JP2898515B2 - モザイクターゲット - Google Patents
モザイクターゲットInfo
- Publication number
- JP2898515B2 JP2898515B2 JP5196712A JP19671293A JP2898515B2 JP 2898515 B2 JP2898515 B2 JP 2898515B2 JP 5196712 A JP5196712 A JP 5196712A JP 19671293 A JP19671293 A JP 19671293A JP 2898515 B2 JP2898515 B2 JP 2898515B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- solid
- pieces
- mosaic
- mosaic target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数のピースから構成
されるモザイクターゲットに関するものであり、特には
隣り合うピースの突き合わせ部を固相接合したことを特
徴とするモザイクターゲットに関するものである。
されるモザイクターゲットに関するものであり、特には
隣り合うピースの突き合わせ部を固相接合したことを特
徴とするモザイクターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ターゲットは、スパッタリングにより各
種の半導体デバイスの電極、ゲート、配線、素子、絶縁
膜、保護膜等を基板上に形成するためのスパッタリング
源となる、通常は円盤状の板である。加速された粒子が
ターゲット表面に衝突するとき運動量の交換によりター
ゲットを構成する原子が空間に放出されて対向する基板
上に堆積する。スパッタリングターゲットとしては、Ａ
ｌ及びＡｌ合金ターゲット、高融点金属及び合金（Ｗ、
Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ等及びＷ−Ｔｉのような
その合金）ターゲット、金属シリサイド（ＭｏＳｉX 、
ＷＳｉx 、ＮｉＳｉx 等）ターゲット等が代表的に使用
されてきた。
種の半導体デバイスの電極、ゲート、配線、素子、絶縁
膜、保護膜等を基板上に形成するためのスパッタリング
源となる、通常は円盤状の板である。加速された粒子が
ターゲット表面に衝突するとき運動量の交換によりター
ゲットを構成する原子が空間に放出されて対向する基板
上に堆積する。スパッタリングターゲットとしては、Ａ
ｌ及びＡｌ合金ターゲット、高融点金属及び合金（Ｗ、
Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ等及びＷ−Ｔｉのような
その合金）ターゲット、金属シリサイド（ＭｏＳｉX 、
ＷＳｉx 、ＮｉＳｉx 等）ターゲット等が代表的に使用
されてきた。
【０００３】一般的に、２成分以上を有するターゲット
を製造する方法としては、溶解法や粉末冶金法によって
合金若しくは化合物にしてターゲットとしているが、密
度、組成、酸素濃度等の問題でこうした方法では良質の
ターゲットができない場合には、モザイク方式が採用さ
れることが多い。モザイク方式は、ターゲットが２成分
以上を有する場合に、単一成分若しくはその合金乃至化
合物を適当な形状に加工し、それらを適当に組合せて全
体として円盤状又は角板状になるように配列し、ターゲ
ット全体で目的の組成とするものである。こうして組み
合わせ配列されたターゲットをモザイクターゲットと呼
ぶ。このモザイクターゲットにおいて構成単位を形成し
そして突き合わせ関係で配列される、適当な形状に加工
した単一成分若しくはその合金乃至化合物のバルク乃至
板材はピースと呼ばれている。例えば、Ｔａ−Ｍｏモザ
イクターゲットでは、ＴａピースとＭｏピースとが縞状
に或いは放射状に交互に組合せて配列される。
を製造する方法としては、溶解法や粉末冶金法によって
合金若しくは化合物にしてターゲットとしているが、密
度、組成、酸素濃度等の問題でこうした方法では良質の
ターゲットができない場合には、モザイク方式が採用さ
れることが多い。モザイク方式は、ターゲットが２成分
以上を有する場合に、単一成分若しくはその合金乃至化
合物を適当な形状に加工し、それらを適当に組合せて全
体として円盤状又は角板状になるように配列し、ターゲ
ット全体で目的の組成とするものである。こうして組み
合わせ配列されたターゲットをモザイクターゲットと呼
ぶ。このモザイクターゲットにおいて構成単位を形成し
そして突き合わせ関係で配列される、適当な形状に加工
した単一成分若しくはその合金乃至化合物のバルク乃至
板材はピースと呼ばれている。例えば、Ｔａ−Ｍｏモザ
イクターゲットでは、ＴａピースとＭｏピースとが縞状
に或いは放射状に交互に組合せて配列される。
【０００４】モザイクターゲットの例としては、上記の
Ｔａ−Ｍｏターゲットの他に、Ｔａ−Ｗ、Ｔａ−Ｔｉ、
Ｗ−Ｔｉのような高融点金属の合金から成るターゲッ
ト、シリサイドターゲットを挙げることができる。
Ｔａ−Ｍｏターゲットの他に、Ｔａ−Ｗ、Ｔａ−Ｔｉ、
Ｗ−Ｔｉのような高融点金属の合金から成るターゲッ
ト、シリサイドターゲットを挙げることができる。
【０００５】従来からのモザイクターゲットは、各ピー
スを突き合わせ、そのままバッキングプレートにＩｎ等
のロー材を使用してボンディングするか或いはバッキン
グプレートに直接焼き嵌めていた。しかし、この方法で
は突き合わせ面に数μｍ〜数百μｍの隙間が生じ、この
