JPH0459075B2 - - Google Patents
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- JPH0459075B2 JPH0459075B2 JP59217538A JP21753884A JPH0459075B2 JP H0459075 B2 JPH0459075 B2 JP H0459075B2 JP 59217538 A JP59217538 A JP 59217538A JP 21753884 A JP21753884 A JP 21753884A JP H0459075 B2 JPH0459075 B2 JP H0459075B2
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光磁気記録薄膜のスパツタリング
法による形成にターゲツトとして用いるのに適し
た複数の希土類金属部材と遷移金属部材の集合体
からなる複合のターゲツト材に関するものであ
る。 〔従来の技術〕 近年、光磁気記録薄膜として、Gd、Tb、Dy、
Ho、Er、およびTmのうち１種類以上からなる
希土類金属と、Fe、Ni、およびCoのうち１種以
上からなる遷移金属で構成された薄膜が注目され
ている。 また、上記の光磁気記録薄膜が、高周波スパツ
タリング法やマグネトロンスパツタリング法など
のスパツタリング法にて、ターゲツト材として、 (a) アーク溶解により形成した希土類金属と遷移
金属の合金インゴツト材、 (b) 上記(a)のインゴツト材から切削および研削な
どにより所定寸法に仕上げられた機械加工材、 (c) 遷移金属の板上に希土類金属のシヨツトある
いはチツプを載せた複合材、 などを用いて形成されることも知られている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし上記の(a)および(b)の合金インゴツト材お
よびこれらの機械加工材においては、 (1) 成分偏析が起り易く、特にインゴツト中に微
量合金元素を添加する場合は特に偏析し易く、
均一なインゴツトひいてはターゲツト材が得に
くいばかりでなく、この合金はきわめて脆いた
めに、塑性加工や熱処理といつた通常合金に施
される組織均一化法を適用することが、不可能
なので、組成の均一な薄膜を形成するのが難し
い。 (2) 成分偏析を防止するためにはアーク溶解時間
を長くしなければならないが、アーク溶解時間
を長くすると、希土類金属の中には蒸気圧の高
い金属もあるので、この場合は組成変化が起る
ようになる。 (3) 製造されるインゴツト材の大きさはアーク溶
解炉の大きさに依存するため、ターゲツト材と
しての大きさは直径がせいぜい20〜30mmどまり
であり、大きな平面寸法（大口径）のものが得
にくい。 (4) アーク溶解だけでは一定形状のインゴツト
材、特に薄肉のインゴツト材が得にくく、特に
マグネトロンスパツタリング法では薄肉のター
ゲツトを必要とし、この場合は後加工を必要と
するので非効率的である。 (5) アーク溶解は１回毎に行なうが、その度に組
成が変化するために、ロツト間のバラツキが大
きなものとなる。 以上(1)〜(5)の問題点がある。 また、上記(c)の複合材においては、 (1) 希土類金属のシヨツトあるいはチツプと遷移
金属板との間に放電が起ることがある。 (2) 遷移金属板上に希土類金属のシヨツトあるい
はチツプを並べただけなので、薄膜組成均一化
のためのターゲツト回転が困難であり、ターゲ
ツト回転を行なわない場合、組成が均一の薄膜
が得にくい。 (3) 特に、希土類金属の割合がきわめて小さい場
合、これを遷移金属板上に均一に分布させるこ
とができず、薄膜の組成不均一の原因となる。 (4) マグネトロンスパツタリングの場合、磁力線
が遷移金属板上のシヨツトやチツプによつて影
響され、大きく変化する場合があるが、この場
合、マグネトロンによる高効率化が得られない
場合がある。 以上(1)〜(4)の問題点がある。 〔問題点を解決するための手段〕 そこで、本発明者等は、上述のような観点か
ら、上記の従来ターゲツト材のもつ問題点を解決
すべく研究を行なつた結果、ターゲツト材を、平
面形状が同一あるいは相似で、かつ所定の厚を有
する、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、およびTm、並
びにこれらの２種以上の合金のうちの１種以上で
構成された複数の希土類金属部材とFe、Ni、お
よびCo、並びにこれらの２種以上の合金のうち
の１種以上で構成された複数の遷移金属部材とが
平面上相互隣接する集合体にして、前記希土類金
属部材と前記遷移金属部材とが、５〜50μｍの平
均層厚を有する拡散層（前記希土類金属と前記遷
