TWI274395B

TWI274395B - Alumina member and manufacturing method thereof

Info

Publication number: TWI274395B
Application number: TW094142328A
Authority: TW
Inventors: Yutaka Mori; Hiroto Matsuda; Kazuhiro Nobori
Original assignee: Ngk Insulators Ltd
Priority date: 2004-12-14
Filing date: 2005-12-01
Publication date: 2007-02-21
Also published as: JP4542485B2; EP1672679A2; KR20060067832A; KR100740522B1; TW200625509A; EP1672679B1; EP1672679A3; US20060169688A1; JP2006196864A; US7564008B2

Description

1274395 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係有關於氧化鋁構件及其製造方法，適用於靜電卡盤以及加熱裝置。【先前技術】習知半導體製造過程中係使用氧化鋁構件，如氧化鋁鲁、口虹内埋s又電極的靜電卡盤、氧化鋁燒結體内埋設電阻發熱體的加埶裝詈辇。田、击& & '、專用以連接電力供應線的端子藉由焊接等接合至電極、電阻發熱體。又，氧化銘燒結體内’形成用以插入端子的穴（例如參考專利文件υ。 [專利文件1]特開平u —12〇53號公報。【發明内容】 [發明所欲解決的課題]

然而，習知的氧化紹構件中，有電力供給的被供電構㈣極、電阻發熱體等與端子之間有需要更強固的接合的課題X &於穴的形成可能導致氧化銘構件的強度降低。特別是’如果是庫倫型的靜電卡盤的話，由於介電層的厚度薄，可能引起強度降低。本么月的目的係提供一高強度的氧化紹構件及其製造方法’其中被供電構件與端子間強固地接合。 [用以解決課題的手段] 根據本發明的氧化銘構件，包括：基體，具有氧化銘

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1274395 :燒結體；被供電構件，埋設至基體内，#電力供給；接口構件，與燒結體的熱膨脹係數差為2x1 (Γ6/Κ以下，融點比燒結體的燒成溫度高，埋設於基體内，並與被供電構件接人.+山1 ^ < Γ ’經由接合構件與被供電構件接合。一根據上述的氧化鋁構件，被供電構件與端子間經由接合構件強固地接合。又，由於包含氧化㈣燒結體的基體 /、接口構件的熱膨脹係數接近，可以防止因埋設接合構件至基體内所產生的裂開。因&，藉由埋設接合構件可提言氧：：構件的強度，並可防止因埋入而產生的裂開，因： :::氧化链構件的強度。而且，由於接合構件的融點比、—體的燒成溫度高，在氧化$呂構件的製造過程中，可防止接合構件變形、接合構件成分在基體内擴散。因此，不會因埋設接合構件而發生不良。接合構件最好包括鈮（Nb)或鉑（pt)之中至少一者。萨此，被供電構件舆端子間可以更強固地接合。而且，心包3乳化㈣燒結體所構成的基體與接合構件之間的執臉脹係數可《相近，可績加防止基體產生㈣並可^ 提南氧化I呂構件的強度。又，如果接合構件包含挺的話，可以防止接合構件成分擴散至基體内。土體的至^部分的燒結體最好包含〇·〇5〜0.5重量百分比的碳。藉此，可以摇古故间基體的強度，並可以更提高氧化鋁構件的強度。此被供電構件最好是電極或電阻發熱體中至氧化鋁構件可以用作埋設電極的靜電卡盤少一者。藉、及埋設電

7066-7395-PF 6 1274395 阻發熱體的加熱裝置。接合構件最好是圓盤狀或球狀。藉此，可以更加防止產生裂開，並可以更提高氧化鋁構件的強度。基體與端子間施加反方向的張應力負荷時，破壞基體的張應力強度最好是lkg重/mm2以上。藉此，被供電：件與端子間可以更強固地接合。 #由端子往接合構件的方向施加負荷時/破壞基體的負荷（以下稱「打穿」負荷）最好是3〇kg重以上。藉此，被供電構件與端子的接合部分周邊的基體的強度可以增加，且可以保持高的氧化鋁構件強度。接合構件與端子最好是由銦、金、銀、紹—氧化峨㈣、或金—鎳合金其令之任―所接合。藉此，接合構件與 ^子強固地接合，且可m y一了以更強固經由接合構件接合的被供電構件與端子間的接合。被供電構件與接合構件最好以熱加Μ法接合。藉此被供電構件與接合構件強固地接合，且可以更強固㈣合構件接合的被供電構件與端子間的接合。 — 根據本發明的氧化銘構件的製造方法，包括下列歩 :件含氧化㈣燒結體構成，基體内埋設被供電差為2xl(TV:構件’其中接合構件與燒結體的熱膨脹係數 =接ΓΤ，融點比燒結體的燒成溫度高，繼 i、電構件接合；以及接合高強度的氧化㈣# 件。错此，可提供電構件與端子經由接合構件更強固接合被供

7066-7395-PF 1274395 2好以熱加壓法-體燒成包含氧化㈣成形體電構件、及接合構件。藉此π 了強固地接合被供電構件盥 ^構件，並可更強I經由接合構件接合的被供電構件愈 *而子間的接合。而且，可 /、 ^ _ 製造過程中接合構件的變 t及接合構件成分擴散至基體。 ^

牡此料下，最好在接合構件的周圍存在碳的狀 U。藉此’可以更加防止接合構件成分擴散至基體例如，由於成形體的至少源的黏結劑中的至少一者，可的狀態下燒成。一部分包含碳粉或用作碳粉以在接合構件的周圍存在碳在此情況下’最好調整成形體内碳粉或黏結劑中至少 -者的含有量以及燒成條件’使基體的至少一部分的燒二體内含有0.05〜。.5重量百分比的碳。藉此，可以提：：高強度的氧化鋁構件。又，藉由以碳或碳源覆蓋接合構件，也可以在接合構 _ 件的周圍存在碳的狀態下燒成。 [發明效果] 根據本發明，提供一高強度的氧化鋁構件及其製造方法，其中被供電構件及端子間強固地接合。【實施方式】第1圖中，顯示作為氧化鋁構件的靜電卡盤10。第I(a) 圖係靜電卡盤10的剖面圖，第1(b)圖係平面圖。靜電卡盤10包括基體11、電極丨2、接合構件i 3、以及端子i 4。

