JP6082524B2 - セラミックス部材と金属部材との接合体及びその製法 - Google Patents

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本発明は、セラミックス部材と金属部材との接合体及びその製法に関する。
従来、セラミックス部材と金属部材との接合体としては、金属部材の端部とセラミックス部材とが接合部を介して接合されたものが知られている(特許文献1)。この接合体では、接合部が、セラミックス部材上に形成されているメタライズ層と、メタライズ層と金属部材の端部との間に介在しているロウ接合層とを備えている。こうした接合体は、以下のようにして製造される。すなわち、まず、AlN焼結体製で円盤状のセラミックス部材の接合面上に、Cu−Al−Si−Tiを含むリング状の第1ロウ材を設置する。続いて、この第1ロウ材を1050℃で5分間真空雰囲気で加熱し、メタライズ層を形成する。続いて、メタライズ層上にAg−Cuを含むリング状の第2ロウ材を設置し、その上に筒状の金属部材の端面を設置し、金属部材上におもりを設置する。これを800℃で5分間真空雰囲気で加熱し、ロウ接合層を形成する。こうすることにより得られた接合体は、ヘリウムリーク量がほとんどなく、熱サイクル後においても、クラックはなくヘリウムリーク量はほとんどない。
特開2000−219578号公報
しかしながら、こうした接合体では、残留応力が大きいため、十分大きな引張破断荷重が得られないという問題があった。
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、セラミックス部材と金属部材とを接合した接合体の引張破断荷重を十分大きくすることを主目的とする。
本発明の接合体は、上述の主目的を達成するために以下の手段を採った。
本発明の接合体は、
セラミックス部材と金属部材とを接合した接合体であって、
前記セラミックス部材上に形成され、活性金属を含有するメタライズ層と、
該メタライズ層と前記金属部材との間に形成され、融点が前記メタライズ層より低いロウ接合層と、
を有し、
前記メタライズ層の平面度は22μm以下である
ものである。
この接合体によれば、引張破断荷重が十分大きくなる。その理由は定かではないが、以下のように推察される。メタライズ層は、中心部が厚く外周部が薄く形成される。その中心部の厚みと外周部の厚みとの差が平面度である。メタライズ層を構成する物質とロウ接合層を形成する物質の濡れ性が充分良くない場合、ロウ材がメタライズ層全面に濡れ広がるためには荷重をかける必要がある。平面度が22μmを超えると、メタライズ層の外周部と金属部材との距離が離れすぎているため、荷重が伝わりにくくなり、両者の間のロウ接合層の結合力が弱まり、その結果、引張破断荷重が十分大きくならないと考えられる。これに対して、メタライズ層の平面度が22μm以下であれば、メタライズ層の外周部にも荷重が伝わり、両者の間のロウ接合層の結合力が弱まることがなく、その結果、引張破断荷重が十分大きくなったと考えられる。
本発明の接合体において、セラミックス部材の材質としては、例えば、窒化アルミ焼結体、アルミナ焼結体、ジルコニア焼結体などが挙げられる。また、セラミックス部材は、抵抗発熱体、静電チャック用電極、プラズマ発生用電極などの機能性部品が埋設されていてもよい。
本発明の接合体において、金属部材は、例えば、モリブデン、チタン、銅タングステン複合体などからなるセラミックと熱膨張係数が近い芯材の表面をニッケル、銅、金などで被覆した部材とした方がよく、このうち、モリブデン製の芯材の表面をニッケルで被覆した部材が好ましい。