移金属の金属間化合物からなる）で接合された構
造をもつものとすると、これを光磁気記録薄膜の
形成に用いた場合、異常放電の発生なく、かつ回
転使用ができ、マグネトロンスパツタリングの場
合には磁力線の安定もはかれることから、均一な
組成の薄膜の形成が可能になるという研究結果を
得たのである。 この発明は、上記の研究結果にもとづいてなさ
れたものであり、この発明の複合ターゲツト材
は、上記の平面形状が同一あるいは相似で、かつ
所定の厚さを有する複数の希土類金属部材と複数
の遷移金属部材を、平面上相互に隣接する配置に
敷き並べ、この結果の集合体に、ホツトプレス
（以下HPで示す）や熱間静水圧プレス（以下HIP
で示す）を用い、HPの場合は１〜50Kg／cm2、
HIPの場合は1000〜2000気圧の圧力を付加した状
態で、前記希土類金属および遷移金属の共晶点以
下の温度に加熱してこれら両成分からなる金属間
化合物の拡散層を形成し、もつて上記希土類金属
部材と上記遷移金属部材の接合を強固なものにす
ることにより製造される。 なお、この発明の複合ターゲツト材において、
拡散層の平均層厚を５〜50μｍとしたのは、その
平均層厚が5μｍ未満では接合強度が不十分で、
スパツタリング中にターゲツト材表面の熱により
部材間に剥離が生じ、異常放電の原因となり、薄
膜組成の均一性が損なわれるようになり、一方
50μｍを越えた平均層厚はいたずらに加熱時間が
長くなるだけで、接合強度のより一層の向上は見
られないという理由によるものである。 〔実施例〕 つぎに、この発明の複合ターゲツト材を実施例
により具体的に説明する。 まず、それぞれ第１表に示される組成、並びに
いずれも10mm×10mmの平面寸法、および３mmの厚
さを有する希土類金属部材および遷移金属部材を
複数個用意し、これら両部材を第１表に示される
組合せで、第１図に平面図で示される市松模様状
に相互に隣接して敷き並べ、ついでこのように敷
き並べた総数400個の両部材からなる集合体を
HP装置の黒鉛鋳型内に上下面を黒鉛板で挾んだ
状態で装入し、10Kg／cm2の圧力を付加した状態
で、１×10-4torrの真空中、1000℃／hrの昇温速
度で600〜850℃の範囲内の所定温度に加熱
法による形成にターゲツトとして用いるのに適し
た複数の希土類金属部材と遷移金属部材の集合体
からなる複合のターゲツト材に関するものであ
る。 〔従来の技術〕 近年、光磁気記録薄膜として、Gd、Tb、Dy、
Ho、Er、およびTmのうち１種類以上からなる
希土類金属と、Fe、Ni、およびCoのうち１種以
上からなる遷移金属で構成された薄膜が注目され
ている。 また、上記の光磁気記録薄膜が、高周波スパツ
タリング法やマグネトロンスパツタリング法など
のスパツタリング法にて、ターゲツト材として、 (a) アーク溶解により形成した希土類金属と遷移
金属の合金インゴツト材、 (b) 上記(a)のインゴツト材から切削および研削な
どにより所定寸法に仕上げられた機械加工材、 (c) 遷移金属の板上に希土類金属のシヨツトある
いはチツプを載せた複合材、 などを用いて形成されることも知られている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし上記の(a)および(b)の合金インゴツト材お
よびこれらの機械加工材においては、 (1) 成分偏析が起り易く、特にインゴツト中に微
量合金元素を添加する場合は特に偏析し易く、
均一なインゴツトひいてはターゲツト材が得に
くいばかりでなく、この合金はきわめて脆いた
めに、塑性加工や熱処理といつた通常合金に施
される組織均一化法を適用することが、不可能
なので、組成の均一な薄膜を形成するのが難し
い。 (2) 成分偏析を防止するためにはアーク溶解時間
を長くしなければならないが、アーク溶解時間
を長くすると、希土類金属の中には蒸気圧の高
い金属もあるので、この場合は組成変化が起る
ようになる。 (3) 製造されるインゴツト材の大きさはアーク溶
解炉の大きさに依存するため、ターゲツト材と
しての大きさは直径がせいぜい20〜30mmどまり
であり、大きな平面寸法（大口径）のものが得
にくい。 (4) アーク溶解だけでは一定形状のインゴツト
材、特に薄肉のインゴツト材が得にくく、特に
マグネトロンスパツタリング法では薄肉のター
ゲツトを必要とし、この場合は後加工を必要と
するので非効率的である。 (5) アーク溶解は１回毎に行なうが、その度に組
成が変化するために、ロツト間のバラツキが大
きなものとなる。 以上(1)〜(5)の問題点がある。 また、上記(c)の複合材においては、 (1) 希土類金属のシヨツトあるいはチツプと遷移
金属板との間に放電が起ることがある。 (2) 遷移金属板上に希土類金属のシヨツトあるい