7066-7395-PF 8 1274395 靜電卡盤l 〇係庫倫型靜電卡盤。第2圖中，齠—^ a ρ 。第 2(a) 。加熱裝、以及端 ”、、貝不作為氧化鋁構件的加熱裝置2〇圖係加敎裝署9 η ^ 、、、展置2〇的剖面圖，第2(b)圖係平面圖置2〇包括基體21、電阻發熱體22、接合構件23 子24。第3圖中，顯示作為氧化鋁構件的可熱處理的靜盤30。靜電卡盤3〇包㈣巴枯丞體dl、電極12、電阻發熱體22、，口構件13、23以及端子14、24。靜電卡盤3〇具有合併第1圖所不的靜電卡盤10的機能以及第2圖所示的靜電卡盤20的機能。电卡基體11、21、31係具有氧化鋁的燒結體。基體u、 21 31例如可由氧化鋁燒結體、包含氧化鋁及氧化鍅（Zr〇2) 的燒結體、包含氧化鋁及氧化鎂（Mg〇)的燒結體等構成。基體11、21、31最好由氧化鋁燒結體所構成。構成基體11、21、31的燒結體的氧化鋁純度最好是 99·5重量百分比以上。藉此，可以增加基體^、Μ、^ 的強度，也可以增強耐蝕性。而且，可以防止基板的污染。構成基體11 ' 21、31的燒結體的氧化鋁純度在g 9 · 7重量百分比以上更理想。基體11、21、31的形狀不限定，例如，可以是圓形或多角形的板狀體。基體11、21、31的至少一部分的燒結體最好包含〇〇5 〜〇β 5重量百分比的碳。藉此，可以增加基體u、2ι、的強度’並可以更增加靜電卡盤10、3〇及加熱裝置2〇的強度。 7066-7395-PF 9 1274395 構成基體U、21、31的燒結體的密度最好是3 8〇〜 4.00g/cm3。藉此，可以增加基體n、21、31的強度，並可以更增強耐純。構成基體u、2卜31的燒結體二密度為3.93〜4.00忌/^113則更理想。構成基體1卜21、31的燒結體的開氣孔率最好是。又’構成基體11、21、31的燒結體的最大氣孔#最好是 ΙΟΟβηι以下。藉此，基體U、21、31的耐電壓可以增加。因此，可.以防止發生拱起。燒結體的最大氣孔徑在以下更理想。又，構成基體11、21、31的燒結體在室溫中的4點彎曲強度（JISR1601)最好是300MPa以上。構成基體u、21、 31的燒結體的4點彎曲強度在35〇MPa以上更理想，而在 365MPa以上又更好。又，當構成基體n、2i、3f的燒結體包含0.05〜〇· 5重量百分比的碳時，構成基體u、21、 31的燒結體在室溫中的4點彎曲強度最好是5〇〇肿&以上。基體11、21、31具有基板載置面16、26、36。基板載置面16 26、36上’載置半導體晶圓和液晶基板等的基板。基板載置φ 16、26、36的中心線平均表面粗糙度 (Ra)(JIS Β0601 )最好是〇 5"m以下。藉此，可防止微粒的發生。又，基板的背面與基板載置面16、26、36之間流動背面氣體時，·可以防止背面持基板溫度均一。基板載置面面粗糙度（Ra)(JIS B060 1 )為此’可以抑制加工成本。氣體的流動混亂，並可以保 1 6、2 6、3 6的中心線平均表 0· 1〜0· 5/z m則更理想。藉

7066-7395-PF 10 1274395 又，靜電卡盤10、30的基體Π、31具有介電層llac 介電層11a的厚度最好為〇〇5〜〇 5_。藉此，可以加強吸著力。介電層Ua的厚度為〇〇5〜〇·4ιηπ]則更理想。介電層11a的平坦度，即，從電極12至基板載置面 =、36的距離的最大值與最小值的差最好在〇·2_以下。藉此，可以得到均一的吸著力。平坦度在〇 lmm以下則更理想。又，’丨電層11a在室溫中的體積電阻率（JIS C2141) 敢好為lxl〇15 D · cm(歐姆積電阻率在lxl〇16 D · cm 11a的體積電阻率在1χ1〇” •厘米）以上。介電層Π a的體以上則更理想。但是，介電層 Ω · cm以上又更理想。藉此，可以得到高吸著力及良好的脫著應答性又，§基體11、31中至少一部分的燒結體包含碳時，基體11、31中介電層11&最好不含有碳。基體1卜31中，介電層11a以外的部分，艮p，構成在電極12下層的燒結體可以包含碳，也可以不包含碳。構成靜電卡盤10、30的基體u、31的燒結體的耐電壓（JIS C2141)最好在15kV/_(千伏/毫米）以上。構成的基體1卜31的燒結體的耐電壓在18kV/_以上更理想。藉此，可以防止產生拱起。基體11、21、31具有插入端子14、24的穴15、25。穴15、25由基體^卜以的背面^巧卜州與基板載置面16、26、36反面側的基體U、21、31表面）延伸至接合構件13、23。因此，接合構件13、23的一部分露出。

7066-7395-PF 11 1274395 基體21具有用以插2個端有用以插綱子U、24的3個:二广…具電極12、電阻發熱體22埋設至基體u 、電極12、電阻發埶及士⑤ 、31内。电I、，、體22係有電力供給的被供供電構件’例如，可以使用高融點導電性材料。=件。被可以使用鎢⑺、鈮⑽）、翻⑽等的高融點金、二金、以及碳化鎢（WC)#_及其合件。 G)4^點金屬的化合物作為被供電構電極12由於電力供給而產生吸著力。電㈣，例如可以使用包含高融點導電性材料粉末的印刷狀、梳子狀、圓形等的印刷電極。在此情況下，電= 好利用混合氧化銘粉末至古取 — 阿融點泠電性材料粉末的印刷塗料而形成。猎此，某體〗1 q彳鍾11 31與電極12間可^固地接合。又，電極12可以#用锢壯从一， . 便用，、.罔狀的尚融點導電性材料的大體（線路網）、以及纖了士夕去鑽了大夕數的八的高融點導電性材料大型體（穿孔金屬）等。

電阻么熱體22因電力供給而發熱。電阻發熱體22可以使用包含高融點導電性材料粉末的印刷塗料印刷成螺旋狀、網狀、折疊複數次的印刷發熱體。在此情況下，電阻發熱體22最好利用混合氧化銘粉末至高融點導電性材料粉末的印刷塗料而形成。藉此，基體1卜31與電阻發熱體門可以強固地接合。又，電阻發熱體Μ可以使用線圈狀及線狀的高融點導電性材料的大型體、以及網狀的高融點導電性材料的大型體（線路網）。 7066-7395-PF 12 1274395 接5構件13埋設於基體u、31内。由於接合構件Μ 與破供電構件的電極12接合、以及與端子14接合，電極 12與鈿子14接合。接合構件23埋設於基體η、μ内。由於接合構件23與被供電構件的電阻發熱體&接合、以及與端子24接合，電阻發熱體22與端子％接合。接口構件13、23與包含構成基體u、21、31的氧化銘的燒結體間的熱膨脹係數（CTE : c〇ef f 土 &咖Qf

