JP2006156975A - 接合体、パワーモジュール用基板、及び、パワーモジュール並びに接合体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パワーモジュール1は、二つのAL回路基板(AL層)2、3の間に、ALNからなる絶縁セラミックス層(セラミックス層)5が挟まれて接合された第一接合体(接合体、パワーモジュール用基板)6及び第二接合体(接合体)7と、第二接合体7のAL回路基板2に配線されたSiチップ(大電力半導体素子)8とを備えている。AL回路基板2、3と絶縁セラミックス層5とはAl−Si系のロウ材を介して、第一接合体6と第二接合体7とは、Ni−Sn化合物層10を介してそれぞれ接合されている。
【選択図】図1
Description
本発明に係る接合体は、二つのアルミニウム(AL)層の間にセラミックス層が挟まれて接合されてなり、AL材がニッケル−スズ(以下、「Ni−Sn」と称する。)化合物層を介して前記二つのAL層の少なくとも一方に接合されていることを特徴とする。
この接合体は、はんだ付けの際にNi−Sn化合物層の溶融を抑えてAL層とセラミックス層との接合を好適に維持することができる。
このパワーモジュール用基板は、基板を構成する各層を好適に接合することができる。
このパワーモジュールは、本発明に係るパワーモジュール用基板を備えているので、基板を構成する各層の接合状態を好適に維持してはんだ付け作業を行うことができる。
本実施形態に係るパワーモジュール1は、二つのAL回路基板(AL層、AL材)2、3の間に、窒化アルミニウム(以下、「ALN」と称する。)からなる絶縁セラミックス層(セラミックス層)5が挟まれて接合された第一接合体(接合体、パワーモジュール用基板)6及び第二接合体(接合体)7と、第二接合体7のAL回路基板2に配線されたSiチップ(大電力半導体素子)8とを備えている。
AL回路基板2、3と絶縁セラミックス層5とは、Al−Si系等のロウ材9によって、及び、第一接合体6と第二接合体7とは、Ni−Sn化合物層10を介してそれぞれ接合されている。
ここで、AL回路基板2、3としては、純度99.99%以上の高純度Alや純Al(1050、1100:JIS規格)、Al−Cu合金(2011:JIS規格)、Al−Si−Mg合金(6063、6061:JIS規格)、Al−Mn合金(3003、3004:JIS規格)、Al−Mg合金(5005:JIS規格)等を適用できる。
まず、第一接合体6及び第二接合体7を製造する。
この工程では、AL回路基板2、3及び、絶縁セラミックス層との接合面にそれぞれAl−Si系ロウ材9を挟み、荷重0.5MPa〜5MPaの荷重で圧接した状態で630℃、真空中にて加熱する。
この製造工程は、第一接合体6に係るAL回路基板2と第二接合体7に係るAL回路基板3との接合面にそれぞれNiを含む層を形成する第一工程と、このNiを含む層を対向させ、その間にSn−3.5Agはんだ(接合材)を接触させる第二工程と、第一接合体6に係るAL回路基板2と第二接合体7に係るAL回路基板3とを圧接した状態で加熱する第三工程とを備えている。以下、詳細を説明する。
次に、第二工程では、第一接合体6のAL回路基板2に係るめっき層と第二接合体6のAL回路基板3に係るめっき層との間に、Sn−3.5Agの厚さ約20μmの不図示の圧延箔をはんだとして挟む。
そして、第三工程では、積層方向の最外層となる第一接合体6のAL回路基板3と第二接合体7のAL回路基板2との両方から0.05MPa〜1MPaの荷重をかけた状態で30分間、280℃に保持する。
このNi−Sn化合物層10の組成は、Ni:27〜29wt%、Sn:71〜73wt%、とされており、上述しためっき層やSn−3.5Agの圧延箔の厚さは、上述の範囲内となるように調整されている。
このとき、AL回路基板2が430℃の温度に加熱されるが、Ni−Sn化合物層10の溶融はなく、接合状態を維持できる。
