JP2001010874A - 無機材料とアルミニウムを含む金属との複合材料の製造方法とその関連する製品 - Google Patents
無機材料とアルミニウムを含む金属との複合材料の製造方法とその関連する製品Info
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Abstract
料との複合材料製造するための方法およびそれに関する
製品を得ること。 【構成】無機材料の表面にあらかじめAlと共融し易
く、かつ酸化しにくい金属を主成分とする金属の薄い皮
膜を密着するように施すことにより、高温下で複合する
相手方部材のAl原子と無機材料中の原子とを液相中で
Al酸化皮膜の障害無しに直接触れ合わせる事によって
強い結合を達成させて製造する方法とその関連する製品
の発明。
Description
クス、ガラス、ダイヤモンドあるいは黒鉛などとAlあ
るいはAl合金を含む金属材料とを組み合わせた複合材
料の製造方法とその製品に関し、主に電気電子部品、機
械構造用部品、工芸用品、照明器具、食器類、スポーツ
用部品などとして用いられる複合材料及び部品に関する
ものである。
絶縁性、低誘電特性、耐熱性、圧電特性、耐蝕性、高硬
度、などの性質と金属の特性として導電性、高熱伝導
性、高靭性、容易な機械加工性などの特性をうまく組み
合わたセラミックスと金属の複合体は電子半導体関連部
品やその製造装置部品、工作機械、センサー等の部品と
して数多く実用されて来た。又ガラスの場合も絶縁性、
気密性などの特徴を金属の導電性、靭性などと組み合わ
せて気密電流導入端子などの複合部品として実用されて
来た。ダイヤモンドの場合にも その硬度を利用して切
断研磨工具などとして利用されて来た。これらの複合材
料の製造方法としては、最も簡単な接着剤による接着以
外にセラミックス表面をメタライズ処理後にろう材を用
いてろう付する方法やセラミックスの表面に活性な金属
元素を含む融液を直接接触させて反応を生じさせて結合
させる方法やガラスの場合には表面の酸化した金属にガ
ラスを溶着させる方法などが一般的に実施されている。
黒鉛やダイヤモンドの場合には銅合金の含浸やNiの電
鋳などによって複合化されて来た。
着や電鋳による方法以外の複合化方法を採用する場合に
は高温で接合するために、たえずセラミックスあるいは
ガラスと金属との熱膨張率の相違による残留応力の発生
やクラックの発生の問題があり、設計上互いの材質の選
定にかなりの制約があり、容易に達成できる技術ではな
かった。本発明はこの問題を解決しょうとするものであ
り、Alの熱膨張率が、セラミックスやガラスよりはる
かに高いにもかかわらず軟質で、かつ再結晶軟化温度も
低く上記残留応力を発生しにくい、あるいは除去しやす
い点に着目し、より積極的にセラミックスと金属との複
合材料複合体に利用しょうとするものである。しかしな
がらガラスやセラミックスとAlあるいはAl合金を確
実に接合する一般的で容易な方法は未だ確立されていな
い。しかし近年になって、例えばAl溶湯に直接AlN
の表面を触れさせて接合するとか、Alより酸化され易
いMgを配合してAl液相の表面が酸化されるのを抑制
しながら接合をはかるAl合金系ろう材などが提案され
ている。本発明はより確実に接合することの出来る一般
的な方法とそれに関連する製品とを提案することを目的
としている。
セラミックスと金属との活性金属元素による接合の研究
に基づいて、AlもTiなどと同様に非常に活性な元素
であるので無機材料と反応して接合可能であるとの観点
から研究を重ねた結果、溶融状態にあるAlの表面の酸
化皮膜を取り除けば殆どのセラミックスなどの無機材料
と直接反応して強固な接合を達成出来ることがわかっ
た。その為の手段として酸素との親和力がそれほど強く
なく、かつAlと共晶反応をする金属元素として、C
u、Ag、さらにはこれらを主成分とする金属をメッキ
などの化学あるいは電気化学的手法あるいは蒸着、C.