Expansion)差在2xl()-VK以下。藉此，由於包含氧化紹的，結體的基體U、21、31與接合構件13、23的熱膨服係數相近，可防止因接合構件13、23埋設至基冑u、2卜 31内而產生的裂開。因此’可以保持靜電卡# 1〇、3〇及加熱裝置20等的氧化鋁構件的高強度。又，可以防止發生拱起。接合構# 13與燒結體間的熱膨脹係數差 ΗΓ7Κ以下則更理想。 ·〇Χ 接5構件13、2 3的融點比構成基體11、21、31的_ 結體的燒成溫度高。藉此’靜電卡盤10、30及加熱裝： 20等的氧化銘構件的製造過程中，即使保持接合構们3、 23在燒成溫度，也可以防止接合構件ΐ3、變形，以及防止接合構件成分擴散至基體u、2卜。融點最好比燒結體的燒成溫度高5(TC以上。接合構件13、23最好包含鈮（Nb)或鉑（pt)之中至少一者。藉此’被供電構件的電極12及電阻發熱體22與端子 14 24間可以更強固地接合。而且，由於包含氧化鋁的燒

7066-7395-PF 13 1274395 結：所構成的基體11、2卜31與接合構件Π、23之間的熱恥脹係數可以相近’可以更加防止因埋設 : 23至基體1]f、、叫向；立 13 21 31内而產生的裂開。因此，可高靜電卡盤10、30及加埶裝| i 更抚 …、衣罝2〇專的乳化鋁構件的強度。又，也可以防止發生拱起。又，如果接合構件13、23包含顏的話，藉由氧化紹構件的製造過程中的燒成等的加理，可以防止接合構件成分擴散至基體⑴仏以内。：，鈮的田”、占為2470 C，而翻的融點為m(rc。包含燒結體的燒成溫产可以, 產呂的风里度了以選在例如1 500〜1 700t：的範圍内。因此’接合構件13、23的融點可以比燒成溫度高阶以上。例如，可以使用銳、銳與各種金屬的合金、翻、以及翻與各種金屬的合金作為接合構件13、23。接合構件13、 23最好錢或_成。使用合金作為接合構件13、23時，鈮及始取好在5Gvq1%(體積百分。接合構件1 3、2 2沾：nm 23的形狀不限定。例如，接合構件13 可以形成圓盤狀。又，蛀人姓μ 接曰構件23可以形成球狀。藉此，可以更加防止接合構件裂開，並可以更提=Γ體u、21、31間產生钕1"静電卡盤10、30及加熱裝置20的強度。又，可以防止拱起的發生。圓盤狀的接合構件 @ 人件13的厗度最好是〇·2〜1.0mm(毫米）。接θ構件13的|彳& i 3 的厚度為"〜〜： 4.°_。接合構件13 . 5心，而直徑為0· 5〜3· 0mm更理想。球狀的接合構侔9 23的直從最好是2·〇〜6.0mm。接合

7066-7395-PF 14 Ϊ274395 構件23的直徑為3_ 0〜5. Omm更理邦形狀也可以是橢圓體等。所示’設置接合構件13與電極12等的被供電構件相接’以例如熱加虔法等加孰、加壓

。接合構件13、23的例如第1(a)圖而與被供電構件接合。又，如第2(a)圖、第3圖所示，接合構件23可以具有貫通孔23a。上述貫通孔…内插入線圈狀的電阻發熱體22等的被供電構件的端部，且以例如執加藍法加熱、加m而使接合構件23與被供電構件接合。特別是，電極12及電阻發熱體22等的被供電構件與接合構件13、23最好以熱加M法熱屡接而接合。藉此，電極Μ 及電阻發熱體22舆接合構件13、23強固地接合，且經由接合構件13、23接合的電極12及電阻發熱體22與端子 14、2 4間的接合可以更強固。端子14經由接合構件13與電極12接合。用以供給電力至電極12的電力供給線連接至端子14。端子24經由^接合構件23與電阻發熱體22接合。用以供給電力至電阻發熱體22的電力供給線連接至端子24。端子14、24插入基體1卜21、31中形成的穴15、25内，且與接合構件13、 23的露出部分接合。端子14、24可由钥與銳構成。端子 14、24的表面可以覆蓋金（Au)及鎳（Ni)。人接合構件13、23與端子14、24可以藉由例如焊接無合。曰可以使用金屬焊接材、及金屬與陶瓷的複合材料的合成焊材等作為焊接材。例如，可以使用銦（In)、金、銀（Ag)、鋁（A1)、鎳（Ni)、鋁—氧化鋁複合材料（鋁-氧化鋁合成焊

7066-7395-PF 15 1274395 材）、或包含銦（In)、金、銀（Ag)、鋁（A1)、鎳（Ni)、或鈦其中之至少2種以上的金屬之合金作為焊接材。特別是，接合構件13、23與端子14、24最好以銦（11〇、金、銀（Ag)、鋁-氧化鋁複合材料（鋁_氧化鋁合成烊材）、或金鎳合金（Au-Ni)中之任一接合。藉此’接合構件13、 23與端子14、24強固地接合，且經由接合構件1 3可使電極12及電阻發熱體22與端子14、24間的接合更強固。在接合構件13、23與端子14、24間可以介入焊接材，以130〜iioot加熱執行焊接。又，接合構件13、23也可以具有可插入端子14、24的凹部。在此情況下，端子14、 24可以插入接合構件13、23的凹部内而接合。子14、24間可以更強固地接合。抗張強度在i4kg重、m 以上則更理想。又，基體11、21、31與端子14、24間施加反方向的張應力負荷時，破壞基體u、2卜31的張應力強度最好是 i.〇kg重/_2以上。藉此，電極12及電阻發熱體22與端在此，基體舆端子間施加反方向的張應力負荷時，測定破壞基體的張應力強度的方法的一範例在第4圖中顯示。第4圖係以第！圖所示作為氧化銘構件的靜電卡盤1〇為例來說明。固定基體u的固定治4 5具有壓住基體u 的折疊部5a，並固定基體u。把持著端子14而拉的拉力治具4把持著端子14。拉力治具4連接至書寫器3。利用書寫器3經由拉力治具4將端子14拉離基體（往第4圖中的箭頭A方向拉)，藉此，施加基體u與端子14兩者反

