KR101528373B1 - 제어된 납땜 두께를 구비한 스퍼터 타겟 조립체 - Google Patents

제어된 납땜 두께를 구비한 스퍼터 타겟 조립체 Download PDF

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Abstract

본 발명은 제어된 납땜 두께를 구비한 스퍼터 타겟 조립체를 형성하는 방법과 장치에 관한 것이다. 특히, 본 방법은, 배킹 판(16)과 스퍼터 타겟(10) 사이에접착 포일(20)을 도입하는 단계를 포함하되, 접착 포일(20)은 발열 반응의 전달을 위한 가연성 이질 성층 구조이다.
스퍼터 타겟, 납땜 두께, 접착 포일, 가연성 이질 성층 구조

Description

제어된 납땜 두께를 구비한 스퍼터 타겟 조립체{SPUTTER TARGET ASSEMBLIES HAVING A CONTROLLED SOLDER THICKNESS}
본 발명은 스퍼터 타겟(sputter target)의 분야에 관한 것이다. 특히, 본 발명은, 필름(film)의 물리적 증기 증착(physical vapor deposition)에 사용되는 스퍼터 타겟 조립체를 형성하기 위해 배킹 판(backing plate)을 접착 포일(bond foil)로 스퍼터 타겟에 부착하는 방법에 관한 것이다.
음극 스퍼터링(cathodic sputtering)은 기판에 재료의 얇은 층을 증착하는데 널리 사용되는 수단이다. 일반적으로, 이러한 공정은, 기판에 얇은 필름 또는 층으로서 증착될 소정의 재료로 형성된 면부를 구비한 타겟의 가스 이온 충격(gas ion bombardment)을 필요로 한다. 타켓의 이온 충격은 타겟 재료의 원자 또는 분자가 스퍼터되게 할 뿐아니라 타겟으로 상당한 열 에너지를 가한다. 이러한 열은, 타겟과의 열 교환 관계에 위치한 배킹 판의 아래 또는 주변에서 전형적으로 순환되는 냉각 유체의 사용에 의해 방산된다.
타겟은, 불활성 가스, 바람직하게는 아르곤(argon)을 내포하는 소기된 챔버 내에 양극(anode)과 함께 위치하는 음극 조립체의 부품을 형성한다. 음극과 양극을 가로질러 고전압 전기장이 인가된다. 불활성 가스는 음극으로부터 방출된 전자 와의 충돌에 의해 이온화된다. 양전하로 대전된 가스 이온은 음극으로 유인되고, 타겟 표면과 충돌 시 타겟 재료를 제거한다. 제거된 타겟 재료는 소기된 엔클로저(enclosure)를 가로질러, 일반적으로 음극 부근에 위치한 소정의 기판에 얇은 필름으로서 증착된다.
통상의 타겟 음극 조립체에서, 타겟은 비자성(non-magnetic) 배킹 판에 부착된다. 배킹 판은 스퍼터링 챔버 내에 스퍼터 타겟을 보유하고, 또한 스퍼터 타겟에 구조적 지지를 제공한다. 배킹 판은 타겟의 이온 충격에 의해 발생된 열을 빼내버리기 위해 일반적으로 수냉식이다. 타겟의 노출된 면 주변에 연장되는 루프(loop) 또는 터널(tunnel)의 형태로 전술된 자기장을 형성하기 위하여, 공지된 배치로 배킹 판 아래에 자석이 전형적으로 배열된다.
타겟과 배킹 판 사이에 좋은 열 접촉과 전기 접촉을 달성하기 위하여, 이러한 부재들은, 일반적으로 납땜(soldering), 경납땜(brazing), 확산접합(diffusion bonding), 클램핑(clamping), 에폭시 시멘트(epoxy cements)를 사용하거나 환형 부재를 상호 체결함으로써 서로 부착된다. 선택된 기술은 결합된 재료의 특성에 의존하고, 타겟 조립체의 소정의 성질과 특성에 의존한다.
