JPH0677805B2 - スパツタリング用タ−ゲツトのボンデイング方法 - Google Patents
スパツタリング用タ−ゲツトのボンデイング方法Info
- Publication number
- JPH0677805B2 JPH0677805B2 JP61163208A JP16320886A JPH0677805B2 JP H0677805 B2 JPH0677805 B2 JP H0677805B2 JP 61163208 A JP61163208 A JP 61163208A JP 16320886 A JP16320886 A JP 16320886A JP H0677805 B2 JPH0677805 B2 JP H0677805B2
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- JP
- Japan
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- sputtering target
- bonding
- backing plate
- sputtering
- flux
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、スパッタリング用ターゲットのボンディング
方法に関する。
方法に関する。
［従来の技術］ 磁気記録媒体等用のスパッタリング用ターゲットとして
Cr,Co−Cr,Co−Ni−Cr等のCr系金属又は合金製のターゲ
ットが広く、一般に使用されている。
Cr,Co−Cr,Co−Ni−Cr等のCr系金属又は合金製のターゲ
ットが広く、一般に使用されている。
このスパッタリング用ターゲットは、バッキングプレー
トに接着し、バッキングプレートと一体として使用され
る。
トに接着し、バッキングプレートと一体として使用され
る。
スパッタリングターゲットとバッキングプレートとの接
着は、第２図に示すように、Inロウ３をスパッタリング
用ターゲット１とバッキングプレート４との間に介在せ
しめて加熱することにより行なう。
着は、第２図に示すように、Inロウ３をスパッタリング
用ターゲット１とバッキングプレート４との間に介在せ
しめて加熱することにより行なう。
しかし、両者のボンディングの密着性が悪いと、ターゲ
ットの冷却効率、スパッタリング特性、耐久性に影響を
及ぼす。
ットの冷却効率、スパッタリング特性、耐久性に影響を
及ぼす。
密着性を高めるためにはターゲット材とInロウとの、及
び、バッキングプレートとInロウとの濡れ性を高めるこ
とが最も大きな要因となる。
び、バッキングプレートとInロウとの濡れ性を高めるこ
とが最も大きな要因となる。
ところで、ターゲットの冷却効率を高めたものとして、
「バッキングプレートに、Ni被覆を施し、その表面を、
前処理、Inロウを塗付し、このバッキングプレートと、
In−Snスパッタリングターゲットの間にIn−Snロウの箔
をはさみ、加圧した後真空中又は大気中で加熱すること
によってボンディングする」技術が知られている（特開
昭60−234968号公報）。
「バッキングプレートに、Ni被覆を施し、その表面を、
前処理、Inロウを塗付し、このバッキングプレートと、
In−Snスパッタリングターゲットの間にIn−Snロウの箔
をはさみ、加圧した後真空中又は大気中で加熱すること
によってボンディングする」技術が知られている（特開
昭60−234968号公報）。
［発明が解決しようとする問題点］ しかし、特開昭60−234968号公報に記載された技術は、
バッキングプレートにNi被覆を行なう技術であり、スパ
ッタリング用ターゲットとロウとの濡れ性については改
良されていない。
バッキングプレートにNi被覆を行なう技術であり、スパ
ッタリング用ターゲットとロウとの濡れ性については改
良されていない。
また、上記技術におけるスパッタリング用ターゲットは
In−Sn製のスパッタリング用ターゲットでありCrを含有
するスパッタリング用ターゲットとは異なる。
In−Sn製のスパッタリング用ターゲットでありCrを含有
するスパッタリング用ターゲットとは異なる。
スパッタリング用ターゲットのロウに対する濡れ性はそ
の合金材の合成組成により異なる。特にCr含有合金につ
いてはCr量が増すと濡れ性が悪くなる。
の合金材の合成組成により異なる。特にCr含有合金につ
いてはCr量が増すと濡れ性が悪くなる。
すなわち、Crを含有するとスパッタリング用ターゲット
表面に極めて薄い酸化層が形成され、この酸化層がスパ
ッタリング用ターゲットの酸化の促進を妨げている。し
かしボンディングに際しては、この酸化層があると濡れ
性が悪くなるのでフラックス（たとえば塩化亜鉛水溶
液）を用いて酸化層を除去するが、Crが５％を越えると
酸化層は強固となり、フラックスを用いたとしても酸化
層の除去が困難となりInとの濡れ性が悪くなる。
表面に極めて薄い酸化層が形成され、この酸化層がスパ
ッタリング用ターゲットの酸化の促進を妨げている。し
