JPS61197430A - 光学ガラス素子成形用金型とその製造方法 - Google Patents
光学ガラス素子成形用金型とその製造方法Info
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- JPS61197430A JPS61197430A JP3814485A JP3814485A JPS61197430A JP S61197430 A JPS61197430 A JP S61197430A JP 3814485 A JP3814485 A JP 3814485A JP 3814485 A JP3814485 A JP 3814485A JP S61197430 A JPS61197430 A JP S61197430A
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ＬｌＬ立Ｍ豆万
本発明は、光学ガラス素子成形用金型に係り、特に光学
ガラスを加熱プレスにより所望の成形品にするための光
学ガラス素子成形用金型とその製造方法に関する。
ガラスを加熱プレスにより所望の成形品にするための光
学ガラス素子成形用金型とその製造方法に関する。
良釆弦涛
従来から光学ガラスを加熱プレスにより所望の成形品に
することは、特公昭５５−１１６２４号公報により知ら
れている。しかし、この手段による場合は、加熱プレス
用金型との離型性に問題があり、特に像形成用光学レン
ズに要求される厳密な表面形状および表面特性を満足す
ることは困難である。これは、離型性がプレス金型の材
質に起因するガラス濡れ性に大きく依存していることに
なる。
することは、特公昭５５−１１６２４号公報により知ら
れている。しかし、この手段による場合は、加熱プレス
用金型との離型性に問題があり、特に像形成用光学レン
ズに要求される厳密な表面形状および表面特性を満足す
ることは困難である。これは、離型性がプレス金型の材
質に起因するガラス濡れ性に大きく依存していることに
なる。
上記離型性の向上を図る手段として、金型の材料にガラ
ス状炭素、タングステン合金または石英ガラスを用いた
ものが米国特許第４０９８５９６号およびオランダ国特
許第８００３０号明細書に開示されており、また、金型
材料にＳＵＳ ４００系ステンレス鋼を用いたものが米
国特許第３１６８６１号明細書に開示されている。
ス状炭素、タングステン合金または石英ガラスを用いた
ものが米国特許第４０９８５９６号およびオランダ国特
許第８００３０号明細書に開示されており、また、金型
材料にＳＵＳ ４００系ステンレス鋼を用いたものが米
国特許第３１６８６１号明細書に開示されている。
しかし、上記ステンレス鋼等の金属からなる金型は、ガ
ラスの成形および熱間加圧の各行程における温度サイク
ルにより結晶粒の成長を生じて結晶構造が変化し、この
結晶金型の表面が肌荒れしたものとなり、ひいては成形
品の表面形状や離型性を劣化せしめ成形早期に製品の平
滑度や光沢を損なうとともに、金型寿命を非常に短くす
るという問題がある。
ラスの成形および熱間加圧の各行程における温度サイク
ルにより結晶粒の成長を生じて結晶構造が変化し、この
結晶金型の表面が肌荒れしたものとなり、ひいては成形
品の表面形状や離型性を劣化せしめ成形早期に製品の平
滑度や光沢を損なうとともに、金型寿命を非常に短くす
るという問題がある。
また、ガラス状炭素からなる金型は、酸化しやすくかつ
構造的に弱く成形面に損傷を受けやすいという問題があ
り、しかも、熱伝導度が低くかつ耐破壊衝撃力も低いと
いう問題がある。このことは、ガラスを加熱軟化して加
圧成形するのに好ましくないものである。
構造的に弱く成形面に損傷を受けやすいという問題があ
り、しかも、熱伝導度が低くかつ耐破壊衝撃力も低いと
いう問題がある。このことは、ガラスを加熱軟化して加
圧成形するのに好ましくないものである。
さらに５石英ガラスからなる金型は、高い濡れ性を有す
るとともに、熱伝導度が低いので、上記ガラス状炭素か
らなる金型と同様の問題を有している。
るとともに、熱伝導度が低いので、上記ガラス状炭素か
らなる金型と同様の問題を有している。
また、金型材料にＴｉＮを用いたものも、特開昭５９−
１２３６２９号公報に提案されているが、金型温度が５
００℃以上になると酸化してしまい、高温の成形加工に
適さないという問題を有している。
１２３６２９号公報に提案されているが、金型温度が５