本発明の接合体において、メタライズ層は、メタライズ層用のロウ材(以下、第1ロウ材という)を用いて形成されたものである。第1ロウ材としては、例えば、銀ロウや銅ロウ、ニッケルロウ、金ロウ、パラジウムロウなどに活性金属を含有させたものが挙げられる。活性金属としては、例えば、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、ベリリウムなどが挙げられる。特に、セラミックス部材の材質がアルミナ焼結体や窒化アルミ焼結体の場合には、活性金属としてチタンやジルコニウムを用いるのが好ましく、セラミックス部材の材質がジルコニア焼結体の場合には、活性金属としてチタンを用いるのが好ましい。第1ロウ材の具体例としては、Ag−Cu−Tiロウ材、Ag−Cu−Ti−Snロウ材などが挙げられる。これらの第1ロウ材は700℃以上で処理されるため、セラミックス部材と第1ロウ材との界面で化学反応が起こって反応層が形成されている可能性がある。こうした反応層は、セラミックス部材とメタライズ層との接合強度を高める役割を果たすと考えられる。
本発明の接合体において、ロウ接合層は、ロウ接合層用のロウ材(以下、第2ロウ材という)によって形成されたものである。第2ロウ材としては、第1ロウ材よりも融点が低いロウ材を用いるが、例えば、金系のロウ、アルミニウム系のロウ、亜鉛系のロウなどが挙げられる。第2ロウ材を溶融させるときには、メタライズ層(第1ロウ材)が溶融しないように溶融温度を設定する。第2ロウ材の具体例としては、例えば、共晶組成により低融点化させたAuSn系合金(例えばSnの含有率が15〜37wt%)、AuGe系合金(例えばGeの含有率が10〜17wt%)やAuSi系合金(例えばSiの含有率が3〜4wt%)などが挙げられる。
本発明の接合体の製法は、セラミックス部材上に第1ロウ材を設置してこの第1ロウ材を溶融させることによってメタライズ層を生成させ、次いで前記メタライズ層と前記金属部材との間に第2ロウ材を介在させ、前記第1ロウ材の融点よりも低い温度で前記第2ロウ材を溶融させることによって、前記メタライズ層と前記金属部材との間に前記ロウ接合層を生成させる、セラミックス部材と金属部材とを接合した接合体の製法であって、前記メタライズ層と前記金属部材との間に前記第2ロウ材を介在させる前の前記メタライズ層の平面度を22μm以下(好ましくは10μm以下、更に好ましくは5μm以下)とするものである。
この接合体の製法によれば、得られる接合体の引張破断荷重が十分大きくなる。その理由は、上述したとおりである。また、第1ロウ材、第2ロウ材の具体例についても、上述したとおりである。
本発明の接合体の製法において、セラミックス部材上に第1ロウ材を設置する際の第1ロウ材の厚みは20〜30μmであることが好ましい。こうすれば、第1ロウ材を溶融させることによってメタライズ層を生成させたときのメタライズ層の平面度は22μm以下になる。このため、研磨等によって平面度を向上させる作業が不要となる。また、第1ロウ材を20μm未満まで圧延すると、箔状になってしまい、取り扱いにくくなり、メタライズの歩留まりが悪くなる。
接合体10の概略断面図である。 接合体10の製造工程図である。
以下に、本発明の好適な一実施形態について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態の接合体10の概略断面図である。
本実施形態の接合体10は、セラミックス部材12と金属部材14とを接合部16で接合したものである。セラミックス部材12は、アルミナ焼結体で形成されている。金属部材14は、円柱状のモリブデン芯材14aの底面にニッケル被膜14bが形成されている。接合部16は、金属部材14の底面とセラミックス部材12とを接合している。この接合部16は、セラミックス部材12の上に形成されたメタライズ層16aと、このメタライズ層16aと金属部材14のニッケル被膜14bとの間に形成されたロウ接合層16bとで構成されている。メタライズ層16aは、中心部の厚みの方が外周部の厚みよりも厚くなっている。このメタライズ層16aの中心部の厚みと外周部の厚みとの差を平面度と定義すると、平面度は22μm以下となっている。