かしボンディングに際しては、この酸化層があると濡れ
性が悪くなるのでフラックス（たとえば塩化亜鉛水溶
液）を用いて酸化層を除去するが、Crが５％を越えると
酸化層は強固となり、フラックスを用いたとしても酸化
層の除去が困難となりInとの濡れ性が悪くなる。
従って、上記した特開昭60−234968号公報の技術によっ
ては、Crを含有するスパッタリング用ターゲットに対す
るInロウの濡れ性は改善されず、ひいては、スパッタリ
ング用ターゲットの冷却効率、スパッタリング特性、耐
久性は改善されないという問題点がある。
ては、Crを含有するスパッタリング用ターゲットに対す
るInロウの濡れ性は改善されず、ひいては、スパッタリ
ング用ターゲットの冷却効率、スパッタリング特性、耐
久性は改善されないという問題点がある。
［問題点を解決するための手段］ 上記問題点は、Crを５重量％以上含有する合金製のスパ
ッタリング用ターゲットとバッキングプレートとをフラ
ックスを用いてInロウによりボンディングする方法にお
いて、ボンディング前に、該スパッタリング用ターゲッ
トのボンディング面に、Cu,Ni,Co,Zn,Sn,Pb,Feのいずれ
かよりなる被覆層をそれぞれ単層あるいは多層に形成し
ておくことを特徴とするスパッタリング用ターゲットの
ボンディング方法によって解決される。
ッタリング用ターゲットとバッキングプレートとをフラ
ックスを用いてInロウによりボンディングする方法にお
いて、ボンディング前に、該スパッタリング用ターゲッ
トのボンディング面に、Cu,Ni,Co,Zn,Sn,Pb,Feのいずれ
かよりなる被覆層をそれぞれ単層あるいは多層に形成し
ておくことを特徴とするスパッタリング用ターゲットの
ボンディング方法によって解決される。
本発明におけるスパッタリング用ターゲットは、Crを５
重量％以上含有する合金製のスパッタリング用ターゲッ
トである。
重量％以上含有する合金製のスパッタリング用ターゲッ
トである。
ここで、Crを５重量％以上含有する合金には純Cr金属も
含まれる。また、合金としては、たとえば、Co−Cr系合
金、Co−Ni−Cr系合金があげられる。
含まれる。また、合金としては、たとえば、Co−Cr系合
金、Co−Ni−Cr系合金があげられる。
このように、Crを５重量％以上含有する合金を対象とす
るのは、上述したように、Crを５重量％以上含有する
と、スパッタリング用ターゲットの表面に極めて薄い酸
化層が形成され、この酸化層があるとボンディングに際
しては、ロウとの濡れ性を悪くする。本発明はかかる場
合の濡れ性の改善を図るものだからである。
るのは、上述したように、Crを５重量％以上含有する
と、スパッタリング用ターゲットの表面に極めて薄い酸
化層が形成され、この酸化層があるとボンディングに際
しては、ロウとの濡れ性を悪くする。本発明はかかる場
合の濡れ性の改善を図るものだからである。
本発明においては、スパッタリング用ターゲットのボン
ディング面に、Cu,Ni,Co,Zn,Sn,Pb,Feよりなる被覆層を
形成する。
ディング面に、Cu,Ni,Co,Zn,Sn,Pb,Feよりなる被覆層を
形成する。
被覆方法には特に限定されないが、たとえば、湿式めっ
き、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着
等の方法によればよい。
き、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着
等の方法によればよい。
被覆層は単層あるいは多層のいずれで形成してもよい。
また、この被覆は、スパッタリング用ターゲットのボン
ディング表面にのみ行なう。これは、他の面にも被覆を
行なうと、スパッタリング時に被覆層の成分が不純物と
して混入してしまうからである。
ディング表面にのみ行なう。これは、他の面にも被覆を
行なうと、スパッタリング時に被覆層の成分が不純物と
して混入してしまうからである。
なお、バッキングプレートは、Cu製でもステンレス製で
もよい。ステンレス製の場合には、バッキングプレート
にもCu,Ni,Co,Zn,Sn,Pb,Feよりなる被覆を施せば、Inロ
ウに対する濡れ性が良好となり密着製も良くなる。
もよい。ステンレス製の場合には、バッキングプレート
にもCu,Ni,Co,Zn,Sn,Pb,Feよりなる被覆を施せば、Inロ
ウに対する濡れ性が良好となり密着製も良くなる。
スパッタリング用ターゲットとバッキングプレートと
は、フラックスを用いてInロウによりボンディングす
る。
は、フラックスを用いてInロウによりボンディングす
る。
フラックスとしては、ボンディング面にある酸化物等を
除去、あるいは酸化物の形成を防止しうる適宜のフラッ
クスを用いればよいが、たとえば、塩化亜鉛よりなるフ
ラックスを用いればよい。
除去、あるいは酸化物の形成を防止しうる適宜のフラッ
クスを用いればよいが、たとえば、塩化亜鉛よりなるフ
ラックスを用いればよい。
ボンディングは、Inロウ材をたとえば箔状にし、この箔
状Inロウをスパッタリング用ターゲットとバッキングプ
レートとの間に挟み込み、加圧あるいは、無加圧状態で
加熱すればよい。
状Inロウをスパッタリング用ターゲットとバッキングプ
レートとの間に挟み込み、加圧あるいは、無加圧状態で
加熱すればよい。
Inロウは箔状ではなくともよく、例えばハケ塗り等の方
法は用いてもよい。
法は用いてもよい。
また、加熱温度は、156〜200℃が好ましい。加熱雰囲気
は真空中でも大気中でもよい。
は真空中でも大気中でもよい。
［発明の実施例］ 第１表に示す組成のCr合金製のスパッタリング用ターゲ
ットを常法により作製した。第１表においてNo1〜５は
本発明で規定する合金組成を有するものであり、No6,No
7はいずれもCr量が本発明で規定する範囲より低いもの
である。
ットを常法により作製した。第１表においてNo1〜５は
本発明で規定する合金組成を有するものであり、No6,No
7はいずれもCr量が本発明で規定する範囲より低いもの
である。
このスパッタリング用ターゲットのボンディング面に湿
式めっきにより第２表に示す金属よりなる被覆層を単層
で形成した。なお、めっき層の厚さは６μとした。
式めっきにより第２表に示す金属よりなる被覆層を単層
で形成した。なお、めっき層の厚さは６μとした。
一方、バッキングプレートとしてはCu製のものを使用し
た。
た。
第１図に示すように、被覆層２が形成されたスパッタリ
ング用ターゲット１と、バッキングプレート４との間
に、純度99.99重量％の箔状のＩロウを３を介在せし
め、フラックスとして塩化亜鉛水溶液を使用して真空中
で156〜200℃の温度範囲において加熱を行なうことによ
りボンディングを行ない供試材を作製した。
ング用ターゲット１と、バッキングプレート４との間
に、純度99.99重量％の箔状のＩロウを３を介在せし
め、フラックスとして塩化亜鉛水溶液を使用して真空中
で156〜200℃の温度範囲において加熱を行なうことによ
りボンディングを行ない供試材を作製した。
このようにして作製した供試材につき、スパッタリング
用ターゲット１とバッキングプレト４との接合率を試験
した。
用ターゲット１とバッキングプレト４との接合率を試験
した。
なお、比較のため、被覆層のないものについても試験を
行なった。
行なった。
接合率は、透過Ｘ線検査にて接合材の接合部分と非接合
部分の面積を測定し、非接合部が接合部の20％以下の場
合（〇印）を良好20％以上の場合（×印）を不良として
評価を行なった。
部分の面積を測定し、非接合部が接合部の20％以下の場
合（〇印）を良好20％以上の場合（×印）を不良として
評価を行なった。
以上の試験結果を第２表に示す。第２表において〇印は
接合率が良好であることを、×印は接合率が不良である
ことをそれぞれ示している。
接合率が良好であることを、×印は接合率が不良である
ことをそれぞれ示している。
Cr量が５重量％未満のものは被覆層がなくとも接合率は
良好であった。
良好であった。
それに対し、Cr量が５重量％以上のものは、被覆層がな
いと接合率は不良であるが、被覆層を形成したものはい
ずれも接合率は良好であった。
いと接合率は不良であるが、被覆層を形成したものはい
ずれも接合率は良好であった。
なお、耐塩素系腐食については従来のものと変りはなか
った。
った。
［発明の効果］ 本発明によれば次の効果が生じる。
Inロウとスパッタリング用ターゲットとの濡れ性が良く
なり、その結果、スパッタリング用ターゲットとバッキ
ングプレートとの密着性が良好となり、ひいては、スパ
ッタリング用ターゲットの冷却効率が向上し、スパッタ
リング特性、耐久性が改善される。
なり、その結果、スパッタリング用ターゲットとバッキ
ングプレートとの密着性が良好となり、ひいては、スパ
ッタリング用ターゲットの冷却効率が向上し、スパッタ
リング特性、耐久性が改善される。
第１図は本発明の実施例を示す断面図である。第２図は
従来例を示す断面図である。 １……スパッタリング用ターゲット、２……被覆層、３
……Inロウ、４……バッキングプレート、５……ヨー
ク。
従来例を示す断面図である。 １……スパッタリング用ターゲット、２……被覆層、３
……Inロウ、４……バッキングプレート、５……ヨー
ク。
Claims (1)
- 【請求項１】Crを５重量％以上含有する合金製のスパッ
タリング用ターゲットとバッキングプレートとをフラッ
クスを用いてInロウによりボンディングする方法におい
て、ボンディング前に、該スパッタリング用ターゲット
のボンディング面に、Cu,Ni,Co,Zn,Sn,Pb,Feのいずれか
よりなる被覆層をそれぞれ単層あるいは多層に形成して
おくことを特徴とするスパッタリング用ターゲットのボ
ンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61163208A JPH0677805B2 (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | スパツタリング用タ−ゲツトのボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61163208A JPH0677805B2 (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | スパツタリング用タ−ゲツトのボンデイング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6320154A JPS6320154A (ja) | 1988-01-27 |
| JPH0677805B2 true JPH0677805B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=15769344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61163208A Expired - Lifetime JPH0677805B2 (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | スパツタリング用タ−ゲツトのボンデイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677805B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH069735B2 (ja) * | 1986-07-25 | 1994-02-09 | 田中貴金属工業株式会社 | スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 |
| WO1998041669A1 (en) * | 1997-03-19 | 1998-09-24 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Ni-plated target diffusion bonded to a backing plate and method of making same |
| US6451185B2 (en) | 1998-08-12 | 2002-09-17 | Honeywell International Inc. | Diffusion bonded sputtering target assembly with precipitation hardened backing plate and method of making same |
| US6376281B1 (en) * | 2000-10-27 | 2002-04-23 | Honeywell International, Inc. | Physical vapor deposition target/backing plate assemblies |
| KR100620213B1 (ko) * | 2005-05-31 | 2006-09-06 | 어플라이드 사이언스(주) | 스퍼터링 타겟의 솔더 본딩 방법 |
| SG166689A1 (en) * | 2009-05-14 | 2010-12-29 | Solar Applied Mat Tech Corp | Ceramic sputtering target assembly and a method for producing the same |
| JP7554192B2 (ja) * | 2019-07-23 | 2024-09-19 | Ｊｘ金属株式会社 | 非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51107251A (en) * | 1975-03-19 | 1976-09-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | Handazuke moshikuha rozukejinoshitajishorihoho |
| JPS60234968A (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-21 | Nippon Mining Co Ltd | ボンデツドタ−ゲツトとその製造法 |
| JPS62222060A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-30 | Hitachi Metals Ltd | スパツタリング用タ−ゲツト |
-
1986
- 1986-07-10 JP JP61163208A patent/JPH0677805B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6320154A (ja) | 1988-01-27 |
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