JPS6320154A - スパツタリング用タ−ゲツトのボンデイング方法 - Google Patents
スパツタリング用タ−ゲツトのボンデイング方法Info
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- JPS6320154A JPS6320154A JP16320886A JP16320886A JPS6320154A JP S6320154 A JPS6320154 A JP S6320154A JP 16320886 A JP16320886 A JP 16320886A JP 16320886 A JP16320886 A JP 16320886A JP S6320154 A JPS6320154 A JP S6320154A
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Landscapes
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、スパッタリング用ターゲットのボンディング
方法に関する。
方法に関する。
［従来の技術］
磁気記録媒体等用のスパッタリング用ターゲットとして
Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｇｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等のＣｒ系金属又
は合金製のターゲットが広く、−般に使用されている。
Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｇｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等のＣｒ系金属又
は合金製のターゲットが広く、−般に使用されている。
このスパッタリング用ターゲットは、バッキングプレー
トに接着し、バッキングプレートと一体として使用され
る。
トに接着し、バッキングプレートと一体として使用され
る。
スパッタリングターゲットとバッキングプレートとの接
着は、第２図に示すように、Ｉｎロウ３をスパッタリン
グ用ターゲットｌとバッキングプレート４との間に介在
せしめて加熱することにより行なう。
着は、第２図に示すように、Ｉｎロウ３をスパッタリン
グ用ターゲットｌとバッキングプレート４との間に介在
せしめて加熱することにより行なう。
しかし、両者のボンディングの密着性が悪いと、ターゲ
ットの冷却効率、スパッタリング特性、耐久性に影響を
及ぼす。
ットの冷却効率、スパッタリング特性、耐久性に影響を
及ぼす。
密着性を高めるためにはターゲツト材とＩｎロウとの、
及び、バッキングプレートとＩｎロウとの濡れ性を高め
ることが最も大きな要因となる。
及び、バッキングプレートとＩｎロウとの濡れ性を高め
ることが最も大きな要因となる。
ところで、ターゲットの冷却効率を高めたものとして、
「バッキングプレートに、Ｎｉ被覆な施し、その表面を
、前処理、Ｉｎロウを塗付し、このバッキングプレート
と、Ｉｎ−５ｎスパツタリングターゲツトの間にＩｎ−
３ｎロウの箔をはさみ、加圧した後真空中又は大気中で
加熱することによってボンディングする」技術が知られ
ている（特開昭６０−２３４９６８号公報）。
「バッキングプレートに、Ｎｉ被覆な施し、その表面を
、前処理、Ｉｎロウを塗付し、このバッキングプレート
と、Ｉｎ−５ｎスパツタリングターゲツトの間にＩｎ−
３ｎロウの箔をはさみ、加圧した後真空中又は大気中で
加熱することによってボンディングする」技術が知られ
ている（特開昭６０−２３４９６８号公報）。
［発明が解決しようとする問題点］
しかし、特開昭６０−２３４９６８号公報に記載された
技術は、バッキングプレートにＮｉ被覆を行なう技術で
あり、スパッタリング用ターゲットとロウとの濡れ性に
ついては改良されていない。
技術は、バッキングプレートにＮｉ被覆を行なう技術で
あり、スパッタリング用ターゲットとロウとの濡れ性に
ついては改良されていない。
また、上記技術におけるスパッタリング用ターゲットは
Ｉｎ−３ｎ製のスパッタリング用ターゲットでありＣｒ
を含有するスパッタリング用ターゲットとは異なる。
Ｉｎ−３ｎ製のスパッタリング用ターゲットでありＣｒ
