JP4542485B2 - アルミナ部材及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、静電チャックや加熱装置に好適なアルミナ部材及びその製造方法に関する。
従来、半導体製造工程において、アルミナ焼結体に電極が埋設された静電チャックや、アルミナ焼結体に抵抗発熱体が埋設された加熱装置等のアルミナ部材が用いられている。電極や抵抗発熱体には、電力供給線を接続するための端子がろう付け等により接合されている。又、アルミナ焼結体には、端子を挿入するための穴が形成されている(例えば、特許文献1参照)。
特開平11−12053号公報
しかしながら、従来のアルミナ部材には、電極や抵抗発熱体等の電力が供給される被給電部材と端子とをより強固に接合したいという課題があった。又、穴の形成等によりアルミナ部材の強度低下を招いてしまうおそれがあった。特に、クーロンタイプの静電チャックの場合には、誘電層の厚みが薄いため、強度低下を招くおそれがあった。
そこで、本発明は、強度が高く、被給電部材と端子とが強固に接合されたアルミナ部材及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係るアルミナ部材は、アルミナを含む焼結体の基体と、基体に埋設され、電力が供給される被給電部材と、焼結体との熱膨張係数差が2×10-6/K以下であり、融点が焼結体の焼成温度よりも高く、基体に埋設され、被給電部材と接合された接合部材と、接合部材を介して被給電部材と接合された端子とを備えることを特徴とする。
このようなアルミナ部材によれば、被給電部材と端子は、接合部材を介して強固に接合される。更に、アルミナを含む焼結体の基体と接合部材は熱膨張係数が近いため、接合部材を基体に埋設させることによるクラック発生を防止できる。よって、接合部材を埋設することによりアルミナ部材の強度を向上でき、それによるクラック発生も防止できることから、アルミナ部材の強度を高めることができる。しかも、接合部材の融点は焼結体の焼成温度よりも高いため、アルミナ部材の製造過程において、接合部材が変形したり、接合部材成分が基体に拡散したりすることを防止できる。よって、接合部材を埋設することにより不具合が生じることはない。
接合部材は、ニオブ(Nb)又は白金(Pt)の少なくとも1つを含むことが好ましい。これによれば、被給電部材と端子をより強固に接合できる。しかも、アルミナを含む焼結体で構成される基体と接合部材との熱膨張係数を近づけることができるため、基体のクラック発生をより一層防止でき、アルミナ部材の強度をより向上できる。更に、接合部材が白金を含む場合は、接合部材成分の基体への拡散を防止できる。
基体の少なくとも1部の焼結体は、カーボンを0.05〜0.5重量%含むことが好ましい。これによれば、基体の強度を向上でき、アルミナ部材の強度をより向上できる。
被給電部材は、電極又は抵抗発熱体の少なくとも1つであることが好ましい。これによれば、アルミナ部材を電極が埋設された静電チャックや、抵抗発熱体が埋設された加熱装置として用いることができる。
接合部材は、円盤状又は球状であることが好ましい。これによれば、クラックの発生をより一層防止でき、アルミナ部材の強度をより向上できる。
基体と端子とを反対方向に引っ張る荷重を加え、基体が破壊する引張強さが、1kg重/mm2以上であることが好ましい。これによれば、被給電部材と端子とをより強固に接合できる。
端子から接合部材に向かう方向に荷重を加え、基体が破壊する荷重(以下「押し抜き荷重」という)が、30kg重以上であることが好ましい。これによれば、被給電部材と端子の接合部分周辺の基体の強度を高くでき、アルミナ部材の強度を高く保持できる。
接合部材と端子は、インジウム、金、銀、アルミニウム−アルミナ複合材料、又は、金−ニッケル合金のいずれかにより接合されていることが好ましい。これによれば、接合部材と端子が強固に接合され、接合部材を介して接合されている被給電部材と端子の接合をより強固にできる。
被給電部材と接合部材は、ホットプレス法により接合されていることが好ましい。これによれば、被給電部材と接合部材が強固に接合され、接合部材を介して接合されている被給電部材と端子の接合をより強固にできる。
本発明に係るアルミナ部材の製造方法は、アルミナを含む焼結体で構成され、被給電部材、及び、焼結体との熱膨張係数差が2×10-6/K以下であり、融点が焼結体の焼成温度よりも高く、被給電部材と接合された接合部材が埋設された基体を作製する工程と、接合部材に端子を接合する工程とを有することを特徴とする。これによれば、強度が高く、被給電部材と端子が接合部材を介して強固に接合されたアルミナ部材を提供することができる。
アルミナを含む成形体と、被給電部材と、接合部材とをホットプレス法により一体に焼成することが好ましい。これによれば、被給電部材と接合部材を強固に接合でき、接合部材を介して接合される被給電部材と端子の接合をより強固にできる。しかも、製造過程における接合部材の変形や、接合部材成分の基体への拡散を防止できる。
この場合、接合部材の周囲にカーボンが存在する状態で焼成することが好ましい。これによれば、接合部材成分の基体への拡散をより一層防止できる。
例えば、成形体の少なくとも1部が、カーボン粉又はカーボン源となるバインダーの少なくとも1つを含むことにより、接合部材の周囲にカーボンが存在する状態で焼成できる。
この場合、基体の少なくとも1部の焼結体に含まれるカーボンが0.05〜0.5重量%となるように、成形体におけるカーボン粉又はバインダーの少なくとも1つの含有量、及び、焼成条件を調整することが好ましい。これによれば、より強度の高いアルミナ部材を提供できる。
又、接合部材をカーボン又はカーボン源で被覆することによっても、接合部材の周囲にカーボンが存在する状態で焼成できる。
本発明によれば、強度が高く、被給電部材と端子とが強固に接合されたアルミナ部材及びその製造方法を提供できる。
図1に、アルミナ部材として静電チャック10を示す。図1(a)は静電チャック10の断面図であり、図1(b)は平面図である。静電チャック10は、基体11と、電極12と、接合部材13と、端子14とを備える。静電チャック10は、クーロンタイプの静電チャックである。
図2に、アルミナ部材として加熱装置20を示す。図2(a)は加熱装置20の断面図であり、図2(b)は平面図である。加熱装置20は、基体21と、抵抗発熱体22と、接合部材23と、端子24とを備える。
図3に、アルミナ部材として加熱処理が可能な静電チャック30を示す。静電チャック30は、基体31と、電極12と、抵抗発熱体22と、接合部材13,23と、端子14,24とを備える。静電チャック30は、図1に示す静電チャック10の機能と、図2に示す加熱装置20の機能とを併せ持つ。
基体11,21,31は、アルミナを含む焼結体である。基体11,21,31は、例えば、アルミナ焼結体、アルミナとジルコニア(ZrO2)を含む焼結体、アルミナとマグネシア(MgO)を含む焼結体等で構成できる。基体11,21,31は、アルミナ焼結体で構成されることが好ましい。
基体11,21,31を構成する焼結体のアルミナ純度は、99.5重量%以上であることが好ましい。これによれば、基体11,21,31の強度を向上でき、耐食性も向上できる。しかも、基板の汚染を防止できる。基体11,21,31を構成する焼結体のアルミナ純度は、99.7重量%以上であることがより好ましい。基体11,21,31の形状は限定されないが、例えば、円形や多角形の板状体とすることができる。
基体11,21,31の少なくとも1部の焼結体は、カーボンを0.05〜0.5重量%含むことが好ましい。これによれば、基体11,21,31の強度を向上でき、静電チャック10,30や加熱装置20の強度をより向上できる。
基体11,21,31を構成する焼結体の密度は、3.80〜4.00g/cm3であることが好ましい。これによれば、基体11,21,31の強度を向上でき、耐食性も向上できる。基体11,21,31を構成する焼結体の密度は、3.93〜4.00g/cm3であることがより好ましい。
