JPH0946048A - タブ電極付きセラミックス多層基板及びその製造法 - Google Patents
タブ電極付きセラミックス多層基板及びその製造法Info
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Abstract
セラミックス多層基板は大型となる欠点があった。本発
明の目的は上記の欠点を除去した小型のタブ電極付きセ
ラミックス多層基板及びその製造法を得るにある。 【解決手段】 ヒートシンクとなる金属板上に夫々セラ
ミックス基板を介して順次にタブ電極付き金属板を積層
固着して形成したタブ電極付きセラミックス多層基板。
上記基板を接合炉中で加熱処理して形成する基板の製造
法。上記金属板とセラミックス基板は活性金属ろう材で
接着される。
Description
の基板として用いられるタブ電極付きセラミックス複合
基板に関し、更に詳しくは低インダクタンス性に優れた
小型の基板を提供することを目的とする。
しては、古くはアルミナセラミックスグリーンシートの
表面にモリブテンやタングステン等の有機バインダーを
含んだ金属ペーストを印刷し、雰囲気炉中で加熱してメ
タライズ化し、得られたメタライズ層にメッキ付けをし
た後にスペーサーを半田付けしていた。
は特殊な雰囲気や特定温度下において、セラミックス基
板(アルミナ)と金属板(銅板)とが直接接合できるこ
とが見出された(特公平4−55148号)。
ム材の場合には、この基板の表面を改質して直接接合す
る方法や、あるいはろう材を塗布して金属板を接合する
方法が採用され、現在のパワーモジュール基板の製造法
として多く活用されている。
いずれのパワーモジュール基板も、放熱板(下面)側に
アルミニウム板等のヒートシンク体を接合することによ
って実際の電気部品として使用しているのが現状であっ
た。
周波大電力用のパワーモジュール基板も要求されるよう
になり、上記従来タイプのセラミックス複合基板で対応
する場合は、基板を大型化して対応しなければならず、
最終製品も厚みの大きいタブ電極付きプラスチックパッ
ケージを必要としていた。
き、しかも小型化可能な新しい基板の開発が求められて
いるが、本発明はこの課題を解決することを目的とす
る。
解決するために鋭意研究したところタブ電極付き金属板
をセラミックス基板上に積層させることによって小型化
出来ることを見出し本発明を提案できた。
ミックス多層基板に関する第1の発明は、底部より金属
板、セラミックス基板、金属板、セラミックス基板、タ
ブ電極付き金属板と積層されていることを特徴とする。
る第2の発明は、底部より金属板、セラミックス基板、
タブ電極付き金属板、セラミックス基板、タブ電極付き
金属板と積層されていることを特徴とする。
法に関する第3の発明は、下部セラミックス基板の下面
に金属板を上面に金属板又はタブ電極付き金属板の一方
を配置し、次いで該上面の金属板上に上部セラミックス
基板、タブ電極付き金属板と積層せしめて、接合炉中に
て窒素雰囲気中1060〜1064℃の温度で加熱処理
して直接接合体を得ることを特徴とする。
法に関する第4の発明は、下部セラミックス基板の下面
に金属板を上面に金属板又はタブ電極付き金属板の一方
を活性金属ろう材を介して配置し、次いで該上面の金属
板上に上部セラミックス基板、タブ電極付き金属板を前
記活性金属ろう材を介して積層せしめて、接合炉中にて
800〜900℃前後の温度で加熱処理して接合体と成
すことを特徴とする。
板としては、アルミナ、窒化アルミニウム、炭化珪素、
ジルコニア等のセラミックス基板やガラス等であり、こ
の場合、高強度の素材であればなお好ましい。
性に優れた銅板やアルミニウム板を用い、直接接合ある
いはろう材を介して接合する。
と金属板(銅板)とを直接接合法で多層体を得るには、
アルミナ基板を用いるのがよい。一方、ろう材を介して
これらの多層体を得る場合は、窒化アルミニウム板や炭
化珪素板が好ましく、ろう材の種類としては銀ろう材や
活性金属ろう材等市販のろう材を使用できる。
の金属板は放熱板としての作用を成すが、上面に接合す
る金属板は二種類のものが使用される。即ち、最上面に
複数個のタブ電極を有する金属板を用いる場合には、こ
の上面には導電用の平らな二個の金属板を用い、一方、
タブ電極が一個の金属板を用いる場合には、上部セラミ
ックス基板を挟む形で二個のタブ電極付き金属板を下部
セラミックス基板上面の左右に分割した構造で接合す
る。
を積層したものをその位置がずれないように必要に応じ
て押さえ具を用いて接合炉中に搬送し、加熱炉中で加熱
処理を施して接合した多層体を得るが、この場合、加熱
処理の温度は用いるセラミックス基板によってその処理
条件が異なる。
基板を用いる場合には、窒素雰囲気中で1060〜10
64℃の温度で加熱処理するが、一方、窒化アルミニウ
ム基板等を用いる場合には、ろう材を介して接合するた
め、例えば850℃前後の温度で加熱処理して接合基板
を得る。
されるように左右両面に二個づつのタブ付き電極が基板
外に出る構造となっており、また、低インダクアンスを
小さい面積で実現できることから、従来の厚みの大きい
タブ電極付きプラスチックスパッケージが不必要とな
り、パワーモジュール体としてより小型化が可能となっ
た。
ブ電極付きセラミックス多層基板及びその製造法につい
て詳細に説明する。
に示すように、下部セラミックス基板として縦幅51m
m×横幅31mm×厚み0.635mmの窒化アルミニ
ウム基板1を用い、この基板1の上下面にAg−Cu−
Ti(2.5wt%)から成る金属活性ろう材を所定範
囲に塗布し、基板1の下面には縦幅49mm×横幅28