7066-7395-PF 16 W4395 方向拉的張應力負荷。藉由書寫器挪定破壞基體的張應力強度又’由端子往接合構件的方向施加的打穿負荷最好是30公斤％基體電阻發熱體22與端子“、24的並人糟此，電極12及 21、31的強产可以^ 4的接合部分周邊的基體u、加熱裝置2。等的氧化…J呆持评電卡盤10、3。及于幻乳化銘構件全體的高 40kg重以上則更理想。又。打牙負荷在

在此’第5圖係一範例，顯示由端子往向施加負荷以測定破壞基體的口構件的方 ψ , ιΊ ^ . 牙貝何的方法。第5 FI 弟1圖所示的靜電卡# 1Q 圖說明。支持其卿·η ^ ^ 礼化鋁構件的乾例來文符基體11的支持治具7上 Π與支持户呈7 ，日戰置基胜U，而基體又符/口具7之間設置空部7a。利用查宜q ^ 卫/、有支持基體11的凸 J用曰寫态3，由設置端子14 1 3的方向（第R同位置在接合構件件13^Γ B的方向），經由推棒6對接合構 ϋ負何。推棒6與書寫器3間互相連 _ -3,測定達到破壞基體^的打穿負荷曰寫端子的狀態下，由設置端子的位置往接人It 倉荇，丁⑴直任接合構件的方向施加負何可以測定打穿負荷。又’靜電卡盤10、30及加熱裝置20等的耐電壓爭虹—π 卞幻乳化紹構件生拱起。在3kV/mm以上穩定。藉此，可防止使用中發結體？其基體U、接合構件13與電極12最好是一體燒 _ 土體21、接合構件23與電阻發熱體22最好是一

7066-7395-PF 17 1274395 遐燒結體。基體31 〜丄&穴电厂且赞熱體2 2最好是一體燒結體。藉此，基體丨1、21、31、接合構件13、23、電極12與電阻發熱體22等的被供電構件更強固地接合。特別是，最好以熱加壓法燒結成一體燒結體。可以以下列步驟製造如靜電卡盤1〇、3〇、加熱裝置2〇的氧化鋁構件，包括製造基體η、2卜31的步驟，以例如 Φ 包含氧化鋁的燒結體，其中被供電構件的電極12及電阻發熱體22與燒結體的膨脹係數差在2χ10-6/κ以下，並埋設^ 接合電極12及電阻發熱體22的接合構件13、23 ;接合步驟，接合端子14、24至接合構件13、23。以靜電卡盤1〇及加熱裝置20的製造方法為例來說明。百先，準備氧化铭的造粉粒。含氧化铭的燒結體的原料粉末中，添加並混合黏結劑、水、分散劑等，因而製造出黏漿。原料粉末可以使用單一氧化鋁粉末、氧化鋁東 •和氧化錯粉末的混合粉末、氧化銘粉末和氧化鎂粉末的混合粉末。所得到的黏漿以噴霧造粒法造粒而得到氧化铭造粒粉。 #次，製造含氧化IS的燒結體。所得到的氧化銘造粒粉以晶片型成形法、CIP(C〇ld IsQstatic Pressing冷均衡加壓）等的成形方法成形。所得到的成形體在氮氣體及氬專的非活性氣體大氣中或氧化的大氣中，藉由熱加麼法及常壓燒結法等的燒結方法，以1 500〜170(rc燒成。燒成溫度最好是1 600〜170(TC。

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其次，在燒牡鹏L 體上形成電極12及電阻發熱體22等的被供電構件。例如，φ λ 電極1 2及電阻發熱體22可以在燒結體表面上藉由網印法无以印刷形成。在此情況下，最好在包含鎢（W)、鈮（仙）、钿、銷CMo)、及其合金、以及碳化鎢（wc) 等的高融點導電性 ^材枓粉末的印刷膏材内混合氧化鋁粉末。藉此，可以辦a 曰刀σ m極12及電阻發熱體22與基體11、 21的密著性。又，雷电極12的形成可以藉由在燒結體上載置網狀的向融點導雷批 f生材料的大型體（線路網）、以及鑽了大多數的穴的高敲赃纟曾& ^ ^電性材料的大型體（穿孔金屬）等。又’電阻發熱體2 2的带士 — 的$成可以猎由在燒結體上載置線圈狀及線狀的高融點導電性、电f生材枓的大型體、以及網狀的高融點導電性材料的大型體（線路網）。接。構件13、23與電極12及電阻發熱體22等的被供電構件相接而人而配置。例如，藉由在電極12上載置接可以相接而配置。又，藉由插入線圈狀的電阻 :熱體22的端部至接合構件23的貫通孔23a中，可以相接而配置。又，接人播生处體制、生Φ ^ ° 3、23，在接續的熱加壓法的燒 '、口 a中，使用融點比燒成溫度更高之物。藉此，可以防止製造過程中接人M彼散至基體丨卜以。。 ’的變形及接合構件成分擴其次’在晶片型中’設定燒結體，其中形成電㈣及電阻發熱體22等的則，、電構件’並配置有接合構件13、 U。因而，燒結體、被供雷 A , 反仏電構件、以及接合構件上填夯已準備的氧化鋁造粉粒，开彡志、 ^形成含有氧化鋁的的成形體。又，

7066-7395-PF 19 1274395 也可以分別形成成形體，並載置於燒結體上後加壓成形。口而$有氧化銘的成形體、電極1 2及電阻發熱體 22等的被供電構件、接合構件13、23、以及含有氧化鋁的 =結體係以熱加壓法一體燒成，而得到一體燒結體。藉此，電極12及電阻發熱體22等的被供電構件與接合構件13、 23可以藉由熱加壓法熱壓接。因此，被供電構件的電極a ^電阻發熱體22與接合構件13、23可以強固地接合，且經由接合構件13、23接合的電極12及電阻發熱體22與端子14、24間的接合可以更強固。具體地，一軸方向加壓的同時，在氮氣體及氬氣體等非活性氣體的大氣中或氧化大氣中，以15〇〇〜17〇〇它燒 =。藉此’電極12及電阻發熱體22等的被供電構件與接合構件13、23可以更強固地接合。燒成溫度在16〇〇〜17⑽ 則更理想。又，施加的壓力最好是5〇〜3〇〇kg/㈣2。藉此，電極12及電阻發熱體22等的被供電構件與接合構件13、 Μ可以更強固地接合。以1〇〇〜2〇〇kg/cffl2加麈則更理想。 $上述地接合構件！ 3、23與含有氧化銘的成形體相接 =狀態下執行燒成時’最好在接合構件13、23的周圍存在反的狀’%下執仃燒成。藉此，可以防止接合構件至基體u、21。特別是，接合構件13、23含有銳時= 然有接合構件成分擴散至基體u、21的情形，但在接合構件13、23的周圍存在碳的狀態下，可以防止擴散。例如’上述含有氧化紹的成形體，由於含有作為碳源的黏結劑，可以在接合構件13、23的周圍存在碳的狀態下'