V.D.、スパッター、イオンプレーティング、粉末ペ
ーストの焼付などの物理的手法によって無機材料との界
面にガス分子などがほとんど存在せず若干の密着力を有
する被覆を施す。しかる後、真空や不活性ガスや還元な
どの非酸化雰囲気中のAlの融点以下の高温度下で保持
するとAlと上記金属とが共晶系であるために急激にA
lの酸化皮膜を破りながら液相の量を急激に増大させて
共融するので、無機材料とAl合金の融液とがAlの酸
化皮膜を通してではなく直接に触れ合ってAl原子が無
機材料側の原子と何らかの反応あるいは結合を生じるこ
とが出来る為に両者は強く接合することができる。
あるアルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、サイアロ
ン、炭化珪素、ジルコニア、ベリリア、スピネル、ムラ
イト、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタンジルコン
酸鉛、マグネシア、コーディライト、フォルステライ
ト、磁器、陶器、窒化硼素、硼化チタン、チタン酸アル
ミニウムやガラスであるソーダガラス、鉛ガラス、パイ
レックスガラスあるいは黒鉛、ダイヤモンドなどであ
り、その形状は板、円筒形、パイプ、塊状、粉末粒子
状、繊維状などの形状のものである。
Al合金 あるいはAlやAl合金と他の金属材料、例
えばCu、Ni、Co、Fe、Ag、Zn、Crなどの
金属やステンレス鋼などのようなこれらの金属の合金と
AlやAl合金とのクラッド板や粉末焼結金属、あるい
は無機材料分散粒子とAlやAl合金母相との複合材料
として例えばSiC、Al2O3、Si3N4やAlN
などとAl基のAl−Mg−Si合金との複合材料のよ
うなものも含むものであるである。
との濡れ性、結合性を改善するために無機材料表面を被
覆する金属としては0.10ミクロン以上15ミクロン
以下の厚さのCu、Agあるいはこれらを主成分とする
合金や積層あるいは混合状態の膜状の金属、あるいはさ
らに、濡れ性を疎外しない元素として、Au、Pt、R
h、Pd、Ni、Coなどの酸化しにくい金属や共晶の
相手方成分であるAlを20%程度以下、あるいは耐蝕
性や他の特性を改善させる為にZn、Mg、Si、S
n、In、Feを5重量%以下、Ti、Zr、Mn、C
r、Nb、V、B、Be、Mo、W、 Pb,Cd、
Y、希土類元素などの他の酸化しやすい元素ならば2重
量%以下含有するCuとAgとを主成分とする合金や上
記の状態の金属である。なお本発明の構成材料は不可避
的不純物元素をも含有することができるものとする。膜
厚が0.10ミクロン未満の場合には無機材料とAlと
の間に充分な液相が生成されず、Al表面の酸化膜を破
りにくいのでAl原子と無機物との直接の接触をを生じ
させることが出来ず接合強度が弱くなり好ましくない。
実際には無機材料とAl、Al合金との間に若干の空隙
が生じがちなので0.15ミクロンを越える膜厚の方が
この空隙を充満するに十分な量の液相を生成するので好
ましい。又15ミクロン以上の場合には温度を微妙に制
御しても液相の量が界面に多量に発生し易くなり界面端
面よりコブ状に溶け出して製品の形状を損ったり液相中
に多量のCuやAgが含有されることとなって硬く脆い
金属間化合物の相が多量に発生して、かえって接合強度
を低下させるので好ましくない。
法に関連して発明された製品とは、本発明製造方法を用
いて製造されることを特徴とする一種あるいは複数の種
類の前記各種の無機材料とAlやAl合金との複合体、
或はAlやAl合金の低融点や再結晶軟化温度が低いこ
とを利用して低応力のろうとしてあるいは緩衝材料とし
て無機材料とその他の前記のAl系金属などとの中間に
AlあるいはAl合金の層を介在させて、本発明方法に
よって製造されることを特徴とする複合体などの複合材
料の製品である。例えば、AlN板とAl板とを本発明
方法によって複合化したものは放熱性に優れたパワート
ランジスタ用の基板として実用に供することができる。