部分で異常放電が発生したり、スパッタ速度が局所的に
速くなることからパーティクルの発生源となったり、ロ
ー材若しくはバッキングプレート材が一緒にスパッタさ
れたりして、スパッタ膜を汚染し、その膜特性が低下し
た。
スを突き合わせ、そのままバッキングプレートにＩｎ等
のロー材を使用してボンディングするか或いはバッキン
グプレートに直接焼き嵌めていた。しかし、この方法で
は突き合わせ面に数μｍ〜数百μｍの隙間が生じ、この
部分で異常放電が発生したり、スパッタ速度が局所的に
速くなることからパーティクルの発生源となったり、ロ
ー材若しくはバッキングプレート材が一緒にスパッタさ
れたりして、スパッタ膜を汚染し、その膜特性が低下し
た。
【０００６】この「パーティクル」とは、スパッタリン
グによる薄膜形成時に装置内を飛散する粒子がクラスタ
ー化して基板上に堆積したものを云うのであるが、この
クラスター化粒子は直径が数μｍ程度にまで大きくなる
ものが多いので、これが基板上に堆積すると、例えばＬ
ＳＩの場合は配線の短絡或いは逆に断線を引き起こす等
の問題を生じ、不良率増大の原因となる。これらのパー
ティクルはターゲットから放出される粒子に起因する。
グによる薄膜形成時に装置内を飛散する粒子がクラスタ
ー化して基板上に堆積したものを云うのであるが、この
クラスター化粒子は直径が数μｍ程度にまで大きくなる
ものが多いので、これが基板上に堆積すると、例えばＬ
ＳＩの場合は配線の短絡或いは逆に断線を引き起こす等
の問題を生じ、不良率増大の原因となる。これらのパー
ティクルはターゲットから放出される粒子に起因する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ロー材若しくはバッキ
ングプレート材を直接スパッタすることを防ぐ目的で、
ピースの突き合わせ面を図３（ａ）及び（ｂ）のように
段付き加工或いは斜切加工する方法が採用された。材質
Ａのピースと材質Ｂのピースとが、段付き加工面を突き
合わせて或いは斜切加工面を突き合わせて、バッキング
プレート及び突き合わせ部をスパッタ面から隠すように
してバッキングプレートにボンディングされている。し
かしながら、この方法でも、異常放電やパーティクルの
発生は避けられず、加えて、突き合わせ部を加工するた
めに歩留りが悪くなり、高価な原料を使用するターゲッ
トでは原料費が高くなる上に、加工コストも高額となっ
た。更に、ターゲット材質によっては、このような加工
を施すことが困難な場合もある。
ングプレート材を直接スパッタすることを防ぐ目的で、
ピースの突き合わせ面を図３（ａ）及び（ｂ）のように
段付き加工或いは斜切加工する方法が採用された。材質
Ａのピースと材質Ｂのピースとが、段付き加工面を突き
合わせて或いは斜切加工面を突き合わせて、バッキング
プレート及び突き合わせ部をスパッタ面から隠すように
してバッキングプレートにボンディングされている。し
かしながら、この方法でも、異常放電やパーティクルの
発生は避けられず、加えて、突き合わせ部を加工するた
めに歩留りが悪くなり、高価な原料を使用するターゲッ
トでは原料費が高くなる上に、加工コストも高額となっ
た。更に、ターゲット材質によっては、このような加工
を施すことが困難な場合もある。
【０００８】本発明の課題は、モザイクターゲットの突
き合わせ部の隙間に起因する異常放電やパーティクルの
発生を排除し、ターゲット材料の無用な加工を必要とし
ないモザイクターゲットを開発することである。
き合わせ部の隙間に起因する異常放電やパーティクルの
発生を排除し、ターゲット材料の無用な加工を必要とし
ないモザイクターゲットを開発することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、モザイクタ
ーゲットの隣り合うピース間をＨＩＰ、ホットプレス、
爆着等により固相接合することによりこうした課題を解
決しうることを見出した。この知見に基づいて、本発明
は、（１）Ｔａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｓｉ及びそ
れらの合金乃至化合物からなる群から選択された複数の
異種材料ピースから構成されるモザイクターゲットにお
いて、隣り合う異種材料ピースの突き合わせ部をピース
材料の融点以下の温度で固相接合したことを特徴とする
半導体デバイス製造用モザイクターゲット、及び（２）
Ｔａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｓｉ及びそれらの合金
乃至化合物からなる群から選択された複数の異種材料ピ
ースを縞状に或いは放射状に組合せて配列することによ
り構成されるモザイクターゲットにおいて、隣り合う異
種材料ピースの突き合わせ部をピース材料の融点以下の
温度で固相接合したことを特徴とする半導体デバイス製
造用モザイクターゲットを提供する。
ーゲットの隣り合うピース間をＨＩＰ、ホットプレス、
爆着等により固相接合することによりこうした課題を解
決しうることを見出した。この知見に基づいて、本発明
は、（１）Ｔａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｓｉ及びそ
れらの合金乃至化合物からなる群から選択された複数の
異種材料ピースから構成されるモザイクターゲットにお
いて、隣り合う異種材料ピースの突き合わせ部をピース
材料の融点以下の温度で固相接合したことを特徴とする
半導体デバイス製造用モザイクターゲット、及び（２）
Ｔａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｓｉ及びそれらの合金
乃至化合物からなる群から選択された複数の異種材料ピ
ースを縞状に或いは放射状に組合せて配列することによ
り構成されるモザイクターゲットにおいて、隣り合う異
種材料ピースの突き合わせ部をピース材料の融点以下の
温度で固相接合したことを特徴とする半導体デバイス製
造用モザイクターゲットを提供する。
【００１０】
【作用】各ピースの突き合わせ部を固相接合することに
より突き合わせ部の隙間を排除し、隙間に起因する異常
放電やロー材若しくはバッキングプレート材の同時スパ
ッタによるスパッタ膜の汚染を回避する。固相接合は、
固体材料同志を接触状態におき、適当な温度で適当な圧
力をかけることにより接触界面の原子の拡散や原子間力
等により固体同志を接合させる方法を云う。各ターゲッ
トピースの特性を実質上犠牲とすることなくピース間の
隙間を排除してモザイクターゲットを一体化することが
できる。
より突き合わせ部の隙間を排除し、隙間に起因する異常
放電やロー材若しくはバッキングプレート材の同時スパ
ッタによるスパッタ膜の汚染を回避する。固相接合は、
固体材料同志を接触状態におき、適当な温度で適当な圧
力をかけることにより接触界面の原子の拡散や原子間力
等により固体同志を接合させる方法を云う。各ターゲッ
トピースの特性を実質上犠牲とすることなくピース間の
隙間を排除してモザイクターゲットを一体化することが
できる。
【００１１】
【実施例】本発明は、高融点金属の合金（Ｗ、Ｍｏ、Ｔ
ｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ等の合金）ターゲット、金属シリ
サイド（ＭｏＳｉX 、ＷＳｉx 、ＮｉＳｉx 等）ターゲ
ット、金属間化合物ターゲット等を対象とする。特に、
溶解法や粉末冶金法によっては、密度、組成、酸素濃度
等の問題で良質のターゲットができない場合、溶製が困
難な場合に採用される。その好適例は、Ｔａ−Ｍｏ、Ｔ
ａ−Ｗ、Ｔａ−Ｔｉ、Ｗ−Ｔｉのような高融点金属の合
金モザイクターゲットである。
ｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ等の合金）ターゲット、金属シリ
サイド（ＭｏＳｉX 、ＷＳｉx 、ＮｉＳｉx 等）ターゲ
ット、金属間化合物ターゲット等を対象とする。特に、
溶解法や粉末冶金法によっては、密度、組成、酸素濃度
等の問題で良質のターゲットができない場合、溶製が困
難な場合に採用される。その好適例は、Ｔａ−Ｍｏ、Ｔ
ａ−Ｗ、Ｔａ−Ｔｉ、Ｗ−Ｔｉのような高融点金属の合
金モザイクターゲットである。
【００１２】上述した通り、固相接合は、固体材料同志
を接触状態におき、適当な温度で適当な圧力をかけるこ
とにより固体同志を接合させるものである。モザイクタ
ーゲットに固相接合法を適用することにより各ターゲッ
トピースの密度、組成その他の特性を実質上犠牲とする
ことなくピース間の隙間を排除してモザイクターゲット
を一体化することができる。目的とするモザイクターゲ
ットを構成するよう、単一成分若しくはその合金乃至化
合物のブロックや板材から成るピースが突き合わせ状態
で組み合わせて配列される。固相接合は、ＨＩＰ、ホッ
トプレス、爆着等の方法でもたらすことができる。ター
ゲット材質に適した温度下で適当な圧力をかけ或いは無
荷重で一定時間保持することによりピース界面の接合を
もたらすことができる。接合温度は固相方法による。例
えば、ＴａピースとＭｏピースとを組み合わせたターゲ
ットのＨＩＰ又はホットプレスによる固相接合の場合、
７００〜２０００℃の温度範囲そして０．５〜１５kg/m
m2の荷重範囲で固相接合可能である。こうして固相接合
されたターゲット接合材は所定の直径及び厚さを有する
ターゲットに機械加工される。
を接触状態におき、適当な温度で適当な圧力をかけるこ
とにより固体同志を接合させるものである。モザイクタ
ーゲットに固相接合法を適用することにより各ターゲッ
トピースの密度、組成その他の特性を実質上犠牲とする
ことなくピース間の隙間を排除してモザイクターゲット
を一体化することができる。目的とするモザイクターゲ
ットを構成するよう、単一成分若しくはその合金乃至化
合物のブロックや板材から成るピースが突き合わせ状態
で組み合わせて配列される。固相接合は、ＨＩＰ、ホッ
トプレス、爆着等の方法でもたらすことができる。ター
ゲット材質に適した温度下で適当な圧力をかけ或いは無
荷重で一定時間保持することによりピース界面の接合を
もたらすことができる。接合温度は固相方法による。例
えば、ＴａピースとＭｏピースとを組み合わせたターゲ
ットのＨＩＰ又はホットプレスによる固相接合の場合、
７００〜２０００℃の温度範囲そして０．５〜１５kg/m
m2の荷重範囲で固相接合可能である。こうして固相接合
されたターゲット接合材は所定の直径及び厚さを有する
ターゲットに機械加工される。
【００１３】図１はターゲットピースの配列例並びに圧
力の適用例を示す。ここで、（ａ）はブロック状の材質
Ａのピース１と材質Ｂのピース２とを放射状に交互に並
べそしてそれらを例えばＨＩＰにより固相接合して直円
柱状のターゲット接合材を作製した状態を示す。（ｂ）
は平板状の材質Ａのピース１と材質Ｂのピース２とを交
互に重ね合わせそして例えばホットプレスにより固相接
合したターゲット接合材を示す。固相接合されたターゲ