7066-7395-PF 20 1274395 =二：者，含有氧化銘的成形體中，可以含有碳粉，也 =:黏結劑及碳粉兩者。只要以燒成轉變為礙，黏結 f又pa例如’最好使用聚乙醯基醇（)、硬脂酸等。此時’最好至少—部分的成形體包含碳粉或用作碳粉源的黏結劑中的至少一者。 ,. 以粍成而形成的介電層lla的成形體攻好不含碳粉或黏結 j取馬以燒成構成電極1 2下 €的k結體的成形體可以包含劑。 3也可以不包含碳粉或黏結在此情況下’最好調整成形體内碳粉或黏結劑的至少 =的含有量以及燒成條件，以使基體的結體内含有的碳為0.05〜〇 5 …疋 ^ A, . r .直里百分比，即燒結體内殘留的殘留碳量為0.05〜0.5重 # Α ^ 里白刀比。猎此，可以提供強度更高的靜電卡盤1()及加埶 /、 ^ , ”、、衣置2〇等的氧化鋁構件。例口，基體11中，可以調整構成介電層Ua以外的部分，即電極12下層的燒結體，含有。，。5〜0.5重量百分比的碳。 -有：Γ二t含t黏結劑的成形體時，可以設定黏結劑二二二二“百分比。又，製造含有碳粉的成形體守，可以设定碳粉含有量為0.05〜朴， · b重置百分比。因而，錯由調整燒成溫度、在燒成溫度^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 曰、田土 — M J1乐持時間（燒成時間）、幵 >皿速度等的燒成條件，燒纟士， H體内所含的碳量（殘留碳量）可以調整至0.05〜0.5重量百分屮） 1 ΓΑη 白刀比。燒成溫度可以選在 1 500〜1 700°C中。燒成時間可以設疋為I〜4小時。昇溫七步度可以例如由常溫至約j丨00。返 UUOC以母小時l〇〇〜7〇(rc 溫’之後以每小時30〜l5rc昇溫至約i4GG〜l7〇(rc。

7066-7395-PF 21 1274395 覆-接：：：？粉及黏結劑的成形體時，藉由以碳或碳源 :;=13、23,可以在接合構件的周圍存在碳的狀帶狀的f狀的碳以及由樹腊等的燒成而成碳的的溶、夜^、/貼至接合構件13、23。又，包含碳或碳源 / :或賞材可以利用喷灑等喷灑至接合構件13、Μ，也接:構等塗佈至接合構件13、23。或者，也可以將取:二浸泡人包含碳或碳源的溶液或膏材内，並又）。可以使用例如稀釋劑等作為溶媒。覆蓋接人構件1 3、23的石山芬^:山、店从陪士 η 後孤接口的石反及石厌源的厚度最好在例如5〇〜2〇〇㈣左右0 其-人，加工得到的一體燒結體。更具體地，基體丄卜 •^成八15、25。穴15、25在基體u、21的基 :广相對側形成。穴15、25形成的深度係露= :/ 13、23。又，如果是靜電卡盤10,最好研削燒結體使介電層11a的厚度為0.2〜0 5mm。人最後’接合端子14、24至接合構件13、&並經由接口構件13、23’電極12及電阻發熱體22等的被供 MMi4、24Mm4、24^MU、2;、_ 成的穴15、25,並與接合構件13、23的露出部分接合。接合構件13、23與端子14、24間以焊接接合。靜電卡盤30中’例如，在含有氧化鋁的燒結體上形成 =極1,2’配置接合構件13，填充造粒顆粒並在燒結體上製 ^成开^體。又’在製造的成形體上形成電P且發熱體22，配置接合構件23 ’填充造粒顆粒並製造成形體。除了上述點

7066-7395-PF 22 Ϊ274395 之外’靜電卡盤3 〇可以w+卜 J 乂以與靜電卡盤1〇、加熱裝置2〇同樣的方法製造。又，也可以在合古& /ΪΛ , 有乳化紹的燒結體上形成被供電構件，配置接合構件，Α卜土書亡^儿 "、上填充虱化鋁造粒粉，以製造埋設被供電構件與接合構件的碰再仵的成形體。在此情況下，所得到的成形體也可以以熱力σ厭、、土 _ …、法一體燒成。如上述，含有氧化鋁的成形體、被供電槿株、ϊΜ π μ λ 、，乂及接合構件以熱加壓法一體燒成，而當被供電構件與接合構件間接合時，成為基體"、 21、31的部分可以+邮从& ^ , 4作為氣化紹成形體，也可以一部分作為氧化紹成形體。如以上°兒明’由於本實施例的靜電卡盤10、30、加熱裝置20等的氧化鋁構件，電極12及電阻發熱體22等的被供電構件與端子14、24經由接合構件13、23強固地接合。又’由於含有氧化㈣基體1卜2卜31的膨脹係數與接合構件13、23相近’可防止因埋設接合構件13、23至基體 11 21 31而毛生的裂開。於是，由於埋設接合構件1 3、 23,靜電卡盤10、30、加熱裝4 2〇 #的氧化銘構件的強度可以增力口，且藉此也可以防止因埋入發生的裂開，因此可以提高氧化鋁構件的強度。又，可以防止因裂開而產生的拱起。而且’由於接合構件13、23的融點比燒結體的燒成溫度高，氧化鋁構件的製造過程中，可以防止接合構件 13、23變形以及防止接合構件成分擴散至基體u、2ι、3ΐ。因而，不會有因埋設接合構件13、23而產生的不良。又，在基體11、21、31内形成用以插入的端子14、

7066-7395-PF 23 Ϊ274395 24的穴15、25至基板载晉品柚梂入# 置面H 26、36的距離可以只延伸接合構件13、23的長戶、夂 ^ ^ ^ 並可以增加靜電卡盤10、30 及加熱裝置20的強度。因而 ^ ^ P使在介電層11 a的厚度係薄的庫倫型的靜電卡盤 9, , U 30中’也不會因形成穴15、 25引起強度降低。而且，Α 9ς ^ m 基體11、21、31内形成穴15、 2 5之p示’可利用接合構件 — ^ ^ . 3 23決疋穴15、25的位置和彳又並可以提南加工精確度。