００℃以上になると酸化してしまい、高温の成形加工に
適さないという問題を有している。
魚Ｊヱ）［Ｊ拍
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、高温時に
おける離型性および表面特性の向上を図ることができか
つ寿命の長い光学ガラス素子成形用金型を提供すること
を目的とするものである。
おける離型性および表面特性の向上を図ることができか
つ寿命の長い光学ガラス素子成形用金型を提供すること
を目的とするものである。
ｉ立り貞羞
上記目的を達成するため本発明に係る光学ガラス素子成
形用金型は、所望の成形物にプレス成形するために形成
された所定形状を有する成形面に、ＡＩＮからなる被着
膜を形成したことをその特徴とするとともに上記ＡＩＮ
からなる被着膜の形成に当り、ＰＶＤ法（物理的蒸着法
）により蒸着膜を蒸着して形成することをその特徴とす
るものである。
形用金型は、所望の成形物にプレス成形するために形成
された所定形状を有する成形面に、ＡＩＮからなる被着
膜を形成したことをその特徴とするとともに上記ＡＩＮ
からなる被着膜の形成に当り、ＰＶＤ法（物理的蒸着法
）により蒸着膜を蒸着して形成することをその特徴とす
るものである。
又厘町
以下１本発明の実施例をｉ１図乃至第３図を参照して説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例を示したもので、金型１は、
上面に所望の成形物に対応する形状すなわち本実施例に
おいては球面状に形成された成形面２を有しており、こ
の金型１は、Ｃｒ ｒ Ｍ ｏ ＊Ｗを含有し約０．０
２％以下の極低炭素のＮｉ基合金を鍛造圧延し、硬度を
ＨＰＬＣ４０以上に高めたものを所定形状に加工したも
のである。
上面に所望の成形物に対応する形状すなわち本実施例に
おいては球面状に形成された成形面２を有しており、こ
の金型１は、Ｃｒ ｒ Ｍ ｏ ＊Ｗを含有し約０．０
２％以下の極低炭素のＮｉ基合金を鍛造圧延し、硬度を
ＨＰＬＣ４０以上に高めたものを所定形状に加工したも
のである。
そして、上記成形面２には、ＡＩＮの被着膜３が形成さ
れており、この被着膜３は、上記成形面２をダイヤモン
ドペーストにより最終的に＃８０００−１４０００の細
かいもので研磨し、さらに、５ｉＯｚ系の微粒研磨材で
仕上げ研磨を行ない表面粗さをＲ腸ａｘ ＝０．０２４
ｍ以下とした後に、イオンビームスパッタリング装置に
より蒸着形成されるものである。このイオンビームスパ
ッタリング装置は、第２図に示すように、真空チャンバ
４には、イオンビーム源５が連通して設けられ、真空チ
ャンバ４内には、上記イオンビーム源５からのイオンビ
ーム照射方向に対してほぼ４５°の角度を有するように
、ＡＩＮの焼結体からなるターゲット６が配設されてい
る。また、上記真空チャンバ４の内部であって上記ター
ゲット６に対してほぼ４５°の角度を有するように対向
する位置には、金型１を支持する基台７が配設され、こ
の基台７の内部には、冷却水管８およびヒータ９が導通
され、基台７に接続された熱電対ＩＯの測定温度に応じ
て基台７の温度を高精度に制御するようになされている
。さらに、真空チャンバ４には、排気系接続用の排気口
１１が設けられている。
れており、この被着膜３は、上記成形面２をダイヤモン
ドペーストにより最終的に＃８０００−１４０００の細
かいもので研磨し、さらに、５ｉＯｚ系の微粒研磨材で
仕上げ研磨を行ない表面粗さをＲ腸ａｘ ＝０．０２４
ｍ以下とした後に、イオンビームスパッタリング装置に
より蒸着形成されるものである。このイオンビームスパ
ッタリング装置は、第２図に示すように、真空チャンバ
４には、イオンビーム源５が連通して設けられ、真空チ
ャンバ４内には、上記イオンビーム源５からのイオンビ
ーム照射方向に対してほぼ４５°の角度を有するように
、ＡＩＮの焼結体からなるターゲット６が配設されてい
る。また、上記真空チャンバ４の内部であって上記ター
ゲット６に対してほぼ４５°の角度を有するように対向
する位置には、金型１を支持する基台７が配設され、こ
の基台７の内部には、冷却水管８およびヒータ９が導通
され、基台７に接続された熱電対ＩＯの測定温度に応じ
て基台７の温度を高精度に制御するようになされている
。さらに、真空チャンバ４には、排気系接続用の排気口
１１が設けられている。
上記装置においては、基台７に金型１をその成形面２が
ターゲット６に対向するように取付け、真空チャンバ４