機材料にはAlよりも強度が低く純Alであっても緩衝
効果を発揮することが出来ずに接合後破損してしまうも
のがある。例えばソーダガラス、鉛ガラス、パイレック
ス(登録商標)、石英、黒鉛、磁器、陶器などの強度の
それほど強くない無機材料がこれらの範疇に入る。 こ
れらの材料とAlやAl合金やその他の非アルミニウム
系実用合金とを複合化するためには、中間に配置する材
料の熱膨張係数が脆質である無機材料に近い値と若干の
変形能力とを合わせ持つものであるか、あるいは熱膨張
係数が大幅にかけ離れた値であってもAlよりも、はる
かに柔軟な変形能力を有して無機材料と金属材料との間
の接合歪を吸収出来るものでなければならない。前者に
属する緩衝材としては熱膨張係数の小さな金属や無機材
料として例えば炭化珪素、黒鉛、アルミナ、窒化珪素、
窒化アルミ、石英、窒化硼素などの無機材料やW、M
o、インバー、コバールなどの金属などとの分散粒子を
含有する複合体や積層板状の複合体などを用いることが
出来る。又後者に属するものではAl粒子をAl、C
u、Mg、Siなどの単独、又は組み合わせた金属や合
金で溶融あるいは半溶融させた相中に複合一体化させて
製造される多孔質Al材料や溶融状態で発泡させて製造
される発泡性の多孔質Al材料などを用いることが出来
る。本請求項3はこの様な無機材料とAlやAl合金あ
るいはその他の非Al実用合金との間に中間緩衝材料と
して上記のAlやAl合金との複合材あるいは多孔質の
AlやAl合金などの熱膨張の差異を調整するためのA
l系緩衝材を配置してより確実強固な接合を達成して製
造することを特徴とする複合体であって本発明の特許請
求の範囲第1項記載の製造方法によって製造されるもの
である。この型の複合材は積層された板状あるいは円筒
形状や魂状のものである。もちろんこれらの中間緩衝材
を同様に前記の無機材料でAlよりも強度の大きな材料
に適用する場合にはより高い接合強度が期待出来る。
に考案された製品は、窒化アルミ、アルミナ、炭化珪
素、窒化珪素あるいはベリリアなどの電気絶縁性と熱伝
導性とに優れたセラミックスの表面に隣接してAlやA
l合金の層を接合し、さらにこれらの金属の外側にAl
よりも柔軟性には乏しいが導電性に優れたCuやCu合
金の層を30ミクロン以上の厚さで直接にあるいは他の
金属の中間隔壁層を設けて積層した構造であり本発明の
請求項1によって製造することを特徴とするパワートラ
ンジスタモジュール用の基板である。この製品は、上記
セラミックスとAlやAl合金の層を本発明製造方法あ
るいは、それ以外の方法によって接合した後にメッキに
よる方法でCuを任意の厚さに積層したり、Cd−Zn
−Sn系、Zn−Sn系、Zn系あるいはSn系などの
アルミ用ハンダやMg−Al系のろう材を用いて積層し
たり、あるいは最初からAl液相と反応しにくく脆い金
属間化合物を生成させにくい金属として厚さ30ミクロ
ン以下のNi、Fe、Pt、Ph、Coなどの純金属や
合金や金属の隔壁を単独あるいは複数の層としてメッ
キ、蒸着、スパッター、C.V.D.、イオンプレーテ
ィング、積層板、圧延クラッドなどの手法により設けて
おいてAlあるいはAl合金をセラミックスと接合する
際に同時に一挙に複合化することによって製造すること
も出来る。なおこれらの製造の際にはAlやAl合金に
メッキする為には予めこれらの表面にZnメッキなどを
薄く施したり あるいは化学反応的手法でCuを被覆し
たりして密着をはかったり、AlやAl合金と隔壁層と
の間の接合には一般のAl用ろう材を用いることもでき
る。さらにこれらの隔壁層とCuやCu合金層との間は
Ag、Auなどの融点降下元素をメッキや蒸着あるいは
箔を挿入した後高温度で圧着するなどの方法によって積
層基板を製造することも可能である。Cu層の厚さは導
電性の観点から30ミクロン以上が実用として好まし
い、AlやAl合金層の厚さはCu層の厚さとのかね合
いで決められ、歪の吸収性、熱や電気の伝導性を考慮し
て任意に設計することができる。なお、前記AlNとA
lとの複合基板もこれらの積層基板も酸やアルカリによ
