JPS58181771A - 拡散接合方法およびこの方法による複合体 - Google Patents

拡散接合方法およびこの方法による複合体

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Publication number
JPS58181771A
JPS58181771A JP6449682A JP6449682A JPS58181771A JP S58181771 A JPS58181771 A JP S58181771A JP 6449682 A JP6449682 A JP 6449682A JP 6449682 A JP6449682 A JP 6449682A JP S58181771 A JPS58181771 A JP S58181771A
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JP
Japan
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diffusion bonding
copper
aluminum
plate
bonding
Prior art date
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Pending
Application number
JP6449682A
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English (en)
Inventor
健司 山根
正昭 青木
荒川 芳樹
健 吉原
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Shinmaywa Industries Ltd
Original Assignee
Shin Meiva Industry Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は銅とセラミックスとの拡散接合方法およびこ
の方法による複合体に係り、特に複合体屋 2 構成材相互の接合を確実かつ容易簡単としたものに関す
る。
従来鋼−セラミックス複合体は、ICパッケージ等のセ
ラミックス基板として広く使用されている。しかしなが
ら、従来セラミックス板と銅板とを接合させるには、例
えばセラミックスの接合面にモリブデン、タングステン
などのメタライズインクを塗布し、その後高温で焼付し
、ニッケル等のメッキを施し、銅板を半田付けまたは銀
ろう付けしていた。その他の接合方法にしても、工程が
複雑で手間を要するものであった。
またこのような基板は、近時電子機器の小形化にともな
い、装着部品が高密度化され、基板の放熱性が問題とな
りつつある。そのため、基板の発熱のため装着部品に悪
影響をおよほす。また放熱性を良くするため、特別に放
熱板を取り付けるなど面倒であった。
この発明は前述問題点を解決するため、特にセラミック
スと銅およびアルミニウムとの拡散接合を種々こころみ
、銅とセラミックスとの拡散接合7f13 においてはアルミニウムをインサート材として使用する
ことにより、その接合を完全ならしめ、さらにこの拡散
接合方法を利用した複合体を完成させるに散ったもので
ある。
以下図面を参照しつつこの発明一実施例を詳述する。
この実施例では1、セラミックス板lとして、アルミナ
系セラミックス(A t203)の材料で、厚さ0.6
mの5Crn角のものを使用した。ま、た銅板2は厚さ
0.04mのもの、アルミニウム箔3は厚さOo 17
tmのもの、アルミニウム板4は厚さ102■のものい
ずれも5副角のものを使用した。
そしてこれらをアセトン中で充分に脱脂後アセトンを払
拭除去して接触面を清浄とし、図のように重ねる。
この重ねたものを真空チャンバーに入れ、真空ポンプで
約10  Torrの真空とし、かつ温度約580°C
で60分間、加圧圧力約1.Okp/−で拡散接合処理
した。
この結果、セラミックス板lに対して、銅板2およびア
ルミニウム板4は共に強固に接着し、刃物でこすっても
削られはするが、剥離することはなかった。
前述の場合、セラミックス板1と銅板2との間に、アル
ミニウム箔3を挿入しなかった場合は、圧力や温度を種
々変えて実験しても、強固には接合しなかった。
前述実施例では、ICパッケージの基板としてもっとも
望ましいAt203を板lとして使用した。
この他、セラミックスとして、ステアタイト系(MgO
争8102)、ムライト系(8Al2O3・25i02
)、ジルコン系(ZrO2・5102)1 フォルステ
ライト系(2MgOLISiO2)あるいはシリコンカ
ーバイド系(SiC)などがこの発明に適用でき、いず
れも前述同様の実施例で実験して、同様の強固な接合が
得られた。また、板1の厚さとしては、機械的強度の許
すかぎり薄いのが望ましく、厚すぎると、表裏の温度差
による破壊のおそれが生じる。
また板1は基板として使用するために必要により、適宜
部品取付用の穴を穿孔して゛おくこともで/165 きる。
銅板2の材質、厚さなどは基板用として、従来同様の適
宜のものを使用しうる。
インサート材としてのアルミニウム箔3の厚さは、0゜
01ないし05■のものが望ましく、あまり厚くても結
果は良くない。ただしセラミックス板1としてSiCを
使用したときは、0.5−程度の厚いものが、より良結
果が得られる。また放熱のためのアルミニウム板4は、
厚さOlないし1mのものが望ましい。いずれもアルミ
ニウムの材質としては、純アルミニウムまたはこれを主
成分とするアルミニウム合金が適用しうる。
拡散接合を行なう場合の温度はこの発明を実施するうえ
についての重要なポイントの一つである、。
一般に高温であるほど圧力は小ですむが、この発明の場
合、使用する材料のうち、融点のもっとも低いのはアル
ミニウムの約650°Cであり、この温度より高くする
ことは出来ない。また、接合材料相互の共晶温度の最低
はAt−Cuの548°Cである。拡散接合は必らずし
も共晶を伴なうこと屋 6 を要巳ないものであるが、共晶現象を利用すればその接
合はより完全となるものであり、この発明における拡散
接合時の温度は548°C以上が望ましい。
この発明において前述範囲内の温度に対応する拡散接合
時の圧力と時間については、各構成の材質によりそれぞ
れ実験によって定められるが、前述実施例近辺の圧力と
時間で、はぼいずれの場合も実施可能である。
また拡散接合時にその雰囲気を真空とする以外に、窒素
またはアルゴンなどの不活性ガス雰囲気としてもよい。
前述説明においては、セラミックス板の一方に銅板を、
他方にアルミニウム板を接合し、このアルミニウム板に
よって基板の放熱を良好とした。
しかしながら、セラミックス板の両面共銅板を接合し、
両面に電子回路を構成するようにしてもよいO さらにはこの発明は、この発明の技術的思想の範囲内に
おける各構成の均等物との置換えも、ま屋 7 たこの発明の技術的範囲に含まれるものである。
この発明は前述したとおり、セラミックス基板などに使
用する複合体として、その各構成相互の接合が完全であ
るのみならず、その放熱も良好となしうるなと、特有か
つ顕著な効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明一実施例を示す側面図である。 1・・・セラミックス板、2・・・銅板、3・・・アル
ミニウム箔、4・・・アルミニウム板。 出願人 新明和工業株式会社 代理人 弁上 正 (ほか1名) 特開昭58−181771(3)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  銅とセラミックスとの拡散接合方法であって
    、前記銅とセラミックスとの間にアルミニウム箔を介在
    せしめ、548°Cないし約650°Cの温度で拡散接
    合することを特徴とする、前記拡散接合方法。
  2. (2)銅−セラミソクスーアルミニウム複合体であって
    、前記銅とセラミックスとの間にアルミニウムをインサ
    ート材として挾み、拡散接合によって一体化してなる、
    前記複合体。
  3. (3)銅−セラミノクスー銅複合体であ−)て、前記銅
    とセラミックスとの間にアルミニウムをインサート材と
    して挾み、拡散接合によって一体化してなる、前記複合
    体。
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