JPS61295366A - 蒸着用マスク材料 - Google Patents
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Classifications
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、基板上の所定領域のみに蒸着させるために
該所定領域以外の基板上を覆う蒸着用マスク材料に関す
る。
該所定領域以外の基板上を覆う蒸着用マスク材料に関す
る。
［従来の技術１
第３図に、従来の蒸着用マスクを用いて基板上の所定領
域のみを蒸着する場合の概略構成図を示す。蒸着される
基板としてのリードフレーム４および蒸発材料としての
アルミニウム２は、一定の真空度を保つためのチャンバ
１内に設置されている。該アルミニウム２はるつぼ３内
に保持されており、該アルミニウムを加熱するための電
子線を与える電子銃６が、さらにチャンバ１内に設けら
れている。リードフレーム４は、Ｆｅ−４２％Ｎｉの材
質（％は重量％を示す、以下同じ；４２％のニッケルを
含み、残部は鉄と不可避的不純物とからなる材質）から
できている。該リードフレーム４の該アルミニウム２設
置側には、蒸着用マスク５が設けられている。該蒸着用
マスク５は、リードフレーム４上の所定領域、すなわち
ボンディングエリア４ａのみが蒸着されるように、該ボ
ンディングエリア４ａ以外のリードフレーム４上を覆っ
ている。
域のみを蒸着する場合の概略構成図を示す。蒸着される
基板としてのリードフレーム４および蒸発材料としての
アルミニウム２は、一定の真空度を保つためのチャンバ
１内に設置されている。該アルミニウム２はるつぼ３内
に保持されており、該アルミニウムを加熱するための電
子線を与える電子銃６が、さらにチャンバ１内に設けら
れている。リードフレーム４は、Ｆｅ−４２％Ｎｉの材
質（％は重量％を示す、以下同じ；４２％のニッケルを
含み、残部は鉄と不可避的不純物とからなる材質）から
できている。該リードフレーム４の該アルミニウム２設
置側には、蒸着用マスク５が設けられている。該蒸着用
マスク５は、リードフレーム４上の所定領域、すなわち
ボンディングエリア４ａのみが蒸着されるように、該ボ
ンディングエリア４ａ以外のリードフレーム４上を覆っ
ている。
第４図は、蒸着用マスク５の形状を示す図である。蒸着
用マスク５の中央部には、スポット的に蒸着を行なうた
めの孔７が設けられている。該蒸着用マスク５の材質と
しては、リードフレーム４と同じ材質であるＦｅ−４２
％Ｎ＋、またはステンレス鋼などが従来一般に用いられ
ている。また、最近では、Ｆｅ−４２％Ｎｉ−０，５〜
６％Ｃｒの材質（４２％ニッケルと０．５〜６％クロム
を含み、残部は鉄と不可避的不純物とからなる材質）も
試みられている。
用マスク５の中央部には、スポット的に蒸着を行なうた
めの孔７が設けられている。該蒸着用マスク５の材質と
しては、リードフレーム４と同じ材質であるＦｅ−４２
％Ｎ＋、またはステンレス鋼などが従来一般に用いられ
ている。また、最近では、Ｆｅ−４２％Ｎｉ−０，５〜
６％Ｃｒの材質（４２％ニッケルと０．５〜６％クロム
を含み、残部は鉄と不可避的不純物とからなる材質）も
試みられている。
第５図は、蒸着用マスク５とリードフレーム４との配置
を示す図である。リードフレーム４上の所定領域、すな
わちハツチングで示したボンディングエリア４ａ上に蒸
着用マスク５の孔７が位置するように配置されている。
を示す図である。リードフレーム４上の所定領域、すな
わちハツチングで示したボンディングエリア４ａ上に蒸
着用マスク５の孔７が位置するように配置されている。
真空蒸着の際、ヂャンバ１内は真空ポンプ（図示されて
いない）によって一定の真空度に保たれ、るつぼ３内の
アルミニウムには、電子銃６からの電子線により加熱さ