基体11,21,31を構成する焼結体の開気孔率は、0%であることが好ましい。又、基体11,21,31を構成する焼結体の最大気孔径は、100μm以下であることが好ましい。これらによれば、基体11,21,31の耐電圧を大きくできる。よって、アーキングの発生を防止できる。焼結体の最大気孔径は、50μm以下であることがより好ましい。
更に、基体11,21,31を構成する焼結体の室温における4点曲げ強度(JIS R1601)は、300MPa以上であることが好ましい。基体11,21,31を構成する焼結体の4点曲げ強度は、350MPa以上であることがより好ましく、365MPa以上であることが更に好ましい。又、基体11,21,31を構成する焼結体がカーボンを0.05〜0.5重量%含む場合、基体11,21,31を構成する焼結体の4点曲げ強度は、500MPa以上であることが好ましい。
基体11,21,31は、基板載置面16,26,36を有する。基板載置面16,26,36には、半導体ウエハや液晶基板等の基板が載置される。基板載置面16,26,36の中心線平均表面粗さ(Ra)(JIS B0601)は、0.5μm以下であることが好ましい。これによれば、パーティクルの発生を防止できる。更に、基板の裏面と基板載置面16,26,36との間にバックサイドガスを流す場合に、バックサイドガスの流れが乱れることを防止でき、基板温度を均一に保つことができる。基板載置面16,26,36の中心線平均表面粗さ(Ra)は、0.1〜0.5μmであることがより好ましい。これによれば、加工コストを抑えることができる。
更に、静電チャック10,30の基体11,31は、誘電層11aを備える。誘電層11aの厚さは、0.05〜0.5mmであることが好ましい。これによれば、吸着力を向上できる。誘電層11aの厚さは、0.05〜0.4mmであることがより好ましい。
誘電層11aの平坦度、即ち、電極12から基板載置面16,36までの距離の最大値と最小値の差は、0.2mm以下であることが好ましい。これによれば、均一な吸着力を得ることができる。平坦度は、0.1mm以下であることがより好ましい。
又、誘電層11aの室温における体積抵抗率(JIS C2141)は、1×1015Ω・cm以上であることが好ましい。誘電層11aの体積抵抗率は、1×1016Ω・cm以上であることがより好ましい。但し、誘電層11aの体積抵抗率は、1×1017Ω・cm以下であることが更に好ましい。これらによれば、高い吸着力と良好な脱着応答性を得ることができる。
又、基体11,31の少なくとも1部の焼結体がカーボンを含む場合、基体11,31のうち、誘電層11aはカーボンを含まないことが好ましい。基体11,31のうち、誘電層11a以外の部分、即ち、電極12よりも下層を構成する焼結体は、カーボンを含んでもよく、含まなくてもよい。
静電チャック10,30の基体11,31を構成する焼結体の耐電圧(JIS C2141)は、15kV/mm以上であることが好ましい。基体11,31を構成する焼結体の耐電圧は、18kV/mm以上であることがより好ましい。これによれば、アーキングの発生を防止できる。
基体11,21,31は、端子14,24を挿入する穴15,25を有する。穴15,25は、基体11,21,31の背面17,27,37(基板載置面16,26,36と反対側の基体11,21,31の表面)から接合部材13,23まで延びている。そのため、接合部材13,23の一部は露出している。基体21は、2つの端子24を挿入するために2つの穴25を有する。基体31は、3つの端子14,24を挿入するために、3つの穴15,25を有する。
電極12、抵抗発熱体22は、基体11,21,31に埋設される。電極12、抵抗発熱体22は、電力が供給される被給電部材である。被給電部材は、例えば、高融点導電性材料を用いることができる。具体的には、被給電部材として、タングステン(W)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)等の高融点金属やこれらの合金、タングステンカーバイド(WC)等の高融点金属の化合物を用いることができる。
電極12は、電力供給により吸着力を発生する。電極12は、例えば、高融点導電性材料粉末を含む印刷ペーストを、メッシュ状、櫛形状、円形状等に印刷した印刷電極を用いることができる。この場合、電極12は、高融点導電性材料粉末にアルミナ粉末を混合した印刷ペーストを用いて形成されることが好ましい。これによれば、基体11,31と電極12とを強固に接合できる。又、電極12は、メッシュ状の高融点導電性材料のバルク体(金網)や、多数の穴があけられた高融点導電性材料のバルク体(パンチングメタル)等を用いることができる。
抵抗発熱体22は、電力供給により発熱する。抵抗発熱体22は、高融点導電性材料粉末を含む印刷ペーストを、螺旋状、メッシュ状、複数回折り返された形状等に印刷した印刷発熱体を用いることができる。この場合、抵抗発熱体22は、高融点導電性材料粉末にアルミナ粉末を混合した印刷ペーストを用いて形成されることが好ましい。これによれば、基体11,31と抵抗発熱体22とを強固に接合できる。又、抵抗発熱体22は、コイル状や線状の高融点導電性材料のバルク体や、メッシュ状の高融点導電性材料のバルク体(金網)を用いることができる。
接合部材13は、基体11,31に埋設される。接合部材13は、被給電部材である電極12と接合され、端子14と接合されることにより、電極12と端子14とを接合する。接合部材23は、基体21,31に埋設される。接合部材23は、被給電部材である抵抗発熱体22と接合され、端子24と接合されることにより、抵抗発熱体22と端子24とを接合する。
接合部材13,23は、基体11,21,31を構成するアルミナを含む焼結体との熱膨張係数(CTE:Coefficient of Thermal Expansion)の差が2×10-6/K以下である。これによれば、アルミナを含む焼結体の基体11,21,31と接合部材13,23の熱膨張係数が近いため、接合部材13,23を基体11,21,31に埋設させることによるクラック発生を防止できる。そのため、静電チャック10,30や加熱装置20等のアルミナ部材の強度を高く保持することができる。又、アーキングの発生も防止できる。接合部材13の焼結体との熱膨張係数差は、1.5×10-6/K以下であることがより好ましい。
接合部材13,23の融点は、基体11,21,31を構成する焼結体の焼成温度よりも高い。これによれば、静電チャック10,30や加熱装置20等のアルミナ部材の製造工程において接合部材13,23が焼成温度に保持されることがあっても、接合部材13,23が変形したり、接合部材成分が基体11,21,31に拡散したりすることを防止できる。よって、接合部材13,23を埋設することにより不具合が生じることはない。接合部材13,23の融点は、焼結体の焼成温度よりも50℃以上高いことが好ましい。
接合部材13,23は、ニオブ(Nb)又は白金(Pt)の少なくとも1つを含むことが好ましい。これによれば、被給電部材である電極12や抵抗発熱体22と端子14,24とをより強固に接合できる。しかも、アルミナを含む焼結体で構成される基体11,21,31と接合部材13,23との熱膨張係数を近づけることができるため、接合部材13,23を基体11,21,31に埋設させることによるクラック発生をより一層防止できる。よって、静電チャック10,30や加熱装置20等のアルミナ部材の強度をより向上できる。又、アーキングの発生も防止できる。更に、接合部材13,23が白金を含む場合は、アルミナ部材の製造工程における焼成等の加熱処理により、接合部材成分が基体11,21,31に拡散することを防止できる。又、ニオブの融点は2470℃、白金の融点は1770℃である。アルミナを含む焼結体の焼成温度は、例えば、1500〜1700℃の範囲から選択できる。よって、接合部材13,23の融点を、焼成温度よりも50℃以上高くすることができる。
例えば、接合部材13,23として、ニオブ、ニオブと各種金属との合金、白金、白金と各種金属との合金等を用いることができる。接合部材13,23は、ニオブ又は白金で構成されることが好ましい。接合部材13,23として、合金を用いる場合、ニオブや白金が50vol.%以上であることが好ましい。
