JPS5944956B2 - 低温接着法 - Google Patents

低温接着法

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JPS5944956B2
JPS5944956B2 JP5868779A JP5868779A JPS5944956B2 JP S5944956 B2 JPS5944956 B2 JP S5944956B2 JP 5868779 A JP5868779 A JP 5868779A JP 5868779 A JP5868779 A JP 5868779A JP S5944956 B2 JPS5944956 B2 JP S5944956B2
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JP
Japan
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temperature
ultrafine
powder
adhesion method
target
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JP5868779A
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English (en)
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JPS55152109A (en
Inventor
英夫 柴田
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Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
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Publication date
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  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は主としてスパッタリング用ターゲット基板とス
パッタ材の低温接着法に関する。
従来用いられているターゲットは、基板である水冷機構
を有するCu或はCu合金のブロック上にスパッタ物質
のブロックを半田づけ或はレジン等の接着剤を用いて、
加熱接着によシー体に接合している。
しかも冷却効果を向上させるために熱伝達の秀れた接合
部とすることが要求されている。しかし乍ら、公知のこ
の種接着方法は接着工程が極めて複雑であわ、しかも接
着に用いる半田、レジン等の余剰分の溶融物が接着部か
ら流出し、ターゲット基板を汚染する結果となわ、これ
ら汚染部分の除去作業が必要となる。更に、半田づけの
場合は当然フラックスが必要であわ、これらフラックス
から発生する有毒ガスは真空中のターゲット、槽壁その
他の部分を汚染することになる。また接着法によつては
熱伝達が不充分となクターゲツトの使用中に接着面の温
度上昇を招来し、該接合面において剥離することがある
。更に、金、白金等の貴金属材料をスパッタ物質とする
場合には、ターゲットを極限まで使用することによりコ
ストダウンを意図することが常識であるが、この場合半
田づけ境界層に存在する汚染層がスパッタされて目的と
する析着層が汚染される結果となる。
本発明者は、前記従来法の諸欠陥を排除すべく種々研究
の結果、本発明の開発に成功したものであわ、本発明の
要旨とするところは前記特許請求の範囲各項に明記した
とおりであシ、更には接着しようとする一方の金属と同
材質の金属超微粉を用いて低温接着する方法を提供する
ものである。
金属超微粉(粒径50〜5000A)の製造手段につい
ては、例えば、特公昭50−5149号公報、特公昭5
0−5665号公報、特公昭50−5666号公報及び
特公昭52−21719号公報等に記載されている如く
公知の技術であり、金属超微粉は次の如き諸特性を有す
ることが知られている:(1)低温(200〜400℃
)で焼結が進行する。
(2)比表面積が大である。(3)粒径が比較的よく揃
つている。
(4)常温で安定である。
本発明では上記の如き金属超微粉の特性を利用するもの
であり、例えばCuの場合、通常の焼結温度は約700
℃であるが、超微粉の場合の焼結温度は約200℃と1
/3以下に低下される。
従つて本発明方法によれば熱歪の少なくしかも異なる物
質である半田、ろう材、フラツクス等を用いず、一方の
金属と同じ材料の超微粉を用いた優れた低温接着法を提
供するものである。本発明接着法をCu基板ターゲツト
に応用した具体例を以下に詳述する。
Cu基板上の接着面にCuの超微粉の薄層(厚さ:0.
5〜1鑓)を施し、この上にターゲツト材、例えばCr
プロツクを載置し、真空中で軽く押圧力を加えながら加
熱(200℃以上)、焼結を行うことにより、これらを
一体に接合させ、熱伝導性のよい接着を低温で行うこと
ができる。
なお、接合されるCu及びCr各プロツクの接合面は例
えばグラス・ビード・ブラウド又はエツチング等で予じ
め処理しておくことが望ましい。金属超微粉を接合面に
施すに当つては、該超微粉をアルコールと混合してクリ
ーム状とし、このクリーム状混合物1を図示の如くCu
基板2面上に設けた凹部2r着面に一様に塗布する。
この塗布面上にCrターゲツトプロツク3を載置、嵌合
し軽く押圧力(P)を加える。この組立体を真空中で例
