JP3635379B2 - 金属−セラミックス複合基板 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はパワーモジュール用の基板として用いる金属−セラミックス複合基板に関し、更に詳しくは従来のヒートシンク体を不用とするベース一体型の複合基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、パワーモジュール基板の製造法としては、古くはアルミナセラミックスグリーンシートの表面にモリブデンやタングステンなどの有機バインダーを含んだ金属ペーストを印刷し、雰囲気炉中で加熱してメタライズさせて回路を形成していた。
【0003】
次いで、メタライズ層をNiメッキし、ハンダ付けを行ないNiメッキモリブデンやタングステンなどのスペーサーを付加し、Niメッキを順次行なって最後にSiチップを載せる方法がとられていた。
【0004】
次いで、セラミックス基板の種類によっては特殊な雰囲気や特定温度下において、セラミックス基板(アルミナ)と金属板(銅板)とが直接接合できることが見出された(特公平4−55148号)。
【0005】
更に、セラミックス基板が窒化アルミニウム材の場合には、この基板の表面を改質して直接接合する方法や、あるいはろう材を塗布して金属板を接合する方法が採用され、現在のパワーモジュール基板の製造法として多く活用されている。
【0006】
そして、これらの製造法によって得られたいずれのパワーモジュール基板も、放熱板(下面)側にアルミニウム板等のヒートシンク体を接合することによって実際の電気部品として使用しているのが現状であった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように従来のパワーモジュール基板は、構造上の問題からヒートシンク体と接合せざるを得なく、最終的にコスト上昇の要因となっていた。
【0008】
従って、従来の機能を生かしたままこれらヒートシンク体を用いない等の新しい基板の開発が求められているが、本発明はこの課題を解決することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は斯かる課題を解決するために鋭意研究したところ、従来の放熱板と接合するヒートシンク体とを併せた金属体を用いることで上記課題を解消できることを見出し本発明を提供することができた。
【0010】
本発明の金属−セラミックス複合基板は、異形断面として凹部を有する銅板と、底面が該銅板の凹部と接合するセラミックス基板と、該基板上に形成された回路とから構成され、該セラミックス基板の厚さが0.635mmであり、該銅板の凹部の厚さが該セラミックス基板の厚さより小さいことを特徴とする。
【0011】
また、本発明の金属−セラミックス複合基板は、異形断面として凹部を有する銅板と、底面が該銅板の凹部と接合するセラミックス基板と、該基板上に形成された回路とから構成され、該セラミックス基板の厚さが0.635mmであり、該銅板の凹部の厚さが0.1mmであることを特徴とする。
【0012】
また、本発明の金属−セラミックス複合基板においては、前記異形断面を有する銅板がめっきされてなることを特徴とする。
【0013】
本発明において使用する基板としては、アルミナ、窒化アルミニウム、炭化珪素、ジルコニア等のセラミックス基板やガラス等であり、この場合、高強度の素材であればなお好ましい。
【0014】
また、本発明で用いる上下の金属板は銅板、アルミニウム板等の金属板であるが、本発明においては一例として銅板を用いる。先ず上部の銅板としてはあらかじめ回路状に形成した銅板を用いる場合と、セラミックス基板と同等の大きさの銅板を接合して、後工程で所望の回路をエッチング処理することによって得る手段とがある。
【0015】
逆に、セラミックス基板下部に接合する異形断面を有する銅板としては中央部が凹状となっており、この部分にセラミックス基板を嵌合できる構造で両側端部には他の部品と接合するための複数個のネジ穴を設けている。
【0016】
上記の異形断面を有する銅板上にセラミックス基板、回路形成用銅板と順次重ねて積層体とするが、直接接合法でこれらの複合体を得る場合には、用いるセラミックス基板としてはアルミナ基板が好ましい(第1工程)。
【0017】
ろう材を介してこれらの積層体を得る場合には、窒化アルミニウム基板や炭化珪素基板が好ましく、ろう材の種類としては銀ろう材、活性金属ろう材等市販のろう材を使用できる。
【0018】
次いで、上記の第1工程によって得られた積層体を接合炉中で加熱処理することで上下の金属板(銅板)と接合せしめる(第2工程)が、この場合、加熱処理は用いるセラミックス基板によってその処理条件が異なる。
【0019】
例えば、セラミックス基板としてアルミナ基板を用いる場合には窒素雰囲気中で1060〜1064℃の温度で加熱処理して直接接合するが、窒化アルミニウム基板を用いる場合には、ろう材を介して接合させるため、例えば850℃前後で加熱処理することによって金属−セラミックス複合基板を得る。
【0020】
更に、回路形成用銅板を用いた場合には、所望の回路をエッチング処理して形成する(第3工程)が、この場合、下板に用いる異形断面を有する銅板の両側面部分、あるいは全面をあらかじめドブ付けメッキ処理を施して、上記エッチング処理によって浸漬されないようにする必要がある。
【0021】
以下図面を参照して本発明の金属−セラミックス複合基板について詳細に説明する。