接合部材13,23の形状は限定されない。例えば、接合部材13のように円盤状とすることができる。又、接合部材23のように球状とすることができる。これらによれば、接合部材13,23と基体11,21,31との間にクラックが発生することをより一層防止でき、静電チャック10,30や加熱装置20の強度をより向上できる。又、アーキングの発生も防止できる。
円盤状の接合部材13の厚さは、0.2〜1.0mmであることが好ましい。接合部材13の直径は、0.5〜4.0mmであることが好ましい。接合部材13の厚さは、0.5〜1.0mmであることがより好ましく、直径は、0.5〜3.0mmであることがより好ましい。球状の接合部材23の直径は、2.0〜6.0mmであることが好ましい。接合部材23の直径は、3.0〜5.0mmであることがより好ましい。接合部材13,23の形状は、楕円体等であってもよい。
接合部材13は、例えば、図1(a)、図3に示すように、電極12等の被給電部材と接して設けられ、例えば、ホットプレス法等により、加熱、加圧されることにより、被給電部材と接合される。又、図2(a)、図3に示すように、接合部材23は貫通孔23aを有することができる。その貫通孔23aにコイル状の抵抗発熱体22等の被給電部材の端部を挿入し、例えば、ホットプレス法等により、加熱、加圧することにより、接合部材23は被給電部材と接合される。特に、電極12や抵抗発熱体22等の被給電部材と、接合部材13,23とは、ホットプレス法による熱圧接により接合されていることが好ましい。これによれば、電極12や抵抗発熱体22と接合部材13,23とが強固に接合され、接合部材13,23を介して接合されている電極12や抵抗発熱体22と端子14,24の接合をより強固にできる。
端子14は、接合部材13を介して電極12と接合される。端子14には、電極12に電力を供給するための電力供給線が接続される。端子24は、接合部材23を介して抵抗発熱体22と接合される。端子24には、抵抗発熱体22に電力を供給するための電力供給線が接続される。端子14,24は、基体11,21,31に形成された穴15,25に挿入され、接合部材13,23の露出部分と接合される。端子14,24は、モリブデンや二オブにより構成できる。端子14,24は、表面を金(Au)やニッケル(Ni)によりコーティングしてもよい。
接合部材13,23と端子14,24は、例えば、ろう付けにより接合できる。ろう材としては、金属ろう材や、金属とセラミックスの複合材料であるコンポジットろう材等を用いることができる。例えば、ろう材として、インジウム(In)、金、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、アルミニウム−アルミナ複合材料(アルミニウム−アルミナコンポジットろう)や、インジウム、金、銀、アルミニウム、ニッケル、又は、チタンの少なくとも2つ以上の金属を含む合金等を用いることができる。
特に、接合部材13,23と端子14,24は、インジウム、金、銀、アルミニウム−アルミナ複合材料(アルミニウム−アルミナコンポジットろう)、又は、金−ニッケル合金(Au−Ni)のいずれかにより接合されていることが好ましい。これによれば、接合部材13,23と端子14,24とが強固に接合され、接合部材13,23を介して接合されている電極12や抵抗発熱体22と端子14,24の接合をより強固にできる。
ろう付けは、接合部材13,23と端子14,24との間にろう材を介在させ、130〜1100℃で加熱することにより行うことができる。又、接合部材13,23は、端子14,24を挿入可能な凹部を有するようにしてもよい。この場合、接合部材13,23の凹部に端子14,24を挿入して接合できる。
又、基体11,21,31と端子14,24とを反対方向に引っ張る荷重を加え、基体11,21,31が破壊する引張強さが、1.0kg重/m2以上であることが好ましい。これによれば、電極12や抵抗発熱体22と端子14,24とを強固に接合できる。より好ましい引張強さは、1.4kg重/mm2以上である。
ここで、基体と端子とを反対方向に引っ張る荷重を加え、基体が破壊する引張強さを測定する方法の一例を図4に示す。図4では、アルミナ部材として図1に示した静電チャック10を例にとって説明する。基体11を押さえる折り返し部5aを備え、基体11を固定する固定治具5に、基体11を固定する。端子14を把持して引っ張る引張治具4により、端子14を把持する。引張治具4は、オートグラフ3に接続されている。オートグラフ3を用いて引張治具4を介して端子14を基体11から離すように引っ張る(図4中矢印A方向に引っ張る)ことにより、基体11と端子14に両者を反対方向に引っ張る引張荷重を加える。オートグラフ3により、基体11が破壊に至る引張強さを測定する。
更に、端子から接合部材に向かう方向に荷重を加え、基体が破壊する押し抜き荷重が、30kg重以上であることが好ましい。これによれば、電極12や抵抗発熱体22と端子14,24との接合部分周辺の基体11,21,31の強度を高くでき、静電チャック10,30や加熱装置20等のアルミナ部材全体の強度を高く保持できる。より好ましい押し抜き加重は、40kg重以上である。
ここで、端子から接合部材に向かう方向に荷重を加え、基体が破壊する押し抜き加重を測定する方法の一例を図5に示す。図5では、アルミナ部材として図1に示した静電チャック10を例にとって説明する。基体11と支持治具7との間に空間8を設けて基体11を支持する凸部7aを備え、基体11を支持する支持治具7に、基体11を載置する。オートグラフ3を用いて、接合部材13に、端子14が設けられる位置から、接合部材13に向かう方向(図5中矢印B方向)に、押し棒6を介して荷重を加える。押し棒6とオートグラフ3とは接続されている。オートグラフ3により、基体11が破壊に至る押し抜き荷重を測定する。このように、端子を設けない状態で、端子が設けられる位置から接合部材に向かう方向に荷重を加えて、押し抜き荷重を測定できる。
又、静電チャック10,30や加熱装置20等のアルミナ部材の耐電圧は、3kV/mm以上で安定していることが好ましい。これによれば、使用中のアーキングの発生を防止できる。
又、基体11と接合部材13と電極12は、一体焼結体であることが好ましい。基体21と接合部材23と抵抗発熱体22は、一体焼結体であることが好ましい。基体31と接合部材13,23と電極12と抵抗発熱体22は、一体焼結体であることが好ましい。これによれば、基体11,21,31と、接合部材13,23と、電極12や抵抗発熱体22等の被給電部材とがより強固に接合される。特に、ホットプレス法により一体焼結体に焼結されたものであることが好ましい。
静電チャック10,30、加熱装置20のようなアルミナ部材は、例えば、アルミナを含む焼結体で構成され、被給電部材である電極12や抵抗発熱体22、及び、焼結体との熱膨張係数差が2×10-6/K以下であり、電極12や抵抗発熱体22と接合された接合部材13,23が埋設された基体11,21,31を作製する工程と、接合部材13,23に端子14,24を接合する工程とにより、製造できる。
静電チャック10及び加熱装置20の製造方法を例にとって説明する。まず、アルミナ造粒粉を準備する。アルミナを含む焼結体の原料粉末に、バインダー、水、分散剤等を添加して混合し、スラリーを作製する。原料粉末は、アルミナ粉末のみ、アルミナ粉末とジルコニア粉末の混合粉末、アルミナ粉末とマグネシア粉末の混合粉末等を用いることができる。得られたスラリーを噴霧造粒法等により造粒してアルミナ造粒粉を得る。
次に、アルミナを含む焼結体を作製する。得られたアルミナ造粒粉を、金型成形法、CIP(Cold Isostatic Pressing)等の成形方法により成形する。得られた成形体を、窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気中又は酸化雰囲気中で、ホットプレス法や常圧焼結法等の焼結方法により、1500〜1700℃で焼成する。より好ましい焼成温度は、1600〜1700℃である。
