JPS5983768A - 複合タ−ゲツト - Google Patents
複合タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS5983768A JPS5983768A JP19290882A JP19290882A JPS5983768A JP S5983768 A JPS5983768 A JP S5983768A JP 19290882 A JP19290882 A JP 19290882A JP 19290882 A JP19290882 A JP 19290882A JP S5983768 A JPS5983768 A JP S5983768A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- film
- partially
- sputtering
- mask
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）技術分野
本発明は、スパッタリング法、蒸着法等に用いるターゲ
ットに関するものである。
ットに関するものである。
（ロ）技術の背景
スパッタリング法は、他の薄膜製造方法に較べ、蒸発源
の交換頻度が少なく、交換が容易であることや、蒸気圧
などに左右されず、殆んどの物質の薄膜を得ることがで
きることなどの特長を有しているため広く使用されてい
る。スパックリング法のもう一つの特徴は、複数のター
ゲット物質を同士敵にスーパーツーターナケーグす土と
−ヒーより、他元素を添加したり、混合物あるいは化合
物の薄膜を容易に得ることができることである。
の交換頻度が少なく、交換が容易であることや、蒸気圧
などに左右されず、殆んどの物質の薄膜を得ることがで
きることなどの特長を有しているため広く使用されてい
る。スパックリング法のもう一つの特徴は、複数のター
ゲット物質を同士敵にスーパーツーターナケーグす土と
−ヒーより、他元素を添加したり、混合物あるいは化合
物の薄膜を容易に得ることができることである。
複数のターゲットを同時にスパッタリングするために従
来、次のような複合ターゲットを用いていた。つまり、
ある物質Ａからなる通常のターゲツト面上に添加したい
物質Ｂの小片を部分的に乗せることにより、ターゲット
Ａの表面を部分的にターゲットＢでおおったもの、ある
いは、ターゲットの表面が物質Ａと物質Ｂのある面積比
になるように粉末原料を焼結したものを用いていた。し
かし前者の添加物質の小片を部分的に乗せる場合は、タ
ーゲットが下で基板が上の構造のスパックリング装置で
しか使用できないことや、添加物質の小片がターゲツト
面から浮いているためスパッタリング中に異常発熱を起
すことなどの欠点を有していた。また、後者の場合は、
物質Ａと物質Ｂの混合比を変えるためには、その比率の
ターゲットを用意する必要があることや、細かいパター
ンでターゲット表面の物質を交互に配置することが困難
であること（ターゲット表面の物質を細かいパターンで
交互に配置することにより、均質な膜が得られる）など
の欠点を有していた。
来、次のような複合ターゲットを用いていた。つまり、
ある物質Ａからなる通常のターゲツト面上に添加したい
物質Ｂの小片を部分的に乗せることにより、ターゲット
Ａの表面を部分的にターゲットＢでおおったもの、ある
いは、ターゲットの表面が物質Ａと物質Ｂのある面積比
になるように粉末原料を焼結したものを用いていた。し
かし前者の添加物質の小片を部分的に乗せる場合は、タ
ーゲットが下で基板が上の構造のスパックリング装置で
しか使用できないことや、添加物質の小片がターゲツト
面から浮いているためスパッタリング中に異常発熱を起
すことなどの欠点を有していた。また、後者の場合は、
物質Ａと物質Ｂの混合比を変えるためには、その比率の
ターゲットを用意する必要があることや、細かいパター
ンでターゲット表面の物質を交互に配置することが困難
であること（ターゲット表面の物質を細かいパターンで
交互に配置することにより、均質な膜が得られる）など
の欠点を有していた。
（ハ）発明の開示
本発明はクーゲラｌ−Ａの表面をターゲットＢの膜で部
分的に被覆したターゲットにすることにより」二連の欠
点を解消するものである。
分的に被覆したターゲットにすることにより」二連の欠
点を解消するものである。
以下実施例に従い詳細に説明する。
実施例
直径Ｉ Ｑ Ｑ ｍｙｉで厚さ５憇のガドリニウム（Ｇ
ｄ）の円板状ターゲット上に１０μｍのコバル） （Ｃ
ｏ）膜を真空蒸着法で第１図に示すように部分的に形成
した。第１図に於いて、ｌはＧｄ ターゲットで２は
蒸着形成したＣｏ である。第１図に示すようにＣｏ
を部分的に形成する手段としてマスクを使用した。
ｄ）の円板状ターゲット上に１０μｍのコバル） （Ｃ
ｏ）膜を真空蒸着法で第１図に示すように部分的に形成
した。第１図に於いて、ｌはＧｄ ターゲットで２は
蒸着形成したＣｏ である。第１図に示すようにＣｏ
を部分的に形成する手段としてマスクを使用した。
このマスクの形状を変えることにより、Ｇｄ ターゲ
ット表面のＣｏ の占める割合を任意に変えることが
できる。
ット表面のＣｏ の占める割合を任意に変えることが
できる。
このターゲットを利用し、スパッタリングガスとしてア
ルゴン（Ａｒ ）を使用し、ガス圧５ ｍ Ｔｏｒｒ。
ルゴン（Ａｒ ）を使用し、ガス圧５ ｍ Ｔｏｒｒ。
高周波電力５００Ｗで水冷されたガラス基板上にＧｄ−
Ｃｏ膜を形成した。ターゲット表面のＧｄとＣｏの占め
る割合を変えることにより、Ｃｏ／Ｇｄ十Ｃｏ の値
が０〜１の範囲のｊ良を容易に得ることができた。