납땜 기술은, 예를 들어, 순수 니켈(Ni) 및 NiFe, NiFeCo 같은 니켈계 합금과; 순수 철(Fe) 및 FeTa, FeCo, FeNi 같은 철계 합금과; 순수 코발트(Co) 및 CoCr, CoCrPt 같은 코발트계 합금과 같은 강자성 스퍼터 타겟을 접합하는데 전형적으로 사용된다. 타겟은, 인듐-주석(indium-tin), 주석-납(tin-lead), 또는 주석-은-구리(tin-silver-copper)와 같이, 약 섭씨 140도 내지 220도의 녹는점을 가질 수 있는 납땜 수단에 의해 배킹 판에 전형적으로 접착된다. 타겟과 배킹 판을 땜납이 녹는 온도까지 가열하는 것은 타겟의 미세구조(microstructure)에 영향을 줄 수 있기 때문에 문제가 된다. 또한, 상기 두 부품들 사이의 열 팽창 성질의 큰 차이에 의해 부품 뒤틀림(part warpage)과 차동 부품 수축(differential part contraciton)이 발생할 수 있다.
베스칵(Vascak) 등의 미국특허 제5,230,462호는 스퍼터링 작동에 후속적으로 사용하기 위해 스퍼터 타겟을 배킹 판에 접착하는 납땜에 관한 것이다. 땜납은 배킹 판과 타겟의 대면 측부에 녹여지고, 배킹 판과 타겟을 납땜 바스(bath) 내에 잠기게 한 후, 적셔진 부품이 접촉되게 가압한다.
쾨닉스만(Koenigsmann) 등의 미국특허 제6,708,870 B2호는 고체 상태 접착의 조합을 기재하고, 냉각 판 또는 배킹 판의 주연을 둘러싼 충전재 금속(filler metal)과 함께 배킹 판에 타겟 인서트(insert)를 고정하는 것을 기재한다.
오하시(Ohhashi) 등의 미국특허 제5,693,203호는 확산접합에 전형적으로 요구되는 높은 압력과 온도를 피하기 위한 고체 상태 접착 사용을 기재한다. 이 특허는 고체 상태 접착을 형성하기 위해 배킹 판과 스퍼터 타겟 사이에 금속 포일을 가압하는 것을 기술한다.
본 발명은 관련 기술 분야에 수개의 장점을 제공한다. 특히, 본 발명은, 타겟과 배킹 판 사이의 접착 포일 적용을 포함하고 타겟과 배킹 판에 적용되는 땜납을 녹이기에 충분한 에너지를 생성하는 것과 같은 온도로 가열하는 납땜 접착 기술을 제공한다. 조립체는 최소한으로 가열되고 본 공정은 납땜 층 두께가 주의 깊게 제어되게 한다.
본 발명의 다른 목적은, 균일한 타겟 재료 두께와 대칭(symmetric) 자기 누설 선속(magnetic leakage flux)을 갖춘 타겟 조립체를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적과 태양은 본 문서에 첨부된 명세서, 도면, 및 청구항을 검토할 시 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 명백해질 것이다.
본 발명의 일 태양에 따라, 스퍼터 타겟 조립체를 형성하는 방법이 제공된다. 본 방법은, 상면을 구비한 배킹 판을 제공하고 상기 상면을 납땜 층으로 미리 적시는 단계와; 바닥면을 구비한 스퍼터 타겟을 제공하고 상기 바닥면을 납땜 층으로 미리 적시는 단계와; 발열 반응의 전달을 위한 가연성 이질 성층 구조인 접착 포일을 배킹 판과 스퍼터 타겟 사이에 도입하는 단계와; 배킹 판과 스퍼터 타겟을 함께 가압하고 접착 포일을 가열하여, 스퍼터 타겟 조립체의 형성 시 스퍼터 타겟의 미세구조 또는 편평도에 영향을 주지 않으면서 배킹 판과 스퍼터 타겟 사이에서 배킹 판의 납땜 층을 스퍼터 타겟의 납땜 층에 녹여 접착시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 태양에 따라, 스퍼터 타겟, 배킹 판, 및 배킹 판과 스퍼터 타겟 사이에 배치된 접착 포일이 제공된다. 접착 포일은, 스퍼터 타겟 조립체의 형성에 있어서 스퍼터 타겟의 미세구조 또는 편평도에 영향을 줌 없이 스퍼터 타겟을 배킹 판에 접착시키기 위하여 발열 반응의 전달을 위한 가연성 이질 성층 구조이다.