次に、焼結体上に電極12や抵抗発熱体22等の被給電部材を形成する。例えば、電極12や抵抗発熱体22は、焼結体表面にスクリーン印刷法等により、印刷することにより形成できる。この場合、タングステン、ニオブ、モリブデン、これらの合金、タングステンカーバイド等の高融点導電性材料粉末を含む印刷ペーストにアルミナ粉末を混合することが好ましい。これによれば、電極12や抵抗発熱体22と、基体11,21との密着性を向上できる。又、電極12は、焼結体上にメッシュ状の高融点導電性材料のバルク体(金網)や、多数の穴があけられた高融点導電性材料のバルク体(パンチングメタル)等を載置することによっても形成できる。又、抵抗発熱体22は、焼結体上にコイル状や線状の高融点導電性材料のバルク体や、メッシュ状の高融点導電性材料のバルク体(金網)を載置することによっても形成できる。
次に、接合部材13,23を、電極12や抵抗発熱体22等の被給電部材と接して配置する。例えば、電極12上に接合部材13を載置することにより、接して配置できる。又、接合部材23の貫通孔23aにコイル状の抵抗発熱体22の端部を挿入することにより、接して配置できる。尚、接合部材13,23は、その融点が、続くホットプレス法による焼結体の作製における焼成温度よりも高いものを用いる。これによれば、製造過程における接合部材13,23の変形や、接合部材成分の基体11,21への拡散を防止できる。
次に、金型に、電極12や抵抗発熱体22等の被給電部材が形成され、接合部材13,23が配置された焼結体をセットする。そして、焼結体、被給電部材、接合部材上に、準備したアルミナ造粒粉を充填し、アルミナを含む成形体を成形する。尚、成形体を別で成形し、焼結体上に載置してプレス成形してもよい。
そして、アルミナを含む成形体と、電極12や抵抗発熱体22等の被給電部材と、接合部材13,23と、アルミナを含む焼結体とを、ホットプレス法により一体に焼成し、一体焼結体を得る。これにより、電極12や抵抗発熱体22等の被給電部材と接合部材13,23とを、ホットプレス法により熱圧接することができる。よって、被給電部材である電極12や抵抗発熱体22と、接合部材13,23とを強固に接合でき、接合部材13,23を介して接合される電極12や抵抗発熱体22と、端子14,24との接合をより強固にできる。
具体的には、一軸方向に加圧しながら、窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気中又は酸化雰囲気中で、1500〜1700℃で焼成する。これによれば、電極12や抵抗発熱体22等の被給電部材と接合部材13,23とをより強固に接合できる。より好ましい焼成温度は、1600〜1700℃である。又、加える圧力は、50〜300kg/cm2が好ましい。これによれば、電極12や抵抗発熱体22等の被給電部材と接合部材13,23とをより強固に接合できる。より好ましくは、100〜200kg/cm2で加圧する。
このように接合部材13,23をアルミナを含む成形体と接した状態で焼成を行う場合、接合部材13,23の周囲にカーボンが存在する状態で焼成すること好ましい。これによれば、接合部材成分の基体11,21への拡散を防止できる。特に、接合部材13,23がニオブを含む場合には、接合部材成分が基体11,21に拡散してしまう場合があるが、接合部材13,23の周囲にカーボンが存在する状態で焼成することにより、拡散を防止できる。この場合、基体における接合部材の周囲の焼結体は、カーボンを含むものとなる。
例えば、上記したようにアルミナを含む成形体が、カーボン源となるバインダーを含むことにより、接合部材13,23の周囲にカーボンが存在する状態で焼成できる。あるいは、アルミナを含む成形体が、カーボン粉を含んでもよく、バインダーとカーボン粉の両者を含んでもよい。バインダーは、焼成によりカーボンとなるものであれば限定されないが、例えば、ポリビニルアルコール(PVA)、ステアリン酸等を用いることが好ましい。
このとき、成形体の少なくとも1部がカーボン粉又はカーボン源となるバインダーの少なくとも1つを含めばよい。焼成により誘電層11aとなる成形体は、カーボン粉やバインダーを含まないことが好ましい。焼成により電極12よりも下層を構成する焼結体となる成形体は、カーボン粉やバインダーを含んでもよく、含まなくてもよい。
この場合、基体の少なくとも1部の焼結体に含まれるカーボンが0.05〜0.5重量%となるように、即ち、焼結体に残留する残留カーボン量が0.05〜0.5重量%となるように、成形体におけるカーボン粉又はバインダーの少なくとも1つの含有量、及び、焼成条件を調整することが好ましい。これによれば、より強度の高い静電チャック10や加熱装置20等のアルミナ部材を提供できる。例えば、基体11のうち、誘電層11a以外の部分、即ち、電極12よりも下層を構成する焼結体が0.05〜0.5重量%のカーボンを含むように調整できる。
例えば、バインダーを含む成形体を作製する場合、バインダー含有量を1〜11重量%とすることができる。又、カーボン粉を含む成形体を作製する場合、カーボン粉含有量を、0.05〜0.5重量%とすることができる。そして、焼成温度、焼成温度における保持時間(焼成時間)、昇温速度等の焼成条件を調整することにより、焼結体に含まれるカーボン量(残留カーボン量)を0.05〜0.5重量%に調整できる。焼成温度は、例えば1500〜1700℃から選択できる。焼成時間は、例えば1〜4時間とすることができる。昇温速度は、例えば常温から1100℃程度まで100〜700℃/時間で昇温し、次いで1400〜1700℃程度まで30〜150℃/時間で昇温できる。
カーボン粉やバインダーを含まない成形体を作製する場合等は、接合部材13,23をカーボンやカーボン源で被覆することによって、接合部材13,23の周囲にカーボンが存在する状態で焼成できる。例えば、テープ状のカーボンや、樹脂等の焼成によりカーボンとなるテープ状のカーボン源を接合部材13,23に貼り付けることができる。又、カーボンやカーボン源を含む溶液やペーストを、スプレー等を用いて接合部材13,23に吹き付けたり、刷毛等を用いて接合部材13,23に塗布したりできる。あるいは、カーボンやカーボン源を含む溶液やペーストに接合部材13,23を浸漬し、引き上げてもよい(ディッピング)。溶媒としては、例えば、シンナー等を用いることができる。接合部材13,23を覆うカーボンやカーボン源の厚さは、例えば50〜200μm程度であることが好ましい。
次に、得られた一体焼結体を加工する。具体的には、基体11,21に穴15,25を形成する。穴15,25は、基体11,21の基板載置面16,26と反対側に形成する。穴15,25は、接合部材13,23が露出する深さまで形成する。又、静電チャック10の場合、誘電層11aの厚さが0.2〜0.5mmとなるように焼結体を研削することが好ましい。
最後に、接合部材13,23に端子14,24を接合し、接合部材13,23を介して電極12や抵抗発熱体22等の被給電部材と端子14、24とを接合する。端子14,24を基体11,21に形成された穴15,25に挿入し、接合部材13,23の露出部分と接合する。接合部材13,23と端子14,24は、ろう付けにより接合する。
静電チャック30は、例えば、アルミナを含む焼結体上に電極12を形成し、接合部材13を配置し、造粒顆粒を充填して焼結体上に成形体を作製する。更に、作製した成形体上に抵抗発熱体22を形成し、接合部材23を配置し、造粒顆粒を充填して成形体を作製する。これらの点以外は、静電チャック30は、静電チャック10、加熱装置20と同様にして製造することができる。
尚、アルミナを含む成形体上に被給電部材を形成し、接合部材を配置し、それらの上にアルミナ造粒粉を充填して、被給電部材と接合部材が埋設された成形体を作製するようにしてもよい。この場合も、得られた成形体をホットプレス法により一体に焼成できる。このように、アルミナを含む成形体と、被給電部材と、接合部材とをホットプレス法により一体に焼成して、被給電部材と接合部材を接合するときに、基体11,21、31となる部分を全てアルミナ成形体としてもよく、一部はアルミナ焼結体としてもよい。