を排気系により排気口１１を介して真空排気する。そし
て、イオンビーム源５からＡｒイオンビームあるいはＮ
イオンビームをターゲット６に照射し、ターゲツト材で
あるＡＩＮを飛散させ金型１の成形面２に堆積させるこ
とにより、ＡＩＮの被着膜３を形成するようになされる
。
ターゲット６に対向するように取付け、真空チャンバ４
を排気系により排気口１１を介して真空排気する。そし
て、イオンビーム源５からＡｒイオンビームあるいはＮ
イオンビームをターゲット６に照射し、ターゲツト材で
あるＡＩＮを飛散させ金型１の成形面２に堆積させるこ
とにより、ＡＩＮの被着膜３を形成するようになされる
。
この装置を用いて下表の条件に従ってスパッタリングを
行なったところ、１．５ ｐ、ｔａ厚のＡＩＮ膜を得る
ことができた。
行なったところ、１．５ ｐ、ｔａ厚のＡＩＮ膜を得る
ことができた。
このＡＩＮ膜は極めて 密であり、従来のものと比較し
て高温（５００℃以上）における離型性が著しく向上し
ていることが確認され、さらに、表面粗さについても、
従来のものが高温時に劣化してＲａ＋ａｘ ＝０．０４
〜０．０５ｇｍであるのに対して、向上していることが
わかった。
て高温（５００℃以上）における離型性が著しく向上し
ていることが確認され、さらに、表面粗さについても、
従来のものが高温時に劣化してＲａ＋ａｘ ＝０．０４
〜０．０５ｇｍであるのに対して、向上していることが
わかった。
なお、ＡＩＮ膜を形成する手段として、ターゲットなＡ
ｌにより形成し、真空チャンバ内をＮガスまたはＮＨガ
スの雰囲気としてスパッタリングを行なうようにしても
よい、また、上記金型をＷ Ｃ−Ｃｏ合金やＦｅ基耐熱
合金により形成するようにしてもよく、上述のＮｉ基合
金やＷＣ−Ｃｏ合金からなる金型の場合には、Ｎ ガス
やＮＨガス雰囲気中でＡ１粒子の活性化をプラズマ放電
で行なう活性化イオンブレーティング法によりＡＩＮ膜
を形成するようにすれば、速い蒸着速度でかつ化学量論
比を有する膜形成が可能となる。
ｌにより形成し、真空チャンバ内をＮガスまたはＮＨガ
スの雰囲気としてスパッタリングを行なうようにしても
よい、また、上記金型をＷ Ｃ−Ｃｏ合金やＦｅ基耐熱
合金により形成するようにしてもよく、上述のＮｉ基合
金やＷＣ−Ｃｏ合金からなる金型の場合には、Ｎ ガス
やＮＨガス雰囲気中でＡ１粒子の活性化をプラズマ放電
で行なう活性化イオンブレーティング法によりＡＩＮ膜
を形成するようにすれば、速い蒸着速度でかつ化学量論
比を有する膜形成が可能となる。
また、本発明の他の実施例として、金型ｌをセラミック
材により形成してもよい、この場合、セラミック材とし
てＡＩＮ焼結体を用い、上述の実施例と同様、成形面２
をダイヤモンドペーストにより研磨した後、成形面２に
ＲＦスパッタリング装置によりＡＩＮからなる被着ｎり
３を形成させる。このＲＦスパッタリング装置は、第３
図に示すように、真空チャンバ１２の内部上面には、こ
のチャンバ上板と一体に形成されたホルダ１３が設けら
れ、真空チャンバ１２の内部下面には、上記ホルダ１３
に対向するＡＩＮ焼結体により形成されたターゲット電
極１４が設けられている。また、真空チャンバ１２には
、図示しない排気系に接続される排気口１５およびガス
導入口１６がそれぞれ設けられており、さらに、アース
されたホルダ１３とターゲット電極１４との間に高周波
電圧を印加する高周波電源１７が設けられている。
材により形成してもよい、この場合、セラミック材とし
てＡＩＮ焼結体を用い、上述の実施例と同様、成形面２
をダイヤモンドペーストにより研磨した後、成形面２に
ＲＦスパッタリング装置によりＡＩＮからなる被着ｎり
３を形成させる。このＲＦスパッタリング装置は、第３
図に示すように、真空チャンバ１２の内部上面には、こ
のチャンバ上板と一体に形成されたホルダ１３が設けら
れ、真空チャンバ１２の内部下面には、上記ホルダ１３
に対向するＡＩＮ焼結体により形成されたターゲット電
極１４が設けられている。また、真空チャンバ１２には
、図示しない排気系に接続される排気口１５およびガス
導入口１６がそれぞれ設けられており、さらに、アース
されたホルダ１３とターゲット電極１４との間に高周波
電圧を印加する高周波電源１７が設けられている。
さらに、ホルダ１３とターゲット電極１４との間には、
開閉自在にシャッタ１８が配設されている。
開閉自在にシャッタ１８が配設されている。
