B1 (en) * | 1998-09-11 | 2004-06-15 | Tosoh Smd, Inc. | Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby |
US6774339B1 (en) * | 1999-11-09 | 2004-08-10 | Tosoh Smd, Inc. | Hermetic sealing of target/backing plate assemblies using electron beam melted indium or tin |
WO2004065046A3 (en) * | 2003-01-22 | 2004-09-30 | Tosoh Smd Inc | Brittle material sputtering target assembly and method of making same |
JP2004344958A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Sentan Zairyo:Kk | 炭素アルミニウム複合材料または炭化珪素アルミニウム複合材料に金属を接合したハイブリッド材料および該ハイブリッド材料を用いた熱交換器用部品 |
US9831073B2 (en) | 2012-02-14 | 2017-11-28 | Tosoh Smd, Inc. | Low deflection sputtering target assembly and methods of making same |
-
1990
- 1990-10-31 JP JP29431490A patent/JPH04168267A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6749103B1 (en) * | 1998-09-11 | 2004-06-15 | Tosoh Smd, Inc. | Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby |
US6774339B1 (en) * | 1999-11-09 | 2004-08-10 | Tosoh Smd, Inc. | Hermetic sealing of target/backing plate assemblies using electron beam melted indium or tin |
WO2004065046A3 (en) * | 2003-01-22 | 2004-09-30 | Tosoh Smd Inc | Brittle material sputtering target assembly and method of making same |
JP2004344958A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Sentan Zairyo:Kk | 炭素アルミニウム複合材料または炭化珪素アルミニウム複合材料に金属を接合したハイブリッド材料および該ハイブリッド材料を用いた熱交換器用部品 |
US9831073B2 (en) | 2012-02-14 | 2017-11-28 | Tosoh Smd, Inc. | Low deflection sputtering target assembly and methods of making same |
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