JP2588241B2 - スパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JP2588241B2 JP2588241B2 JP63083569A JP8356988A JP2588241B2 JP 2588241 B2 JP2588241 B2 JP 2588241B2 JP 63083569 A JP63083569 A JP 63083569A JP 8356988 A JP8356988 A JP 8356988A JP 2588241 B2 JP2588241 B2 JP 2588241B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- film
- composition
- sputtering target
- alloy
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、スパッタリングターゲットに関し、特に、
複数種類に分割したターゲット片をカソード電極上に配
列してなる複合スパッタリングターゲットの改良に関す
る。
複数種類に分割したターゲット片をカソード電極上に配
列してなる複合スパッタリングターゲットの改良に関す
る。
（従来の技術） 従来、特定の基材上に薄膜を形成する技術としては、
スパッタリング技術が広く知られている。このようなス
パッタリング技術においては、単体成分からなる薄膜以
外にも合金などの複合的成分を構成成分とする薄膜の形
成も種々試みられている。こうしたスパッリング技術に
おいては、たとえばモリブデンとシリコンのように予め
化学量論量から外れる組成比でしかも均一な組成成分を
有するターゲットを作成するのが困難な場合、あるい
は、融点や蒸気圧に大巾な差があり所定の組成比の合金
ターゲット本体を作成するのが困難な場合には、複数種
類の各構成成分ごとに分割して配置した複合スパッタリ
ングターゲットが使用されている（たとえば、特開昭62
−46631号公報参照）。
スパッタリング技術が広く知られている。このようなス
パッタリング技術においては、単体成分からなる薄膜以
外にも合金などの複合的成分を構成成分とする薄膜の形
成も種々試みられている。こうしたスパッリング技術に
おいては、たとえばモリブデンとシリコンのように予め
化学量論量から外れる組成比でしかも均一な組成成分を
有するターゲットを作成するのが困難な場合、あるい
は、融点や蒸気圧に大巾な差があり所定の組成比の合金
ターゲット本体を作成するのが困難な場合には、複数種
類の各構成成分ごとに分割して配置した複合スパッタリ
ングターゲットが使用されている（たとえば、特開昭62
−46631号公報参照）。
上記のような複合ターゲットとしては、複数個の楔形
のターゲット片を交互に組合わせて円板状にしたターゲ
ット、あるいは、たんざく状のターゲット片を交互に配
列して長方形の板状にしたターゲット本体が知られてい
る。
のターゲット片を交互に組合わせて円板状にしたターゲ
ット、あるいは、たんざく状のターゲット片を交互に配
列して長方形の板状にしたターゲット本体が知られてい
る。
（発明が解決しようとする課題） 上記のような複合スパッタリングターゲットを用いて
膜堆積を行うと、たとえば円板状のターゲット本体の場
合はターゲットの半径方向の組成比は同一であるため、
形成される膜組成は均一なものとなり、ターゲットの組
成比に応じた生成膜が得られる。
膜堆積を行うと、たとえば円板状のターゲット本体の場
合はターゲットの半径方向の組成比は同一であるため、
形成される膜組成は均一なものとなり、ターゲットの組
成比に応じた生成膜が得られる。
しかしながら、長方形板状のターゲット本体の場合に
あっては、不可避的に、形成される膜組成とターゲット
の組成比とで差異が生じる場合がある。このことを具体
的に説明する。第３図に示すような従来の複合ターゲッ
トを用いた場合について上記の現象を説明すると、この
複合ターゲット30は、Ta片31とMo片32とが交互に一定の
組成比で配列されている。そして、これをターゲットと
して用いてスパッタリングを行うと、通常、第４図に示
す破線で囲まれた部分がエロージョン領域33となるた
め、長手方向の中央部においてはターゲットの組成比と
生成膜の組成比は１対１に対応しているが、長手方向の
両端部においてはエロージョン領域33が不均一な形状と
なり、したがってターゲットの組成比と生成膜の組成比
が１対１に対応しなくなる（この場合はTaの含有量が目
的組成よりも多くなってしまう）。このため、生成され
る合金膜の物性も、長手方向の両端部において不均一な
ものとなり、成膜効率ならびに製品の歩留りが低下する
という問題がある。
あっては、不可避的に、形成される膜組成とターゲット
の組成比とで差異が生じる場合がある。このことを具体
的に説明する。第３図に示すような従来の複合ターゲッ