본 발명의 목적과 장점은, 각 번호가 각 특징부를 지시하는 첨부 도면과 연계 되어 다음의 예시적 실시예의 상세한 기술에 대해 명백해질 것이다.
도1은 프레스(press) 셋업(set-up) 및 그 안의 타겟 조립체 구성요소에 대한 개략 단면도이다.
도2는 결합하여 그 사이에 스퍼터 타겟 조립체를 가압하는 프레스 플래튼(platen)의 개략도이다.
도3은 본 발명의 공정에 의해 제조된 최종 스퍼터 타겟 조립체의 개략도이다.
도4A는 본 발명에 따라 제조된 니켈 300 mm 타겟 조립체에 대한 납땜 층 두께와 범위를 종래 기술과 비교하여 나타낸 도표이고, 반면, 도4B는 상기 납땜 층 두께의 표준 편차를 나타낸 도표이다.
도5A는 종래 기술의 타겟 조립체의 비대칭 자기 누설 선속을 도시하고, 반면, 도5B는 본 발명에 따른 타겟 조립체의 대칭 자기 누설 선속을 도시한다.
본 발명은 평면 단편(single-piece) 강자성 스퍼터 타겟 및 조립체를 제공한다. 강자성 스퍼터 타겟 및 조립체는, 접착 포일[반응 포일(reactive foil)로도 알려져 있음]이 스퍼터 타겟과 배킹 판 사이에 도입되는 신규 납땜 공정에 의해 제조된다. 본 발명의 원리에 따르면, 강자성 재료는, 재료 전체에 걸쳐 균일한 자기 투과성을 구비하는 판과 같이, 중실의 일체형(unitary) 스퍼터 타겟 구조로 형성된다. 본 발명에 고려된 강자성 재료는, 예를 들어, 순수 니켈 및 NiFe, NiFeCo 같 은 니켈계 합금과; 순수 철 및 FeTa, FeCo, FeNi 같은 철계 합금과; 순수 코발트 및 CoCr, CoCrPt 같은 코발트계 합금과; 니켈, 철, 코발트, 및 1.0보다 큰 고유 자기 투과성을 구비한 다른 원소를 포함하는 기타 2원소, 3원소, 및 그 이상의 다원소 합금을 포함한다.
도1을 참조하여, 스퍼터 타겟(10)은 대체로 원형의 디스크 형상(disc-shaped)의 고순도 강자성 스퍼터 타겟이다. 강자성 스퍼터 타겟은 최소 약 99.99 중량 백분율의 순도를 구비한다. 본 명세서의 목적을 위해 모든 농도는 중량 백분율이다. 바람직하게는 스퍼터 타겟은 최소 99.995 중량 백분율의 순도를 구비하고, 더 바람직하게는 최소 약 99.999 중량 백분율의 순도를 구비한다. 도시된 바와 같이, 스퍼터 타겟(10)은 디스크 형상이지만, 타원형, 정사각형, 또는 직사각형과 같은 다른 타겟 형상이 사용될 수 있다는 것이 본 기술 분야의 당업자에 의해 이해될 것이다.
타겟(10)은 블랭크(blank) 공작물로부터 제조될 수 있고, 단조되고 가열 가공되거나(hot worked) 비가열 가공되거나(cold worked) 극저온으로 형성된다. 가열 가공은 공작물의 잔류 응력을 감소시키지만, 전형적으로 비가열 가공 또는 극저온 형성보다 높은 자기 투과성을 생성한다. 스퍼터링 표면(12)은, 스퍼터링 표면(12)으로부터 연속적으로 재료가 제거되고 기판에 균일한 층이 위치하도록 전형적으로 평면으로 유지된다. 타겟의 바닥면[또는 비스퍼터링(non-sputtering) 표면]은 배킹 판(16)과 정합하는 것을 용이하게 하기 위해 납땜 층(14)으로 미리 적셔진다.