を含有するスパッタリング用ターゲットとは異なる。
スパッタリング用ターゲットのロウに対する濡れ性はそ
の合金材の合成組成により異なる。特にＣｒ含有合金に
ついてはＣｒ量が増すと濡れ性が悪くなる。
の合金材の合成組成により異なる。特にＣｒ含有合金に
ついてはＣｒ量が増すと濡れ性が悪くなる。
すなわち、Ｃｒを含有するとスパッタリング用ターゲッ
ト表面に極めて薄い酸化層が形成され、この酸化層がス
パッタリング用ターゲットの酸化の促進を妨げている。
ト表面に極めて薄い酸化層が形成され、この酸化層がス
パッタリング用ターゲットの酸化の促進を妨げている。
しかしボンディングに際しては、この酸化層があると濡
れ性が悪くなるのでフラックス（たとえば塩化亜鉛水溶
液）を用いて酸化層を除去するが、Ｃｒが５％を越える
と酸化層は強固となり、フラックスを用いたとしても酸
化層の除去が困難となりＩｎとの濡れ性が悪くなる。
れ性が悪くなるのでフラックス（たとえば塩化亜鉛水溶
液）を用いて酸化層を除去するが、Ｃｒが５％を越える
と酸化層は強固となり、フラックスを用いたとしても酸
化層の除去が困難となりＩｎとの濡れ性が悪くなる。
従って、上記した特開昭６０−２３４９６８号公報の技
術によっては、Ｃｒを含有するスパッタリング用ターゲ
ットに対するＩｎロウの濡れ性は改善されず、ひいては
、スパッタリング用ターゲットの冷却効率、スパッタリ
ング特性、耐久性は改善されないという問題点がある。
術によっては、Ｃｒを含有するスパッタリング用ターゲ
ットに対するＩｎロウの濡れ性は改善されず、ひいては
、スパッタリング用ターゲットの冷却効率、スパッタリ
ング特性、耐久性は改善されないという問題点がある。
［問題点を解決するための手段］
上記問題点は、Ｃｒを５重量％以上含有する合金製のス
パッタリング用ターゲットとバッキングプレートとをフ
ラックスを用いてＩｎロウによりボンディングする方法
において、ボンディング前に、該スパッタリング用ター
ゲットのボンディング面に、Ｃｕ、Ｎｉ 、Ｃｏ、Ｚｎ
、Ｓｎ、Ｐｂ。
パッタリング用ターゲットとバッキングプレートとをフ
ラックスを用いてＩｎロウによりボンディングする方法
において、ボンディング前に、該スパッタリング用ター
ゲットのボンディング面に、Ｃｕ、Ｎｉ 、Ｃｏ、Ｚｎ
、Ｓｎ、Ｐｂ。
Ｆｅのいずれかよりなる被覆層をそれぞれ単層あるいは
多層に形成しておくことを特徴とするスパッタリング用
ターゲットのボンディング方法によって解決される。
多層に形成しておくことを特徴とするスパッタリング用
ターゲットのボンディング方法によって解決される。
本発明におけるスパッタリング用ターゲットは、Ｃｒを
５重量％以上含有する合金製のスパッタリング用ターゲ
ットである。
５重量％以上含有する合金製のスパッタリング用ターゲ
ットである。
ここで、Ｃｒを５重量％以上含有する合金には純Ｃｒ金
属も含まれる。また、合金としては、たとえば、Ｃｏ−
Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金があげられる。
属も含まれる。また、合金としては、たとえば、Ｃｏ−
Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金があげられる。
このように、Ｃｒを５重量％以上含有する合金を対象と
するのは、上述したように、Ｃｒを５重量％以上含有す
ると、スパッタリング用ターゲ多トの表面に極めて薄い
酸化層が形成され、この酸化層があるとボンディングに
際しては、ロウとの濡れ性を悪くする０本発明はかかる
場合の濡れ性の改善を図るものだからである。
するのは、上述したように、Ｃｒを５重量％以上含有す
ると、スパッタリング用ターゲ多トの表面に極めて薄い
酸化層が形成され、この酸化層があるとボンディングに
際しては、ロウとの濡れ性を悪くする０本発明はかかる
場合の濡れ性の改善を図るものだからである。
本発明においては、スパッタリング用ターゲットのボン
ディング面に、Ｃｕ、 Ｎｉ、 ｃｏ、 Ｚｎ、 Ｓｎ
。
ディング面に、Ｃｕ、 Ｎｉ、 ｃｏ、 Ｚｎ、 Ｓｎ
。
Ｐｂ 、Ｆｅよりなる被覆層を形成する。
被覆方法には特に限定されないが、たとえば、湿式めっ
き、スパッタリング、イオンブレーティング、真空蒸着
等の方法によればよい。
き、スパッタリング、イオンブレーティング、真空蒸着
等の方法によればよい。