って金属層をエッチングして導電回路を形成させること
も出来る。
れた製品も窒化アルミ、アルミナ、窒化珪素あるいはベ
リリアなどの高い熱伝導率と電気絶縁性とを兼ね備えた
セラミックスの特性をさらに有効に利用するために発明
されたものである。即ち、セラミックスとしては上記の
セラミックスの、一般的形状として板状の部材を用い、
当該セラミックスの熱発生部の反対側表面に冷却媒体の
流体を直接接触させながら流せる様に流路あるいは空間
を形成させるように柔軟なAlあるいはAl合金で作ら
れた部材を本発明の製造方法によって接合して作製され
るものである。本発明製品は当該セラミックスの表面で
発生する熱を速やかに除去することが出来るという特徴
を持っているのでパワートランジスタなどのヒートシン
ク或はスパッッターなどの装置の如く真空や減圧下で運
転される容器中に配置される冷却用の部品として用いる
ことが出来る。
はCuやAgを主成分とする金属の薄い被覆層を設けて
おくことによって、セラミックスとAlやAl合金液相
との濡れ性、反応性を高めて、強固確実な接合体を造る
ことが出来る。
さらに説明する。
3であるAlN、Al2O3、Si3N4、SiC、Z
rO2、チタンジルコン酸鉛の厚さ0.3〜5mm、幅
が10〜50mmの板状のセラミックスの表面にエッチ
ング処理後触媒付与処理を施した後に2である無電解C
uメッキを0.15〜5ミクロン程度施した後1である
0.2mmの厚さ、純度99%のAl板のセラミックス
表面と同じ形状面積のものを重ねて若干の荷重をかけて
密着させるための治具中に配置して、真空中約600℃
の温度で10〜20分間保持した後1〜2時間かけて徐
冷し複合体を作製した。その強度を計る為に接合端面に
刃を入れ無理やりAl板を引き起こして引き剥し試験を
施し、ピーリング強度を計ったところ、いずれも5Kg
/cm以上の値を示し、殆どはすぐにAl板が切断する
か、あるいはセラミックスが折れてしまう程の高い値で
あった。さらにその引きはがされたセラミックスの表面
には4である共に溶融し合ったCuとAlの合金の層が
全面にわたって強固に付着しいる事が観察され良好な結
果を得た。
2O3、Si3N4、SiC、ZrO2の直径10〜5
0mm、長さ10〜25mmの円筒形のセラミックスの
円筒面に同様に2である無電解Cuメッキを0.2〜
0.3ミクロン施しその外側にかん合するパイプのよう
に、1である厚さ0.5mmの99.5%純度のAl板
を曲げて円筒面に添わせて配置 し、その外側を針金で
縛って固定した後、上部に5の環状のAl−Siの一般
のろう材を配置し高真空中で約600℃で15分保持し
てろう材を溶融させてセラミックスとAlの間隙に流し
込んだ後1〜2時間かけて徐冷し、円筒形状の複合をし
た。同様に円筒形Al板の継ぎ目より引きはがして引き
剥し試験を試みたところ、直ちにAl部材が破断してし
まい高い接合強度をもっていることがわかり、良好な結
果を得た。
のセラミックスとAl板を準備した。次にセラミックス
表面には無電解Cuメッキ層を1ミクロン程施した後に
シアン化銀溶液中に入れ50〜60℃でCuメッキ層を
Agに置換させた後、電気Agメッキを施して、合計A
gの層を3ミクロン程度施した。さらに実施例1と同様
な方法によって温度を625℃として接合複合体を作製
し、ピーリング特性を調べようとしたところ同様にAl
が破断してしまう程の強さでセラミックスの表面は全
面、Alの表面がAgと合金となって溶融した強固に付
着した層に覆れていることが観察され良好な結果を得
た。
0.65mmの板の片側表面にCuの厚さ0.5ミクロ
ン程度の極めて薄い膜を真空中で蒸着させて形成した後
0.4mm厚さの同形状の99.5%純度のAl板をC
u面にAlが接する様に配置して実施例1と同様な方法
によって接合して複合体を作製した。片面だけの貼り合
わせにもかかわらず接合による残留応力、歪がないため
反りが発生せず同様にピーリングテストによって5.5
Kg/cmの値を得て同様に良好な特性が得られた。