上記装置においては、真空チャンバ１２を真空排気しガ
ス導入口１６からＡｒ等の不活性ガスを導入して所定圧
のガス雰囲気とした後、ターゲット電極１４とホルダ１
３との間に高周波電源１７により数ＫＶの高周波電圧を
印加してプラズマを発生させ、ターゲット材料を飛散さ
せることにより、ホルダ１３に取付けられた金型にＡＩ
Ｎ膜を形成するようになされる。これにより、金型１の
成形面２に３ルｍ厚のＡＩＮの被着膜３が形成され、多
結晶体であるＡＩＮ焼結体により形成された金型に研磨
後も残留する段差を除去することができる。
ス導入口１６からＡｒ等の不活性ガスを導入して所定圧
のガス雰囲気とした後、ターゲット電極１４とホルダ１
３との間に高周波電源１７により数ＫＶの高周波電圧を
印加してプラズマを発生させ、ターゲット材料を飛散さ
せることにより、ホルダ１３に取付けられた金型にＡＩ
Ｎ膜を形成するようになされる。これにより、金型１の
成形面２に３ルｍ厚のＡＩＮの被着膜３が形成され、多
結晶体であるＡＩＮ焼結体により形成された金型に研磨
後も残留する段差を除去することができる。
本実施例に係る金型を用いてＳＦ系ガラスとの濡れ角を
測定した結果、５５０℃において濡れ角θ＝１１０＠
という値を得ることができ、これは、ＳｉＪ Ｎａ（シ
リコンナイトライド）、ＴｉＮに比べて同等以上に濡れ
性の低いことを示しており、したがって、高い離型性を
得ることが可能となる。さらに、本実施例においては、
金型材料と被着膜とが同じ材質で構成されるので、密着
度が極めて高く剥離等を生じることがない。
測定した結果、５５０℃において濡れ角θ＝１１０＠
という値を得ることができ、これは、ＳｉＪ Ｎａ（シ
リコンナイトライド）、ＴｉＮに比べて同等以上に濡れ
性の低いことを示しており、したがって、高い離型性を
得ることが可能となる。さらに、本実施例においては、
金型材料と被着膜とが同じ材質で構成されるので、密着
度が極めて高く剥離等を生じることがない。
なお、上記セラミック材としてＳｉＪ Ｎ＋を用いるよ
うにしてもよく、この場合は、ＡＩＮを被着源とした電
子ビームスバッタリングと金型の成形面に対するＮイオ
ンビーム照射とを同時に行なう手段により、ＡＩＮ膜を
形成させるようにすればよい。
うにしてもよく、この場合は、ＡＩＮを被着源とした電
子ビームスバッタリングと金型の成形面に対するＮイオ
ンビーム照射とを同時に行なう手段により、ＡＩＮ膜を
形成させるようにすればよい。
魚１と也λ
以上述べたように本発明は、所望の成形物をプレス成型
するための成形面にＡＩＮの被Ｓ膜を形成して構成した
ので、成形面が高い温度においても高硬度を有しかつ酸
化しにくくなり、したがって高温時（６００℃以上）で
の離型性の向上および表面粗さの向上を図ることができ
る。その結果、高い型温度を必要とするプレス成形を高
い面精度で行なうことができ、さらに、低い型温度では
金型寿命を著しく長くすることが可能となる等の効果を
奏する。特に本発明の第２発明によれば、第１発明の光
学ガラス素子成形用金型を適確に製造することができる
。
するための成形面にＡＩＮの被Ｓ膜を形成して構成した
ので、成形面が高い温度においても高硬度を有しかつ酸
化しにくくなり、したがって高温時（６００℃以上）で
の離型性の向上および表面粗さの向上を図ることができ
る。その結果、高い型温度を必要とするプレス成形を高
い面精度で行なうことができ、さらに、低い型温度では
金型寿命を著しく長くすることが可能となる等の効果を
奏する。特に本発明の第２発明によれば、第１発明の光
学ガラス素子成形用金型を適確に製造することができる
。
第１図乃至第３図はそれぞれ本発明の一実施例を示した
もので、第１図は金型の縦断面図、第２図はイオンビー
ムスパッタリング装置の概略構成図、第３図はＲＦスパ
ッタリング装置の概略構成図である。 ｌ・・・金型 ２・・・成形面 ３・・・被着脱 ４．１２・・・真空チャンバ ５・・・イオンビーム源 ６・・・ターゲット ７・・・基台 ８・・・冷却水管 ９・・・ヒータ １０・・・熱電対 １１．１５・・・排気口 １３・・・ホルダ １４・・・ターゲット電極 １６・・・ガス導入口 １７・・・高周波電源 １８・・・シャッタ 第１図 手続補正書（自発） 昭和６０年１０月１１日 ｌ、事件の表示 昭和６０年特許願第３８１４４号 ２・発明の名称 光学ガラス素子成形用金型とその製造方法３、補正をす