以上説明したように、本実施形態の静電チャック10,30、加熱装置20等のアルミナ部材によれば、電極12や抵抗発熱体22等の被給電部材と端子14,24は、接合部材13,23を介して強固に接合される。更に、アルミナを含む焼結体の基体11,21,31と接合部材13,23は熱膨張係数が近いため、接合部材13,23を基体11,21,31に埋設させることによるクラック発生を防止できる。よって、接合部材13,23を埋設することによりアルミナ部材である静電チャック10,30や加熱装置20の強度を向上でき、しかもそれによるクラック発生も防止できることから、アルミナ部材の強度を高めることができる。又、クラックに起因するアーキングの発生を防止できる。しかも、接合部材13,23の融点は焼結体の焼成温度よりも高いため、アルミナ部材の製造過程において、接合部材13,23が変形したり、接合部材成分が基体11,21,31に拡散したりすることを防止できる。よって、接合部材13,23を埋設することにより不具合が生じることはない。
更に、基体11、21、31に形成される端子14,24を挿入するための穴15,25から基板載置面16,26,36までの距離を、接合部材13,23の分だけ長くすることができ、静電チャック10,30や加熱装置20の強度を向上させることができる。よって、誘電層11aの厚みが薄いクーロンタイプの静電チャック10,30であっても、穴15,25の形成により強度低下を招くことがない。しかも、基体11、21、31に穴15,25を形成する際に、接合部材13,23を用いて穴15,25の位置や深さを決めることができ、加工精度を向上させることもできる。
次に、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に何ら限定されるものではない。
〔実施例1〜6、比較例1〜3〕
セラミックス原料粉末として、純度99.9重量%、平均粒子径0.5μmのアルミナ粉末を用意した。アルミナ粉末に、水、分散材、バインダーとしてポリビニルアルコールを添加し、トロンメルで混合してスラリーを作製した。得られたスラリーをスプレードライヤーを用いて噴霧乾燥し、アルミナ造粒粉を作製した。金型に作製したアルミナ造粒粉を充填して200kg/cm2で加圧し、成形体を9個作製した。
得られたアルミナ成形体をカーボン製のサヤにセットしてホットプレス法により焼成し、アルミナ焼結体を得た。具体的には、100kg/cm2で加圧しながら、窒素加圧雰囲気(窒素150kPa)で焼成した。又、室温から1600℃まで100℃/時間で昇温し、1600℃で2時間保持して焼成した。
次に、タングステン(W)80重量%とアルミナ粉末20重量%の混合粉末に、バインダーとしてエチルセルロースを混合して印刷ペーストを作製した。アルミナ焼結体上にスクリーン印刷法により電極を形成し、乾燥させた。次に、8個の焼結体の電極上に実施例1〜6及び比較例2,3の接合部材をそれぞれ載置した。
金型に電極が形成され、接合部材が載置されたアルミナ焼結体をセットした。アルミナ焼結体、電極、接合部材上に、作製したアルミナ造粒粉を充填し、200kg/cm2で加圧し、プレス成形を行った。又、比較例1として、接合部材を載置せずに、アルミナ焼結体、電極上にアルミナ造粒顆粒を充填してプレス成形を行った。
一体に成形されたアルミナ焼結体、電極、接合部材、アルミナ成形体をカーボン製のサヤにセットし、ホットプレス法により焼成した。具体的には、100kg/cm2で加圧しながら、窒素加圧雰囲気(窒素150kPa)で焼成し、接合部材と電極とを接合した。又、室温から1600℃まで100℃/時間で昇温し、1600℃で2時間保持して一体に焼成した。
このようにして得られた一体焼結体を加工し、直径340mm、厚さ5mmの円盤状とし、端子を取り付けるための穴を形成した。穴は、直径6mmとし、基板載置面から穴までの距離が0.4mmとなるように加工した。更に、アルミナ焼結体の基体表面から電極までの厚さを0.3mmとなるように研削した。そして、接合部材とモリブデンの端子とをろう材としてインジウムを用い、150℃で加熱することによりろう付けし、電極と端子とを接合部材を介して接合した。このようにして、実施例1〜6及び比較例2、3のアルミナ部材を作製した。更に、電極と端子とを直接接合して、比較例1のアルミナ部材を作製した。
実施例1〜5の接合部材の材質は、ニオブ(Nb)とした。又、実施例1〜5の接合部材の形状は、実施例1が直径3.0mm、厚さ1.0mm、実施例2が直径3.0mm、厚さ0.5mm、実施例3が直径3.0mm、厚さ0.2mm、実施例4が直径2.0mm、厚さ0.5mm、実施例5が直径2.0mm、厚さ0.2mmの円盤状とした。実施例6の接合部材は、材質を白金(Pt)、形状を直径3.0mm、厚さ1.0mmの円盤状とした。
比較例2の接合部材は、材質をモリブデン(Mo)、形状を直径3.0mm、厚さ1.0mmの円盤状とした。比較例3の接合部材は、タングステン(W)60重量%とアルミナ(Al23)40重量%の成形体とした。直径3.0mm、厚さ1.0mmの円盤状の成形体を金型成型法により作製した。
得られたアルミナ部材の基体を構成するアルミナ焼結体と、接合部材との熱膨張係数を示差熱膨張計(理学電気製:TM8310)により測定し、両者の熱膨張係数差を求めた。更に、アルミナ部材の表面及び縦断面を、SEM(走査型電子顕微鏡)により観察し、クラック発生の有無、アルミナ焼結体の基体への接合部材成分の拡散の有無を確認した。又、図4に示した測定方法により、基体と端子とを反対方向に引っ張る荷重を加え、基体が破壊する引張強さを測定し、電極と端子との接合の強さを評価した。尚、引張速度は、0.5mm/分とした。更に、図5に示した測定方法により、端子から接合部材に向かう方向に荷重を加え、基体が破壊する押し抜き荷重を測定し、アルミナ部材の強度を評価した。尚、加重速度は、0.5mm/分とし、押し棒6として直径2mmのものを用いた。又、端子を取り付ける前に測定を行った。更に、端子と、接合部材と、電極とを接合した接合体の耐電圧特性を、端子に3kVの電圧を印加し、アーキングが発生するか否かにより評価した。結果を表1に示す。
Figure 0004542485
表1に示すように、ニオブの接合部材を介して電極と端子とを接合した実施例1〜5のアルミナ部材、白金の接合部材を介して電極と端子とを接合した実施例6のアルミナ部材は、引張強さが1.0kg重/mm2以上と高く、電極と端子が強固に接合されていた。
更に、実施例1〜6のアルミナ部材は、押し抜き荷重が30kg重以上あり、接合部材を備えない従来のアルミナ部材に相当する比較例1に比べて高い強度を有していた。このように実施例1〜6は、接合部材を備えることにより、端子を挿入するための穴を形成した場合であっても、電極と端子の接合部分周辺の基体の強度が高く、アルミナ部材の強度が高く保持されていた。特に、接合部材の厚さが0.5mmである実施例2,4のアルミナ部材は押し抜き荷重が40kg重以上、接合部材の厚さが1.0mmである実施例1,6のアルミナ部材は押し抜き荷重が55kg重以上であり、強度が高かった。
又、実施例1〜5のアルミナ部材は、基体と接合部材の熱膨張係数差が1.3×10-6/Kであった。実施例6のアルミナ部材は、基体と接合部材の熱膨張係数差が0.6×10-6/Kであった。実施例1〜6のアルミナ焼結体の基体にはクラック発生が見られなかった。そのため、接合部材の厚さが同じ実施例1,6と比較例2,3の押し抜き荷重を比較すると、クラックのない実施例1,6は、クラックのある比較例2,3の約3倍程度の強度を備えていた。よって、基体と接合部材との熱膨張係数を2×10-6/K以下と近づけることにより、クラックの発生を防止でき、それにより、アルミナ部材の強度を向上できることが分かった。更に、クラックのない実施例1〜6のアルミナ部材は、アーキングの発生が見られず、耐電圧特性も優れていた。
又、実施例1〜5の接合部材の融点は2470℃であり、実施例6の接合部材の融点は1770℃であり、いずれも焼成温度1600℃より150℃以上も高いことから、接合部材の変形も見られなかった。更に、実施例1〜6の接合部材成分の基体への拡散も見られなかった。