ット接合材は所定の直径及び厚さを有するターゲットに
機械加工される。先に示した従来例より使用原料ははる
かに少なくてすむ。
力の適用例を示す。ここで、（ａ）はブロック状の材質
Ａのピース１と材質Ｂのピース２とを放射状に交互に並
べそしてそれらを例えばＨＩＰにより固相接合して直円
柱状のターゲット接合材を作製した状態を示す。（ｂ）
は平板状の材質Ａのピース１と材質Ｂのピース２とを交
互に重ね合わせそして例えばホットプレスにより固相接
合したターゲット接合材を示す。固相接合されたターゲ
ット接合材は所定の直径及び厚さを有するターゲットに
機械加工される。先に示した従来例より使用原料ははる
かに少なくてすむ。
【００１４】ターゲットの形状によっては、一体物では
なく、支障のない範囲で分割しても良い。この場合、大
多数の突き合わせ部が固相接合されているので、異常放
電やロ−材若しくはバッキングプレート材の汚染はほと
んど無いようにすることが可能である。
なく、支障のない範囲で分割しても良い。この場合、大
多数の突き合わせ部が固相接合されているので、異常放
電やロ−材若しくはバッキングプレート材の汚染はほと
んど無いようにすることが可能である。
【００１５】（実施例及び比較例）図２に示すような縞
状に配列したＴａピース（巾：６．５ｍｍ）とＭｏピー
ス（巾：６．５ｍｍ）との突き合わせ部を固相接合した
Ｔａ−Ｍｏの４インチモザイクターゲット（厚さ：５ｍ
ｍ）を作製し、実際にスパッタを行って、スパッタ中の
異常放電の様子を観察し、生成したスパッタ膜の特性を
評価した。
状に配列したＴａピース（巾：６．５ｍｍ）とＭｏピー
ス（巾：６．５ｍｍ）との突き合わせ部を固相接合した
Ｔａ−Ｍｏの４インチモザイクターゲット（厚さ：５ｍ
ｍ）を作製し、実際にスパッタを行って、スパッタ中の
異常放電の様子を観察し、生成したスパッタ膜の特性を
評価した。
【００１６】モザイクターゲットは、図１（ｂ）に示し
たようにして厚さ６．５ｍｍのＴａ板材と厚さ６．５ｍ
ｍのＭｏ板材とを交互に重ね合わせ、ＨＩＰにより固相
接合した。ＨＩＰ条件は、温度：１４００℃、圧力：１
ｋｇ／ｍｍ2 、保持時間：１時間とした。得られた接合
材を４インチターゲットに加工した。接合部分はＳＥＭ
観察により隙間がまったくないことを確認した。このタ
ーゲットをＣｕ製のバッキングプレートにＩｎロー材を
使用してボンディングした。
たようにして厚さ６．５ｍｍのＴａ板材と厚さ６．５ｍ
ｍのＭｏ板材とを交互に重ね合わせ、ＨＩＰにより固相
接合した。ＨＩＰ条件は、温度：１４００℃、圧力：１
ｋｇ／ｍｍ2 、保持時間：１時間とした。得られた接合
材を４インチターゲットに加工した。接合部分はＳＥＭ
観察により隙間がまったくないことを確認した。このタ
ーゲットをＣｕ製のバッキングプレートにＩｎロー材を
使用してボンディングした。
【００１７】このターゲット組立体を次のようなスパッ
タ条件でスパッタした結果、異常放電は１０分間で零回
であった。スパッタ膜からは、バッキングプレートを構
成するＣｕ及びロー材を構成するＩｎはいずれも検出さ
れなかった。 （スパッタ条件）： 雰囲気：Ａｒ 圧力：０．５Ｐａ パワー密度：５Ｗ／ｃｍ2 基板：コーニング７０５９ガラス 基板温度：室温
タ条件でスパッタした結果、異常放電は１０分間で零回
であった。スパッタ膜からは、バッキングプレートを構
成するＣｕ及びロー材を構成するＩｎはいずれも検出さ
れなかった。 （スパッタ条件）： 雰囲気：Ａｒ 圧力：０．５Ｐａ パワー密度：５Ｗ／ｃｍ2 基板：コーニング７０５９ガラス 基板温度：室温
【００１８】比較例として、固相接合を行わない単純な
モザイクターゲットでは、異常放電は数回〜数十回発生
し、スパッタ膜中からはロー材のＩｎが数十〜数百ｐｐ
ｍ検出された。パーティクルの発生量も多かった。
モザイクターゲットでは、異常放電は数回〜数十回発生
し、スパッタ膜中からはロー材のＩｎが数十〜数百ｐｐ
ｍ検出された。パーティクルの発生量も多かった。
【００１９】こうして、突き合わせ部を固相接合するこ
とにより、異常放電やロー材やバッキングプレート材に
よる汚染を防止し、従って膜質の良いスパッタ膜を安定
して成膜しうることが確認される。
とにより、異常放電やロー材やバッキングプレート材に
よる汚染を防止し、従って膜質の良いスパッタ膜を安定
して成膜しうることが確認される。
【００２０】
【発明の効果】本発明のモザイクターゲットを使用した
場合、異常放電やパーティクルの発生がなく、安定した
条件でスパッタを実施することができる。生成されたス
パッタ膜はロー材やバッキングプレート材による汚染が
無く、高品質の膜特性を示す。更に、従来採用されたよ
うな突き合わせ面を複雑に加工する必要がなく、加工に
伴う原料ロス及び加工費を節約することができる。
場合、異常放電やパーティクルの発生がなく、安定した
条件でスパッタを実施することができる。生成されたス
パッタ膜はロー材やバッキングプレート材による汚染が
無く、高品質の膜特性を示す。更に、従来採用されたよ
うな突き合わせ面を複雑に加工する必要がなく、加工に
伴う原料ロス及び加工費を節約することができる。
【図１】ターゲットピースの配列例並びに圧力の適用例
を示し、（ａ）はブロック状の２種のピースを放射状に
交互に並べ、ＨＩＰにより固相接合して直円柱状のター
ゲット接合材を作製した状態を示し、（ｂ）は平板状の
２種のピースを交互に重ね合わせ、ホットプレスにより
固相接合したターゲット接合材を作製した状態を示す。
を示し、（ａ）はブロック状の２種のピースを放射状に