こうして、パワーモジュール1を得る。
なお、上述した第1の実施形態と同様の構成要素には同一符号を付すとともに説明を省略する。
第2の実施形態と第1の実施形態との異なる点は、本実施形態に係るパワーモジュール20は、第二接合体7の代わりに、AL厚板(AL材)21が第一接合体6のAL回路基板2に接合され、AL厚板21にSiチップ8がはんだ付けされた接合体25を備えているとした点である。
この接合体25も、AL厚板21と第一接合体6のAL回路基板2とを接合する際に、第1の実施形態と同様の製造方法にて行う。
この接合体25によれば、第1の実施形態に係る接合体15と同様の製造方法にて、第一接合体6とAL厚板21とを接合させることができ、AL厚板21にSiチップ8をはんだ付けしてパワーモジュール20を製造する際に上述と同様の作用・効果を得ることができる。
なお、上述した他の実施形態と同様の構成要素には同一符号を付すとともに説明を省略する。
第3の実施形態と第2の実施形態との異なる点は、本実施形態に係るパワーモジュール30は、第一接合体6のAL回路基板2に、Siチップ8とAL端子(AL材)31とが装着されているとした点である。
この接合体35も、AL端子31とAL回路基板2とを接合する際に、第1の実施形態と同様の製造方法にて行う。
この接合体35によれば、第一接合体6とAL端子31とを接合させることができ、AL回路基板2にSiチップ8をはんだ付けしてパワーモジュール30を製造する際に上述と同様の作用・効果を得ることができる。
例えば、上記実施形態では、Niを含む層として無電解Ni−Pめっき層を接合面となるAL回路基板2、3に形成させているが、AL表面の酸化膜を除去する工程を追加することによって、めっきの代わりにスパッタリング法や蒸着法によってNiを含む層を形成させても構わない。
さらに、第一接合体6のAL回路基板3にAL等からなる放熱体を配してパワーモジュール用基板、若しくは、パワーモジュールとしても構わない。
また、ロウ材は、Al−Si系ロウ材に限らず、Al−Ge系、Al−Cu系、Al−Mn系ロウ材であっても構わない。
2、3 AL回路基板(AL層、AL材)
5 絶縁セラミックス層(セラミックス層)
6 第一接合体(接合体、パワーモジュール用基板)
7 第二接合体(接合体)
8 Siチップ(大電力半導体素子)
10 Ni−Sn化合物層
15、25、35 接合体
21 AL厚板(AL材)
31 AL端子(AL材)
Claims (5)
- 二つのアルミニウム(AL)層の間にセラミックス層が挟まれて接合されてなり、
AL材がニッケル−スズ(Ni−Sn)化合物層を介して前記二つのAL層の少なくとも一方に接合されていることを特徴とする接合体。 - 前記Ni−Sn化合物層の組成が、
Ni:27〜29wt%、
Sn:71〜73wt%、
とされていることを特徴とする請求項1に記載の接合体。 - 請求項1又は2に記載の接合体を備えていることを特徴とするパワーモジュール用基板。
- 請求項3に記載のパワーモジュール用基板と、
前記接合体の前記AL層に装着された大電力半導体素子とを備えていることを特徴とするパワーモジュール。 - 二つのアルミニウム(AL)層の間にセラミックス層が挟まれて接合されてなり、AL材がニッケル−スズ(Ni−Sn)化合物層を介して前記二つのAL層の少なくとも一方に積層されてなる接合体の製造方法であって、
前記AL材と該AL材が積層される前記AL層との接合面にそれぞれNiを含む層を形成する工程と、
前記Niを含む層を対向させ、その間にSnを含む接合材を接触させる工程と、
前記AL材と該AL材が積層される前記AL層とを圧接した状態で加熱する工程とを備えていることを特徴とする接合体の製造方法。
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