る者 有性との関係 特 許 出 願 人 住 所 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番２号名
称 （０３７）オリンパス光学工業株式会社代表者 下
山 敏 部 ４、代 理 人 ５、補正命令の日付 ７、補正の内容 （１） 特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 （２明細書第３頁第８行目から同頁第９行目に記載する
［しかし、この手段による場合は、加熱プレス用金型」
を「しかし、該公報における金型による場合は、ガラス
素材と加熱プレス用金型」と補正する。 （３）明細書第３頁第１４行目に記載する「なる。」を
「よる、」と補正する。 （４）明細書第６頁第６行目に記載する「極低炭素の」
を「極低炭素含有の」と補正する。 （５）明細書第９頁第２行目から同頁３行目及び同頁第
７行目に記載する「Ｎガス」を「Ｎ２ガス」と補正する
。 （Ｑ 明細書第９頁第３行目及び同頁第８行目に記載す
るｒＮＨガス」をｒ Ｎ Ｈ３ガス」と補正する。 ８、添付書類の目録 （１） 別紙 １通別
紙 ２、特許請求の範囲 （１） 所望の成形物にプレス成形するため所定形状
の成形面が形成された光学ガラス素子成形用金型におい
て、上記成形面にＡＩＮからなる被着膜を形成したこと
を特徴とする光学ガラス素子成形用金型。 （り 上記金型をＮｉ基合金、Ｆｅ基基体金合金るいは
ＷＣ−Ｃｏ系合金のいずれかの金属材料により形成した
ことを特徴とする特許請求の範囲ｍ１１項記載光学ガラ
ス素子成形用金型。 （３）上記金型をＡＩＮあるいはＳｉ３Ｎｇのいずれか
を主成分とするセラミック材料により形成したことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学ガラス素子成
形用金型。 （４）所望の成形物にプレス成形するため所定形状の成
形面が形成された光学ガラス素子成形用金型の製造方法
において、 Ｊ２記金型の成形面にＰＶＤ法（物理的蒸着法）により
ＡＩＮからなる蒸ＭＨを蒸着することを特徴とする光学
ガラス素子成形用金型の製造方法。 ■ 上記ＰＶＤ法はイオンビームスパッタリングまたは
ＲＦスパッタリング等のスパッタリングを用いることを
特徴とする特許請求の範囲第４項記載の光学ガラス素子
成形用金型の製造方法。 （６） 上記ＰＶＤ法はイオンブレーティング法を用
いることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の光学
ガラス素子成形用金型の製造方法。 ■ 上記成形面は、Ｒｗａｘで０．０５７ｚｍ以下の面
粗さに加工した後、−上記蒸着膜を蒸着することを特徴
とする特許請求の範囲第４項記載の光学ガラス素子成形
用金型の製造方法。
もので、第１図は金型の縦断面図、第２図はイオンビー
ムスパッタリング装置の概略構成図、第３図はＲＦスパ
ッタリング装置の概略構成図である。 ｌ・・・金型 ２・・・成形面 ３・・・被着脱 ４．１２・・・真空チャンバ ５・・・イオンビーム源 ６・・・ターゲット ７・・・基台 ８・・・冷却水管 ９・・・ヒータ １０・・・熱電対 １１．１５・・・排気口 １３・・・ホルダ １４・・・ターゲット電極 １６・・・ガス導入口 １７・・・高周波電源 １８・・・シャッタ 第１図 手続補正書（自発） 昭和６０年１０月１１日 ｌ、事件の表示 昭和６０年特許願第３８１４４号 ２・発明の名称 光学ガラス素子成形用金型とその製造方法３、補正をす
る者 有性との関係 特 許 出 願 人 住 所 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番２号名
称 （０３７）オリンパス光学工業株式会社代表者 下
山 敏 部 ４、代 理 人 ５、補正命令の日付 ７、補正の内容 （１） 特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 （２明細書第３頁第８行目から同頁第９行目に記載する
［しかし、この手段による場合は、加熱プレス用金型」
を「しかし、該公報における金型による場合は、ガラス
素材と加熱プレス用金型」と補正する。 （３）明細書第３頁第１４行目に記載する「なる。」を
「よる、」と補正する。 （４）明細書第６頁第６行目に記載する「極低炭素の」
を「極低炭素含有の」と補正する。 （５）明細書第９頁第２行目から同頁３行目及び同頁第
７行目に記載する「Ｎガス」を「Ｎ２ガス」と補正する