배킹 판에 사용되는 금속은 임의의 개수의 금속일 수 있고, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 및 이들의 합금을 포함한다. 바람직하게는, 배킹 판은 구리 합금으로 만들어진다. 배킹 판(16)은 스퍼터 타겟(10)과 정합하는데 사용되는 상면을 포함한다. 타겟의 바닥면과 같이, 배킹 판의 상면은 납땜 층(18)으로 미리 적셔질 수 있다. 이러한 납땜 재료는, 통상의 인듐-주석, 주석-납, 주석-은-구리, 또는 기타 주석계 합금 중에서 선택될 수 있다.
접착 포일 또는 반응 포일(20)은 구성요소들을 함께 가압하기 전에 스퍼터 타겟(10)과 배킹 판(16) 사이에 도입된다. 접착 포일은 가연성 이질 성층 구조이다. 접착 포일(20)의 제조에 사용될 수 있는 일부 예시적 재료는, 규화물(silicides), 알루미나이드(aluminides), 붕소화물(borides), 카바이드(carbides), 테르밋 반응 화합물(thermite reacting compounds), 합금, 금속 유리(metallic galsses) 및 합성물 중에서 선택된다. 이러한 형식의 접착 포일은 바비 쥬니어(Barbee, Jr.) 등의 미국특허 제5,538,795호 및 웨이스(Weihs) 등의 미국특허 제6,863,992호에서 논의되며, 이들 전체를 본 명세서에서 참고 문헌으로 인용한다.
프레스(26)의 플래튼(22)과 플래튼(24)은, 스퍼터 타겟(10)과 배킹 판(16)을 이들 사이의 접착 포일(20)과 결합시키는데 있어서 대체로 균일한 양의 압력을 지탱하게 된다. 접착 포일은 직류(DC) 소스(미도시)를 통해 가열되어 발열 반응이 생성된다. 이러한 반응 동안 발생된 열은 납땜 층(14)과 납땜 층(18)을 녹이지만, 스퍼터 타겟(10) 또는 배킹 판(16) 안으로 침투하지 않는다. 바람직하게는, 두께 가 약 0.005 인치(약 0.0127 cm) 이하여서, 적용된 납땜 층들이 녹아서 동시에 함께 접착되는 것을 유발하되, 스퍼터 타겟(10) 또는 배킹 판(16)의 결정학적(crystallographic) 또는 야금학적(metallurgical) 구조에 교란(disturbance)이나 비틀림(warping)을 유발하지 않는다. 그 결과, 스퍼터 타겟은 야금학적 일체성뿐 아니라 편평도도 유지한다.
본 발명의 다른 예시적 실시예에서, 계속 도1을 참조하여, 프레스(26)가 최소 약 50,000 파운드(약 22,680 kg)의 부하를 발생시킬 수 있는 한, 유압식, 스크류식, 수동식 또는 컴퓨터 작동식일 수 있는 프레스(26)에, 접착될 구성요소가 놓여진다. 정렬 고정구(alignment fixture: 28)는 정렬 핀(alignment pin: 32)에 위치한 정밀 스페이서(precision spacer: 30)를 내장하여, 배킹 판(16)과 스퍼터 타겟(10)을 중심에 두고 정렬한다. 납땜 층(14, 18)은 약 0.005 인치(약 0.0127 cm) 내지 0.010 인치(약 0.0254 cm) 범위의 두께로 배킹 판과 스퍼터 타겟에 각각 적셔진다. 알루미늄 합금 6061과 같은 알루미늄 스페이서 판(34)은 배킹 판 위에 균일하게 하중이 분포하도록 네오프렌 시트 재료(neoprene sheet material: 36) 상에 위치한다. 도2에 도시된 바와 같이, 구성요소들을 결합시키는데 최소 약 50,000 파운드(약 22,680 kg)의 부하가 적용된다.