はチツプを並べただけなので、薄膜組成均一化
のためのターゲツト回転が困難であり、ターゲ
ツト回転を行なわない場合、組成が均一の薄膜
が得にくい。 (3) 特に、希土類金属の割合がきわめて小さい場
合、これを遷移金属板上に均一に分布させるこ
とができず、薄膜の組成不均一の原因となる。 (4) マグネトロンスパツタリングの場合、磁力線
が遷移金属板上のシヨツトやチツプによつて影
響され、大きく変化する場合があるが、この場
合、マグネトロンによる高効率化が得られない
場合がある。 以上(1)〜(4)の問題点がある。 〔問題点を解決するための手段〕 そこで、本発明者等は、上述のような観点か
ら、上記の従来ターゲツト材のもつ問題点を解決
すべく研究を行なつた結果、ターゲツト材を、平
面形状が同一あるいは相似で、かつ所定の厚を有
する、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、およびTm、並
びにこれらの２種以上の合金のうちの１種以上で
構成された複数の希土類金属部材とFe、Ni、お
よびCo、並びにこれらの２種以上の合金のうち
の１種以上で構成された複数の遷移金属部材とが
平面上相互隣接する集合体にして、前記希土類金
属部材と前記遷移金属部材とが、５〜50μｍの平
均層厚を有する拡散層（前記希土類金属と前記遷
移金属の金属間化合物からなる）で接合された構
造をもつものとすると、これを光磁気記録薄膜の
形成に用いた場合、異常放電の発生なく、かつ回
転使用ができ、マグネトロンスパツタリングの場
合には磁力線の安定もはかれることから、均一な
組成の薄膜の形成が可能になるという研究結果を
得たのである。 この発明は、上記の研究結果にもとづいてなさ
れたものであり、この発明の複合ターゲツト材
は、上記の平面形状が同一あるいは相似で、かつ
所定の厚さを有する複数の希土類金属部材と複数
の遷移金属部材を、平面上相互に隣接する配置に
敷き並べ、この結果の集合体に、ホツトプレス
（以下HPで示す）や熱間静水圧プレス（以下HIP
で示す）を用い、HPの場合は１〜50Kg／cm2、
HIPの場合は1000〜2000気圧の圧力を付加した状
態で、前記希土類金属および遷移金属の共晶点以
下の温度に加熱してこれら両成分からなる金属間
化合物の拡散層を形成し、もつて上記希土類金属
部材と上記遷移金属部材の接合を強固なものにす
ることにより製造される。 なお、この発明の複合ターゲツト材において、
拡散層の平均層厚を５〜50μｍとしたのは、その
平均層厚が5μｍ未満では接合強度が不十分で、
スパツタリング中にターゲツト材表面の熱により
部材間に剥離が生じ、異常放電の原因となり、薄
膜組成の均一性が損なわれるようになり、一方
50μｍを越えた平均層厚はいたずらに加熱時間が
長くなるだけで、接合強度のより一層の向上は見
られないという理由によるものである。 〔実施例〕 つぎに、この発明の複合ターゲツト材を実施例
により具体的に説明する。 まず、それぞれ第１表に示される組成、並びに
いずれも10mm×10mmの平面寸法、および３mmの厚
さを有する希土類金属部材および遷移金属部材を
複数個用意し、これら両部材を第１表に示される
組合せで、第１図に平面図で示される市松模様状
に相互に隣接して敷き並べ、ついでこのように敷
き並べた総数400個の両部材からなる集合体を
HP装置の黒鉛鋳型内に上下面を黒鉛板で挾んだ
状態で装入し、10Kg／cm2の圧力を付加した状態
で、１×10-4torrの真空中、1000℃／hrの昇温速
度で600〜850℃の範囲内の所定温度に加熱
第１表に示される結果から明らかなように、こ
の発明の複合ターゲツト材は、これを構成する希
土類金属部材と遷移金属部材とが強固に接合して
いるので、スパツタリング中に、これら両部材間
に剥離が発生することがなく、この結果異常放電
の発生は皆無となり、かつ回転使用もでき、さら
に表面が平滑なので、マグネトロンスパツタリン
グに際しても磁力線の乱れがないことから、均一
な組成の薄膜を安定して形成することができるな
ど工業上有用な特性を有するのである。
の発明の複合ターゲツト材は、これを構成する希
土類金属部材と遷移金属部材とが強固に接合して
いるので、スパツタリング中に、これら両部材間
に剥離が発生することがなく、この結果異常放電
の発生は皆無となり、かつ回転使用もでき、さら
に表面が平滑なので、マグネトロンスパツタリン
グに際しても磁力線の乱れがないことから、均一
な組成の薄膜を安定して形成することができるな
ど工業上有用な特性を有するのである。
第１図はこの発明の複合ターゲツト材の実施例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
Claims (1)
- １ 平面形状が同一あるいは相似で、かつ所定の