れて蒸発する。蒸発したアルミニウムは、蒸着用マスク
５の孔７を通り、リードフレーム４上のボンディングエ
リア４ａに蒸着する。ボンディングエリア４ａ以外のリ
ードフレーム４上は、蒸着用マスク５によって覆われて
いるため、アルミニウムが蒸着しない。
いない）によって一定の真空度に保たれ、るつぼ３内の
アルミニウムには、電子銃６からの電子線により加熱さ
れて蒸発する。蒸発したアルミニウムは、蒸着用マスク
５の孔７を通り、リードフレーム４上のボンディングエ
リア４ａに蒸着する。ボンディングエリア４ａ以外のリ
ードフレーム４上は、蒸着用マスク５によって覆われて
いるため、アルミニウムが蒸着しない。
以上のようにして、ボンディングエリア４ａにアルミニ
ウムを２〜１０μｍの厚みでスポット的に蒸着していた
。
ウムを２〜１０μｍの厚みでスポット的に蒸着していた
。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、蒸着用マスク５の材質として、リードフ
レーム４と同じ材質のＦｅ−４２％Ｎｉを用いた場合、
アルミニウムが蒸着用マスク５にも、蒸着し、該蒸着用
マスク５とリードフレーム４とがアルミニウムを介して
接着するという状態が生じた。この接着のため、蒸着用
マスク５をリードフレーム４から外す際、いわゆる゛ビ
ン曲がり”（リードの曲がり）が生ずるという問題があ
った。
レーム４と同じ材質のＦｅ−４２％Ｎｉを用いた場合、
アルミニウムが蒸着用マスク５にも、蒸着し、該蒸着用
マスク５とリードフレーム４とがアルミニウムを介して
接着するという状態が生じた。この接着のため、蒸着用
マスク５をリードフレーム４から外す際、いわゆる゛ビ
ン曲がり”（リードの曲がり）が生ずるという問題があ
った。
また、蒸着用マスク５の材質として、ステンレス鋼を用
いた場合には、ステンレス鋼の熱膨張係数（０〜３００
℃において１０．５〜１１．５Ｘ１０− ’ ａｍ／’
Ｃ）と、１，１− ドア シーム１フ１材質ｒするＦｅ
−４２％Ｎｉの熱膨張係数（０〜３００℃において４〜
６ｘ １０− ’ ｃｍ／℃）とが大きく異なるため、
゛蒸着位置のずれ°′が生じた。すなわち、リードフレ
ーム４および蒸着マスク５は、蒸着時加熱されて熱膨張
するので、それぞれの熱膨張係数が異なると、アルミニ
ウムのスポット蒸着の位置が、ボンディングエリア４ａ
からずれてしまうという問題を生じた。
いた場合には、ステンレス鋼の熱膨張係数（０〜３００
℃において１０．５〜１１．５Ｘ１０− ’ ａｍ／’
Ｃ）と、１，１− ドア シーム１フ１材質ｒするＦｅ
−４２％Ｎｉの熱膨張係数（０〜３００℃において４〜
６ｘ １０− ’ ｃｍ／℃）とが大きく異なるため、
゛蒸着位置のずれ°′が生じた。すなわち、リードフレ
ーム４および蒸着マスク５は、蒸着時加熱されて熱膨張
するので、それぞれの熱膨張係数が異なると、アルミニ
ウムのスポット蒸着の位置が、ボンディングエリア４ａ
からずれてしまうという問題を生じた。
最近試みられているＦｅ −４２％Ｎｉ −０，５〜６
％Ｃｒを蒸着マスク５の材質として用いた場合には、“
ビン曲がり°゛や“蒸着位置のずれ″は一応改善される
。しかしながら、蒸着精度に対する要求（“蒸着位置の
ずれ″をさらに小さくする）は近年さらに強まっており
、このようなものでは、もはや十分でなくなった。また
、Ｆｅ−４２％Ｎｉ−０，５〜６％Ｃｒは、ＪＩＳ規格
などの一般品がなく、安価に入手できないという問題点
もあった。
％Ｃｒを蒸着マスク５の材質として用いた場合には、“
ビン曲がり°゛や“蒸着位置のずれ″は一応改善される
。しかしながら、蒸着精度に対する要求（“蒸着位置の
ずれ″をさらに小さくする）は近年さらに強まっており
、このようなものでは、もはや十分でなくなった。また
、Ｆｅ−４２％Ｎｉ−０，５〜６％Ｃｒは、ＪＩＳ規格
などの一般品がなく、安価に入手できないという問題点