직류 전기 커넥터가 프레스에 부착될 수 있다. 특히, 직류 소스(미도시)로부터의 음극 도선은 배킹 판(16)에 부착될 수 있고 양극 도선은 접착 포일(20)에 연결된다. 도2에 도시된 바와 같이, 플래튼(22)과 플래튼(24)을 통해 적용된 압력의 안정화 시, 접착 포일(20)이 가열되어 전술된 발열 반응을 유발한다. 접착 포 일은 약 0.005 인치(약 0.0127 cm)의 깊이로 납땜 층(14)과 납땜 층(18)을 녹이고, 따라서 스퍼터 타겟을 배킹 판에 부착함으로써 스퍼터 타겟 조립체를 형성한다. 도3에 도시된 바와 같이, 접착 후에, 통합된 타겟 조립체는 프레스로부터 제거된다.
접착되고 가공된 스퍼터 타겟 조립체는 접착에 임의의 결함이 있는지 결정하기 위해 초음파 검사될 수 있다. 초음파 및 기계적 측정은 완성된 타겟 조립체 구조의 치수를 확인하는데 쓰일 수 있다.
본 발명의 스퍼터 타겟 조립체는 후술하는 예시를 참조하여 더 상세히 기술될 것이지만, 본 발명을 후술하는 예시에 제한하려는 것이 아니다.
<예시>
99.995 중량 백분율의 순도를 구비한 9개의 니켈 블랭크는, 17.75 인치(45.085 cm)의 블랭크 직경을 얻기 위해, 0.375 인치(0.9525 cm)의 두께를 구비한 열간 압연된 니켈 판으로부터 워터 젯(water jet) 절단되었다. 21.0 인치(53.34 cm)의 직경과 0.750 인치(1.905 cm)의 두께를 구비한 9개의 네이벌 황동(naval brass) 또는 구리 크롬(copper chromium) 블랭크가 배킹 판으로서 사용되었다. 모든 블랭크는 평행한 표면을 얻기 위해 양면으로 가공되었다.
그리고 나서, 니켈 블랭크 중 6개는, 63 중량 백분율 양의 주석과 37 중량 백분율 양의 납을 포함하는 공정(共晶: eutectic) 땜납을 사용하여 접착 포일 없이 구리 크롬 배킹 판에 접착되었다. 니켈 블랭크 중 3개와 네이벌 황동 블랭크 중 3개는 같은 땜납을 사용하여 미리 적셔졌다. 니켈 블랭크와 네이벌 황동 블랭크 모 두에서 0.005 인치(0.0127 cm) 내지 0.010 인치(0.0254 cm)의 납땜 두께를 얻기 위해 잉여 땜납은 가공에 의해 제거되었다.
상기 3개의 니켈 블랭크와 네이벌 황동 블랭크를 위해, 0.003 인치(0.00762 cm)의 두께를 구비한 접착 포일은 전술한 정렬 고정구를 사용하여 니켈 블랭크와 네이벌 황동 블랭크 사이에 위치하였다. 17.75 인치(45.085 cm)의 직경을 구비한 0.750 인치(1.905 cm) 두께의 알루미늄 6061 스페이서 판은 같은 직경을 구비한 네오프렌 시트 상에 위치하였다. 직류 소스로부터의 음극 도선은 배킹 판에 부착되었고 양극 도선은 접착 포일에 연결되었다. 구성요소들을 결합하는데 약 107,000 파운드(약 48,534 kg)의 부하가 적용되었다. 압력이 안정화될 시, 접착 포일이 가열되었고, 전술한 발열 반응을 유발하고 납땜 층을 녹여 니켈 블랭크를 황동 배킹 판에 부착하였다.
그리고 나서, 접착된 스퍼터 타겟 조립체는 초음파 검사되었고 99 퍼센트 이상의 접착 유효범위가 얻어졌다. 가공 후, 33 곳의 니켈과 납땜 두께를 결정하기 위해 초음파 두께 측정이 실행되었다. 그 결과가 아래 표에 요약된다.