【0022】
【発明の実施の形態】
(実施例1)
【0023】
図1に示すように両側端部の厚みが0.5mmで、中央部の厚みが0.1mmである異形断面を有する銅板1の中央部に20mm×50mm×0.635mmのアルミナ基板2を嵌合し、更に、該基板2上に厚さ0.3mmの回路状銅板3,3´を配置して得た積層体をこれらの位置がずれないようにして接合炉中に挿入した。
【0024】
接合炉における熱処理条件として、窒素雰囲気下、酸素濃度を150ppm±5ppmに安定させ、炉内の圧力を1.5気圧とし温度を上昇させて1060℃に達した後、1064℃まで昇温して冷却したが、この時1060℃以上の温度に5分間保持した。
【0025】
炉冷後、これらの積層体を取り出したところ図2に示すようにアルミナ基板は上下の銅板と直接接合された複合体となっており最終的に回路面上に所定の部品等を配置した後ネジ止めすることによってヒートシンク体を不用とするパワーモジュール体を得た。
【0026】
(実施例2)
【0027】
実施例1で用いた異形断面銅板の中央部上にAg−Cu−Tiから成る金属活性ろう材4を塗布し、その上に20mm×50mm×0.635mmのAlN基板2を嵌合し、更に厚さ0.3mmの回路状銅板3,3´を上記ろう材を介して積層し、これらの積層体の位置がずれないようにして接合炉中に挿入した。
【0028】
接合炉における熱処理条件として、1×10-4Torrの真空中、最高温度850℃で20分間熱処理を施して、これらAlN基板と上下の銅板とを接合した図2に示すと同様の接合体を得た。
【0029】
(実施例3)
【0030】
予めアルミナ基板を嵌合せしめる中央部上に金属活性ろう材4を塗布し、この中央部以外をドブ付けメッキ処理した異形断面銅板1を下板として用い、図3に示すように該下板1上に20mm×50mm×0.635mmのアルミナ基板2、更に、その上に同形状で厚さ0.3mmの回路形成用銅板5を積層した積層体を位置ずれしないようにして接合炉中に挿入した。
【0031】
接合炉中の条件は、実施例1に示す条件と同一にして処理したところ、アルミナ基板2を介して上下の銅板としっかり接合することが確認できた。更に図4に示す様に回路形成用銅板5上に回路状に形成したレジスト6をスクリーン印刷し、遮光処理を施した。
【0032】
次いで、これらを塩化第二鉄のエッチング液で処理することにより、図2に示すと同様の回路を有する複合体を得、実施例1と同様の図5に示すパワーモジュール体を得た。
【0033】
(実施例4)
【0034】
予め、全面をドブ付けメッキ処理した異形断面銅板を用い、該銅板の中央部上にAg−Cu−Ti(3%)の活性金属ろう材を塗布し、その上に20mm×50mm×0.635mmのAlN基板を、更に、該基板上に所定回路形状に上記ろう材を塗布した上に20mm×50mm×0.3mmの銅板を積層して接合炉中に挿入した。
【0035】
接合炉中の条件は、実施例2に示す条件と同一にして処理して得た複合体の上部銅板上に、図4に示すと同様に回路パターンをエンチングレジストで形成した後、塩化第二鉄溶液でエッチング処理して銅の不要部分を除去してからエッチングレジスト膜を除去し、図5に示すような銅回路を有するAlN基板を得た。
【0036】
このようにして得た複合体に実施例1と同様に他の部品をネジで結合することによって、従来のヒートシンク体を不要とする新規なパワーモジュール体を得ることができた。
【0037】
【発明の効果】
本発明の金属−セラミックス複合基板は従来のようにヒートシンク体をこれらの複合体に付けることもなく、他の部品をネジ止めで結合できることから形状を小さく、且つ、安価に製造できる等の効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1に用いられたセラミックス複合基板の製造工程を示す斜視図である。
【図2】本発明の実施例1において得られたセラミックス複合基板の斜視図である。
【図3】本発明の実施例2に用いられたセラミックス複合基板の製造工程を示す斜視図である。
【図4】本発明の実施例2におけるレジストを配線パターンに印刷した状態を示す斜視図である。
【図5】本発明の実施例2において得られたセラミックス複合基板の斜視図である。
【符号の説明】
1 銅板
2 基板
3 回路状銅板
3´ 回路状銅板
4 金属活性ろう材
5 回路形成用銅板
6 レジスト
Claims (4)
- 異形断面として凹部を有する銅板と、底面が該銅板の凹部と接合するセラミックス基板と、該基板上に形成された回路とから構成され、該セラミックス基板の厚さが0.635mmであり、該銅板の凹部の厚さが該セラミックス基板の厚さより小さいことを特徴とする金属−セラミックス複合基板。
- 異形断面として凹部を有する銅板と、底面が該銅板の凹部と接合するセラミックス基板と、該基板上に形成された回路とから構成され、該セラミックス基板の厚さが0.635mmであり、該銅板の凹部の厚さが0.1mmであることを特徴とする金属−セラミックス複合基板。
- 前記異形断面を有する銅板がめっきされてなることを特徴とする請求項1または2記載の金属−セラミックス複合基板。
- 前記異形断面を有する銅板の凹部以外の部分に、他の部品を結合するためのネジ穴が形成されていることを特徴とする請求項1、2または3記載の金属−セラミックス複合基板。
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