もあった。
この発明の目的は、以上述べてきた問題点を解消し、゛
ビン曲がり″や“蒸着位置のずれ′を著しく改善した蒸
着用マスクを提供することにある。
ビン曲がり″や“蒸着位置のずれ′を著しく改善した蒸
着用マスクを提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
この発明の要旨は、基板上の所定領域のみに蒸着させる
ため該所定領域以外の基板上を覆う、４２％のニッケル
を含み残部は鉄と不可避的不純物とからなる（Ｆｅ−４
２％Ｎｉの材質からなる）蒸着用マスク材料において、
該蒸着用マスク材料の表面に、熱膨張係数が３〜７Ｘ
１０− ’ ｃｍ／℃であるセラミックスの薄膜が設け
られていることにある。
ため該所定領域以外の基板上を覆う、４２％のニッケル
を含み残部は鉄と不可避的不純物とからなる（Ｆｅ−４
２％Ｎｉの材質からなる）蒸着用マスク材料において、
該蒸着用マスク材料の表面に、熱膨張係数が３〜７Ｘ
１０− ’ ｃｍ／℃であるセラミックスの薄膜が設け
られていることにある。
［作用］
この発明では、Ｆｅ−４２％Ｎｉの材質からなる蒸着用
マスクの表面に、熱膨張係数が３〜７×１０−ＧＣｍ／
”Ｃであるセラミックスの薄膜が設けられている。した
がって、蒸着用マスクの表面は、アルミニウムが蒸着し
にくい表面となっている。
マスクの表面に、熱膨張係数が３〜７×１０−ＧＣｍ／
”Ｃであるセラミックスの薄膜が設けられている。した
がって、蒸着用マスクの表面は、アルミニウムが蒸着し
にくい表面となっている。
また、基板であるリードフレームと同じ材質のＦｅ−４
２％Ｎ１を蒸着用マスクのマスク基体に用い、さらに熱
膨張係数がＦｅ−４２％Ｎｉに近似したセラミックスの
薄膜を該マスク基体上に設けているので、リードフレー
ムと蒸着用マスクがほぼ同じ熱膨張率を示す。
２％Ｎ１を蒸着用マスクのマスク基体に用い、さらに熱
膨張係数がＦｅ−４２％Ｎｉに近似したセラミックスの
薄膜を該マスク基体上に設けているので、リードフレー
ムと蒸着用マスクがほぼ同じ熱膨張率を示す。
［実施例］
第１図は、この発明の蒸着用マスクを用いた場合の真空
蒸着装置を示す概略構成図である６Ｆｅ−４２％Ｎｉの
材質をマスク基体とする蒸着用マスク５のリードフレー
ム４側には、厚み３μｍのアルミナ３ｉ１１１＃５ａが
設けられている。該アルミナ薄膜５ａを介して、蒸着用
マスク５とリードフレーム４とが接している。その他の
構成については、第３図と同様であるので説明を省略す
る。
蒸着装置を示す概略構成図である６Ｆｅ−４２％Ｎｉの
材質をマスク基体とする蒸着用マスク５のリードフレー
ム４側には、厚み３μｍのアルミナ３ｉ１１１＃５ａが
設けられている。該アルミナ薄膜５ａを介して、蒸着用
マスク５とリードフレーム４とが接している。その他の
構成については、第３図と同様であるので説明を省略す
る。
蒸着用マスク５のリードフレーム４側の表面は、アルミ
ナ１ｌｌｌ１５ａで構成されているため、蒸着の際、ア
ルミニウムが蒸着しない。したがって、アルミニウムに
よる蒸着用マスク５とリードフレーム４との接着がない
−ので、′ピン曲がり″が生じない。また、蒸着用マス
ク５のマスク基体の材質は、リードフレーム４と同じ材
質のｌ：ｅ−４２％Ｎｉであり、また該マスク基体上に
設けられるアルミナ薄ＩＩ（熱膨張係数的６Ｘ １０−
’ ｃｅ／’Ｃ）も、リードフレーム４とほぼ同じ熱
膨張係数を有している。したがって、リードフレーム４
と蒸着用マスク５は、蒸着の際加熱されても、はぼ同じ
熱膨張率を示し、“蒸着位置のずれ″は非常に小さいも
のとなる。
ナ１ｌｌｌ１５ａで構成されているため、蒸着の際、ア
ルミニウムが蒸着しない。したがって、アルミニウムに
よる蒸着用マスク５とリードフレーム４との接着がない
−ので、′ピン曲がり″が生じない。また、蒸着用マス