표
공정 표준 편차 범위(인치) 납땜 두께(인치)
비교예 1 0.006 0.017 0.018
비교예 2 0.003 0.016 0.016
비교예 3 0.003 0.014 0.023
비교예 4 0.003 0.012 0.022
비교예 5 0.009 0.014 0.021
비교예 6 0.004 0.013 0.016
예시 1(본 발명) 0.002 0.006 0.015
예시 2(본 발명) 0.002 0.007 0.013
예시 3(본 발명) 0.001 0.005 0.014
표의 각 스퍼터 타겟 조립체에 대하여, 타겟을 가로질러 33회의 두께 측정과 공칭(즉, 평균) 두께 계산을 통해 납땜 층 두께가 결정되었다. 도4A와 도4B 및 표에 예시된 바와 같이, 납땜 층 두께는 공칭 두께의 100%까지 변화될 수 있다. 통상의 타겟에 대한 평균 납땜 층 두께는 평균 범위 0.014 인치(0.03556 cm)로 0.019 인치(0.04826 cm)이다. 반면, 본 발명에서 평균 두께는 평균 범위 0.006 인치(0.01524 cm)로 0.014 인치(0.03556 cm)이다. 이것은 57%까지의 납땜 층 두께 제어 개선을 나타낸다.
강자성 타겟을 사용하는 스퍼터 타겟 조립체의 자기 누설 선속(MLF)[자기 패스 스루 선속(magnetic pass through flux: PTF)으로도 알려짐]은 두께 편차에 민감하다. 이러한 편차는 납땜 두께 또는 스퍼터 타겟 자체로부터 생성될 수 있다. 본 명세서에서 기술된 공정에 의해 제조된 타겟 조립체는 대체로 대칭인 MLF를 생성한다는 것이 발견되었다. 그러므로, 타겟 조립체는 기판에 균일한 성질을 갖는 필름을 증착할 수 있다.
타겟 조립체의 성능을 예상하기 위해 비파괴 MLF 측정이 수행되었다. 본 측정은, 테스트된 스퍼터 타겟 조립체의 평 표면에 근접하여 영구 보유 말발굽형(horseshoe) 자석을 구비한 테스트 고정구 테이블을 사용하여 이루어졌다. 타겟을 관통하고 타겟 너머로부터 진입하는 자기장을 측정하기 위해 홀 탐침(hall probe)이 도입되었다. 도5A 및 도5B에 도시된 바와 같이, MLF 맵(map)은 다양한 색깔의 일련의 동심 링을 보여준다. 구체적으로, 도5A에 도시된 바와 같이, 통상의 스퍼터 타겟 조립체는 100 가우스(Gauss) 범위(36 내지 136 가우스)로 비대칭 MLF를 구비한다. 도5B는 동심 패턴과 단지 62 가우스 범위(42 내지 104 가우스)를 나타내는 대칭 MLF 맵을 도시한다. 도5B에 도시된 MLF 맵 종류를 구비한 타겟 조립체는 기판에 균일한 성질의 필름을 증착할 수 있다. 타겟의 가장자리에 가까운 색깔의 변화도는, 자기장에 의해 생성된 가장자리 효과(edge effect)에 관련된 더 높은 MLF를 나타낸다.
본 발명은 임의의 바람직한 실시예를 참조하여 상세히 기술되었지만, 본 기술 분야의 당업자는 청구항의 사상과 범위 내에서 본 발명의 다른 실시예가 있다는 것을 인식할 것이다.