に無電解Cuメッキを0.2〜0.5ミクロン程度施し
た後0.1mm厚さの同形状の99、5%純度のAl板
をCu面が接するように配置して同様な方法で接合複合
体を作製した。その後さらにAlの表面に電気Cuメッ
キが密着するように化学的手法によってCu膜を形成さ
せる下地処理を施した後硫酸銅メッキ浴に浸漬して4時
間程度電気メッキを200ミクロン程施してAlN−A
l−Cu積層複合板を作製した。実施例4と同様に片面
だけの貼り合わせにもかかわらず、接合時の残留反応や
メッキによる歪が殆ど発生しないので、反りが発生して
いないことを確認した。
6mm、長さ54mmのAlNの板の片側表面に無電解
Cuメッキを0.3ミクロン施した7のAlNセラミッ
クスの板を用意した後、同じ形状で厚さが0.3mmで
片面に電気Agメッキを3〜5ミクロン程度施した13
のCu板と30ミクロン厚さの11のNi箔とをAgメ
ッキ面がNiと接するように重ね合わせた後、真空中1
030℃〜1050℃で加圧しながらAg層を溶融させ
て貼り合わせて作製した積層クッラド板のNi側の表面
に3〜5ミクロンの厚さの無電解Cuメッキを施した
板、さらに同じ形状で厚さが0.2mmの9のAlの板
を準備した。これら3枚の板をAl板を中間に、他の種
類の板のCuメッキ面がAlと接するように重ね合わせ
て若干の荷重がかかるように治具中に設置して真空中約
600℃の温度で15分保持してCuメッキ層とAl板
表面とを互いに共融させて強固な接合を作製した。同様
にピーリングテストを試みたところ、セラミックスが折
れてしまう程強度が高く、セラミックスの全表面が8の
Cuを含む溶融Alの合金層で強固に覆われていること
が観察された。
質材料のパイレックスガラスと窓ガラス用のソーダガラ
スの平面を有する4cm2程度の面積のもので厚さ1〜
5mm程度の試の表面にサンドブラスト処理を施してナ
シ地状とした後、触媒処理を施した後無電解Cuメッキ
を0.5ミクロン施した。さらに複合化する相手方の材
料として直径10mm程度、厚さ3.5mm程度 気孔
率15%〜20%の多孔質の含Cu−Al基合金の板及
び多孔質Si−Mg−Al基合金の板の16である中間
緩衝材及びSiC粒子を30体積%程度含むAl基合金
を母相とする複合材料の16である中間緩衝材をCuメ
ッキ面と接触させてさらにそれらの中間材の外側に30
ミクロンの電解銅箔を配置し、さらにその外側に直径1
0mm長さ20mmの18のAl棒を配置した後これら
を治具中に若干の荷重がかかる様に固定して真空中、6
00℃の温度で15分処理した後3〜4時間かけて室温
まで徐冷した。又比較の為にこのAl棒を上記中間緩衝
材料を用いずに直接上記無機材料に接合したものも同様
の方法で作した。得られた複合体は中間緩衝材を用いな
い場合には、いずれのガラスにおいてもクラックが入っ
て満足な接合体を得ることは出来なかった。パイレック
スの場合には15%、20%の気孔率の多孔質材料のい
ずれの場合にもクラックが観察されず一方の材料として
試みたSiC−Al合金複合材の場合にはクラックが観
察されたのでパイレックスの場合には熱膨張係数をさら
に一段と下げるためによりSiC粒子の体積%を上げて
約60体積%以上のものが有効であると考えられる。パ
イレックスの熱膨張係数はそれぞれ36×10−7/℃
(0〜400℃)、150×10−7/℃(552〜7
51℃)である。ソーダガラスの場合にはそれぞれ約1
00×10−7/℃(25〜450℃)、309〜37
3×10−7(500〜580℃)であるのでSiC−
Al基複合材料の30体積%のものはおおよそ熱膨張係
数が100×10−7/℃なので充分に良く対応出来る
為にクラックは観察されなかった。一方逆に多孔質のア
ルミニウム合金材料を用いた場合にはクラックが観察さ
れ満足すべき接合体を得ることは出来なかった。この理
由の詳細は不明であるがこのような相違がパイレックス
とソーダガラスのSiO2含有量やその架橋構造の違い
による強度の差異あるいは高温度側における異常な膨張