こうした接合体10は、例えば、次のようにして製造することができる。図2は、接合体10の製造工程図である。まず、セラミックス部材12を用意し、そのセラミックス部材12の表面に、第1ロウ材のシート32を載せる(図2(a)参照)。第1ロウ材としては、Agロウに活性金属であるTiを含有させたもの(例えばAg−Cu−TiやAg−Cu−Ti−Sn,Ag−Cu−Ti)などを用いることができる。そして、加熱炉にて真空雰囲気で第1ロウ材の溶融温度まで昇温し、所定時間キープした後、降温することにより、セラミックス部材12上にメタライズ層16aを形成する(図2(b)参照)。このとき、セラミックス部材12と第1ロウ材との界面で化学反応が起こって反応層が形成されている可能性がある。こうした反応層は、セラミックス部材12とメタライズ層16aとの接合強度を高める役割を果たすと考えられる。メタライズ層16aは、シート32が溶融したときの表面張力によって中心部の厚みの方が外周部の厚みよりも厚くなる。このとき、平面度が22μm以下であれば、そのまま次工程に進むが、22μmを超えている場合には、次工程に進む前に例えば研磨等により平面度が22μm以下になるようにする。続いて、メタライズ層16aの上に第2ロウ材のシート34を載せ、その上に金属部材14のニッケル被膜14bがシート34と接するように金属部材14をセットする(図2(c)参照)。第2ロウ材としては、第1ロウ材よりも融点の低いもの(例えばAu−Sn,Au−Ge,Au−Si)などを用いることができる。そして、セットした金属部材14に荷重をかけ、加熱炉にて窒素雰囲気で第2ロウ材の溶融温度(例えば200〜500℃)まで昇温し、所定時間キープした後、降温する(図2(d)参照)。このときの溶融温度は、第2ロウ材のシート34は溶融するがメタライズ層16aは溶融しない温度に設定する。こうすることにより、メタライズ層16aと金属部材14のニッケル被膜14bとの間にロウ接合層16bが形成され、接合体10が完成する。
以上説明した接合体10によれば、引張破断荷重が十分大きくなる。その理由は定かではないが、以下のように推察される。メタライズ層を構成する物質の中で、TiとAuGeと濡れ性が悪い。また、AgとAuGeは濡れ性が充分良くない。そのため、AuGeロウ材がメタライズ層全面に濡れ広がるためには荷重をかける必要がある。メタライズ層16aは、平面度が22μmを超えると、メタライズ層16aの外周部と金属部材14との距離が離れすぎているため両者の間に荷重が伝わりにくく、ロウ接合層16bの結合力が弱まり、その結果、引張破断荷重が十分大きくならないと考えられる。これに対して、平面度が22μm以下であれば、メタライズ層16bの外周部と金属部材14との距離が比較的近いため両者の間のロウ接合層16bの結合力が弱まることがなく、その結果、引張破断荷重が十分大きくなったと考えられる。
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
例えば、上述した実施形態では、セラミックス部材12の表面(金属部材14を取り付ける面)は平面としたが、必ずしも平面である必要はない。例えば、セラミックス部材12に円形の窪みを設け、その窪みの底面にメタライズ層16aとロウ接合層16bとを積層した接合部16を介してセラミックス部材12と金属部材14とを接合してもよい。その場合、セラミックス部材12として内部に電極を埋設したものを用い、窪みの底面にその電極と接続された端子を露出させておき、その窪みの底面に接合部16を介してセラミックス部材12と金属部材14とを接合してもよい。この場合、金属部材14は、電極への給電のために用いられる。なお、電極としては、例えばヒーター電極(抵抗発熱体)や静電チャック用電極、プラズマ発生用電極などが挙げられる。
上述した実施形態では、セラミックス部材12の材質をアルミナ焼結体としたが、特にこれに限定されるものではなく、例えば窒化アルミ焼結体やジルコニア焼結体などでもよい。活性金属は、セラミックス部材12の材質に応じて決定するのが好ましく、例えば、アルミナ焼結体や窒化アルミ焼結体の場合には、チタンやジルコニウムが好ましく、ジルコニア焼結体の場合には、チタンが好ましい。