被覆層は単層あるいは多層のいずれで形成してもよい。
また、この被覆は、スパッタリング用ターゲットのボン
ディング表面にのみ行なう。これは、他の面にも被覆を
行なうと、スパッタリング時に被覆層の成分が不純物と
して混入してしまうからである。
ディング表面にのみ行なう。これは、他の面にも被覆を
行なうと、スパッタリング時に被覆層の成分が不純物と
して混入してしまうからである。
なお、バッキングプレートは、Ｃｕ製でもステンレス製
でもよい。ステンレス製の場合には、バッキングプレー
トにもＣｕ、 Ｎｉ、 Ｇｏ、 Ｚｎ、 Ｓｎ。
でもよい。ステンレス製の場合には、バッキングプレー
トにもＣｕ、 Ｎｉ、 Ｇｏ、 Ｚｎ、 Ｓｎ。
Ｐｂ 、Ｆｅよりなる被覆を施せば、Ｉｎロウに対する
濡れ性が良好となり密着型も良くなる。
濡れ性が良好となり密着型も良くなる。
スパッタリング用ターゲットとパッキングプレートとは
、フラックスを用いてＩｎロウによりボンディングする
。
、フラックスを用いてＩｎロウによりボンディングする
。
フラックスとしては、ボンディング面にある酸化物等を
除去、あるいは酸化物の形成を防止しうる適宜のフラッ
クスを用いればよいが、たとえば、塩化亜鉛よりなるフ
ラックスを用いればよい。
除去、あるいは酸化物の形成を防止しうる適宜のフラッ
クスを用いればよいが、たとえば、塩化亜鉛よりなるフ
ラックスを用いればよい。
ボンディングは、Ｉｎロウ材をたとえば箔状にし、この
箔状Ｉｎロウなスパッタリング用ター ゛ゲットとバッ
キングプレートとの間に挟み込み、加圧あるいは、無加
圧状態で加熱すればよい。
箔状Ｉｎロウなスパッタリング用ター ゛ゲットとバッ
キングプレートとの間に挟み込み、加圧あるいは、無加
圧状態で加熱すればよい。
Ｉｎロウは箔状ではなくともよく、例えばへケ塗り等の
方法を用いてもよい。
方法を用いてもよい。
また、加熱温度は、１５６〜２００°Ｃが好ましい。加
熱雰囲気は真空中でも大気中でもよい。
熱雰囲気は真空中でも大気中でもよい。
［発明の実施例］
第１表に示す組成のＣｒ合金製のスパッタリング用ター
ゲットを常法により作製した。 第１表においてＮｏ１
〜５は本発明で規定する合金組成を有するものであり、
Ｎｏ６．Ｎｏ７はいずれもＣｒ量が本発明で規定する範
囲より低いものである。
ゲットを常法により作製した。 第１表においてＮｏ１
〜５は本発明で規定する合金組成を有するものであり、
Ｎｏ６．Ｎｏ７はいずれもＣｒ量が本発明で規定する範
囲より低いものである。
このスパッタリング用ターゲットのボンディング面に湿
式めっきにより第２表に示す金属よりなる被覆層を単層
で形成した。なお、めっき層の厚さは６ｐＬとした。
式めっきにより第２表に示す金属よりなる被覆層を単層
で形成した。なお、めっき層の厚さは６ｐＬとした。
一方、バッキングプレートとしてはＣｕ製のものを使用
した。
した。
第１図に示すように、被覆層２が形成されたスパッタリ
ング用ターゲット１と、バッキングプレート４との間に
、純度９９．９９重量％の箔状のエロウを３を介在せし
め、フラックスとして塩化亜鉛水溶液を使用して真空中
で１５６〜２００℃の温度範囲において加熱を行なうこ
とによりボンディングを行ない供試材を作製した。
ング用ターゲット１と、バッキングプレート４との間に
、純度９９．９９重量％の箔状のエロウを３を介在せし
め、フラックスとして塩化亜鉛水溶液を使用して真空中
で１５６〜２００℃の温度範囲において加熱を行なうこ
とによりボンディングを行ない供試材を作製した。
このようにして作製した供試材につき、スパッタリング
用ターゲットｌとパッキングプレト４との接合率を試験
した。
用ターゲットｌとパッキングプレト４との接合率を試験
した。
なお、比較のため、被覆層のないものについても試験を
行なった。
行なった。
接合率は、透過ｘｖｉ検査にて接合材の接合部分と非接
合部分の面積を測定し、非接合部が接合部の２０％以下
の場合（０印）を良好２０％以上の場合（×印）を不良
として評価を行なった。
合部分の面積を測定し、非接合部が接合部の２０％以下
の場合（０印）を良好２０％以上の場合（×印）を不良
として評価を行なった。
以上の試験結果を第２表に示す。第２表において０印は
接合率が良好であることを、Ｘ印は接合率が不良である
ことをそれぞれ示している。