其次，雖以實施例承# 、 #、、、田地說明本發明，但本發明並不受限於下述的實施例。 [第一〜六實施例，比較例1〜3 ] 準備純度99.9重量百分比、平均粒子直徑〇5”的 :粉末作為嶋料粉末。氧化紹粉末中，添加水、 :放材二作為黏結劑的聚乙醯基醇，並以伽混合製造出黏水°所仔到的黏裝使用喷霧乾燥器喷霧乾燥，並製造出氧化紹造粒粉。劍；生从& °的虱化鋁造粒填充至晶片型中，並以

2〇〇kg/Cm2加壓，製造出9個成形體。 θ、—斤彳于到的氧化鋁成形體在碳製護套内，並以熱加壓：燒成，而得到氧化鋁燒結體。更具體地，在mkg/w 加壓下’在氮加壓大氣(氮：150kPa)中燒成。又，由常溫至約l_c以每小時1〇(rc昇溫，並在16〇吖中保持2小時而燒成。 /、人鎢（W) 80重量百分比與氧化鋁粉末2ΰ重量百分比的混合粉主由 ^ 物末中’混入乙烯纖維素作為黏結劑，以製造印刷貧材。左g儿虱化鋁燒結體上，以網印法形成電極並使其

7066-7395-PF 24 1274395 乾燥。其次，在8個燒結體的電極上，分別載置第一實施例以及比較例2、3的接合構件。晶片型内，形成電極並設定載置接合構件的氧化鋁燒結體。氧化鋁燒結體、電極、以及接合構件上填充製造的氧化鋁造粒粉，以200kg/cm2加壓，並執行加壓成形。又，作為比較例卜不载置接合構件，在氧化鋁燒結體、電極上填充製造的氧化鋁造粒粉’並執行加壓成形。

設定一體成形的氧化鋁燒結體、電極、接合構件、氧化鋁成形體至碳製護套内，並以熱加壓法燒成。更具體地，以l〇〇kg/cm2加壓的同時，在氮加壓大氣（氮：i5〇kpa)中燒成，且接合構件與電極接合。又，由常溫至i6〇〇£>c以每小時100°C昇溫，並在i60(rc中保持2小時而一體燒成。將上述所得到的一體燒結體加工為直徑340_、厚度 5_的圓盤狀，並形成用以安裝端子的穴。將穴加工為直徑6mm’且由基板載置面至穴的距離為。又，研削氧化銘燒結體的基板表面至電極的厚度& 〇.3_。因而，使用銦作為焊材，以15Gt加熱焊接接合構件錢端子，並經由接合構件接合電極與端子。藉此，製造了第一〜六實施例以及比較例2、3的氧化構件。又，直接接合電極鱼端子而製造比較例1的氧化鋁構件。第五Λ轭例的接合構件的材質係使用鈮（Nb)。又，第-〜五實施例的接合構件的形狀係，第一實施例為直徑3.G_、厚度為u_，而第二實施例為直徑3〇職、厚度為ϋ·5_’第三實施例為直徑3.0_、厚度為〇.2_，

7066-7395-PF 25 1274395 第四實施例為直徑2· Omm、厚度為0_ 5mm，第五實施例為直梭2. Omm、厚度為〇· 2mm的圓盤狀。第六實施例的接合構件係以顧（P*t)為材質，形成直徑3 · 0mm、厚度為1 · 〇mm的圓盤狀。比較例2的接合構件係使用鉬（M〇)為材質，形成直徑 3· 〇mm、厚度為1. 〇mm的圓盤狀。比較例3的接合構件係作成鎢（W)60重量百分比與氧化鋁（Al2〇3)40重量百分比的成 φ 形體。以晶片型成型法製造成直徑3· 0mm、厚度為1· 〇_ 的圓盤狀。構成所得到的氧化鋁構件的基體的氧化鋁燒結體與接合構件間的熱膨脹係數係由示差熱膨脹計（理學電氣製： TM8310)測定，得到兩者熱膨脹係數差。又，以SEM(掃描型電子顯微鏡）觀察氧化鋁構件的表面以及剖面，確認有無產生裂開以及接合構件成分有無擴散至氧化鋁燒結體的基體。又’根據第4圖所示的測定方法，基體與端子間施加 • 反方向的張應力負荷，測定破壞基體的張應力強度，並評估電極與端子間接合的強度。又，以〇 5mm/ 速度。又，根據第5圖所示的測定方法，由端子件的方向施加負荷，測定破壞基體的打穿負荷，並評估氧化鋁構件的強度。又，設定施加負荷速度為〇.5mm/分，並使用直徑2mm的推棒6。又，在安裝端子前執行測定。又，施加端子3kV的電壓並根據是否發生拱起評估接合端子、接合構件、及電極間的接合體的耐電壓特性。纟士果如表1 所示。 7066-7395-PF 26 1274395

7066-7395—PF 27 比較例3 比較例2 π 比較例1 第六實施例第五實施例第四實施例第三實施例第二實施例第一實施例 W+AI2O3 ·· Φ3· Ommxtl. Omm Mo ·· Φ3· Ommxtl· Omm 1 Pt : Φ3. Ommxtl. Omm Nb · Φ2. OmmxtO. 2mm Nb : Φ2. OmmxtO. 5mm Nb : Οί3· OmmxtO. 2mm Nb : ¢13. OmmxtO. 5mm Mb : ¢3. Ommxtl. Omm 接合構件 1.4xl06 3x10-6 0. 6x10 6 1.3x10"6 1.3x10-6 1.3x106 1.3x106 1.3x106 熱膨服係數差 (/K) 撕· 裂開 1 雜擴散 ·◦ oo CO 00 ·◦ CN〇 μ-^ ◦ Η-^ ◦ A 1~1 張應力強度 (Kg 重/mm2) DO ΟΊ CO oo cn CD CD CO 打穿負荷 (Kg 重）發生拱起發生梹起發生拱起未發生梹起未發生拱起未發生拱起未發生拱起未發生拱起未發生供起耐電壓特性 ϊ 1〕 Ϊ274395 11表1所不，第一 ^ # Αϊ r4~> 姓二五只鈿例中經由鈮（Nb)的接合構電極與端子間接合的氧化銘構件，以及第六實施例中 :4 Pt)的接合構件而電極與端子間接合的氧化銘構 :接：張強度高達UUW以上，電極與端子間強固舌、弟—〜六實施例的氧化鋁構件具有打穿負荷30Kg 以上’與相當於不具有接合構件的習知氧魅構件的比較例"目較有較高的強度。上述的第—〜六實施例由於呈有接合構件，即使形成用以插入端子的穴，電極與端子的接口。P刀周邊的基體強度仍高，_g_保持高強度的氧化銘構特別是，接合構件的厚度為〇. 的第二、四實施例 :氧化銘構件，打穿負荷為崎重以上，而接合構件的厚度為1. 0mm的第一、六實施例的氧化鋁構件，打穿負荷為55Kg重以上，強度很高。又，第一〜五實施例的氧化鋁構件中，基體與接合構件的熱#脹係數的差為。第六實施例的氧化銘構^牛中，基體與接合構件的熱膨脹係數的差為〇· 6χ 1 ο /κ。第一〜六實施例的氧化鋁燒結體基體中沒有發生衣開。因此，當接合構件的厚度相同而比較第一、六實施例與比較例2、3的打穿負荷時，未發生裂開的第一、六實施例比發生裂開的比較例2、3具有約3倍的強度。於疋’由於基體與接合構件的的熱膨脹係數接近並相差在2 XI (Γ6/Κ以下，可以防止裂開的發生，藉此可增加氧化鋁構件的強度。又，未發生裂開的第一〜六實施例的氧化鋁