上述した実施形態では、金属部材14は、モリブデン芯材14aの底面のみならず側面や表面もニッケル被膜で覆われていてもよい。また、芯材の材質は、モリブデンに限定されるものではなく、例えば、チタン、銅タングステン複合材などでもよい。被膜の材質も、ニッケルに限定されるものではなく、銅、金などでもよい。
[実験例1〜5]
直径6mm、深さ0.3mmの窪みが設けられたアルミナセラミックス部材を用意した。このアルミナセラミックス部材の窪みに、その窪みの底面とほぼ同じ形状となるように切り出したAg−Cu−Tiシート(田中貴金属製、TKC−711)を1枚セットした。実験例1〜5で用いたシートの厚みは、それぞれ100μm,50μm,25μmであった。そして、加熱炉にて真空雰囲気で850℃まで昇温し、10分間キープした後、降温することにより、窪みにメタライズ層を形成した。このメタライズ層の中心部の厚みと外周部の厚みをインジケーター(mitutoyo製、デジマチックインジケーター)で計測した。なお、計測は、メタライズ層を研磨することなく行った。中心部の厚みと外周部の厚みとの差を平面度と定義し、平面度を算出した。実験例1〜5の平面度を表1に示す。
続いて、メタライズ層を形成した窪みに、その窪みの底面とほぼ同じ形状となるように切り出したAu−Geロウ材(田中貴金属製、AuGe12%板(Auに12〜13wt%のGeが含まれている板))を1枚セットし、その上に直径5.95mm、高さ6mmの金属端子をセットした。金属端子は、モリブデン製の芯材の表面にニッケル被膜を有するものを用いた。そして、セットした金属端子に荷重をかけ、加熱炉にて窒素雰囲気で400℃まで昇温し、10分間キープした後、降温することにより、アルミナセラミックス部材と金属端子とが接合された接合体を得た。
得られた接合体の破断荷重を、引張強度試験機(島津製作所製、オートグラフ)を用いて測定した。結果を表1に示す。実験例1,2のようにメタライズ層の平面度が65μm,36μmの場合には、引張破断荷重は低い値しか得られなかったが、実験例3〜5のようにメタライズ層の平面度が22μm,20μm,18μmの場合には、引張破断荷重は十分高い値が得られた。
Figure 0006082524
[実験例6〜9]
窪みのないアルミナセラミックス部材を用意した。このアルミナセラミックス部材の表面に、実験例1〜5と同じ形状となるように切り出したAg−Cu−Tiシート(田中貴金属製、TKC−711)を1枚セットした。実験例6〜9で用いたシートの厚みは、それぞれ100μm,50μm,25μm,50μmであった。そして、加熱炉にて真空雰囲気で850℃まで昇温し、10分間キープした後、降温することにより、メタライズ層を形成した。このメタライズ層の平面度を実験例1〜5と同様にして算出した。なお、実験例6〜8では、メタライズ層を研磨することなく、平面度を算出したが、実験例9では、メタライズ層を研磨し、研磨後に平面度を算出した。実験例6〜9の平面度を表2に示す。
続いて、メタライズ層の上に、そのメタライズ層とほぼ同形状となるように切り出したAu−Geロウ材(田中貴金属製、AuGe12%板)を1枚セットし、その上に実験例1〜5と同様の金属端子をセットした。そして、セットした金属端子に荷重をかけ、加熱炉にて窒素雰囲気で400℃まで昇温し、10分間キープした後、降温することにより、アルミナセラミックス部材と金属端子とが接合された接合体を得た。
得られた接合体の破断荷重を、実験例1〜5と同様にして測定した。結果を表2に示す。実験例6,7のようにメタライズ層の平面度が63μm,32μmの場合には、引張破断荷重は低い値しか得られなかったが、実験例8のように平面度が17μmの場合には、引張破断荷重は十分高い値が得られ、実験例9のように平面度が3μmの場合には、引張破断荷重は格段に高い値が得られた。