率の増加によって生じるものと考えられる。
るため実施例を次に記載する。実施例1及び3で使用し
たセラミックス中、同じ寸法形状のAlN、Al
2O3、Si3N4及び同形状で0.2mm厚さのAl
板を用意した、しかる後セラミックス表面にはCuやA
gの皮膜をメッキや蒸着などによって何ら被覆すること
なしに、各セラミックスとAl板との間にそれぞれ電解
Cu箔の30ミクロの厚さのもの、及びそれを研磨加工
により10ミクロンの厚さにしたCu箔、さらに10ミ
クロンの共晶銀ろう箔、同じく10ミクロンの純Agの
箔をはさみ、実施例1及び3と同様な方法によってCu
の場合には600℃、Ag及び共晶銀ろう箔の場合には
625℃の真空中で加熱処理を行なった。しかしながら
セラミックスとAl板は全く接合することなく分離した
状態で取り出された。それぞれの箔はAl板側の表面に
完全に共融した溶着層となっていることが観察された。
以上の結果は本発明方法及び関連する製品の有効性を非
常に明解に証明するものである。
在させて作製したCu−Ni積層板の代わりに第5図に
示す如く32×50mmの大きさで厚さ17ミクロンの
20のNi層と厚さ0.48mmの19のCu層よりな
る圧延クラッド板を用いる。当該クラッド板のNi面側
に21の無電解Cuメッキを0.3ミクロン施した後、
これと接合面側に23のCuをスッパターにより0.2
4ミクロン被覆した 36X54.5mmの大きさで厚
さ0.635mmの24のAlN基板との間に上記クラ
ッド板と同じ大きさで0.1mmの厚さ純度99.6%
の22のAl板を挟み610℃で15分真空中で保持し
て本発明方法により接合し、積層複合基板を作製した。
引き剥し試験を実施したところAlとAlNとの界面で
破壊し、強固に接合していることが確認出来た。
さで厚さ0.3mmの25のCu層、厚さ17ミクロン
の26のNiの中間隔壁層、厚さ0.15mmの27の
Al層よりなる圧延クラッド板2枚を準備し、36×5
4.5mmで厚さ0.635mmの焼成上がりで若干の
凹凸がある29のAlN基板の両表面に0.25ミクロ
ンの28の無電解Cuメッキを施した後、前記実施例9
と同様な方法によって積層複合基板を作製した。同様に
引き剥し試験を実施したところ AlとNiとの界面で
破壊し、AlNとAlとはそれ以上に強く接合している
ことが確認できた。
面を研磨したAlN基板の片側表面に0.10ミクロン
のCuをスパター被覆し、前記の実施例4と同様な方法
で、同じ寸法で板厚0.3mm、純度99.5%のAl
板を真空中630℃で13分保持して接合複合体を作製
した。同様に引き剥し試験を実施したところ5Kg/c
mの良好な値を得た。Cuの被覆層が究めて薄いにもか
かわらず、研磨基板を使用して界面の空隙を少なくし、
やや高めの温度で接合すれば十分に良い結果が得られる
事が確認できた。
mのAlN板の片側表面に31のCuを0.3ミクロン
無電解メッキした部品30と外径29.5mm内径2
8.5mm高さ10mmの32の冷却媒体の流入口と3
3の流出口とを備えたAl部品34とを真空中615℃
で13分保持して接合した。作製された部品は漏れも無
く、電気絶縁性と高い熱伝導性を兼ね備えた新しい型の
ヒートシンクとして今後の発展を期待できる。
金を含む金属材料との複合体を製造する方法は従来困難
であった上記の複合体の製造方法を非常に容易かつ確実
にするものであり、それによって製造される複合体およ
び関連する製品は優れた諸特性と接合強度を有するもの
として一般に広く実用される可能性を有する。
と同様な基本的な部材の組み合わせおよび複合材料の断
面を示す模式図で、A図は接合前、B図は接合後を示
す。
と同様な基本的な部材の組み合わせの複合体の断面を示
す模式図で、A図は接合前、B図は接合後を示す。
の複合体の断面を示す模式図。
の複合体の断面を示す模式図。
と同様な基本的な部材の組み合わせおよび複合材料の断
面を示す模式図で、A図は接合前、B図は接合後を示
す。
0と同様な基本的な部材の組み合わせおよび複合材料の