えば0.5〜1k9/CrAの押圧力でプレスし乍ら焼
結させる。Cu超微粉の場合は約200℃で焼結を開始
するので、ほと200℃又はこれより若干高い温度に約
10分程度保持することによりCu基板とCrターゲツ
ト材は強固に接着を完了する。この場合の接着強度は約
20kf/m迩である。
ちなみに、銅自体の引張強度は23k1i/Mdである
。伺、スパツタリング用ターゲツトとしては特に強力な
接着強度を必要とするものではなく、スパツタリング操
作中に発生する熱による変形、剥離に耐え得る強度が望
まれるだけである。上述の如く、基体と同材質の超微粉
を用いることにより、極めて強固でかつ完全な接合が得
られ、半田、レジン、フラツクス等の異物質の介在物が
ないので、前述した従来法の諸欠点はなく、有用な一体
接合物が得られる。
又、強固に一体化されているので燃伝達が極めて良くス
パツタターゲツトとして使用する場合の温度上昇が少な
くな)剥離する心配がない。
実例として13ctnX30cfnと10cm×20c
fnの寸法の銅基板上にクロムからなる平板ターゲツト
を上記の方法で製造したところ、極めて美麗な歪の少な
いターゲツトが得られた。得られたターゲツトの接着強
度は通常の焼結部品の強度と同等であつた。以上、銅基
板とクロムとの接合について説明したが、スパツタリン
グ用ターゲツトとして、バツキングプレートが銅に対し
ては次の如きターゲット材を接着することができる:A
t,Fe,Ni,CO,Ti,W,Hf及びこれら合金
、FeCO,FeNi,AtSi,AuCul金属酸化
物、SiO2,Si2O3及びAt2O3以上のような
組み合せが可能である。
Cu製のバツキングプレートにターゲツトを接着する場
合、Cuの超微粉が最も好ましいが、バツキングプレー
トとターゲツト材より低い融点を有し、被接合材それぞ
れに対し濡れ性、表面拡散性のよいアルミニウムの超微
粉でも前記銅超微粉と同等の作用効果を達成しうるもの
であシ、アルミニウム超微粉の場合加熱温度は約150
℃である。伺、接着用に用いる金属超微粉には通常の金
属粉を若干(約10%)混合して用いても上記と同等の
作用、効果を奏し得ることも知見した。
又、加熱手段としては真空中に配置した一方又は双方に
電熱機構を有する押圧板間に前記のターゲツト組立体を
挾持し、通電加熱により焼結を行う。この際の加熱温度
コントロールは既知の方法、例えば熱電対で起電圧で測
温し、焼結温度信号である電圧との差をなくする様、例
えばPI制御を行ない正確に均温を保持する如くするこ
とが好ましい。
【図面の簡単な説明】
添附図面は本発明方法をスパツタターゲツトの製造に応
用した一例を示す断面略図であり、図中1は金属超微粉
のクリーム状混合物、2はCu基板、2牡Cu基板2に
設けた凹所、3はターゲツトブロツクを示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 銅又は銅合金からなるスパッタリング用ターゲット
    基板とスパッタ・ターゲット間に粒径が50〜5000
    Åである銅又はアルミニウムの超微粉薄層を配設し、加
    圧加熱により該超微粉を低温で焼結することからなる低
    温接着法。 2 金属超微粉が一方の金属と同一材質である特許請求
    の範囲第1項記載の低温接着法。 3 加熱温度が銅の超微粉の場合、約200℃である特
    許請求の範囲第1項記載の低温接着法。 4 加熱温度がアルミニウムの超微粉の場合、約150
    ℃である特許請求の範囲第1項記載の低温接着法。
JP5868779A 1979-05-15 1979-05-15 低温接着法 Expired JPS5944956B2 (ja)

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JPS55152109A JPS55152109A (en) 1980-11-27
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58217657A (ja) * 1982-06-08 1983-12-17 Hitachi Metals Ltd 超硬質合金の製造方法
JPS58217656A (ja) * 1982-06-08 1983-12-17 Hitachi Metals Ltd 超硬質合金の製造方法
JPS59110704A (ja) * 1982-12-17 1984-06-26 Res Dev Corp Of Japan 金属被覆物の製造法
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JP5175976B2 (ja) 2009-11-20 2013-04-03 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法
SG189977A1 (en) 2010-10-27 2013-06-28 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target backing plate assembly and method for producing same
US20150197848A1 (en) 2012-07-04 2015-07-16 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering Target

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