実施例1〜6に対し、接合部材を設けずに電極と端子とを直接接合した比較例1のアルミナ部材、モリブデンの接合部材を用いた比較例2のアルミナ部材、タングステンとアルミナの成形体の接合部材を用いた比較例3のアルミナ部材は、いずれも引張強さが低く、接合が弱かった。
又、接合部材を設けない比較例1のアルミナ部材は、押し抜き荷重も非常に低く、強度が低かった。更に、比較例1,2のアルミナ部材は、アルミナ焼結体の基体に、電極と基体との熱膨張係数差に起因してクラックが発生したり、接合部材と基体との熱膨張係数差に起因してクラックが発生したりしていた。比較例3のアルミナ部材は、焼成直後にはクラック発生は見られなかったが、断面観察のために加工した後のアルミナ部材に、クラック発生が観察された。これは、残留応力が高く、加工により残留応力が開放され、基体が押し割られたためと考えられた。比較例2,3のアルミナ部材は、クラックが発生したため、同じ厚さの接合部材を備える実施例1,6に比べて、押し抜き荷重が約1/3以下となっており、強度を保つことができなかった。又、比較例1〜3のアルミナ部材は、クラックによりアーキングが発生してしまい、耐電圧特性も劣っていた。
〔実施例7〜9〕
バインダーであるポリビニルアルコールを添加しない以外は、実施例1と同様にして、ニオブの接合部材が埋設されたアルミナ部材を作製した(実施例7)。接合部材に、厚さ0.1mm程度のテープ状のカーボン(カーボンテープ)を貼り付けて接合部材をカーボンで覆う以外は、実施例7と同様にして、カーボンテープで覆われたニオブの接合部材が埋設されたアルミナ部材を作製した(実施例8)。バインダーであるポリビニルアルコールを添加しない以外は、実施例6と同様にして、白金の接合部材が埋設されたアルミナ部材を作製した(実施例9)。
実施例7〜9のアルミナ部材について、実施例1と同様にして、クラック発生の有無、アルミナ焼結体の基体への接合部材成分の拡散の有無を確認し、押し抜き荷重を測定した。又、高周波加熱赤外線吸収法により、アルミナ焼結体に含まれるカーボン量を測定した。実施例1,6についてもカーボン量を測定した。実施例1,6〜9について結果を表2に示す。
Figure 0004542485
表2に示すように、実施例7〜9においてもクラックの発生は見られなかった。又、ニオブの接合部材を用い、バインダーを添加せず、カーボンテープで覆うこともしなかった実施例7は、接合部材成分の基体への拡散が確認され、接合部材周辺に厚さ200μmの拡散層が形成されていた。これに対し、ニオブの接合部材を用いた場合であってもバインダーを添加した実施例1では、接合部材成分の基体への拡散は全く見られなかった。又、ニオブの接合部材を用い、カーボンテープで覆った実施例8では、接合部材成分の基体への拡散が確認されたものの、拡散層の厚さは100μm以下に抑えられていた。即ち、実施例8では、拡散は極めて微量であり、実施例7に比べて拡散の程度が大幅に改善されていた。よって、接合部材の周囲にカーボンが存在する状態で焼成することにより、接合部材成分の基体への拡散を防止できることが確認できた。
又、白金の接合部材を用いた場合には、バインダーを添加した実施例6においても、バインダーを添加しなかった実施例9においても、接合部材成分の基体への拡散は全く見られなかった。よって、接合部材が白金を含む場合は、接合部材成分の基体への拡散を防止できることが確認できた。
更に、アルミナ焼結体に含まれるカーボン量が、1.4〜1.5重量%である実施例1,6では、カーボンを含まない実施例7〜9に比べて、押し抜き荷重が高かった。よって、アルミナ焼結体がカーボンを0.05〜0.5重量%含むことにより、アルミナ部材の強度を更に向上できることが確認できた。
〔実施例10〕
実施例1と同様にしてアルミナ造粒粉を作製した。金型に作製したアルミナ造粒粉を充填して200kg/cm2で加圧した。金型に得られたアルミナ成形体をセットしたまま、アルミナ成形体上にメッシュ状のニオブの電極(線径Φ0.12mm、メッシュ#50μm)を載置した。更に、電極上に直径3.0mm、厚さ1.0mmの円盤状のニオブ接合部材を載置した。
アルミナ成形体、電極、接合部材上にアルミナ造粒粉を充填し、200kg/cm2で加圧し、プレス成形を行った。得られたアルミナ成形体上にコイル状のニオブの抵抗発熱体(線径Φ0.5mm、巻き径Φ3.0mm)を載置した。更に、直径4.0mmの球状のニオブ接合部材の貫通孔に、抵抗発熱体の端部を挿入し、ニオブ接合部材も成形体上に載置した。アルミナ成形体、抵抗発熱体、接合部材上にアルミナ造粒粉を充填し、200kg/cm2で加圧し、プレス成形を行った。
得られた電極、抵抗発熱体、接合部材が埋設された成形体をカーボン製のサヤにセットし、ホットプレス法により焼成した。具体的には、100kg/cm2で加圧しながら、窒素加圧雰囲気(窒素150kPa)で焼成し、接合部材と電極、接合部材と抵抗発熱体をそれぞれ接合した。又、室温から1600℃まで100℃/時間で昇温し、1600℃で2時間保持して一体に焼成した。
このようにして得られた一体焼結体を加工し、直径330mm、厚さ15mmの円盤状とし、モリブデンの端子を取り付けるための孔を形成した。そして、接合部材と端子とをろう付けし、電極と端子とを接合部材を介して接合し、抵抗発熱体と端子とを接合部材を介して接合した。ろう付けは、ろう材としてインジウムを用い、150℃で加熱することにより行った。このようにして、アルミナ部材として加熱処理可能な静電チャックを作製した。
得られた静電チャックをSEMにより観察したところ、クラック発生は見られなかった。又、実施例1と同様にして、引張強さ及び押し抜き荷重を測定したところ、電極部分及び抵抗発熱体部分の引張強さは、いずれも1.4kg重/mm2以上であり、強固に接合されていた。更に、電極部分の押し抜き荷重は、69kg重であり、抵抗発熱体部分の押し抜き荷重は、70kg重以上であり、静電チャックは高い強度を有していた。
更に、静電チャックとしての機能を電圧2kVを印加して評価した。電圧印加により、40Torrの吸着力を発現した。更に、リーク電流は1nA以下、基板の脱着応答性は1秒以下、誘電層の室温における体積抵抗率は1×1015Ω・cm以上であり、200℃まで静電吸着力(クーロン力)を発現した。このように、アルミナ部材は、吸着力や脱着応答性に優れ、静電チャックとして優れた特性を有していた。
又、加熱装置としての機能を基板載置面の均熱性をサーモビューアにより測定して評価した。基板載置面温度を200℃に設定した際の面内温度差は10℃以下であった。このように、アルミナ部材は均熱性に優れ、加熱装置としても優れた特性を有していた。
本発明の実施形態に係る静電チャックの(a)1a−1a線に沿う断面図及び(b)平面図である。 本発明の実施形態に係る加熱装置の(a)2a−2a線に沿う断面図及び(b)平面図である。 本発明の実施形態に係る加熱処理可能な静電チャックの断面図である。 引張強さの測定方法を示す概略図である。 押し抜き加重の測定方法を示す概略図である。
符号の説明
10,30…静電チャック
11,21,31…基体
11a…誘電層
12…電極
13,23…接合部材
14,24…端子
15,25…穴
20…加熱装置
21,31…基体
22…抵抗発熱体

Claims (10)

  1. アルミナを含む焼結体の基体と、
    該基体に埋設され、電力が供給される被給電部材と、
    ニオブを含み、前記焼結体との熱膨張係数差が1.3×10-6/K以下であり、融点が前記焼結体の焼成温度よりも高く、前記基体に埋設されて前記基体及び前記被給電部材と一体焼成により接合され、前記基体に形成された穴から露出した接合部材と、
    該接合部材を介して前記被給電部材と接合された端子とを備え
    前記基体における前記接合部材の周囲の焼結体は、カーボンを含むことを特徴とするアルミナ部材。
  2. 前記被給電部材は、電極又は抵抗発熱体の少なくとも1つであることを特徴とする請求項1に記載のアルミナ部材。
  3. 前記接合部材は、円盤状又は球状であることを特徴とする請求項1又は2に記載のアルミナ部材。