7066-7395-PF 28 1274395 構件不會發生拱起，耐電摩特性也很優越。丄每 > 第五貫施例的接合構件的融點為24701：，第二W接合構件的融點為m〇t，而由於並中比燒成溫度16〇〇t高15(ΓΓ 都件的變形。又，第_ —，因此都不會發生接合構至基體。第-〜，、貫施例的接合構件成分不會擴散門直：：：一〜六實施例，不設置接合構件而電極與端子 =接接合的比較例1的氧化晴、使用翻的接合構件例2的氧化料件、使用鎢與氧仙的成形體 =件的比較例3的氧化銘構件，其中任-的抗張強度都較低且接合較弱。 * 未設置接合構件的比較例！的氧化鋁構件中，打

Li Γ也非常低且強度很低。又’比較例1、2的氧化鋁料中，氧化喊結體的基體内，由於電極與基體間的熱恥脹係數差發生裂開以及由於接合構件與基體間的熱膨脹係數差發生裂開。比較例3的氧化銘構件中，雖然燒成之後沒有馬上發生裂開，但用以觀察剖面而加工之後的氧化銘構件中有裂開發生。這被認為是因為殘留應力高，由加工釋放殘留應力，基體因而被壓裂。比較例2、3的氧化銘構件中’由於發生裂開，與具有相同厚度的接合構件的第-、六實施例相較，打穿負荷約在1/3以下，無法保持強度。X，比較例卜3的氧化鋁構件因裂開而發生拱起，且耐電特性也差。 [第七〜九實施例]

7066-7395-PF 29 1274395 除了添加黏結劑的聚乙醯基醇以外’與第一實施例同樣地，製造埋設鈮的接合構件的氧化鋁構件（第七實施 :”接口構件上黏貼厚度約〇1_的帶狀碳(碳帶)並以二後蓋接合構件之外’與第七實施例同樣地，製造埋設碳帶覆蓋的鈮接合構件的氧化銘構件（第八實施例）。除了添加黏結劑的聚乙醯基醇以外，與第六實施例同樣地，製造埋設始的接合構件的氧化紹構件（第九實施例）。

關於第七〜九實施例的氧化铭構件，與第一實施例同樣地，確認有無發生裂開、有無發生接合構件成分擴散至乳化銘燒結體的基體，並測定打穿負荷。又，藉由高頻波加熱紅外線吸收法’測定氧化紹燒結體内所含的碳量。對於第-、六實施例’也測定碳量。關於第一、六〜九實施例的結果以表2表示。 ' [表2]