Ｃｏ膜を形成した。ターゲット表面のＧｄとＣｏの占め
る割合を変えることにより、Ｃｏ／Ｇｄ十Ｃｏ の値
が０〜１の範囲のｊ良を容易に得ることができた。
本実施例に於いてはターゲットは水冷されてあ・す、タ
ーゲット表面が異常加熱されることはなかった。
ーゲット表面が異常加熱されることはなかった。
以上の説明はＧｄ−Ｃｏ系薄膜の形成について述べたが
、材料はＧｄ−Ｃｏに限るものでなく、また３種類以上
の物質の複合であってもよい。また上記説明では部分的
にターゲット表面をおおう手段として真空蒸着法を使用
した場合について述べたが、他のスパッタリングなどの
ＰＶＤ （Ｐｈｙｓｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ ）法、ＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スクリーン印刷など
による厚膜形成法などの手段で形成してもよいことは明
らかで、複合ターゲットのパターンは第１図に示すパタ
ーンに限るものではない。
、材料はＧｄ−Ｃｏに限るものでなく、また３種類以上
の物質の複合であってもよい。また上記説明では部分的
にターゲット表面をおおう手段として真空蒸着法を使用
した場合について述べたが、他のスパッタリングなどの
ＰＶＤ （Ｐｈｙｓｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ ）法、ＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スクリーン印刷など
による厚膜形成法などの手段で形成してもよいことは明
らかで、複合ターゲットのパターンは第１図に示すパタ
ーンに限るものではない。
またスパッタリングガスとターゲットを反応させてガス
の元素とターゲットの元素の化合物の薄膜を得るいわゆ
る反応性スパッタリングにも応用できることは言うまで
もない。
の元素とターゲットの元素の化合物の薄膜を得るいわゆ
る反応性スパッタリングにも応用できることは言うまで
もない。
以上詳細に説明したごとく、本発明によれば、ｆｌψ、
の混合比のｉｕ 、ｒ′ｉり −ゲソトが容易に１がら
れ、任意のｌ昆ｒ＞比のｉ’！’ｊ膜がＣＩられる。す
：た、本発明によれば、ソ、バック−装置はグー ５′
ツトど基板の位置関係が限定されず、ター５“ソｌ−ｂ
＋、） 、１％ｊ−常発熱が起りない。
の混合比のｉｕ 、ｒ′ｉり −ゲソトが容易に１がら
れ、任意のｌ昆ｒ＞比のｉ’！’ｊ膜がＣＩられる。す
：た、本発明によれば、ソ、バック−装置はグー ５′
ツトど基板の位置関係が限定されず、ター５“ソｌ−ｂ
＋、） 、１％ｊ−常発熱が起りない。
第１図は、＋発明によるｒＶ合クりゲットの平面図であ
る。 １：ＣＪタープ、ソ１−． ２ ： Ｃｏ ５＋−’
７”、ｙ ）−芳１図
る。 １：ＣＪタープ、ソ１−． ２ ： Ｃｏ ５＋−’
７”、ｙ ）−芳１図
Claims (1)
- （１）クーゲットの表面に該ターゲットと異る物質の膜
を部分的に被覆してなることを特徴とするスパッタリン
グ、蒸着法等に用いる複合ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19290882A JPS5983768A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 複合タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19290882A JPS5983768A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 複合タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5983768A true JPS5983768A (ja) | 1984-05-15 |
Family
ID=16298975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19290882A Pending JPS5983768A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 複合タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5983768A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6195788A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-14 | Mitsubishi Metal Corp | 光磁気記録薄膜形成用複合ターゲット材 |
-
1982
- 1982-11-01 JP JP19290882A patent/JPS5983768A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6195788A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-14 | Mitsubishi Metal Corp | 光磁気記録薄膜形成用複合ターゲット材 |
| JPH0459075B2 (ja) * | 1984-10-17 | 1992-09-21 | Mitsubishi Materials Corp |
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