接合率が良好であることを、Ｘ印は接合率が不良である
ことをそれぞれ示している。
Ｃｒ量が５重量％未満のものは被覆層がなくとも接合率
は良好であった。
は良好であった。
それに対し、Ｃｒ量が５重量％以上のものは、被覆層が
ないと接合率は不良であるが、被覆層を形成したものは
いずれも接合率は良好であった。
ないと接合率は不良であるが、被覆層を形成したものは
いずれも接合率は良好であった。
なお、＃塩素系腐食については従来のものと変りはなか
った。
った。
し発明の効果］
本発明によれば次の効果が生じる。
Ｉｎロウとスパッタリング用ターゲットとの濡れ性が良
くなり、その結果、スパッタリング用ターゲットとバッ
キングプレートとの密着性が良好となり、ひいては、ス
パッタリング用ターゲットの冷却効率が向上し、スパッ
タリング特性、耐久性が改善される。
くなり、その結果、スパッタリング用ターゲットとバッ
キングプレートとの密着性が良好となり、ひいては、ス
パッタリング用ターゲットの冷却効率が向上し、スパッ
タリング特性、耐久性が改善される。
第１図は本発明の実施例を示す断面図である。
第２図は従来例を示す断面図である。
１・・スパッタリング用ターゲット、２・・被覆層、３
・φＩｎロウ、４φφバツキングプレート、５・・ヨー
ク。
・φＩｎロウ、４φφバツキングプレート、５・・ヨー
ク。
Claims (1)
- １Ｃｒを５重量％以上含有する合金製のスパッタリング
用ターゲットとバッキングプレートとをフラックスを用
いてＩｎロウによりボンディングする方法において、ボ
ンディング前に、該スパッタリング用ターゲットのボン
ディング面に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、
Ｆｅのいずれかよりなる被覆層をそれぞれ単層あるいは
多層に形成しておくことを特徴とするスパッタリング用
ターゲットのボンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61163208A JPH0677805B2 (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | スパツタリング用タ−ゲツトのボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61163208A JPH0677805B2 (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | スパツタリング用タ−ゲツトのボンデイング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6320154A true JPS6320154A (ja) | 1988-01-27 |
| JPH0677805B2 JPH0677805B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=15769344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61163208A Expired - Lifetime JPH0677805B2 (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | スパツタリング用タ−ゲツトのボンデイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677805B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6333174A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 |
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-
1986
- 1986-07-10 JP JP61163208A patent/JPH0677805B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0677805B2 (ja) | 1994-10-05 |
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