  4. 前記基体と前記端子とを反対方向に引っ張る荷重を加え、前記基体が破壊する引張強さが、1.0kg重/mm2以上であることを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載のアルミナ部材。
  5. 前記端子から前記接合部材に向かう方向に荷重を加え、前記基体が破壊する押し抜き荷重が、30kg重以上であることを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載のアルミナ部材。
  6. 前記接合部材と前記端子は、インジウム、金、銀、アルミニウム−アルミナ複合材料、又は、金−ニッケル合金のいずれかにより接合されていることを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載のアルミナ部材。
  7. 前記被給電部材と前記接合部材は、ホットプレス法により接合されていることを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載のアルミナ部材。
  8. アルミナを含む焼結体で構成され、電力が供給される被給電部材と、ニオブを含み前記焼結体との熱膨張係数差が1.3×10-6/K以下であり融点が前記焼結体の焼成温度よりも高く前記被給電部材と接合された接合部材と、が埋設された基体を作製する工程と、
    前記基体に前記接合部材が露出する穴を形成する工程と、
    前記接合部材に端子を接合する工程とを有し、
    アルミナを含む成形体と、前記被給電部材と、前記接合部材とを、前記接合部材の周囲にカーボンが存在する状態でホットプレス法により一体に焼成することを特徴とするアルミナ部材の製造方法。
  9. 前記成形体の少なくとも1部は、カーボン粉又はカーボン源となるバインダーの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項に記載のアルミナ部材の製造方法。
  10. 前記接合部材をカーボン又はカーボン源で被覆することを特徴とする請求項に記載のアルミナ部材の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5084155B2 (ja) * 2005-03-11 2012-11-28 日本碍子株式会社 アルミナ焼結体及びその製造方法、並びに、このアルミナ焼結体を用いた静電チャック及びその製造方法
JP2007258610A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Ngk Insulators Ltd アルミナ焼成体
US7696455B2 (en) * 2006-05-03 2010-04-13 Watlow Electric Manufacturing Company Power terminals for ceramic heater and method of making the same
JP4762208B2 (ja) 2006-07-19 2011-08-31 日本碍子株式会社 静電チャックヒータ
US7848075B2 (en) * 2006-07-19 2010-12-07 Ngk Insulators, Ltd. Electrostatic chuck with heater
TWI359473B (en) 2006-07-19 2012-03-01 Ngk Insulators Ltd Electrostatic chuck heater
JP2008047881A (ja) * 2006-07-19 2008-02-28 Ngk Insulators Ltd ヒータ付き静電チャック
JP4394667B2 (ja) * 2006-08-22 2010-01-06 日本碍子株式会社 ヒータ付き静電チャックの製造方法
US7701693B2 (en) * 2006-09-13 2010-04-20 Ngk Insulators, Ltd. Electrostatic chuck with heater and manufacturing method thereof
JP5154871B2 (ja) * 2006-09-13 2013-02-27 日本碍子株式会社 静電チャック及びその製造方法
SE530400C2 (sv) * 2006-10-09 2008-05-20 Sandvik Intellectual Property Uppvärmningsenhet med ett motståndselement format som ett ledningsmönster
JP2008135737A (ja) * 2006-11-01 2008-06-12 Ngk Insulators Ltd 静電チャック及び静電チャックの製造方法
US7633738B2 (en) * 2006-11-01 2009-12-15 Ngk Insulators, Ltd. Electrostatic chuck and manufacturing method thereof
JP5029257B2 (ja) * 2007-01-17 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び処理装置
JP5111876B2 (ja) * 2007-01-31 2013-01-09 東京エレクトロン株式会社 基板載置構造体及び基板処理装置
JP5174582B2 (ja) * 2007-08-30 2013-04-03 日本碍子株式会社 接合構造体
US20090159007A1 (en) * 2007-11-14 2009-06-25 Ngk Insulators, Ltd. Substrate support
TWI450353B (zh) 2008-01-08 2014-08-21 Ngk Insulators Ltd A bonding structure and a semiconductor manufacturing apparatus
JP5345449B2 (ja) * 2008-07-01 2013-11-20 日本碍子株式会社 接合構造体及びその製造方法
JP4439575B2 (ja) * 2008-08-29 2010-03-24 シャープ株式会社 加熱調理器
JP5307671B2 (ja) 2008-10-23 2013-10-02 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム基複合材料、その製造方法及び半導体製造装置用部材
JP5230462B2 (ja) * 2009-01-26 2013-07-10 三菱重工業株式会社 プラズマ処理装置の基板支持台
US8190710B2 (en) 2009-06-23 2012-05-29 Oracle International Corporation System and method for providing user context support in a native transaction platform
US8326913B2 (en) * 2009-06-25 2012-12-04 Oracle International Corporation Method and system for service contract discovery
US8806377B2 (en) * 2009-09-01 2014-08-12 Oracle International Corporation Method and system for providing graphical user interface with contextual view
US8863029B2 (en) * 2009-09-01 2014-10-14 Oracle International Corporation Method and system for providing graphical user interface having filtering capability