交互に並べ、ＨＩＰにより固相接合して直円柱状のター
ゲット接合材を作製した状態を示し、（ｂ）は平板状の
２種のピースを交互に重ね合わせ、ホットプレスにより
固相接合したターゲット接合材を作製した状態を示す。
【図２】実施例で使用したＴａ−Ｍｏモザイクターゲッ
トを示す上面図である。
トを示す上面図である。
【図３】従来のターゲットピースの突き合わせ部の例を
示し、（ａ）は段付き突き合わせ部を示しそして（ｂ）
は斜切突き合わせ部を示す。
示し、（ａ）は段付き突き合わせ部を示しそして（ｂ）
は斜切突き合わせ部を示す。
１ 材質Ａのピース ２ 材質Ｂのピース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関 孝和 茨城県北茨城市華川町臼場187番地４株 式会社日鉱共石磯原工場内 (56)参考文献 特開 昭61−95788（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−86460（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 14/34
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｔａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｓｉ及
びそれらの合金乃至化合物からなる群から選択された複
数の異種材料ピースから構成されるモザイクターゲット
において、隣り合う異種材料ピースの突き合わせ部をピ
ース材料の融点以下の温度で固相接合したことを特徴と
する半導体デバイス製造用モザイクターゲット。 - 【請求項２】 Ｔａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｓｉ及
びそれらの合金乃至化合物からなる群から選択された複
数の異種材料ピースを縞状に或いは放射状に組合せて配
列することにより構成されるモザイクターゲットにおい
て、隣り合う異種材料ピースの突き合わせ部をピース材
料の融点以下の温度で固相接合したことを特徴とする半
導体デバイス製造用モザイクターゲット。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5196712A JP2898515B2 (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | モザイクターゲット |
| EP94110209A EP0634499B1 (en) | 1993-07-15 | 1994-06-30 | Mosaic sputtering target |
| DE69413327T DE69413327T2 (de) | 1993-07-15 | 1994-06-30 | Mosaik-Zerstäubungs-Target |
| KR1019940016925A KR100215592B1 (ko) | 1993-07-15 | 1994-07-14 | 모자이크 타아겟 |
| US08/392,458 US5466355A (en) | 1993-07-15 | 1995-02-22 | Mosaic target |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5196712A JP2898515B2 (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | モザイクターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0734234A JPH0734234A (ja) | 1995-02-03 |
| JP2898515B2 true JP2898515B2 (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=16362340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5196712A Expired - Lifetime JP2898515B2 (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | モザイクターゲット |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0634499B1 (ja) |
| JP (1) | JP2898515B2 (ja) |
| KR (1) | KR100215592B1 (ja) |
| DE (1) | DE69413327T2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2924891B1 (ja) * | 1998-05-15 | 1999-07-26 | 日本電気株式会社 | スパッタリング装置 |
| US6190516B1 (en) * | 1999-10-06 | 2001-02-20 | Praxair S.T. Technology, Inc. | High magnetic flux sputter targets with varied magnetic permeability in selected regions |