第一實施例第七實施例第八實施例第六實施例第九實施例接合構件

Nb : Φ3· Ommxtl· Omm ---------._ Nb : Φ3.Ommxtl· Omm Nb · Φ3. Ommxtl. Omm

Pt · Φ3. Ommxtl. Omm --———-—— Pt > Φ3. Ommxtl. Omm 碳的存在 —----- 有黏結劑無勒結劑無黏結劑 /碳帶 —--- 有龜結劑 ----- 無黏結劑裂開擴散碳量打穿負荷 ----—---- (重量％) _ (Kgt)^ 無 1.4 69 有·· 200/zm 0 35 有：lOOem 0 -—-—— 46 以下 -----—- ------— 無 -------- 1.5 ~ — 益 ------- -〜τ仏不I生裂開。又，使用銀的接合構件、不添加黏結劑、也不覆蓋細第七實施例中，確認接合構件成分擴散至基體，並在接合構件 7066-7395-PF 30 1274395 周邊形成厚度20〇era的擴的接人槿杜劣、、政層。相對於此，即使使用鈮人構件成八择…黏結劑的第一實施例中，完全未發現接口構件成分擴散至基體。帶的楚、— 使用錠的接合構件、覆蓋碳可以㈣I施例中，雖然確認接合構件成分擴散至基體， ;:?=散層的厚度1㈣…下。即，第八實施例中，二里極被，與第七實施例相比，擴散程度已大幅改善。猎由在接合構件的周圍存在有碳的狀態下燒成，可確認可以防止接合構件成分擴散至基體。使用凝的接合構件時’添加黏結劑的第六實施例 ^不，加黏結劑的第九實施例中，完全未發現接合構、刀擴散至基體。因而，接合構件含有翻時，可碎認可以防止接合構件成分擴散至基體。、又，氧化鋁燒結體内含有的碳量為h4〜15重量百 T比的第一、六實施例’與不含碳量的第七〜九實施例相打穿負荷較高。因而，藉由氧化銘燒結體内含有的碳里為0. 0 5〜〇. 5重罝百分比’可確認氧化鋁構件以更提高。 [實施例1 〇 ] 與第一實施例同樣地製造氧化鋁造粉粒。晶片型内填充製這的氧化鋁造粉粒，並以2〇〇kg/cm2加壓。當設定曰片型内所得到的氧化I呂成形體時，氧化銘成形體二二狀的銳電極（線徑Φ 〇· 12mm，網#5〇// m)。又，電極上載置直徑3· 0mm、厚度1· 〇mm的圓盤狀的鈮接合構件。在氧化鋁成形體、電極、接合構件上填充氧化鋁、主粒 7066-7395-PF 31 1274395 粉’並以2_^2加®，執行加壓成形。在所得到的氧化紹成形體上載置線圈狀的銳電阻發熱體（線徑φ 〇.5_ ’捲徑φ3·〇_)。又，直徑4 ()_的球狀銳接合構件的貫穿孔中，插入電阻發熱體的端部，並載置銳接合構件於成形體上。在氧化銘成形體、電阻發熱體、接合構件上填充氧化銘造粒粉，並以2〇〇kg/cm2加壓，執行加塵成形0 • Μ設所得的電極、電阻發熱體、接合構件的成形體被設定於碳製護套内，並以熱加壓法燒成。更具體地，在 lOOkg/cifl2加壓下，在氮加壓大氣（氮：15〇kpa)中燒成，並分別接合接合構件與電極、接合構件與電阻發熱體。又，由常溫至160(TC以每小時10(rc昇溫，並在16〇〇它中保持2小時而一體燒成。加工由上述所得到的一體燒結體，成為直徑33〇_、厚度15mm的圓盤狀，並形成用以安裝鉬端子的孔。因而， • 接合構件與端子間焊接，電極與端子間經由接合構件而接合，以及電阻發熱體與端子間經由接合構件而接合。焊接係使用銦作為焊材並以15 〇艺加熱。藉此，製造可加熱處理作為氧化链構件的靜電卡盤。传到的靜電卡盤以SEM觀察，未發現產生裂開。又，與第一實施例同樣地，當測定抗張強度即打穿負荷時，電極部分以及電阻發熱體部分其中任一的抗張強度都在 1.4kg重/mm2以上，並強固地接合。又，電極部分的打穿負荷為69kg重，電阻發熱體部分的打穿負荷為7〇kg重以 7066-7395-PF 32 '1274395 上，且靜電卡盤具有高強度。又，施加電遷w以言平估作為靜電卡盤的機能。藉由施加電屢，出現了·"的吸著力。又，漏電流在-以下，基板的脫著應答性在】秒以下，以及介電層在室溫 t的體積電阻率在1χί0]5Ω .⑽以上，出現達到霞的靜：吸著力(庫倫力）。藉此，氧化鋁構件的吸著力及脫著應°丨生么越，而具有作為靜電卡盤的優越特性。又，以熱視器（thermoviewer)測定基板載置面的均執性來評估作為加熱裝置的機能。設定基板载置面溫度至、 2〇〇C時的面内溫度差在㈣以下，，氧化紹構件的均熱性優越’而具有作為加熱裝置的優越特性。【圖式簡單說明】 [第1圖]係顯示根據本發明實施例的靜電卡盤中（& 沿1a —la線的剖面圖以及（b)平面圖； & ^ 圖]係顯示根據本發明實施例的加熱裝置中（a 〜2a 2a線的剖面圖以及（b)平面圖；第3圖]係顯示根據本發明實施例的可加熱處理電卡盤的剖面圖；、月 [第 4 圖]係顯示抗張強度測定方法的概略圖；圖]係顯示打穿負荷的測定方法的概略圖。【主要元件符號說明】 3〜書寫器；

7066-7395-PF 33 1274395 4〜拉力治具； 5〜固定治具； 6〜推棒； 7〜支持治具； 8〜空間； 10、 30〜靜電卡盤； 11、 21、31〜基體； 11a〜介電層； 1 2〜電極； 13、 23〜接合構件； 14、 2 4〜端子； 15、 25〜穴； 16、 26、36〜基板載置面； 17、 27、37〜背面； 20〜加熱裝置； 22〜電阻發熱體； 23〜接合構件； 2 3 a〜貫通孔； 21、31〜基體。 34

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Claims

1274395 十、申請專利範圍·· 1 ·種氧化鋁構件，其特徵在於包括·· 燒結體的基體，含有氧化鋁；件，埋設於上述基體内，並有電力供應; 以下，與上述燒結體的熱膨脹係數差在2χ1〇_6/κ 基體：，與上述被供電構件二…並埋設於上述 Γ:申述接合構件與上述被供電構件接合。 •申明專利範圍第丨項所述的述接合構件包含銳或始中的至少—者。構件，其中上中上=:::利範圍第1或2項所述的氧化_.，其 ::體的至少一部分的燒結體含有一5重量百其 4·如申請專利範圍第j或2項所中上述被供雷槿杜在士 4 、斤述的氣化紹構件電構件係電極或電阻發熱體中的至少一者其中上述範圍第1或2項所述的氧化_牛中上述接5構件係圓盤狀或球狀。 6·如申請專利範圍第j或2項中上述基體與上述端子間施加相反’方、氧化_件’其時，破壞上述基體的張應力強度在i ^的張應力負荷 7·如申請專利範圍第1 < 2項所\十、公：重以上。中由上述端子往上述接合構件的方向施的氧化銘構件，其述基體的打穿負荷在30公斤重以上。1"加負荷時，破壞上 8·如申請專利範圍第1或2項、述的氧化鋁構件，其 7066-7395-PF 35 1274395 t上述接合構件與上述端子最好^ 化鋁複合材料、或金-鎳合金其中：：、金、銀、鋁-氧 9·如申請專利範圍第1或2項 ^接合。中上述被供電構件與上述接合：：：二紹構件’其 1 η _ ^ ^ 十η以熱加壓法接合。 • 種氧化銘構件的製造列步驟·· / ，/、特徵在於包括下製造由包含氧化鋁的燒处签埋設有電力供應的被供電構細及上述基體内合的接合構件，其中上述接係數差在2x10 -VK以下，而、/、述几❿體的熱膨脹 ^ ^ ^ ^ ^ , 上述接合構件的融點比上述麂結體的燒成溫度高；以及工仏接合端子至上述接合構件。方、二如二請專利範圍第1〇項所述的氧化銘構件的製造方法其中以熱加屢法一，裤士、—人尸體燒成包含氧化鋁的成形體、上述被供電構件、及上述接合構件。 •如申。月專利觀圍第11項所述的氧化銘構件的方法’其中在上述接合構件的周圍存在碳的狀態下燒成。、3·如申明專利範圍第12項所述的氧化鋁構件的製造方法’其中至少一部分的上述成形體含有碳粉或作為碳源的黏結劑中至少一者。、14.如申請專利範圍第13項所述的氧化鋁構件的製造方法’其中，言周整上述成形體内上述碳粉或上述黏結劑中至少一者的含有量以及燒成條件，使上述基體的至少一部分的燒結體内含有〇.05〜0·5重量百分比的碳。口 7066-7395-PF 36 1274395 1 5.如申請專利範圍第1 2項所述的氧化鋁構件的製造方法，其中，以碳或碳源覆蓋上述接合構件。

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