厚さを有する、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、および
Tm、並びにこれらの２種以上の合金のうちの１
種以上で構成された複数の希土類金属部材と、
Fe、Ni、およびCo、並びにこれらの２種以上の
合金のうちの１種以上で構成された複数の遷移金
属部材とが平面上相互隣接する集合体にして、前
記希土類金属部材と前記遷移金属部材とが、５〜
50μｍの平均層厚を有する拡散層で接合されてい
ることを特徴とする光磁気記録薄膜形成用複合タ
ーゲツト材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59217538A JPS6195788A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 光磁気記録薄膜形成用複合ターゲット材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59217538A JPS6195788A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 光磁気記録薄膜形成用複合ターゲット材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6195788A JPS6195788A (ja) | 1986-05-14 |
| JPH0459075B2 true JPH0459075B2 (ja) | 1992-09-21 |
Family
ID=16705820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59217538A Granted JPS6195788A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 光磁気記録薄膜形成用複合ターゲット材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6195788A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63186836A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-08-02 | Mitsubishi Kasei Corp | 低酸素希土類元素含有合金の製造方法 |
| JPS63259077A (ja) * | 1987-04-16 | 1988-10-26 | Mitsubishi Kasei Corp | 合金タ−ゲツト材 |
| JPH0768612B2 (ja) * | 1987-04-20 | 1995-07-26 | 日立金属株式会社 | 希土類金属―鉄族金属ターゲット用合金粉末、希土類金属―鉄族金属ターゲット、およびそれらの製造方法 |
| JP2588241B2 (ja) * | 1988-04-05 | 1997-03-05 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲット |
| JP2898515B2 (ja) * | 1993-07-15 | 1999-06-02 | 株式会社ジャパンエナジー | モザイクターゲット |
| JPH0790567A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-04-04 | Hitachi Metals Ltd | 光磁気記録媒体用ターゲット材およびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5983768A (ja) * | 1982-11-01 | 1984-05-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 複合タ−ゲツト |
-
1984
- 1984-10-17 JP JP59217538A patent/JPS6195788A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5983768A (ja) * | 1982-11-01 | 1984-05-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 複合タ−ゲツト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6195788A (ja) | 1986-05-14 |
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