| US6692619B1 (en) * | 2001-08-14 | 2004-02-17 | Seagate Technology Llc | Sputtering target and method for making composite soft magnetic films |
| US20120055787A1 (en) * | 2009-05-28 | 2012-03-08 | Ulvac, Inc. | Sputtering Target and Method of Processing a Sputtering Target |
| KR20170016024A (ko) | 2011-05-10 | 2017-02-10 | 에이치. 씨. 스타아크 아이앤씨 | 멀티-블록 스퍼터링 타겟 및 이에 관한 제조방법 및 물품 |
| DE102013104219A1 (de) | 2012-04-26 | 2013-10-31 | Kramer & Best Process Engineering Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Vogelschutzglases |
| JP6692635B2 (ja) | 2015-12-09 | 2020-05-13 | エドワーズ株式会社 | 連結型ネジ溝スペーサ、および真空ポンプ |
| DE102017128724A1 (de) | 2017-12-04 | 2019-06-06 | Friedrich-Alexander-Universität Erlangen | Schichtsystem, Bauteil und Verfahren zum Beschichten |
| DE102021104255A1 (de) * | 2021-02-23 | 2022-08-25 | Cemecon Ag. | Zerstäubungstarget |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6195788A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-14 | Mitsubishi Metal Corp | 光磁気記録薄膜形成用複合ターゲット材 |
| JPS63216966A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Toshiba Corp | スパツタタ−ゲツト |
| JPH01290765A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット |
| US5190630A (en) * | 1989-03-01 | 1993-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target |
| JPH0539566A (ja) * | 1991-02-19 | 1993-02-19 | Mitsubishi Materials Corp | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
| JPH0586460A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-04-06 | Mitsubishi Materials Corp | スパツタリング用ターゲツトおよびその製造方法 |
| US5282946A (en) * | 1991-08-30 | 1994-02-01 | Mitsubishi Materials Corporation | Platinum-cobalt alloy sputtering target and method for manufacturing same |
-
1993
- 1993-07-15 JP JP5196712A patent/JP2898515B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-06-30 EP EP94110209A patent/EP0634499B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-30 DE DE69413327T patent/DE69413327T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-07-14 KR KR1019940016925A patent/KR100215592B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100215592B1 (ko) | 1999-08-16 |
| DE69413327T2 (de) | 1999-04-29 |
| JPH0734234A (ja) | 1995-02-03 |
| KR950003472A (ko) | 1995-02-16 |
| EP0634499B1 (en) | 1998-09-16 |
| EP0634499A1 (en) | 1995-01-18 |
| DE69413327D1 (de) | 1998-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5466355A (en) | Mosaic target | |
| US7891537B2 (en) | Sputter target and backing plate assembly | |