断面を示す模式図で、A図は接合前、B図は接合後を示
す。
1の複合体の断面を示す模式図。
0.1ミクロン以上15ミクロン以下の被覆層。 3はセラミックス、ガラス、ダイヤモンド、黒鉛などの
無機材料。 4は1のAlやAl合金を含む金属材料の表面と2の被
覆層とが共融した層。 5はAlやAl合金用の実用Alろう材。 6は5のろう材と2の被覆層および1のAlを含む部材
が共融した層。 7はAlNの板の層。 8はCuのメッキ層と9のAl層表面とが共融した層。 9はAlの板の層。 10はAl板表面と11のNi表面にCuメッキされた
層とが共融した層。 11は隔壁となるNiの層。 12はNiとCuとを接合するAgを含む拡散層。 13はCu板の層。 14は各種のガラス層。 15はCuメッキと16の中間緩衝材表面のAl成分と
が共融した層。 16は多孔質Al合金やSiC−Al合金系複合材料の
中間緩衝部材。 17はCu箔と16および18のAlの表面が共融しあ
った層。 18はAl棒。 19はクラッド板のCuの層。 20はクラッド板のNiの層。 21はクラッド板にメッキしたCuの層。 22はAlの板 23はスパターしたCuの層。 24はAlN基板。 25はクラッド板のCu層。 26はクラッド板中のNiの隔壁層。 27はクラッド板のAl層。 28は無電解メッキのCu被覆層。 29はAlNの板。 30はAlNの円盤。 31は無電解メッキのCu被覆層。 32は流入口。 33は流出口。 34は冷却の為のAl部品。
Claims (5)
- 【請求項1】無機材料とAlあるいはAl合金を含む金
属材料とを複合化させる際に、あらかじめ無機材料の表
面にCuやAgあるいはCuとAgとを成分とする金属
あるいはさらに他の金属としてAu、Pt、Rh、P
d、Ni、Co、Alを20重量%以下、Zn、Mg、
Si、Sn、In、Feを5重量%以下、Ti、Zr、
Mn、Cr、Nb、V、B、Be、Mo、W、Pb、C
d、Y、希土類元素などの他の元素を2重量%以下含有
するCuとAgとを主成分とする金属を0.10ミクロ
ン以上15ミクロン以下の厚さで被覆しておき、当該被
覆層と接するAlあるいはAl合金とを共融させるよう
にCu−Ag−Al系合金の液相が生成するような温度
範囲に真空又は非酸化雰囲気中で昇温させて、当該液相
が無機材料表面を完全に濡らしてAl原子を直接に無機
材料表面に接触させることによって強固な結合を達成さ
せることを特徴とする無機材料と含Al系金属との複合
材料の製造方法。 - 【請求項2】特許請求の範囲、請求項1に記載の方法に
よって、一種あるいは複数の種類の無機材料とAl、A
l合金、あるいはさらに他の金属材料とを含む複合材料
として製造されることを特徴とする製品。 - 【請求項3】無機材料とAl、Al合金あるいはその他
の非Al実用合金との間に中間材料として無機材料とA
lやAl合金との複合材料あるいは多孔質のAlやAl
合金の材料である熱膨張の差異を調整するためのAl系
の緩衝材料を配置し、特許請求の範囲、請求項1に記載
の方法によって、より確実強固な接合を達成して製造す
ることを特徴とする複合体製品。 - 【請求項4】窒化アルミニウム、アルミナ、炭化珪素、
窒化珪素あるいはベリリアなどの高熱伝導率を有するセ
ラミックスに隣接して柔軟なAlやAl合金層さらにそ
の外側に電導性に優れたCuやCu合金層を30ミクロ
ン以上の厚さで直にあるいは他の金属の隔壁層を設けて
積層したことを特徴とする特許請求の範囲、請求項2に
記載のパワートランジスタモジュール用基板。 - 【請求項5】高熱伝導率と電気絶縁性を有するセラミッ
クス部材と柔軟なAlやAl合金部材とを請求項1の本
発明方法によって接合して作製される部品であり、当該
セラミックスの外側表面で発生する熱を冷却媒体の流体
を反対側の表面に直接に接触させて速やか除去出来る構
造を有することを特徴とする特許請求の範囲、請求項2
に記載のヒートシンク或は冷却用の部品。
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