US8161413B2 (en) 2009-09-01 2012-04-17 Oracle International Corporation Method and system for providing user interface representing organization hierarchy
US9224626B2 (en) * 2012-07-03 2015-12-29 Watlow Electric Manufacturing Company Composite substrate for layered heaters
JP6182082B2 (ja) 2013-03-15 2017-08-16 日本碍子株式会社 緻密質複合材料、その製法及び半導体製造装置用部材
JP6182084B2 (ja) 2013-03-25 2017-08-16 日本碍子株式会社 緻密質複合材料、その製法、接合体及び半導体製造装置用部材
JP6758143B2 (ja) * 2016-09-29 2020-09-23 日本特殊陶業株式会社 加熱装置
JP6741548B2 (ja) 2016-10-14 2020-08-19 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材及びその製法
US10849221B2 (en) * 2017-10-30 2020-11-24 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Electrode embedded member
JP7284561B2 (ja) * 2017-10-30 2023-05-31 日本特殊陶業株式会社 電極埋設部材
KR102259995B1 (ko) * 2017-10-30 2021-06-02 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 전극 매설 부재
US10339776B2 (en) * 2017-11-14 2019-07-02 Sensormatic Electronics Llc Security marker
JP6991043B2 (ja) * 2017-11-22 2022-02-03 東京エレクトロン株式会社 基板載置台
JP7278035B2 (ja) * 2018-06-20 2023-05-19 新光電気工業株式会社 静電チャック、基板固定装置
US11590576B2 (en) * 2021-06-24 2023-02-28 Baker Hughes Oilfield Operations Llc Method of forming a high temperature sensor

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1112053A (ja) * 1997-06-20 1999-01-19 Ngk Insulators Ltd セラミックスの接合構造およびその製造方法
JP2003309049A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用保持体
JP2004079588A (ja) * 2002-08-09 2004-03-11 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd サセプタ装置
JP2004104113A (ja) * 2002-08-22 2004-04-02 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd サセプタ装置
JP2004203706A (ja) * 2002-12-26 2004-07-22 Ngk Insulators Ltd 異種材料接合体及びその製造方法
JP2004253786A (ja) * 2003-01-29 2004-09-09 Ngk Insulators Ltd セラミックスの接合構造

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB697306A (en) * 1950-03-28 1953-09-16 Fritz Math Method of embedding metal elements in ceramic masses
JP2511696B2 (ja) * 1988-06-27 1996-07-03 東芝タンガロイ株式会社 高靭性酸化アルミニウム基焼結体及びその製造方法
EP1120817B8 (en) 1991-03-26 2007-10-10 Ngk Insulators, Ltd. Use of a corrosion-resistant member
EP0564982A3 (en) * 1992-04-04 1995-09-13 Hoechst Ceram Tec Ag Ceramic alumina body with high metallization adherence
JP2642858B2 (ja) * 1993-12-20 1997-08-20 日本碍子株式会社 セラミックスヒーター及び加熱装置
KR100214438B1 (ko) * 1995-03-17 1999-08-02 히가시 데쓰로 스테이지 장치
JP3887842B2 (ja) 1995-03-17 2007-02-28 東京エレクトロン株式会社 ステージ装置
US5968379A (en) 1995-07-14 1999-10-19 Applied Materials, Inc. High temperature ceramic heater assembly with RF capability and related methods
US6900149B1 (en) 1999-09-06 2005-05-31 Ibiden Co., Ltd. Carbon-containing aluminum nitride sintered compact and ceramic substrate for use in equipment for manufacturing or inspecting semiconductor
US6603650B1 (en) 1999-12-09 2003-08-05 Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. Electrostatic chuck susceptor and method for fabrication
JP2001253777A (ja) * 2000-03-13 2001-09-18 Ibiden Co Ltd セラミック基板
JP3897563B2 (ja) * 2001-10-24 2007-03-28 日本碍子株式会社 加熱装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1112053A (ja) * 1997-06-20 1999-01-19 Ngk Insulators Ltd セラミックスの接合構造およびその製造方法
JP2003309049A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用保持体
JP2004079588A (ja) * 2002-08-09 2004-03-11 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd サセプタ装置
JP2004104113A (ja) * 2002-08-22 2004-04-02 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd サセプタ装置
JP2004203706A (ja) * 2002-12-26 2004-07-22 Ngk Insulators Ltd 異種材料接合体及びその製造方法
JP2004253786A (ja) * 2003-01-29 2004-09-09 Ngk Insulators Ltd セラミックスの接合構造

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