Figure 0006082524
[実験例10〜12]
直径6mm、深さ0.3mmの窪みが設けられたアルミナセラミックス部材を用意した。このアルミナセラミックス部材の窪みの底面に、Ag−Cu−Tiペースト(福田金属製、ACT−2A)を筆あるいは綿棒を用いて薄く塗布した。塗布してからおおよそ30分放置した後、120℃の恒温槽に入れ、1時間乾燥した。乾燥後のセラミックス部材を加熱炉にて真空雰囲気で850℃まで昇温し、10分間キープした後、降温することにより、窪みにメタライズ層を形成した。このメタライズ層の平面度を実験例1〜5と同様にして算出した。実験例10〜12の平面度を表3に示す。
続いて、メタライズ層を形成した窪みに、その窪みの底面と同形状となるように切り出したAu−Geロウ材(田中貴金属製、AuGe12%板)を1枚セットし、その上に実験例1〜5と同様の金属端子をセットした。そして、セットした金属端子に荷重をかけ、加熱炉にて窒素雰囲気で400℃まで昇温し、10分間キープした後、降温することにより、アルミナセラミックス部材と金属端子とが接合された接合体を得た。
得られた接合体の破断荷重を、実験例1〜5と同様にして測定した。結果を表3に示す。実験例10〜12のようにメタライズ層の平面度が14〜15μmの場合には、引張破断荷重は十分高い値が得られた。
Figure 0006082524
以上の実験例1〜12の結果から、メタライズ層の平面度が22μm以下の場合には、引張破断荷重は35kgf以上という十分に高い値になることがわかった。また、実験例1〜9の結果から、メタライズ層に使用するシート又はペーストの元の厚みが薄いほど(具体的には20〜30μm)、メタライズ層の平面度が改善されることが確認された。なお、実験例3〜5,8〜12が本発明の実施例に相当し、実験例1,2,6,7が本発明の比較例に相当する。
本発明は、例えば、静電チャックやセラミックスヒーターなどのようにセラミックス部材と金属部材との接合部位を有するものに利用可能である。
10 接合体、12 セラミックス部材、14 金属部材、14a モリブデン芯材、14b ニッケル被膜、16 接合部、16a メタライズ層、16b ロウ接合層、32,34 シート

Claims (3)

  1. セラミックス部材と金属部材とを接合した接合体であって、
    前記セラミックス部材上に形成され、活性金属を含有するメタライズ層と、
    該メタライズ層と前記金属部材との間に形成され、融点が前記メタライズ層より低いロウ接合層と、
    を有し、
    前記メタライズ層の平面度は10μm以下であり、
    前記メタライズ層はTi又はAgを含有し、前記ロウ接合層はAuGe系合金であり、前記メタライズ層、前記ロウ接合層及び前記金属部材の大きさはほぼ同じである、
    接合体。
  2. セラミックス部材上に第1ロウ材を設置してこの第1ロウ材を溶融させることによってメタライズ層を生成させ、次いで前記メタライズ層と前記金属部材との間に第2ロウ材を介在させ、前記第1ロウ材の融点よりも低い温度で前記第2ロウ材を溶融させることによって、前記メタライズ層と前記金属部材との間に前記ロウ接合層を生成させる、セラミックス部材と金属部材とを接合した接合体の製法であって、
    前記メタライズ層と前記金属部材との間に前記第2ロウ材を介在させる前の前記メタライズ層の平面度は10μm以下であり、
    前記メタライズ層はTi又はAgを含有し、前記ロウ接合層はAuGe系合金であり、前記メタライズ層、前記ロウ接合層及び前記金属部材の大きさはほぼ同じである、
    接合体の製法。
  3. 前記セラミックス部材上に前記第1ロウ材を設置する際の該第1ロウ材の厚みは20〜30μmである、
    請求項2に記載の接合体の製法。
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