ク５のマスク基体の材質は、リードフレーム４と同じ材
質のｌ：ｅ−４２％Ｎｉであり、また該マスク基体上に
設けられるアルミナ薄ＩＩ（熱膨張係数的６Ｘ １０−
’ ｃｅ／’Ｃ）も、リードフレーム４とほぼ同じ熱
膨張係数を有している。したがって、リードフレーム４
と蒸着用マスク５は、蒸着の際加熱されても、はぼ同じ
熱膨張率を示し、“蒸着位置のずれ″は非常に小さいも
のとなる。
第２図に、真空度１０− ’ Ｔｏｒｒ、リードフレー
ム濡洩３００℃の条件下で、ボンディングエリア４ａの
先端から１．２７１ｍｍまでの部分にアルミニウム蒸着
を行なった際のアルミニウム蒸着位置の分布を示す。こ
の発明の蒸着用マスクを用いた場合を実線で、Ｆｅ−４
２％Ｎｉ−１％Ｃ「の蒸着用マスクを用いた場合を一点
鎖線で、Ｆｅ −２５％Ｃｒ系ステンレスのＭ着用マス
クを用いた場合を点線でそれぞれ示す。分布のばらつき
を示す標準偏差σにおいて、この発明によるものは０．
０１、他の従来のものは０．０５と０．０９であり、こ
の発明によるものの方が、“蒸発位置のずれ”は、はる
かに小さくなっている。
ム濡洩３００℃の条件下で、ボンディングエリア４ａの
先端から１．２７１ｍｍまでの部分にアルミニウム蒸着
を行なった際のアルミニウム蒸着位置の分布を示す。こ
の発明の蒸着用マスクを用いた場合を実線で、Ｆｅ−４
２％Ｎｉ−１％Ｃ「の蒸着用マスクを用いた場合を一点
鎖線で、Ｆｅ −２５％Ｃｒ系ステンレスのＭ着用マス
クを用いた場合を点線でそれぞれ示す。分布のばらつき
を示す標準偏差σにおいて、この発明によるものは０．
０１、他の従来のものは０．０５と０．０９であり、こ
の発明によるものの方が、“蒸発位置のずれ”は、はる
かに小さくなっている。
さらに、この発明の蒸着用マスクは、従来の材質の蒸着
用マスクの表面に、単にセラミックスの薄膜を設けるだ
けであるので、容易に製造できるし、また容易に入手で
きるという利点がある。
用マスクの表面に、単にセラミックスの薄膜を設けるだ
けであるので、容易に製造できるし、また容易に入手で
きるという利点がある。
この実施例においては、蒸着用マスク５のリードフレー
ム４側の全面にアルミナ薄膜を設けているが、蒸着用マ
スク５とリードフレーム４との接着は主として孔７の周
辺で生じるので、蒸着用マスク５の孔７の周辺部にのみ
アルミナｓｍを設けるだけでも、この発明の効果は十分
に発揮され得る。
ム４側の全面にアルミナ薄膜を設けているが、蒸着用マ
スク５とリードフレーム４との接着は主として孔７の周
辺で生じるので、蒸着用マスク５の孔７の周辺部にのみ
アルミナｓｍを設けるだけでも、この発明の効果は十分
に発揮され得る。
この発明に用いられるセラミックスとしては、この実施
例で用いたアルミナのほかに、たとえば、窒化アルミニ
ウム、窒化珪素、炭化珪素、炭化チタン、酸化ベリリウ
ムなどを挙げることができる。
例で用いたアルミナのほかに、たとえば、窒化アルミニ
ウム、窒化珪素、炭化珪素、炭化チタン、酸化ベリリウ
ムなどを挙げることができる。
また、熱膨張係数が３〜７ｘ１０− ｌ′ｃｍ／’Ｃで
あれば、これらに限定されず、用いることができる。
あれば、これらに限定されず、用いることができる。
さらに、単一成分の膜のみならず、他成分の躾あるいは
多層膜として設けることも可能である。
多層膜として設けることも可能である。
ＷＩＷＡを蒸着用マスクのマスク基体の上に設ける方法
としては、特に限定されないが、ＰＶＤまたはＣｖＤな
どの方法で設けることができる。薄膜の厚みとしては、
０．２μｍ以上１０μｍ以下が好ましい。０．２μ層未
満では、薄膜の薄いところでアルミニウムが付着し、°
゛ピ２曲り”が発生しやすい。１０μｍを越えると、薄
膜自体が破壊し、ｉｓの剥離するおそれが出てくる。
としては、特に限定されないが、ＰＶＤまたはＣｖＤな
どの方法で設けることができる。薄膜の厚みとしては、