Claims (20)

  1. 상면을 구비한 배킹 판을 제공하고, 상기 상면을 납땜 층으로 미리 적시는(pre-wetting) 단계와,
    바닥면을 구비한 테이퍼가 없고 재료 전체에 걸쳐 균일한 자기 투과성을 갖는 강자성 스퍼터 타겟을 제공하고, 상기 바닥면을 납땜 층으로 미리 적시는 단계와,
    발열 반응의 진행을 위한 가연성 이질(heterogeneous) 성층(stratified) 구조인 접착 포일을 상기 배킹 판과 상기 강자성 스퍼터 타겟 사이에 도입하는 단계와,
    상기 배킹 판과 강자성 스퍼터 타겟을 함께 가압하고 상기 접착 포일을 가열(ignite)하여, 대칭인 자기 누설 선속을 갖는 스퍼터 타겟 조립체의 형성 시 강자성 스퍼터 타겟의 미세구조 또는 편평도에 영향을 주지 않으면서 상기 배킹 판과 상기 강자성 스퍼터 타겟 사이에서 상기 배킹 판의 납땜 층을 상기 강자성 스퍼터 타겟의 납땜 층에 녹여 접착시키는 단계를 포함하는
    스퍼터 타겟 조립체 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    가압하여 최소 50,000 파운드(22,680 kg)의 부하를 적용하기 전에, 상기 타겟과 배킹 판을 프레스에 정렬시키는 단계를 더 포함하는
    스퍼터 타겟 조립체 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 배킹 판과 상기 강자성 스퍼터 타겟은 다른 재료로 만들어지는
    스퍼터 타겟 조립체 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 납땜 층은, 63 중량% 양의 주석을 포함하며 나머지는 납인 공정(eutectic) 땜납인
    스퍼터 타겟 조립체 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 포일을 가열하고 상기 발열 반응을 개시하기 위하여, 직류 소스로부터의 음극 도선을 상기 배킹 판에 연결하고 직류 소스로부터의 양극 도선을 상기 접착 포일에 연결하는 단계를 더 포함하는
    스퍼터 타겟 조립체 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 접착 포일 두께의 범위는 0.002 인치(0.00508 cm) 내지 0.003 인치(0.00762 cm)인
    스퍼터 타겟 조립체 형성 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 접착 포일은 규화물, 알루미나이드, 붕소화물, 카바이드, 테르밋(thermite) 반응 화합물, 합금, 금속 유리 및 복합물 중에서 선택되는
    스퍼터 타겟 조립체 형성 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 납땜 재료는 인듐-주석, 주석-납, 또는 주석-은-구리 중에서 선택되는
    스퍼터 타겟 조립체 형성 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 강자성 스퍼터 타겟은 원형의 디스크 형상의 고순도 강자성 니켈, 니켈 합금, 코발트, 또는 코발트 합금 타겟인
    스퍼터 타겟 조립체 형성 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 강자성 스퍼터 타겟을 가로지르는 자속(magnetic flux)은 대칭으로 분포하는
    스퍼터 타겟 조립체 형성 방법.
  11. 테이퍼가 없고 재료 전체에 걸쳐 균일한 자기 투과성을 갖는 강자성 스퍼터 타겟, 배킹 판, 및 상기 배킹 판과 상기 강자성 스퍼터 타겟 사이에 배치된 접착 포일을 포함하고,
    상기 접착 포일은, 대칭인 자기 누설 선속을 갖는 스퍼터 타겟 조립체의 형성 시 강자성 스퍼터 타겟의 미세구조 또는 편평도에 영향을 주지 않으면서 상기 강자성 스퍼터 타겟을 상기 배킹 판에 접착시키기 위하여 발열 반응의 진행을 위한 가연성 이질 성층 구조인
    스퍼터 타겟 조립체.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 배킹 판과 상기 접착 포일 사이에 배치된 제1 납땜 접착 층, 및 상기 타겟과 상기 접착 포일 사이의 제2 납땜 접착 층을 더 포함하는
    스퍼터 타겟 조립체.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 접착 포일은 규화물, 알루미나이드, 붕소화물, 카바이드, 테르밋 반응 화합물, 합금, 금속 유리 및 복합물 중에서 선택되는
    스퍼터 타겟 조립체.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 강자성 스퍼터 타겟은 원형의 디스크 형상의 고순도 강자성 니켈, 니켈 합금, 코발트, 또는 코발트 합금 타겟인
    스퍼터 타겟 조립체.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 강자성 스퍼터 타겟을 가로지르는 자속은 대칭으로 분포하는
    스퍼터 타겟 조립체.
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