トを用いた場合について上記の現象を説明すると、この
複合ターゲット30は、Ta片31とMo片32とが交互に一定の
組成比で配列されている。そして、これをターゲットと
して用いてスパッタリングを行うと、通常、第４図に示
す破線で囲まれた部分がエロージョン領域33となるた
め、長手方向の中央部においてはターゲットの組成比と
生成膜の組成比は１対１に対応しているが、長手方向の
両端部においてはエロージョン領域33が不均一な形状と
なり、したがってターゲットの組成比と生成膜の組成比
が１対１に対応しなくなる（この場合はTaの含有量が目
的組成よりも多くなってしまう）。このため、生成され
る合金膜の物性も、長手方向の両端部において不均一な
ものとなり、成膜効率ならびに製品の歩留りが低下する
という問題がある。
本発明は上述したような従来技術に伴う問題点に鑑み
てなされたものであり、エロージョン領域の形状の如何
に拘らず、堆積膜の膜組成が不均一になることのない複
合スパッタリングターゲットを提供することを目的とし
ている。
てなされたものであり、エロージョン領域の形状の如何
に拘らず、堆積膜の膜組成が不均一になることのない複
合スパッタリングターゲットを提供することを目的とし
ている。
（課題を解決するための手段） 上述した目的を達成するために、本発明によるスパッ
タリングターゲットは、２種以上の金属からなるターゲ
ット片を各金属ごとに分割して複合的に配列してなる平
面形状が長方形からなるスパッタリングターゲットにお
いて、各々のターゲット片の構成金属種を含有成分とす
る合金からなる合金ターゲット片が、前記スパッタリン
グターゲットの長手方向両端部もしくはその近傍に配置
されてなることを特徴としている。
タリングターゲットは、２種以上の金属からなるターゲ
ット片を各金属ごとに分割して複合的に配列してなる平
面形状が長方形からなるスパッタリングターゲットにお
いて、各々のターゲット片の構成金属種を含有成分とす
る合金からなる合金ターゲット片が、前記スパッタリン
グターゲットの長手方向両端部もしくはその近傍に配置
されてなることを特徴としている。
（実施例） 以下、図面に示す本発明の実施例に基いて本発明をさ
らに具体的に説明する。
らに具体的に説明する。
第１図は、本発明の実施例に係るスパッタリングター
ゲット１の平面図であり、この例においては、図示のよ
うにスパッタリングターゲット１の平面形状が長方形か
らなり、この長方形構造は、その両端部を除き、Mo片２
とTa片３とが交互に配置するように構成され、両端部に
は、所定組成比からなるMo−Ta合金からなる合金ターゲ
ット片４が配置されてなる。この合金ターゲット片４の
組成は、端部の形成膜の組成が中央部の形成膜組成と同
一になるように調製することができ、目的とする膜組
成、ターゲットの形状に応じて適宜選択することができ
る。このような合金ターゲット片４を配置することによ
って、端部における形成膜の組成が最適状態に調整さ
れ、ターゲットの組成比と生成膜の組成比を１対１に対
応した状態にすることができるので、従来エロージョン
の態様にしたがって不可避的に生じていた端部における
膜組成の不均一化の問題は解消し、組成ならびに膜特性
（たとえば比抵抗）の均一な堆積膜を得ることができ
る。
ゲット１の平面図であり、この例においては、図示のよ
うにスパッタリングターゲット１の平面形状が長方形か
らなり、この長方形構造は、その両端部を除き、Mo片２
とTa片３とが交互に配置するように構成され、両端部に
は、所定組成比からなるMo−Ta合金からなる合金ターゲ
ット片４が配置されてなる。この合金ターゲット片４の
組成は、端部の形成膜の組成が中央部の形成膜組成と同
一になるように調製することができ、目的とする膜組
成、ターゲットの形状に応じて適宜選択することができ
る。このような合金ターゲット片４を配置することによ
って、端部における形成膜の組成が最適状態に調整さ
れ、ターゲットの組成比と生成膜の組成比を１対１に対
応した状態にすることができるので、従来エロージョン
の態様にしたがって不可避的に生じていた端部における
膜組成の不均一化の問題は解消し、組成ならびに膜特性
（たとえば比抵抗）の均一な堆積膜を得ることができ
る。
上記第１図に示す例は長方形構造の長手方向の両端部
に合金ターゲット片を配置した場合の例であるが、本発
明はこのような態様のみに限定されるものではなく、た
とえば、第２図に示すように、長手方向の両最端部にTa
片３を配置し、これに隣接する部分に合金ターゲット４
を配置することもできる。このように、合金ターゲット
片の部分と単体金属部分を適当に配列させることによっ
て組成を適宜調整することもできる。
に合金ターゲット片を配置した場合の例であるが、本発
明はこのような態様のみに限定されるものではなく、た
とえば、第２図に示すように、長手方向の両最端部にTa
片３を配置し、これに隣接する部分に合金ターゲット４
を配置することもできる。このように、合金ターゲット
片の部分と単体金属部分を適当に配列させることによっ
て組成を適宜調整することもできる。
さらに、本発明においては、上記実施例に示す場合以
外にも、図示はしないが、エロージョン領域の形状が不
均一となり、生成膜の組成に実質的な差異が生じるよう
な部位に、上記のような合金ターゲット片を形成するこ
とができる。
外にも、図示はしないが、エロージョン領域の形状が不
均一となり、生成膜の組成に実質的な差異が生じるよう
な部位に、上記のような合金ターゲット片を形成するこ
とができる。
本発明においては、複合ターゲットの一部分にターゲ
ット片の構成金属種を含有成分とする合金ターゲット片
を配置形成するようにしたので、このスパッタリングタ
ーゲットを用いて得られる堆積膜はその全面において均
一な組成を有し、したがって膜特性も均一なものとなっ
て、品質の向上を図ることができる点ですぐれた効果を
有している。
ット片の構成金属種を含有成分とする合金ターゲット片
を配置形成するようにしたので、このスパッタリングタ
ーゲットを用いて得られる堆積膜はその全面において均
一な組成を有し、したがって膜特性も均一なものとなっ
て、品質の向上を図ることができる点ですぐれた効果を
有している。
第１図および第２図は、本発明の実施例に係るスパッタ
リングターゲットの平面図、第３図ならびに第４図は従
来のスパッタリングターゲットの平面図である。 １……スパッタリングターゲット、２……Mo片、３……
Ta片、４……合金ターゲット片。
リングターゲットの平面図、第３図ならびに第４図は従
来のスパッタリングターゲットの平面図である。 １……スパッタリングターゲット、２……Mo片、３……
Ta片、４……合金ターゲット片。
Claims (1)
- 【請求項１】２種以上の金属からなるターゲット片を各
金属ごとに分割して複合的に配列してなる平面形状が長
方形からなるスパッタリングターゲットにおいて、 各々のターゲット片の構成金属種を含有成分とする合金
からなる合金ターゲット片が、前記スパッタリングター
ゲットの長手方向両端部もしくはその近傍に配置されて
なることを特徴とする、スパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63083569A JP2588241B2 (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63083569A JP2588241B2 (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01255665A JPH01255665A (ja) | 1989-10-12 |
| JP2588241B2 true JP2588241B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=13806147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63083569A Expired - Lifetime JP2588241B2 (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2588241B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2588293B2 (ja) * | 1989-03-01 | 1997-03-05 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットおよび金属膜の形成方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6082662A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-10 | Hitachi Ltd | スパツタタ−ゲツト及びスパツタリング方法 |
| JPS6195788A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-14 | Mitsubishi Metal Corp | 光磁気記録薄膜形成用複合ターゲット材 |
| JPS61103686A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-22 | Mitsubishi Metal Corp | 高融点金属材と珪素材の接合方法 |
-
1988
- 1988-04-05 JP JP63083569A patent/JP2588241B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01255665A (ja) | 1989-10-12 |
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