。 （Ｑ 明細書第９頁第３行目及び同頁第８行目に記載す
るｒＮＨガス」をｒ Ｎ Ｈ３ガス」と補正する。 ８、添付書類の目録 （１） 別紙 １通別
紙 ２、特許請求の範囲 （１） 所望の成形物にプレス成形するため所定形状
の成形面が形成された光学ガラス素子成形用金型におい
て、上記成形面にＡＩＮからなる被着膜を形成したこと
を特徴とする光学ガラス素子成形用金型。 （り 上記金型をＮｉ基合金、Ｆｅ基基体金合金るいは
ＷＣ−Ｃｏ系合金のいずれかの金属材料により形成した
ことを特徴とする特許請求の範囲ｍ１１項記載光学ガラ
ス素子成形用金型。 （３）上記金型をＡＩＮあるいはＳｉ３Ｎｇのいずれか
を主成分とするセラミック材料により形成したことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学ガラス素子成
形用金型。 （４）所望の成形物にプレス成形するため所定形状の成
形面が形成された光学ガラス素子成形用金型の製造方法
において、 Ｊ２記金型の成形面にＰＶＤ法（物理的蒸着法）により
ＡＩＮからなる蒸ＭＨを蒸着することを特徴とする光学
ガラス素子成形用金型の製造方法。 ■ 上記ＰＶＤ法はイオンビームスパッタリングまたは
ＲＦスパッタリング等のスパッタリングを用いることを
特徴とする特許請求の範囲第４項記載の光学ガラス素子
成形用金型の製造方法。 （６） 上記ＰＶＤ法はイオンブレーティング法を用
いることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の光学
ガラス素子成形用金型の製造方法。 ■ 上記成形面は、Ｒｗａｘで０．０５７ｚｍ以下の面
粗さに加工した後、−上記蒸着膜を蒸着することを特徴
とする特許請求の範囲第４項記載の光学ガラス素子成形
用金型の製造方法。
Claims (7)
- （１）所望の成形物にプレス成形するため所定形状の成
形面が形成された光学ガラス素子成形用金型において、
上記成形面にＡＩＮからなる被着膜を形成したことを特
徴とする光学ガラス素子成形用金型。 - （２）上記金型をＮｉ基合金、Ｆｅ基耐熱合金あるいは
ＷＣ−Ｃｏ系合金のいずれかの金属材料により形成した
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学ガラ
ス素子成形用金型。 - （３）上記金型をＡＩＮあるいはＳｉ＿３Ｎ＿４のいず
れかを主成文とするセラミック材料により形成したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学ガラス素
子成形用金型。 - （４）所望の成形物にプレス成形するため所定形状の成
形面が形成された光学ガラス素子成形用金型の製造方法
において、 上記金型の成形面にＰＶＤ法（物理的蒸着 法）によりＡＩＮからなる蒸着膜を蒸着することを特徴
とする光学ガラス素子成形用金型の製造方法。 - （５）上記ＰＶＤ法はイオンビームスパッタリングまた
はＲＦスパッタリング等のスパッタリングを用いること
を特徴とする特許請求の範囲第４項記載の光学ガラス素
子成形用金型の製造方法。 - （６）上記ＰＶＤ法はイオンプレーティング法を用いる
ことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の光学ガラ
ス素子成形用金型の製造方法。 - （７）上記成形面は、Ｒｍａｘで０．０５μｍ以下の面
粗さに加工した後、上記蒸着膜を蒸着することを特徴と
する特許請求の範囲第４項記載の光学ガラス素子成形用
金型の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3814485A JPS61197430A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 光学ガラス素子成形用金型とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3814485A JPS61197430A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 光学ガラス素子成形用金型とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61197430A true JPS61197430A (ja) | 1986-09-01 |
