JPWO2019167942A1 - 絶縁回路基板 - Google Patents
絶縁回路基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2019167942A1 JPWO2019167942A1 JP2019546257A JP2019546257A JPWO2019167942A1 JP WO2019167942 A1 JPWO2019167942 A1 JP WO2019167942A1 JP 2019546257 A JP2019546257 A JP 2019546257A JP 2019546257 A JP2019546257 A JP 2019546257A JP WO2019167942 A1 JPWO2019167942 A1 JP WO2019167942A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- layer
- circuit layer
- circuit board
- metal layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 91
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 91
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 65
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 238000013001 point bending Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910017945 Cu—Ti Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017888 Cu—P Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0271—Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/0008—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
- B23K1/0016—Brazing of electronic components
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
- C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
Description
本願は、2018年2月27日に出願された特願2018−032799号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本発明に係る絶縁回路基板の製造方法により製造される絶縁回路基板1は、図1に示すように、いわゆるパワーモジュール用基板であり、図1の二点鎖線で示すように絶縁回路基板1の表面に素子30が搭載されパワーモジュール100となる。素子30は、半導体を備えた電子部品であり、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)、FWD(Free Wheeling Diode)等の種々の半導体素子が選択される。
絶縁回路基板1は、セラミックス基板11と、セラミックス基板11の一方の面に接合された複数の小回路層121,122からなる回路層12と、セラミックス基板11の他方の面に接合された金属層13とを備える。
次に、本実施形態の絶縁回路基板1の製造方法について説明する。絶縁回路基板1の製造方法は、銅又は銅合金により構成される板材をプレス加工して金属層13となる一枚板の金属層用金属板130および所定形状(回路パターン)を有する回路層12となる回路層用金属板120を形成する金属板形成工程と、セラミックス基板11にろう材を介して積層した金属層用金属板130及び回路層用金属板120を加圧状態で加熱し接合する接合工程と、を含む。以下、この工程順に説明する。
まず、図3Aに示すように、銅又は銅合金により構成される圧延された板材(以下、銅圧延材という)をプレス加工により打ち抜き、金属層用金属板130及び回路層用金属板120を形成する。
次に、図3Bに示すように、セラミックス基板11に金属層用金属板130及び回路層用金属板120を接合する。具体的には、セラミックス基板11の表面及び裏面に、それぞれAg−Cu−Ti系ろう材箔14を介在させて金属層用金属板130及び回路層用金属板120を積層する。これらの積層体をカーボン板により挟持し、積層方向に荷重をかけながら真空中で加熱することにより、セラミックス基板11と金属層用金属板130及び回路層用金属板120を接合する。これにより、図3Cに示すセラミックス基板11の表面に回路層12が接合部(ろう付け部)を介して接合され、裏面に金属層13が接合部(ろう付け部)を介して接合された絶縁回路基板1が形成される。
11 セラミックス基板
12 回路層
13 金属層
14 ろう材箔
30 素子
31 はんだ
100 パワーモジュール
120 回路層用金属板(打ち抜き板)
130 金属層用金属板
121 小回路層
122 小回路層
S1 接合面積
S2 接合面積
S11 接合面積
S12 接合面積
T1 回路層の厚さ
T2 金属層の厚さ
T3 セラミックス基板の厚さ
Ar1 領域
回路パターンに対応する所定形状をなす小回路層として打ち抜き板が用いられているにもかかわらず、加熱冷却による変形を抑制できる。
Claims (8)
- 絶縁回路基板であって、
JIS1601 2008に基づく三点曲げ強度が600MPa以上であるセラミックス基板と;
銅又は銅合金からなり、複数の小回路層が間隔をあけて所定形状をなすように前記セラミックス基板の一方の面に接合されてなる厚さT1が0.4mm以上2.0mm以下の回路層と;
銅又は銅合金からなり、前記セラミックス基板の他方の面に接合されてなる金属層と;
を備え、
前記セラミックス基板に対する前記回路層の接合面積をS1、前記金属層の接合面積S2としたときの面積比S1/S2が0.5以上0.8以下であり、
前記金属層の厚さをT2としたときの厚さ比T1/T2が1.2以上1.7以下であることを特徴とする絶縁回路基板。 - 前記セラミックス基板は窒化珪素により構成されていることを特徴とする請求項1に記載の絶縁回路基板。
- 前記回路層において、各前記小回路層は打ち抜き板からなることを特徴とする請求項1または2に記載の絶縁回路基板。
- 前記回路層において、各前記小回路層は多角形平板であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の絶縁回路基板。
- 各前記小回路層は矩形であることを特徴とする請求項4に記載の絶縁回路基板。
- 前記回路層において、複数の前記小回路層の前記間隔は0.5mm以上2.0mm以下であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の絶縁回路基板。
- 前記回路層において、複数の前記小回路層は同じ組成であることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の絶縁回路基板。
- 前記回路層と前記金属層とは同じ組成であることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の絶縁回路基板。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018032799 | 2018-02-27 | ||
JP2018032799 | 2018-02-27 | ||
PCT/JP2019/007316 WO2019167942A1 (ja) | 2018-02-27 | 2019-02-26 | 絶縁回路基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019167942A1 true JPWO2019167942A1 (ja) | 2020-04-16 |
Family
ID=67805819
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019546257A Pending JPWO2019167942A1 (ja) | 2018-02-27 | 2019-02-26 | 絶縁回路基板 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200413534A1 (ja) |
EP (1) | EP3761764A4 (ja) |
JP (1) | JPWO2019167942A1 (ja) |
CN (1) | CN111758302A (ja) |
TW (1) | TW201937999A (ja) |
WO (1) | WO2019167942A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112805822B (zh) * | 2018-12-06 | 2024-09-10 | 日本碍子株式会社 | 半导体装置用基板 |
WO2022172900A1 (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-18 | デンカ株式会社 | セラミック板及びその製造方法、並びに、回路基板及びその製造方法 |