０．２μｍ以上１０μｍ以下が好ましい。０．２μ層未
満では、薄膜の薄いところでアルミニウムが付着し、°
゛ピ２曲り”が発生しやすい。１０μｍを越えると、薄
膜自体が破壊し、ｉｓの剥離するおそれが出てくる。
この実施例では、基板としてリードフレームを用い、蒸
発材料としてアルミニウムを用いているが、その他の基
板およびその他の金属に対してもこの発明は有効に利用
することができる。また、蒸着のみならず、スパッタリ
ングの際にも、この発明の蒸着用マスクを利用すること
ができる。
発材料としてアルミニウムを用いているが、その他の基
板およびその他の金属に対してもこの発明は有効に利用
することができる。また、蒸着のみならず、スパッタリ
ングの際にも、この発明の蒸着用マスクを利用すること
ができる。
［効果］
この発明では、蒸着用マスクの表面にセラミックスの薄
膜が設けられているので、蒸着用マスクの表面はアルミ
ニウムが蒸着しない。したがって、基板としてのリード
フレームと蒸着用マスクとの接着がなく、“ビン曲がり
″を生じない。また、該セラミックスの熱膨張計数が３
〜７Ｘ１０−’ｃｔａ／ ”Ｃであり、マスク基体がリ
ードフレームと同じ材質であるので、蒸着の際加熱され
ても、蒸着用マスクとリードフレームはほぼ同じ熱膨張
率を示す。したがって、°゛蒸着位置のずれ”は著しく
小さいものとなる。
膜が設けられているので、蒸着用マスクの表面はアルミ
ニウムが蒸着しない。したがって、基板としてのリード
フレームと蒸着用マスクとの接着がなく、“ビン曲がり
″を生じない。また、該セラミックスの熱膨張計数が３
〜７Ｘ１０−’ｃｔａ／ ”Ｃであり、マスク基体がリ
ードフレームと同じ材質であるので、蒸着の際加熱され
ても、蒸着用マスクとリードフレームはほぼ同じ熱膨張
率を示す。したがって、°゛蒸着位置のずれ”は著しく
小さいものとなる。
第１図は、この発明の蒸着用マスクを用いた場合の真空
蒸着装置を示す概略構成図である。第２図は、この発明
の蒸着用マスクを用いた場合と、従来の蒸着用マスクを
用いた場合のアルミニウム蒸着位置の分布を示す図であ
る。第３図は、従来の蒸着用マスクを用いた場合の真空
蒸着装置の概略構成図である。第４図は、蒸着用マスク
の形状を示す図である。第５図は、蒸着用マスクとり一
ドフレームとの配置を示す図である。 図において、４はリードフレーム、４ａはボンディング
エリア、５は蒸着用マスク、５ａは蒸着用マスク上のア
ルミナ３ｉ１１１１．７は蒸着用マスクの孔を示す。 ￥、１図 第２ 図 １．０９ ＋、１７ １．２５
１．３３ １．４１
１．４９−薫着位１ （ｍｍ）
蒸着装置を示す概略構成図である。第２図は、この発明
の蒸着用マスクを用いた場合と、従来の蒸着用マスクを
用いた場合のアルミニウム蒸着位置の分布を示す図であ
る。第３図は、従来の蒸着用マスクを用いた場合の真空
蒸着装置の概略構成図である。第４図は、蒸着用マスク
の形状を示す図である。第５図は、蒸着用マスクとり一
ドフレームとの配置を示す図である。 図において、４はリードフレーム、４ａはボンディング
エリア、５は蒸着用マスク、５ａは蒸着用マスク上のア
ルミナ３ｉ１１１１．７は蒸着用マスクの孔を示す。 ￥、１図 第２ 図 １．０９ ＋、１７ １．２５
１．３３ １．４１
１．４９−薫着位１ （ｍｍ）
Claims (4)
- （１）基板上の所定領域のみに蒸着させるため前記所定
領域以外の基板上を覆う、４２重量％のニッケルを含み
、残部は鉄と不可避的不純物とからなる、蒸着用マスク
材料において、 前記蒸着用マスク材料の表面に、熱膨張係数が３〜７×
１０＾−＾６ｃｍ／℃であるセラミックスの薄膜が設け
られていることを特徴とする、蒸着用マスク材料。 - （２）前記セラミックスが、アルミナ、窒化アルミニウ
ム、窒化珪素、炭化珪素、炭化チタンおよび酸化ベリリ
ウムからなる群より選ばれた１種または２種以上のセラ