| JPH0329012B2 JPH0329012B2 (ja) | 1991-04-22 |
Family
ID=12517222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3814485A Granted JPS61197430A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 光学ガラス素子成形用金型とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61197430A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6395129A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-26 | Olympus Optical Co Ltd | ガラスプレス装置部材 |
| JPH03208821A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Alps Electric Co Ltd | 成形金型の製造方法 |
| WO2012027132A1 (en) * | 2010-08-24 | 2012-03-01 | Corning Incorporated | Glass-forming tools and methods |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS527003A (en) * | 1975-07-02 | 1977-01-19 | Danfoss As | Sliding shoe mechanism |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP3814485A patent/JPS61197430A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS527003A (en) * | 1975-07-02 | 1977-01-19 | Danfoss As | Sliding shoe mechanism |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6395129A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-26 | Olympus Optical Co Ltd | ガラスプレス装置部材 |
| JPH03208821A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Alps Electric Co Ltd | 成形金型の製造方法 |
| US5164221A (en) * | 1990-01-12 | 1992-11-17 | Alps Electric Co., Ltd. | Forming die manufacturing method |
| WO2012027132A1 (en) * | 2010-08-24 | 2012-03-01 | Corning Incorporated | Glass-forming tools and methods |
| CN103068751A (zh) * | 2010-08-24 | 2013-04-24 | 康宁股份有限公司 | 玻璃成形工具和方法 |
| US8887532B2 (en) | 2010-08-24 | 2014-11-18 | Corning Incorporated | Glass-forming tools and methods |
| CN103068751B (zh) * | 2010-08-24 | 2015-09-30 | 康宁股份有限公司 | 玻璃成形工具和方法 |
| US9586849B2 (en) | 2010-08-24 | 2017-03-07 | Corning Incorporated | Glass-forming tools and methods |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0329012B2 (ja) | 1991-04-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |