JPS60234968A - ボンデツドタ−ゲツトとその製造法 - Google Patents
ボンデツドタ−ゲツトとその製造法Info
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- JPS60234968A JPS60234968A JP8950684A JP8950684A JPS60234968A JP S60234968 A JPS60234968 A JP S60234968A JP 8950684 A JP8950684 A JP 8950684A JP 8950684 A JP8950684 A JP 8950684A JP S60234968 A JPS60234968 A JP S60234968A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、バッキングプレートにボンディングされた
Ｉｎ−８ｎスパツタリングターゲツトすなわちＩｎ−８
ｎスパツタリング用のボンデツドターゲットとその製造
法に関する。
Ｉｎ−８ｎスパツタリングターゲツトすなわちＩｎ−８
ｎスパツタリング用のボンデツドターゲットとその製造
法に関する。
一般にスパッタリングは、金属や半導体、セラミックあ
るいはそれらの合金、複合材を、その組成を変えること
なく付着対象物に対し、薄膜状に付着させる技術として
、電子・電気工業などの分野で多用されている。
るいはそれらの合金、複合材を、その組成を変えること
なく付着対象物に対し、薄膜状に付着させる技術として
、電子・電気工業などの分野で多用されている。
ところで、透明導電膜形成用などに使用される１、ｎ−
８ｎスパツタリング用のボンデツドターゲットは、従来
Ｉｎ−８ｎターゲツトと、たとえばＣｕからなるバッキ
ングプレート上、樹脂系の接ｆｉ 剤するいは、鉛、ビ
スマス等を含むロウ材によりボンディングすることによ
り作製されている。
８ｎスパツタリング用のボンデツドターゲットは、従来
Ｉｎ−８ｎターゲツトと、たとえばＣｕからなるバッキ
ングプレート上、樹脂系の接ｆｉ 剤するいは、鉛、ビ
スマス等を含むロウ材によりボンディングすることによ
り作製されている。
しかしながら樹脂系接着剤あるいは、鉛、ビスマス等を
含むロウ材を用いたボンディングでは下記の問題がある
。
含むロウ材を用いたボンディングでは下記の問題がある
。
ボンデツドターゲットは通常スパッタリング時に、バッ
キングプレート側から水冷するが、樹脂系接着剤を用い
てボンディングされたものは接着剤層の熱伝導率が悪い
ため、ターゲットの冷却能力が劣り、このためスパッタ
リングのパワーを低くおさえなくてはならず、スパッタ
リングレートを大きくすることができない。
キングプレート側から水冷するが、樹脂系接着剤を用い
てボンディングされたものは接着剤層の熱伝導率が悪い
ため、ターゲットの冷却能力が劣り、このためスパッタ
リングのパワーを低くおさえなくてはならず、スパッタ
リングレートを大きくすることができない。
一方、Ｐｂ、１３ｉ等を含むロウ材を用いたボンデツド
ターゲットでは、 ■ Ｉｎ−８ｎ ターゲットへロウ材成分（Ｂｉ 、Ｐ
ｂ。
ターゲットでは、 ■ Ｉｎ−８ｎ ターゲットへロウ材成分（Ｂｉ 、Ｐ
ｂ。
Ｃｄ、等）が合金化することを防ぐために、Ｉｎ−８ｎ
ターゲツトのボンディング面にＣｕ、Ｎｉ等の比較的融
点の高い金属を被覆する必要があった。
ターゲツトのボンディング面にＣｕ、Ｎｉ等の比較的融
点の高い金属を被覆する必要があった。
■ Ｉｎ−８ｎターゲツトのスクラップは、前記の被覆
金属と、ロウ材の成分によって汚染されるために、再精
製を行なわなくては、再使用できなかった。このため、
製造コストの低減および、製造の効率化のネックとなつ
′でいた。
金属と、ロウ材の成分によって汚染されるために、再精
製を行なわなくては、再使用できなかった。このため、
製造コストの低減および、製造の効率化のネックとなつ
′でいた。
この発明は、以上の問題を解消するためになされたもの
であり、すなわちこの発明の目的は、強力な接着力で、
Ｉｎ−８ｎターゲツトとバッキングプレート上ボンディ
ングし、かつ、両者間の熱伝導を良好にし、スパッタリ
ング時にＩｎ−８ｎターゲツトの冷却を能率的に行なえ
しかもスパッタ後のＩｎ−８ｎターゲツトのスクラップ
をバッキングプレートからはがして再加工することによ
り精製工程を経ることな（Ｉｎ−８ｎターゲツトを再生
することが可能なＩｎ−８ｎスパツタリング用ボンデツ
ドターゲツトとその製造法を提供することにある。
であり、すなわちこの発明の目的は、強力な接着力で、
Ｉｎ−８ｎターゲツトとバッキングプレート上ボンディ
ングし、かつ、両者間の熱伝導を良好にし、スパッタリ
ング時にＩｎ−８ｎターゲツトの冷却を能率的に行なえ
しかもスパッタ後のＩｎ−８ｎターゲツトのスクラップ
をバッキングプレートからはがして再加工することによ
り精製工程を経ることな（Ｉｎ−８ｎターゲツトを再生
することが可能なＩｎ−８ｎスパツタリング用ボンデツ
ドターゲツトとその製造法を提供することにある。
したがって、この目的を達成するために、この発明のＩ
ｎ−８ｎスパツタリング用ボンデツドターゲツトはＩｎ
−８ｎスパツタリングターゲツトがあらかじめＮｉ被覆
されたバッキングプレート上にＩｎ−８ｎロウ材を用い
てロウ材されていることを特徴とする。
ｎ−８ｎスパツタリング用ボンデツドターゲツトはＩｎ
−８ｎスパツタリングターゲツトがあらかじめＮｉ被覆
されたバッキングプレート上にＩｎ−８ｎロウ材を用い
てロウ材されていることを特徴とする。
ロウ材は、通常箔状にして、前処理されたＮｉ被覆バッ
キングプレート面と、ターゲットの間に挾み込む。その
後３者を加圧密着させ、真空中で加熱することによって
、ロウ材を完了する。
キングプレート面と、ターゲットの間に挾み込む。その
後３者を加圧密着させ、真空中で加熱することによって
、ロウ材を完了する。
ロウ拐は箔状でなくともよく、ハケ塗り等の方法を用い
ても差しつがえない。上述の前処理とは被ロウ付は面の
酸化物層を除去し、ロウとのなじみをよくする処理をい
う。
ても差しつがえない。上述の前処理とは被ロウ付は面の
酸化物層を除去し、ロウとのなじみをよくする処理をい
う。
また、この発明によれば、スパッタ後のボンデツドター
ゲットスクラップは、加熱してロウ材層を溶融せしめタ
ーゲットとバッキングプレートを分離することにより、
Ｉｎ、Ｓｎ以外の第３成分からの汚染をうけることなく
スクラップが回収できる利点がある。すなわち、 Ｉｎ
−８ｎスクラツプターゲツトは、バッキングプレートを
分離した後、Ｉｎ量を調整すればすぐに次回のスパッタ
リングターゲットの原料として使用が可能である。
ゲットスクラップは、加熱してロウ材層を溶融せしめタ
ーゲットとバッキングプレートを分離することにより、
Ｉｎ、Ｓｎ以外の第３成分からの汚染をうけることなく
スクラップが回収できる利点がある。すなわち、 Ｉｎ
−８ｎスクラツプターゲツトは、バッキングプレートを
分離した後、Ｉｎ量を調整すればすぐに次回のスパッタ
リングターゲットの原料として使用が可能である。
以下、図示の実施例によりこの発明を説明する。
第１図に示されたｌはバッキングプレートでありその表
面にＮ１被覆層２を有する。Ｎｉ被覆層は湿式７式％ 真空蒸着いずれの方法で形成しても良いが、コスト面か
ら湿式メッキ特に電気メッキが適当である。
面にＮ１被覆層２を有する。Ｎｉ被覆層は湿式７式％ 真空蒸着いずれの方法で形成しても良いが、コスト面か
ら湿式メッキ特に電気メッキが適当である。
メッキ層厚は実施例では２０μｍである。
メッキ層はＮｉに限らず、Ｉｎ、Ｓｎと合金化しにくい
金属、例えばＣｏ、Ｃｒ等でもよい。
金属、例えばＣｏ、Ｃｒ等でもよい。
Ｎｉメッキ層の上には、湿式メッキ、Ｐ、Ｖ、Ｄ、塗布
等の方法でロウ材の薄膜状の層３が形成されている。
等の方法でロウ材の薄膜状の層３が形成されている。
５はターゲットであり、本実施例ではＩｎ９０％５ｎｌ
Ｏ％融点１４５°とでそのボンディング面はあらかじめ
、酸化物層を取り除く前処理が行なわれている。ターゲ
ット５とバッキングプレート１の間にはロウ材層４が挾
まれている。ロウ材層は本実施例はＩｎ５０％Ｓｎ ５
０％厚さ０．１〜０．１５ｎｍで、融点は１１８℃であ
る。
Ｏ％融点１４５°とでそのボンディング面はあらかじめ
、酸化物層を取り除く前処理が行なわれている。ターゲ
ット５とバッキングプレート１の間にはロウ材層４が挾
まれている。ロウ材層は本実施例はＩｎ５０％Ｓｎ ５
０％厚さ０．１〜０．１５ｎｍで、融点は１１８℃であ
る。
バッキングプレートとロウ１箔とターゲットは大気中で
プレスにて加圧密着させた後真空中又は大気中で加熱す
ることにより、ロウ材が溶融してボンディングされる。
プレスにて加圧密着させた後真空中又は大気中で加熱す
ることにより、ロウ材が溶融してボンディングされる。
このように本発明では、Ｉｎ−８ｎターゲツトとＩｎ−
８ｎロウ材の融点の差を利用しており、本実施例のごと
く、Ｉｎ９０％５ｎｌＯ％のターゲラ） （！ｌ： Ｉ
ｎ５０％５ｎ５０％のロウ材だけの組合せにのみ適用さ
れるわけではないことは言うまでもない。
８ｎロウ材の融点の差を利用しており、本実施例のごと
く、Ｉｎ９０％５ｎｌＯ％のターゲラ） （！ｌ： Ｉ
ｎ５０％５ｎ５０％のロウ材だけの組合せにのみ適用さ
れるわけではないことは言うまでもない。
このボンテッドターゲットはスパッタリング作業で使用
された後には全体をバッキングプレート側からロウ材層
のみを溶融させる温度で加熱し、ターゲットを溶融する
ことなくはがし取ることができる。このようにしてはが
し取ったスクラップターゲット中には、バッキングプレ
ート材からの汚染がなく、繰り返し使用が可能である。
された後には全体をバッキングプレート側からロウ材層
のみを溶融させる温度で加熱し、ターゲットを溶融する
ことなくはがし取ることができる。このようにしてはが
し取ったスクラップターゲット中には、バッキングプレ
ート材からの汚染がなく、繰り返し使用が可能である。
−力、ターゲットより低融点のロウ材層を用いずに、あ
らかじめターゲットと同一組成のロウ材層をバッキング
プレート上に形成し、これにターゲラトラ加熱加圧し圧
着する方式でボンディングされたものでは、スクラップ
ターゲラトラパッキングプレートから除去する際は、ス
クラップターゲット自体を溶融させなくてはならず、こ
の場合はいかにＮ１メッキしてあっても回収スクラップ
中にＮｉが混入するので好ましくない。
らかじめターゲットと同一組成のロウ材層をバッキング
プレート上に形成し、これにターゲラトラ加熱加圧し圧
着する方式でボンディングされたものでは、スクラップ
ターゲラトラパッキングプレートから除去する際は、ス
クラップターゲット自体を溶融させなくてはならず、こ
の場合はいかにＮ１メッキしてあっても回収スクラップ
中にＮｉが混入するので好ましくない。
もちろん、ロウ材に第３成分を含有する場合は、スクラ
ップの回収利用は不可能である。
ップの回収利用は不可能である。
以上説明したように、この発明のＩｎ−８ｎスパツタリ
ング用ボンデツドターゲツトとその製造法によれば、強
力な接着でＩｎ Ｓｎターゲットとバッキングプレート
をボンディングできるとともに、両者間の熱伝導を良好
にしてスパッタリング時にターゲットの冷却を効率よく
行なえる。さらに、スパッタ終了後のスクラップターゲ
ットは、前工程の精製工程に遡ることなく回収再利用し
て新しいスパッタリングターゲットとすることができる
ので、製造コストの低減および、製造の効率化が図れる
という効果がある。
ング用ボンデツドターゲツトとその製造法によれば、強
力な接着でＩｎ Ｓｎターゲットとバッキングプレート
をボンディングできるとともに、両者間の熱伝導を良好
にしてスパッタリング時にターゲットの冷却を効率よく
行なえる。さらに、スパッタ終了後のスクラップターゲ
ットは、前工程の精製工程に遡ることなく回収再利用し
て新しいスパッタリングターゲットとすることができる
ので、製造コストの低減および、製造の効率化が図れる
という効果がある。
第１図はこの発明のボンデツドターゲットの１例を示す
図である。 １・・・バッキングプレート、２・・・Ｎ１被覆層、３
・・・ロウ材膜層、４・・・１．ｎ−８ｎロウ箔、５・
・Ｉｎ−８ｎスノ（ツタリングターゲット、Ｔ・・・ボ
ンデツドターゲット。
図である。 １・・・バッキングプレート、２・・・Ｎ１被覆層、３
・・・ロウ材膜層、４・・・１．ｎ−８ｎロウ箔、５・
・Ｉｎ−８ｎスノ（ツタリングターゲット、Ｔ・・・ボ
ンデツドターゲット。
Claims (3)
- （１） １ｎ−８ｎスパツタリングターゲツトとノくツ
キンググレートが、１．ｎ −Ｓｎロウを介したボンデ
ィングによって一体化されたものであることを特徴とす
るボンデツドターゲット。 - （２） バッキングプレートに、Ｎｉ被覆を施し、その
表面を、前処理し、Ｉｎ−８ｎｏつを塗布し、このバッ
キングプレートと、Ｉｎ−８ｎスノくツタリングターゲ
ットの間にＩｎ−８ｎロウの箔をはさみ、加圧した後真
空中又は大気中で加熱することによってボンディングす
ることを特徴とするボンデツドターゲットの製造法。 - （３） ボンデツドターゲットのスクラップのノ（ツキ
フグプレート上に残存するＩｎ−３ｎスノくツタリング
ターゲットのスクラップをロウ材層のところから剥離し
、該バッキングプレート面を清浄化してから、Ｎｉ被覆
面に損傷がある場合にはＮｉ被覆をやり直し、次いでそ
の表面を前処理してからＩ ｎ−８ｎロウを塗布し、こ
の）くツキングプレートと前記剥離Ｉｎ−８ｎターゲツ
トを溶融および品位調整することによって再生したＩｎ
−８ｎスパツタリングターゲツトの間にＩｎ−８ｏロウ
の箔をはさみ、加圧した後真空中又は大気中で加熱する
ことによってボンディングすることを特徴とするスクラ
ップからのボンデツドターゲットの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8950684A JPS60234968A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | ボンデツドタ−ゲツトとその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8950684A JPS60234968A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | ボンデツドタ−ゲツトとその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60234968A true JPS60234968A (ja) | 1985-11-21 |
| JPS6340860B2 JPS6340860B2 (ja) | 1988-08-12 |
Family
ID=13972664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8950684A Granted JPS60234968A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | ボンデツドタ−ゲツトとその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60234968A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6320154A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-27 | Kobe Steel Ltd | スパツタリング用タ−ゲツトのボンデイング方法 |
| JP2012172265A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Heraeus Materials Technology Gmbh & Co Kg | 管状スパッタターゲット |
| WO2012140928A1 (ja) * | 2011-04-15 | 2012-10-18 | 三井金属鉱業株式会社 | 太陽電池用スパッタリングターゲット |
| JP2012224910A (ja) * | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 積層構造体及びその製造方法 |
| CN110129755A (zh) * | 2019-06-05 | 2019-08-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 磁控溅射靶材和磁控溅射装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3660013B2 (ja) * | 1995-03-31 | 2005-06-15 | 株式会社テクノファイン | スパッタ用ターゲット |
| JP3660014B2 (ja) * | 1995-03-31 | 2005-06-15 | 株式会社テクノファイン | スパッタ用ターゲット |
-
1984
- 1984-05-07 JP JP8950684A patent/JPS60234968A/ja active Granted
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6320154A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-27 | Kobe Steel Ltd | スパツタリング用タ−ゲツトのボンデイング方法 |
| JP2012172265A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Heraeus Materials Technology Gmbh & Co Kg | 管状スパッタターゲット |
| US9334564B2 (en) | 2011-02-22 | 2016-05-10 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Tube-shaped sputtering target |
| WO2012140928A1 (ja) * | 2011-04-15 | 2012-10-18 | 三井金属鉱業株式会社 | 太陽電池用スパッタリングターゲット |
| JP2012251174A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-12-20 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 太陽電池用スパッタリングターゲット |
| CN103380230A (zh) * | 2011-04-15 | 2013-10-30 | 三井金属矿业株式会社 | 太阳电池用溅射靶 |
| TWI473898B (zh) * | 2011-04-15 | 2015-02-21 | Mitsui Mining & Smelting Co | 太陽電池用濺鍍靶 |
| JP2012224910A (ja) * | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 積層構造体及びその製造方法 |
| CN110129755A (zh) * | 2019-06-05 | 2019-08-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 磁控溅射靶材和磁控溅射装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6340860B2 (ja) | 1988-08-12 |
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