mm×厚み0.5mmの銅板(ヒートシンク用)2を基
板1の上面には接合部の厚みが0.3mm、端子部3′
の厚みが0.5mmとなる2枚のタブ電極としての端子
部付き銅板3,3を積層する。
属活性ろう材を所定範囲に塗布した後、縦幅49.5m
m×横幅8.5mm×厚み0.635mmの上部セラミ
ックス基板4,4を夫々積層する。
板4,4上に金属活性ろう材を所定範囲に塗布した後、
接合部の厚みが0.3mm、端子部の厚みが0.5mm
であり、且つ、端子部5′の位置が前記端子部付き銅板
3の端子部3′とは反対方向に位置する銅板5,5を夫
々積層する。
0〜900℃、好ましくは850℃前後で加熱処理して
接合せしめ、図1,図2に示す形状の多層体を得る。
した端子孔である。
示すAlN基板1に代えて同じ大きさのアルミナ基板を
用い、端子部付き銅板3,3の端子部先端には端子を支
える支持棒(図示せず)を置くことにより水平を保つよ
うにする。
部の先端には端子を支える支持棒(図示せず)を置くこ
とにより水平を保つようにする。
囲気下、酸素濃度を150±5ppmに安定させ、炉内
の圧力を1.5気圧とし温度を上昇させて1060℃に
達した後、1064℃まで昇温して冷却する。この時1
060℃以上の温度に5分間保持して、直接接合させた
多層基板を得る。
例1において、下部セラミックス基板上面に配置した端
子付き銅板3,3に代え縦幅49.5mm×横幅8.5
mm×厚み0.635mmの導電用銅板を配置し、また
一個の端子部3′が付いた銅板3,3に代え、端子部
3′が二個付いた銅板(図示せず)を活性金属ろう材を
介して配置する。
条件下で処理を行なって所望の多層基板を得る。
部位をセラミックス基板の上下面に積層する構造であ
り、これによって従来品のような広い平面を不要とし、
装置の小型化を図れるという効果を有するものである。
Claims (6)
- 【請求項1】 底部より金属板、セラミックス基板、金
属板、セラミックス基板、タブ電極付き金属板と積層さ
れていることを特徴とするタブ電極付きセラミックス多
層基板。 - 【請求項2】 底部より金属板、セラミックス基板、タ
ブ電極付き金属板、セラミックス基板、タブ電極付き金
属板と積層されていることを特徴とするタブ電極付きセ
ラミックス多層基板。 - 【請求項3】 下部セラミックス基板の下面に金属板を
上面に金属板を配置し、次いで該上面の金属板上に上部
セラミックス基板、タブ電極付き金属板と積層せしめて
接合炉中にて窒素雰囲気中、1060〜1064℃の温
度で加熱処理して直接接合体を得ることを特徴とするタ
ブ電極付きセラミックス多層基板の製造法。 - 【請求項4】 下部セラミックス基板の下面に金属板を
上面に金属板を活性金属ろう材を介して配置し、次いで
該上面の金属板上に上部セラミックス基板、タブ電極付
き金属板を前記活性金属ろう材を介して積層せしめて、
接合炉中にて800〜900℃前後の温度で加熱処理し
て接合体と成すことを特徴とするタブ電極付きセラミッ
クス多層基板の製造法。 - 【請求項5】 下部セラミックス基板の下面に金属板を
上面にタブ電極付き金属板を配置し、次いで該上面の金
属板上に上部セラミックス基板、タブ電極付き金属板と
積層せしめて接合炉中にて窒素雰囲気中、1060〜1
064℃の温度で加熱処理して直接接合体を得ることを
特徴とするタブ電極付きセラミックス多層基板の製造
法。 - 【請求項6】 下部セラミックス基板の下面に金属板を
上面にタブ電極付き金属板を活性金属ろう材を介して配
置し、次いで該上面のタブ電極付き金属板上に上部セラ
ミックス基板、タブ電極付き金属板を前記活性金属ろう
材を介して積層せしめて、接合炉中にて800〜900
℃前後の温度で加熱処理して接合体と成すことを特徴と
するタブ電極付きセラミックス多層基板の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP21302095A JP3700150B2 (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | タブ電極付きセラミックス多層基板及びその製造法 |
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JPH0946048A true JPH0946048A (ja) | 1997-02-14 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014067971A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板 |
WO2023190484A1 (ja) * | 2022-03-28 | 2023-10-05 | 京セラ株式会社 | セラミック構造体 |
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US8936863B2 (en) | 2011-07-12 | 2015-01-20 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Secondary battery |
-
1995
- 1995-07-31 JP JP21302095A patent/JP3700150B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP3700150B2 (ja) | 2005-09-28 |
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