| US5693203A (en) | Sputtering target assembly having solid-phase bonded interface | |
| EP0342894B1 (en) | Sputtering target | |
| US5593082A (en) | Methods of bonding targets to backing plate members using solder pastes and target/backing plate assemblies bonded thereby | |
| US5653856A (en) | Methods of bonding targets to backing plate members using gallium based solder pastes and target/backing plate assemblies bonded thereby | |
| US5230459A (en) | Method of bonding a sputter target-backing plate assembly assemblies produced thereby | |
| TWI391205B (zh) | 濺鍍靶組件及其製法 | |
| US20100012488A1 (en) | Sputter target assembly having a low-temperature high-strength bond | |
| JP2898515B2 (ja) | モザイクターゲット | |
| JP3525348B2 (ja) | 拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体の製造方法 | |
| EP0575166A1 (en) | Method of manufacturing sputtering target assembly and target assembly | |
| JP4427831B2 (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JP4017198B2 (ja) | スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合方法 | |
| JPS63143258A (ja) | スパツタリング用タ−ゲツト | |
| JP2939751B2 (ja) | 分割スパッタリングターゲット | |
| JPH0762528A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JPH06158296A (ja) | 拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体及びその製造方法 | |
| JP3469261B2 (ja) | 拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体及びその製造方法 | |
| JP4615746B2 (ja) | スパッタリング用チタンターゲット組立て体及びその製造方法 | |
| JPH07316801A (ja) | モザイクターゲット及びその製造方法 | |
| JPH07316802A (ja) | モザイクターゲット及びその製造方法 | |
| US20220415631A1 (en) | Modular sputtering target with precious metal insert and skirt | |
| JPS58100679A (ja) | 高融点金属とケイ素とからなるマグネトロンスパッタ用分割タ−ゲット | |
| JP2001295038A (ja) | モザイク型スパッタリングターゲット |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990223 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090312 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090312 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100312 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100312 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110312 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110312 Year of fee payment: 12 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110312 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120312 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120312 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130312 Year of fee payment: 14 |