CN113068326B (zh) * | 2021-03-29 | 2022-09-30 | 北京小米移动软件有限公司 | 一种焊接质量处理方法及装置、电路板 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3007086U (ja) * | 1994-06-30 | 1995-02-07 | 日本インター株式会社 | 絶縁基板 |
JP2002029850A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-29 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 窒化ケイ素焼結体とその製造方法 |
JP2003309210A (ja) * | 2002-04-18 | 2003-10-31 | Hitachi Metals Ltd | セラミックス回路基板およびその製造方法 |
WO2007026547A1 (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-08 | Hitachi Metals, Ltd. | 回路基板及びこれを用いた半導体モジュール、回路基板の製造方法 |
JP2010097963A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Hitachi Metals Ltd | 回路基板及びその製造方法、電子部品モジュール |
WO2016125635A1 (ja) * | 2015-02-02 | 2016-08-11 | 株式会社東芝 | 窒化珪素回路基板およびそれを用いた電子部品モジュール |
WO2018012616A1 (ja) * | 2016-07-14 | 2018-01-18 | 株式会社 東芝 | セラミックス回路基板および半導体モジュール |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4206915B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-01-14 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板 |
JP6533501B2 (ja) | 2016-08-25 | 2019-06-19 | Hoya Candeo Optronics株式会社 | 光照射装置 |
-
2019
- 2019-02-26 JP JP2019546257A patent/JPWO2019167942A1/ja active Pending
- 2019-02-26 EP EP19761715.2A patent/EP3761764A4/en not_active Withdrawn
- 2019-02-26 WO PCT/JP2019/007316 patent/WO2019167942A1/ja unknown
- 2019-02-26 CN CN201980015203.9A patent/CN111758302A/zh not_active Withdrawn
- 2019-02-26 US US16/975,873 patent/US20200413534A1/en not_active Abandoned
- 2019-02-27 TW TW108106692A patent/TW201937999A/zh unknown
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3007086U (ja) * | 1994-06-30 | 1995-02-07 | 日本インター株式会社 | 絶縁基板 |
JP2002029850A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-29 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 窒化ケイ素焼結体とその製造方法 |
JP2003309210A (ja) * | 2002-04-18 | 2003-10-31 | Hitachi Metals Ltd | セラミックス回路基板およびその製造方法 |
WO2007026547A1 (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-08 | Hitachi Metals, Ltd. | 回路基板及びこれを用いた半導体モジュール、回路基板の製造方法 |
JP2010097963A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Hitachi Metals Ltd | 回路基板及びその製造方法、電子部品モジュール |
WO2016125635A1 (ja) * | 2015-02-02 | 2016-08-11 | 株式会社東芝 | 窒化珪素回路基板およびそれを用いた電子部品モジュール |
WO2018012616A1 (ja) * | 2016-07-14 | 2018-01-18 | 株式会社 東芝 | セラミックス回路基板および半導体モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200413534A1 (en) | 2020-12-31 |
CN111758302A (zh) | 2020-10-09 |
EP3761764A1 (en) | 2021-01-06 |
EP3761764A4 (en) | 2021-12-01 |
WO2019167942A1 (ja) | 2019-09-06 |
TW201937999A (zh) | 2019-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW201626513A (zh) | 功率模組用基板單元及功率模組 | |
JP6417834B2 (ja) | 冷却器付パワーモジュール用基板及び冷却器付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP2003273289A (ja) | セラミックス回路基板およびパワーモジュール | |
JPWO2019167942A1 (ja) | 絶縁回路基板 | |
JP7151583B2 (ja) | ヒートシンク付き絶縁回路基板 | |
JP6776953B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板 | |
JP2021132238A (ja) | 回路基板および半導体モジュール | |
JP2016072563A (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
KR20200138262A (ko) | 절연 회로 기판용 접합체의 제조 방법 및 절연 회로 기판용 접합체 | |
JP2011071260A (ja) | 積層材およびその製造方法、絶縁積層材およびその製造方法 | |
JP2013055237A (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
WO2019167931A1 (ja) | 絶縁回路基板 | |
JP7054073B2 (ja) | ヒートシンク付き絶縁回路基板 | |
JP2020113686A (ja) | ヒートシンク付き絶縁回路基板の製造方法及びヒートシンク付き絶縁回路基板 | |
JP7363583B2 (ja) | 絶縁回路基板の製造方法 | |
JP7467936B2 (ja) | ヒートシンク付絶縁回路基板、電子部品及びヒートシンク付絶縁回路基板の製造方法 | |
JP2019087608A (ja) | 接合体、絶縁回路基板、ヒートシンク付絶縁回路基板、ヒートシンク、及び、接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法、ヒートシンク付絶縁回路基板の製造方法、ヒートシンクの製造方法 | |
KR102363709B1 (ko) | 구리/티탄/알루미늄 접합체, 절연 회로 기판, 히트싱크가 부착된 절연 회로 기판, 파워 모듈, led 모듈, 열전 모듈 | |
JP2020013915A (ja) | ヒートシンク付き絶縁回路基板の製造方法及びヒートシンク付き絶縁回路基板 | |
JP2015070062A (ja) | パワーモジュール用基板およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190823 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190823 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20190823 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20190918 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191001 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191210 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200303 |