ミックスであることを特徴とする、特許請求の範囲第１
項記載の蒸着用マスク材料。 - （３）前記セラミックスが、アルミナであることを特徴
する、特許請求の範囲第２項記載の蒸着用マスク材料。 - （４）前記セラミックスの薄膜の厚みが、０．２〜１０
μｍであることを特徴とする特許請求の範囲第１．２ま
たは３項記載の蒸着用マスク材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13869785A JPS61295366A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 蒸着用マスク材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13869785A JPS61295366A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 蒸着用マスク材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61295366A true JPS61295366A (ja) | 1986-12-26 |
Family
ID=15228005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13869785A Pending JPS61295366A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 蒸着用マスク材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61295366A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07166318A (ja) * | 1994-09-22 | 1995-06-27 | Toshiba Corp | 被覆パターン形成用マスク |
| US6821561B2 (en) * | 2002-03-26 | 2004-11-23 | Analog Devices, Inc. | Method for thin film deposition matching rate of expansion of shadow mask to rate of expansion of substrate |
| KR100497088B1 (ko) * | 2001-08-31 | 2005-06-23 | 산요덴키가부시키가이샤 | 일렉트로 루미네센스 표시 패널의 제조 방법 및 증착 마스크 |
-
1985
- 1985-06-24 JP JP13869785A patent/JPS61295366A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07166318A (ja) * | 1994-09-22 | 1995-06-27 | Toshiba Corp | 被覆パターン形成用マスク |
| KR100497088B1 (ko) * | 2001-08-31 | 2005-06-23 | 산요덴키가부시키가이샤 | 일렉트로 루미네센스 표시 패널의 제조 방법 및 증착 마스크 |
| US6821561B2 (en) * | 2002-03-26 | 2004-11-23 | Analog Devices, Inc. | Method for thin film deposition matching rate of expansion of shadow mask to rate of expansion of substrate |
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